[0059] 其中，L是位于第一走线层中的连接线的线宽，也即数据信号线的线宽，θ2为激光进入衬底基板304时的折射角，θd是激光由衬底基板304进入光扩散层的折射角，n2表示衬底基板304的折射率。可选的，本示例中光扩散层的折射率为1.3‑1.6，优选为1.4‑1.5；光扩散层的厚度可选为1μm‑8μm，优选为3μm‑5μm。光扩散层的材料可以为有机材料，例如聚酰亚胺、亚力克、环氧树脂等。
[0060] 在一些示例中，该显示基板还可以在上述结构的基础上设置封装层，其包括第一无机封装层1051、有机封装层1052和第二无机封装层1053，处于发光材料层307远离衬底基板的一侧(如图1中(d)所示)。除第一无机封装层1051和第二无机封装层1053外，图1中(d)所示的Barrier层1012、缓冲层1013、栅极绝缘层1014均为无机层，称为显示基板的若干无机层。此若干无机层覆盖主显示区100、副显示区200以及连接区300。在一些示例中，显示基板1还包括位于连接区300的第一开口，其贯穿上述若干无机层中的至少一层无机层；其中，第一开口可以覆盖连接区300，也可以仅位于连接区300的部分位置。
[0061] 上述示例通过将连接区300中图1(d)所示的若干无机层，即Barrier层1012、缓冲层1013、栅极绝缘层1014、第一无机封装层1051和第二无机封装层1053中的至少一层去除，减小了连接区300中所有无机层的厚度之和，使连接区300中所有无机层的整体厚度小于显示区，增大了连接区300处显示基板的变形能力，避免了此处无机层发生断裂的情况，从而可以避免无机层断裂后水氧侵蚀造成的封装信赖性不良。
[0062] 另外，为了增大连接区300处显示基板的变形能力，在一些示例中，通常会在此处开设多个沿厚度方向贯穿显示基板厚度的开孔结构，该示例显示基板连接区300的平面示意图如图8所示。即，连接区300被划分为开孔区301和走线区302。其中，开孔结构在显示基板所在平面内的形状可以为矩形，矩形的宽度(沿水平方向的尺寸)可根据走线区302中连接线的数量及其实际需要占据的空间设定，可选的，每一开孔结构的宽度为10μm‑700μm，优选为50μm‑300μm，每一走线区302的宽度为300μm‑2000μm，优选为500μm‑1000μm。当然，开孔结构在显示基板所在平面内的形状也可以为其他形状，例如圆形等。走线区302用于容纳各类连接线，包括但不限于：电源线VSS和VDD、GOA信号线、DATA信号线等。如图1中(c)所示，显示基板的主显示区100被划分为第一显示区101和第一外围走线区102，副显示区200被划分为第二显示区201和第二外围走线区202；连接区300附近的连线设计如图7所示，其中，DATA信号线从主显示区100的键合(bonding)区(未示出)引出，一部分进入第一显示区101，为主显示区100提供数据信号，另一部分沿第一外围走线区102绕线，到达连接区300，通过连接区300的走线区302进入第二显示区201，为副显示区200提供数据信号。
[0063] 上述示例通过在连接区300设置贯穿显示基板的开孔结构，增大了位于连接区300的显示基板的变形能力，可释放一部分显示基板与3D玻璃盖板在贴合过程中对连接区显示基板产生的拉压力，从而减少显示基板位于连接区处的褶皱断线。
[0064] 在一些示例中，该显示基板还包括封装坝结构，其设置在第一无机封装层1051和第二无机封装层1053之间，包括第一封装坝701和第二封装坝702。其设置位置如图8和图9所示，其中，第一封装坝701位于第一外围走线区102且围绕第一显示区101，第二封装坝702位于第二外围走线区202且围绕第二显示区201，连接区300的开孔区301处于第一封装坝701和第二封装坝702之间。另外，第一封装坝701和第二封装坝702均可以为多条。
[0065] 例如，第一封装坝701或者第二封装坝702可以包括如图11所示的保护部7011、阻隔部7012和隔垫部7013。其中，保护部7011形成在层间绝缘层1015上，与源漏电极层同层设置，或者与平坦化层1016同层设置；阻隔部7012设置在保护部7011背离层间绝缘层1015的一侧，与像素界定层1017同层设置；隔垫部7013设置在阻隔部7012背离层间绝缘层1015的一侧，与隔垫物1018同层设置。
[0066] 上述示例中，阻隔部7011可对封装层中有机封装材料1052的流动形成限制，避免有机封装材料流动至开孔区301引起封装失效的问题。保护部7012可在一定程度上保护层间绝缘层1015，避免利用刻蚀工艺形成阻隔部时对层间绝缘层1015造成多次刻蚀清洗导致封装坝粘附力下降的问题。隔垫部7013可以增加封装坝的厚度，进一步阻挡封装层中有机封装薄膜材料流向开孔区301，进一步提高了对封装层中有机封装薄膜材料流动的限制，进一步提高了显示基板封装的可靠性。
[0067] 除此之外，为了更好地避免外界水、氧、以及具有流动性的封装层(尤其是吸水性强的有机封装层1052)通过开孔结构进入显示基板对其造成侵蚀，在一些示例中，该显示基板还包括围绕开孔区301设置的多个隔断结构801，如图8所示，该多个隔断结构801在衬底基板所在平面的正投影围绕开孔区301。例如图8所示，隔断结构801可设置在第一封装坝701和第二封装坝702之间，围绕开孔区301设置，或者，隔断结构801可设置在第一封装坝
701远离连接区300的一侧和第二封装坝702远离连接区的一侧。如图1中(d)所示，驱动线路层305包括薄膜晶体管102、存储电容103以及各类连接线303等。其中，薄膜晶体管102依次包括有源层1021、栅极1022、栅极绝缘层1014、层间绝缘层1015和源漏电极层(包括源极
1023和漏极1024)。存储电容103包括第一极板1031和第二极板1032。例如，第一极板1031和栅极1022同层设置，第二极板1032在栅绝缘层1014和层间绝缘层1015之间。例如，源极1023和漏极1024均具有三层金属结构，如Ti/Al/Ti、Ti/Cu/Ti等。例如，任一隔断结构801如图10所示，包括第一绝缘层202A和位于第一绝缘层202A上方的第一金属层202B。其中，第一金属层202B围绕开孔区301的至少一个侧面具有凹口。第一绝缘层202A至少和栅绝缘层1014或者层间绝缘层1015同层设置。例如，第一绝缘层202A包括两个绝缘子层2021和2022，其中，绝缘子层2021和栅绝缘层1014同层设置，绝缘子层2022和层间绝缘层1015同层设置。隔断结构801的第一金属层202B与源漏电极1023和1024同层设置，具体的，隔断结构801的第一金属层202B包括三个金属子层2023/2024/2025，分别与源漏电极的三层金属层一一对应且材料相同。该种隔断结构可以断开显示基板上整面形成的功能层，例如发光器件的发光材料层以及阴极层等，并且有利于后续封装层的形成(使其可以更好地沿着隔断结构的表面形貌形成)。
[0068] 上述示例通过设置封装坝结构以及围绕开孔区的隔断结构，可有效地避免外界水氧、以及具有流动性的封装层(尤其是吸水性强的有机封装层)通过开孔结构进入显示基板对其造成侵蚀，从而可以保证显示区的显示效果。
[0069] 在此需要说明的是，由于本公开实施例对连接区的发光材料进行了去除，因此，即便是水、氧等通过开孔结构进入连接区，也不会由该区域的发光材料层进入显示区，可有效地避免连接区发光材料因吸收水氧致使发光层整层脱落的问题。
[0070] 在一些示例中，该显示基板还包括图1中(c)所示位于主显示区100远离连接区300一侧的弯折区400。该弯折区400用于将位于显示基板显示区的像素驱动电路通过其上的走线电连接到位于显示基板非显示侧的驱动结构，以使驱动结构实现对显示基板1显示区的显示控制。
[0071] 第二方面，本公开实施例提供了一种显示基板的制备方法，该显示基板的结构如第一种示例所描述，该制备方法可以包括：
[0072] 步骤S11、提供一衬底基板；衬底基板包括主显示区、副显示区和连接主、副显示区的连接区。
[0073] 例如，显示基板为柔性显示基板时，此时的衬底基板可以为聚酰亚胺(PI)等柔性绝缘材料。
[0074] 步骤S12、在衬底基板上形成位于所述主显示区、副显示区和连接区的驱动线路层。
[0075] 如图1中(d)所示，驱动线路层包括薄膜晶体管102、存储电容103以及各类连接线等。其中，薄膜晶体管依次包括有源层1021、栅极1022、栅极绝缘层1014、层间绝缘层1015和源漏电极层(包括源极1023和漏极1024)。存储电容103包括第一极板1031和第二极板1032。例如，第一极板1031和栅极1022同层设置，第二极板1032在栅绝缘层1014和层间绝缘层
1015之间。例如，源极1023和漏极1024均具有三层金属结构，如Ti/Al/Ti、Ti/Cu/Ti等。显示基板还包括位于衬底基板和驱动线路层之间、依次层叠的Barrier层1012和缓冲层1013。
[0076] 相应地，步骤S12还包括以下步骤：
[0077] 步骤S121、通过沉积等方法，在衬底基板上依次形成Barrier层和缓冲层；例如，Barrier层和缓冲层可以整面形成在衬底基板上。其中，Barrier层可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料，缓冲层也可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料。
[0078] 步骤S122、在Barrier层和缓冲层形成之后，形成薄膜晶体管102、存储电容103和各类连接线，其中，薄膜晶体管和存储电容位于主显示区和副显示区，各类连接线位于主显示区、副显示区以及连接区。
[0079] 更具体的，形成薄膜晶体管和存储电容的步骤包括：
[0080] 采用构图工艺，在衬底基板上形成有源层1021；在有源层1021上通过沉积等方式形成第一栅绝缘层1014A；在第一栅绝缘层1014A上采用构图工艺同时形成栅极1022和第一极板1031；在栅极1022和第一极板1031上方通过沉积等方式形成第二栅绝缘层1014B；在第二栅绝缘层1014B上方形成第二极板1032；在第二极板1032上方采用沉积等方式形成层间绝缘层1015；刻蚀栅绝缘层1014和层间绝缘层1015以形成暴露有源层1021的过孔；然后，在层间绝缘层上方形成源极1023和漏极1024。
[0081] 步骤S13、在连接区形成贯穿显示基板的若干开孔结构，使连接区划分为开孔区和走线区；并围绕开孔区的区域形成多个隔断结构。
[0082] 例如，可采用刻蚀工艺或者激光开孔工艺形成开孔结构。
[0083] 例如，任一隔断结构如图10所示，包括第一绝缘层202A和位于第一绝缘层202A上方的第一金属层202B。其中，第一金属层202B围绕开孔区301的至少一个侧面具有凹口。第一绝缘层202A至少和栅绝缘层1014或者层间绝缘层1015同层设置。例如，第一绝缘层202A包括两个绝缘子层2021和2022，其中，绝缘子层2021和栅绝缘层1014同层设置，绝缘子层2022和层间绝缘层1015同层设置。隔断结构801的第一金属层202B与源漏电极1023和1024同层设置，具体的，隔断结构801的第一金属层202B包括三个金属子层2023/2024/2025，分别与源漏电极的三层金属层一一对应且材料相同。
[0084] 相应地，形成隔断结构801的具体操作包括：
[0085] 在栅绝缘层1014和层间绝缘层1015形成后，采用一次刻蚀工艺刻蚀隔断结构处的栅绝缘层1014和层间绝缘层1015，形成隔断结构801的第一绝缘层202A；在源漏电极层形成之后，对位于隔断结构801处的源漏电极层(三层金属层)进行纵向刻蚀，形成侧面齐平的初始第一金属层，然后，通过一次侧向刻蚀工艺刻蚀侧面齐平的初始第一金属层，以形成侧面具有凹口的第一金属层(如图10所示)。例如，侧向刻蚀工艺中使用的刻蚀液仅对第一金属层202B的中间层具有刻蚀效果，或者对中间层的刻蚀速率大于对其他层的刻蚀速率，因而，可以使第一金属层202B形成“工”字形结构。
[0086] 步骤S14、在驱动电路层形成之后，在位于驱动线路层远离衬底基板的一侧形成发光器件层，发光器件层包括发光材料层。
[0087] 例如，发光器件层包括每一子像素的发光器件104，发光器件104包括阳极、发光材料和阴极，或者，发光器件层包括阳极层1041、发光材料层307和阴极层1043，发光材料层307包括每一发光器件104的发光材料。本领域技术人员可以理解，驱动线路层305还包括若干走线层，每一走线层包括若干连接线。驱动线路层305中最靠近发光器件层的一层走线层为第一走线层。显示基板还包括位于驱动线路层305和发光器件层之间的绝缘层306(例如图1中(d)所示的平坦化层1016)，以及位于平坦化层1016上方的像素界定层1017和隔垫物
1018。
[0088] 相应地，步骤S14还包括以下步骤：
[0089] 步骤S141、在薄膜晶体管102和存储电容103的各膜层形成完成后，依次形成平坦化层1016、阳极层1041、像素界定层1017和隔垫物1018。
[0090] 例如，可采用构图工艺形成阳极层1041，阳极层1041的材料包括ITO、IZO等金属氧化物或者Ag、Al、Mo等金属或其合金。其中，像素界定层1017具有暴露阳极层1041的开口，以便形成发光器件104的307发光材料层和阴极层1043等结构。
[0091] 步骤S142、在平坦化层1016中形成过孔，使阳极层1041通过过孔和薄膜晶体管的源极1023电连接。
[0092] 步骤S143、在阳极层1041、像素界定层1017和隔垫物1018形成后，依次形成发光材料层307和阴极层1043，发光材料层307和阴极层1043位于主显示区100、副显示区200以及连接区300。
[0093] 例如，可以通过喷墨打印或者蒸镀等方式在像素界定层1017的开口中形成发光材料层307，然后形成阴极层1043。进一步的，发光材料层307与阳极层1041之间或者发光材料层307与阴极层1043之间还可以形成辅助发光层(未示出)，辅助发光层例如包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层以及空穴传输层中的一种或多种。发光材料层307和辅助发光层的材料为有机材料，发光材料层307的材料可根据需求选择可发出某一颜色光(例如红光、蓝光或者绿光等)的发光材料。阴极层1043的材料可以包括Mg、Ca、Li或Al等金属或其合金，或者IZO、ZTO等金属氧化物，又或者PEDOT/PSS(聚3，4‑乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)等具有导电性能有机材料。
[0094] 步骤S15、去除发光材料层307位于连接区300的材料。
[0095] 例如，可采用激光烧蚀工艺完成，具体操作包括：
[0096] 步骤S151、使激光从衬底基板304位于连接区300的材料处入射，依次经过显示基板的各个膜层结构后，到达发光材料层307；
[0097] 步骤S152、调整激光器的入射角度和功率，使到达发光材料层307的激光足以将发光材料层307位于连接区300的材料气化并蒸发。或者，进一步的，使到达发光材料层307的激光足以将发光材料层307和阴极层1043位于连接区300的材料共同被气化并蒸发。
[0098] 步骤S16、在主显示区100形成一条或者多条第一封装坝701，在副显示区200形成一条或者多条第二封装坝702，之后，在发光器件层远离衬底基板304的一侧形成封装层。
[0099] 例如，在第一外围走线区102围绕第一显示区101形成第一封装坝701，在第二外围走线区202围绕第二显示区201形成第二封装坝702。其中，形成第一封装坝701和第二封装坝702的操作包括：
[0100] 在通过一次构图工艺对覆盖层间绝缘层1015上方的导电薄膜形成源漏电极的同时，在第一封装坝701和第二封装坝702所处区域处形成保护部7011，该保护部7011与源漏电极同层；或者，通过一次构图工艺，对平坦化层1016进行图案化处理，形成位于第一封装坝701和第二封装坝702所处区域的保护部7011；接着，采用同一次构图工艺，对像素界定层1017和隔垫物1018进行图案化，分别形成阻隔部7012和隔垫部7013，其中阻隔部7012和隔垫部7013均位于第一封装坝701和第二封装坝702所处区域。
[0101] 封装层包括第一无机封装层1051、有机封装层1052以及第二无机封装层1053。第一无机封装层1051、第二无机封装层1053用于防止水、氧从开孔区进入发光层中，可采用氮化硅、氧化硅等无机材料制作而成。有机封装层1052用于实现平坦化作用，以便于第二无机封装层1053的制作，可采用丙烯酸基聚合物、硅基聚合物等材料制作而成。其中，第一无机封装层1051和第二无机封装层1053封装第一显示区101和第一封装坝701、第二显示区201和第二封装坝702，有机封装层1052封装第一显示区101和第二显示区201，并在第一封装坝701和第二封装坝702之间断开。
[0102] 步骤S17、形成覆盖连接区300、或者仅位于连接区300部分位置的、至少贯穿一层无机层的第一开口。
[0103] 特别的，在该实施例中，步骤S141形成的绝缘层306(平坦化层1016)被复用为光扩散层，在采用激光烧蚀工艺去除发光材料层307位于连接区300的材料(步骤S15)时，该扩散层可使得激光更好地、更全面地覆盖整个连接区300，以使连接区300的发光材料层307完全被去除，避免了通过开孔结构进入的水、氧等通过连接区300的发光材料入侵到显示区影响显示效果以及封装信赖性等问题。
[0104] 第二种示例的显示基板与第一种示例所描述的显示基板结构大致相同，区别仅在于连接区300处光扩散层的设置位置及其折射率设定。第二种示例中，光扩散层的设置如图6所示，光扩散层308设置在绝缘层306和发光材料层307之间。其中，光扩散层308的折射率为nd，应满足如下条件：
[0105] nd
[0106] 其中，n2和n3分别表示衬底基板304和绝缘层306的折射率。可选的，本实施例中光扩散层的折射率为1.3‑1.6。第二种示例中的显示基板与第一种示例所描述的显示基板除上述光扩散层的设置有所区别之外，其余结构(如膜层结构中的若干无机层、连接区的开孔结构、封装坝、隔断结构等)的设置均相同，此处不再赘述。
[0107] 相应地，本公开实施例提供了第二种示例中显示基板的制备方法，方法包括步骤S21‑步骤S27。其中，步骤S21‑S23分别与上文步骤S11‑步骤S13相同，步骤S25‑步骤S27分别与上文的步骤S15‑步骤S17相同。即本实施例中，提供衬底基板、形成驱动线路层、形成开孔结构和隔断结构、去除发光材料层位于连接区的材料以及形成封装坝和封装层的制备过程，均与制备第一种示例中显示基板的相应步骤相同。区别仅在于，本实施例中的步骤S24与上文的步骤S14不同，具体的，制备第三种示例中显示基板的步骤S24为：在位于驱动线路层远离衬底基板的一侧形成光扩散层后，形成发光器件层，发光器件层包括发光材料层。
[0108] 更具体的，步骤S24还包括以下步骤：
[0109] 步骤S241、在薄膜晶体管102和存储电容103的各膜层形成完成后，形成平坦化层1016(绝缘层306)。
[0110] 步骤S242、在平坦化层1016形成之后，形成覆盖连接区300的光扩散层308，其折射率如第二种示例所设。
[0111] 步骤S243、在光扩散层308形成之后，形成阳极层1041、像素界定层1017和隔垫物1018。
[0112] 步骤S244、在平坦化层1016中形成过孔，使阳极层1041通过过孔和薄膜晶体管102的源极1023电连接。
[0113] 步骤S245、在阳极层1041、像素界定层1017和隔垫物1018形成后，依次形成发光材料层307和阴极层1043，发光材料层307和阴极层1043位于主显示区100、副显示区200以及连接区300。
[0114] 其余步骤与第一种示例的制备方法相同，此处不再赘述。
[0115] 第三种示例的显示基板与第一种示例所描述的显示基板结构大致相同，区别仅在于连接区处光扩散层的设置位置及其折射率设定。第三种示例中，光扩散层的设置如图5所示，光扩散层308设置在驱动线路层305和衬底基板304之间。其中，光扩散层308的折射率为nd，应满足如下条件：
[0116] nd
[0117] 其中，n2和n3分别表示衬底基板304和绝缘层306的折射率。可选的，本实施例中光扩散层的折射率为1.1‑1.5，优选为1.3‑1.4；光扩散层308的材料可以为无机材料。第二种示例中的显示基板与第一种示例所描述的显示基板除上述光扩散层的设置有所区别之外，其余结构(如膜层结构中的若干无机层、连接区的开孔结构、封装坝、隔断结构等)的设置均相同，此处不再赘述。
[0118] 相应地，本公开实施例提供了第三种示例中显示基板的制备方法，方法包括步骤S31‑步骤S37。其中，步骤S31与步骤S11相同，步骤S33‑步骤S37分别与上文的步骤S13‑步骤S17相同，即本实施例中，提供衬底基板、形成开孔结构以及形成隔断结构、形成发光器件层、去除发光材料层位于连接区的材料、形成封装坝的步骤，均与第一种示例显示基板的相应步骤相同。区别仅在于，本实施例中的步骤S32与上文的步骤S12不同，具体的，步骤S32为：在衬底基板304上形成光扩散层308后，形成位于所述主显示区100、副显示区200和连接区300的驱动线路层305。
[0119] 更具体的，步骤S32还包括以下步骤：
[0120] 步骤S321、通过沉积等方法，在衬底基板304上依次形成Barrier层1012和缓冲层1013。
[0121] 步骤S322、在Barrier层1012和缓冲层1013形成之后，形成覆盖连接区300的光扩散层308，其折射率如第三种示例所设。
[0122] 步骤S323、在光扩散层308形成之后，形成薄膜晶体管102、存储电容103和各类连接线303，其中，薄膜晶体管102和存储电容103位于主显示区100和副显示区200，各类连接线303位于主显示区100、副显示区200以及连接区300。
[0123] 其中，形成薄膜晶体管102和存储电容103的步骤，以及形成其余结构的步骤均与第一种示例显示基板的制备过程相同，此处不再赘述。
[0124] 三种示例中的光扩散层作用相同，均是为了在采用激光烧蚀工艺去除发光材料层位于连接区的材料(步骤S15)时，该扩散层可使得激光更好地、更全面地覆盖整个连接区，以使连接区的发光材料层完全被去除，避免了通过开孔结构进入的水、氧等通过连接区的发光材料入侵到显示区影响显示效果以及封装信赖性等问题。
[0125] 另外，在一些示例中，如图1中(c)所示，连接区300的两侧为断开区500，该断开区500将主显示区100和副显示区200隔开，换句话说，显示基板包括正面的主显示基板、侧面的副显示基板以及主、副显示基板的连接结构。连接结构使得主、副显示基板连接为一体，在制备时，主、副显示基板可采用相同工艺、同一套Mask同时制备。设置连接区300(或连接结构)和断开区500具有以下效果：一方面，连接结构使得主显示基板和副显示基板为一体，增加了主、副显示基板之间的联动性，同时使两者可采用相同工艺同时制备而得，简化了工艺步骤；另一方面，在显示基板与3D玻璃盖板的贴合过程中，断开区500可以减少副显示基板向主显示基板贴合和翻折所产生的形变量，减少连接区的褶皱断线。
[0126] 第三方面，本公开实施例提供一种可穿戴的显示设备，包括上文所述的任一显示基板。
[0127] 总得来说，本发明提供的显示基板，相对于现有技术，至少可产生以下有益效果：1、通过去除发光材料层位于连接区的部分，可有效避免此处无机层断裂后水氧入侵，导致发光材料层整片脱落，影响显示效果以及造成封装信赖性不良；2、连接区开设开孔结构以及主、副显示基板之间具有断开区，可有效减少副显示基板向主显示基板贴合、以及显示基板与3D玻璃盖板贴合过程中，在连接区产生的褶皱断线；3、通过设置封装坝结构和隔断结构，可有效避免外界水汽和流动性高的封装层通过连接区的开孔结构进入显示基板对其侵蚀。
[0128] 可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
