本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种超结结构，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括有漏极、上金属源极、栅极以及半导体外延层，所述栅极的表面设有栅氧化层；所述半导体外延层的内部通过离子注入形成有P阱层、N阱层、扩散层和衬底层；所述P阱层包括轻掺杂P阱层一和重掺杂P阱层一，其中，所述重掺杂P阱层一延伸至半导体外延层底部并与衬底层接触。本发明在沟槽中间设置氧化硅绝缘层，在器件处于阻断状态时，该氧化层可以同器件一起承压，不会导致器件耐压特性下降，并且在器件制造过程中，该氧化层的设置可以极大降低超结结构制造过程中对离子注入机的要求。