具体技术细节
[0005] 为克服背景技术中存在的不足，本发明提供了一种低膨胀高硬度超薄电子玻璃的制备方法，利用本发明制备的电子玻璃完全适用于电子设备的盖板保护层。
[0006] 为实现如上所述的发明目的，本发明采用如下所述的技术方案：一种低膨胀高硬度超薄电子玻璃的制备方法，所述方法具体包括如下步骤：
第一步、将适量的原材料混合后投入熔炼炉中，熔炼炉的温度控制在1620～1700℃熔化得到均匀稳定玻璃液；
第二步，将第一步获得的玻璃液浮法成型，设置拉边机进行拉薄，获得厚度为0.1～1.1mm的基体玻璃片；
第三步、将第二步获得的基体玻璃片在退火炉中进行退火处理，退火时间为0.5～
1h，随炉冷却降至室温；
第四步、将第三步获得的基体玻璃片进行切割获得所需尺寸的玻璃薄片，依次使用酒精及纯水对玻璃薄片进行超声波清洗，在105℃的烘箱中烘干，随后将烘干后的玻璃薄片利用真空吸附在研磨机上研磨，用螺旋测微仪测研磨后玻璃薄片的厚度，使其平均厚度达到0.13mm，再次进行清洗烘干后，将玻璃薄片利用真空吸附在抛光机上抛光，然后使用螺旋测微仪测抛光后玻璃薄片的厚度，使玻璃薄片平均厚度达到0.12mm，再次将玻璃薄片清洗烘干后得到透明的基体玻璃片；
第五步、将第四步获得的基体玻璃片进行软化，再次将软化后的基体玻璃片放入退火炉中，退火时间为0.5～1h，随炉冷却降至室温后获得所需的合格电子玻璃。
[0007] 所述的低膨胀高硬度超薄电子玻璃的制备方法，所述第一步中原材料按质量百分比包括如下组分：Na2O 8.12～18.25%；
CaO 5.12～9.46%；
SiO2 61.23～72.81%；
Al2O3 12.15～25.69%；
MgO 1.95～5.02%；
K2O 0～1.35%；
TiO2 0～5.14%；
ZrO2 0～1.86%；
B2O3 0～13.87%。
[0008] 所述的低膨胀高硬度超薄电子玻璃的制备方法，所述第一步中熔炼炉在熔化原材料时，以第一升温速率升温至第一设定温度后保温第一设定时间，随后以第二升温速率升温至第二设定温度后保温第二设定时间，再以第三升温速率升温至第三设定温度后保温第三设定时间。
[0009] 所述的低膨胀高硬度超薄电子玻璃的制备方法，所述第一升温速率为12～15℃/min，第一设定温度为1620～1700℃，第一设定时间为200～300min，所述第二升温速率为12～25℃/min，第二设定温度为1050～1100℃，第二设定时间为120～250min，所述第三升温速率为5～20℃/min，第三设定温度为700～750℃，第三设定时间为100～500 min。
[0010] 所述的低膨胀高硬度超薄电子玻璃的制备方法，所述第三步中退火炉的退火温度为700～750℃。
[0011] 所述的低膨胀高硬度超薄电子玻璃的制备方法，所述第五步中退火炉的退火温度为750～800℃。
[0012] 采用如上所述的技术方案，本发明具有如下所述的优越性：本发明中Na2O和K2O是碱金属氧化物，可以降低玻璃熔制温度，提高成型性，CaO和MgO可以调整玻璃成型性能，起到压碱效果，提高超薄电子玻璃稳定性，SiO2 是超薄电子玻璃结构中的网络形成体，它以硅氧四面体[SiO4]的结构形成不规则的连续网络，构成玻璃骨架，Al2O3 为中间体氧化物，当玻璃中氧原子不足时，铝的配位状态是铝氧八面体[AlO6]，处于网络间隙；当玻璃中有多余的氧原子时，铝的配位状态为铝氧四面体[AlO4]，进入超薄电子玻璃结构，起到补网作用，增加超薄电子玻璃的稳定性，增大超薄电子的强度，TiO2和ZrO2可以调整玻璃致密性，B2O3可以调整超薄电子玻璃的热膨胀系数，上述组分组成的超薄电子玻璃的大尺寸性能良好、强度较高、可见光透过率较高；
通过本发明制得的玻璃具有较高的抗弯强度、透明度、硬度，表面经研磨抛光后进行热处理，可以防止裂纹的延伸，增大玻璃的抗弯强度、透明度、硬度等。
法律保护范围
涉及权利要求数量6：其中独权1项，从权-1项
1.一种低膨胀高硬度超薄电子玻璃的制备方法，其特征是：所述方法具体包括如下步骤：
第一步、将适量的原材料混合后投入熔炼炉中，熔炼炉的温度控制在1620～1700℃熔化得到均匀稳定玻璃液；
第二步，将第一步获得的玻璃液浮法成型，设置拉边机进行拉薄，获得厚度为0.1～
1.1mm的基体玻璃片；
第三步、将第二步获得的基体玻璃片在退火炉中进行退火处理，退火时间为0.5～1h，随炉冷却降至室温；
第四步、将第三步获得的基体玻璃片进行切割获得所需尺寸的玻璃薄片，依次使用酒精及纯水对玻璃薄片进行超声波清洗，在105℃的烘箱中烘干，随后将烘干后的玻璃薄片利用真空吸附在研磨机上研磨，用螺旋测微仪测研磨后玻璃薄片的厚度，使其平均厚度达到
0.13mm，再次进行清洗烘干后，将玻璃薄片利用真空吸附在抛光机上抛光，然后使用螺旋测微仪测抛光后玻璃薄片的厚度，使玻璃薄片平均厚度达到0.12mm，再次将玻璃薄片清洗烘干后得到透明的基体玻璃片；
第五步、将第四步获得的基体玻璃片进行软化，再次将软化后的基体玻璃片放入退火炉中，退火时间为0.5～1h，随炉冷却降至室温后获得所需的合格电子玻璃。
2.根据权利要求1所述的低膨胀高硬度超薄电子玻璃的制备方法，其特征是：所述第一步中原材料按质量百分比包括如下组分：
Na2O 8.12～18.25%；
CaO 5.12～9.46%；
SiO2 61.23～72.81%；
Al2O3 12.15～25.69%；
MgO 1.95～5.02%；
K2O 0～1.35%；
TiO2 0～5.14%；
ZrO2 0～1.86%；
B2O3 0～13.87%。
3.根据权利要求1所述的低膨胀高硬度超薄电子玻璃的制备方法，其特征是：所述第一步中熔炼炉在熔化原材料时，以第一升温速率升温至第一设定温度后保温第一设定时间，随后以第二升温速率升温至第二设定温度后保温第二设定时间，再以第三升温速率升温至第三设定温度后保温第三设定时间。
4.根据权利要求3所述的低膨胀高硬度超薄电子玻璃的制备方法，其特征是：所述第一升温速率为12～15℃/min，第一设定温度为1620～1700℃，第一设定时间为200～300min，所述第二升温速率为12～25℃/min，第二设定温度为1050～1100℃，第二设定时间为120～
250min，所述第三升温速率为5～20℃/min，第三设定温度为700～750℃，第三设定时间为
100～500 min。
5.根据权利要求1所述的低膨胀高硬度超薄电子玻璃的制备方法，其特征是：所述第三步中退火炉的退火温度为700～750℃。
6.根据权利要求1所述的低膨胀高硬度超薄电子玻璃的制备方法，其特征是：所述第五步中退火炉的退火温度为750～800℃。
