本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种耗尽型半导体器件及其制备方法，包括：硅衬底；形成在硅衬底内的N型阱层，以及形成在N型阱层表面且朝向N型阱层内部延伸的N+层；形成在硅衬底表面上的硅氧化层，以及形成在硅氧化层表面上的多晶硅层；其中，N型阱层包括沿第一水平方向分布的第一N型阱区、第二N型阱区以及位于第一N型阱区以及第二N型阱区之间的导电沟道结构，导电沟道结构包括第三N型阱区以及与第三N型阱区接触的耗尽调整结构，耗尽调整结构能够对第三N型阱区进行耗尽并调整第三N型阱区的耗尽速度。本发明提供的耗尽型半导体器件比常规耗尽器件有更大的导通电流，并且能够在不调整工艺的情况下调整夹断电压，应用更加灵活。