本发明公开了一种带有突出P阱的UMOSFET器件及其制备方法，包括：漂移区，以及位于漂移区上方的沟道区；沟道区包括沟槽，沟槽的底部设置有第一电流传输层、以及位于第一电流传输层两侧的角落堆积区；第一电流传输层的下方设置有第二电流传输层，第二电流传输层与第一电流传输层层叠设置，第二电流传输层由第一电流传输层的下表面延伸至所述漂移区，沿垂直于漂移区的方向，第二电流传输层的正投影位于第一电流传输层的正投影的中间，第二电流传输层的掺杂浓度小于第一电流传输层的掺杂浓度；第一电流传输层和角落堆积区的上方设置有栅介质层，栅介质层呈U型结构，栅介质层内设置有栅电极。本发明能够改善器件的性能。