技术领域
[0001] 本申请要求基于在2017年7月27日提交的韩国专利申请第10-2017-0095466号和在2018年7月26日提交的韩国专利申请第10-2018-0087287号的优先权权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
[0002] 本申请涉及基板。
相关背景技术
[0003] 已知能够通过在彼此相对设置的基板之间设置光调制材料例如液晶化合物、或液晶化合物和染料的混合物来调节透光率或颜色或反射率的光学装置。例如，专利文献1公开了应用液晶主体和二色性染料客体的混合物的所谓的GH单元(guest host cell，宾主单元)。
[0004] 在这样的装置中，所谓的间隔物位于基板之间以保持基板之间的间隔。
[0005] [现有技术文献]
[0006] [专利文献]
[0007] 专利文献1：欧洲专利公开第0022311号
具体实施方式
[0164] 在下文中，将通过实施例具体地描述本申请，但本申请的范围不受以下实施例限制。
[0165] 实施例1
[0166] 生产如图18所示类型的压印掩模，并使用其生产半球形间隔物。根据图18所示的形式，压印掩模通过如下来生产：在PET(聚(对苯二甲酸乙二醇酯))主体9上形成压印模具901，在模具901上形成凹部9011，然后在其上未形成凹部9011的表面上形成黑层(AlOxNy)
902，在黑层902和凹部9011上形成离型层。此时，使凹部形成为具有约24μm至26μm的范围内的宽度和约9μm至10μm左右的高度的半球形。此外，凹部形成为使得间隔物的排列为使得图
22中描述的不规则度为约70％左右。
[0167] 在PC(聚碳酸酯)基础层(图6和7中的10)上形成结晶ITO(氧化铟锡)电极层(图6和7中的40)，在所述电极层上形成黑层(图6和7中的30)。通过沉积氧氮化铝(AlON)、铝(Al)和氧氮化铝(AlON)至分别为约60nm、80nm和60nm左右的厚度，使黑层形成为总厚度为约200nm左右的三层结构(AlON/Al/AlON)。在此，铝是物理延性值已知为约0.65的金属。图24是从上方观察其上形成有形成的黑层的基础层的图，其中可以确定在作为柔性基础层的PC基础层上稳定地形成黑层而不引起裂纹等。
[0168] 随后，将约2mL至3mL的用于生产柱状间隔物的常规可紫外固化的丙烯酸酯粘合剂和引发剂的混合物(UV(紫外)树脂)滴到黑层上，用压印掩模压制滴下的混合物，并且在形成包括基础层、电极层、黑层、UV树脂层和压印掩模层的层合体的状态下照射紫外线以使UV树脂层固化。通过这样的过程，可以获得由于掩模900的凹图案引起的透镜的聚光效果，从而提高固化部分的固化程度。
[0169] 此后，通过除去(显影)未固化的UV树脂层200并除去(蚀刻)未固化的UV树脂层的部分处的黑层，在PC基础层的ITO电极层和黑层上形成半球形间隔物。
[0170] 图23是以上述方式制造的半球形间隔物的侧面，其中形成的半球形间隔物的高度为约12μm，宽度为约25μm。其表示为照片。图25是通过应用实施例的基板制造的液晶单元在遮光状态下的照片。
[0171] 实施例2
[0172] 如实施例1中，在PC(聚碳酸酯)基础层(图6和7中的10)上形成结晶ITO(氧化铟锡)电极层(图6和7中的40)，在所述电极层上形成黑层(图6和7中的30)。通过首先在ITO电极层上沉积铜(Cu)至约80nm的厚度，然后再次沉积铜氧化物(CuOx)至约30nm的厚度，使黑层形成为两层结构(Cu/CuOx)。在此，铜是物理延性值已知为约0.62的金属。随后，以与实施例1中相同的方式生产间隔物，不同之处在于改变并应用掩模使得可以形成圆柱形柱状间隔物作为间隔物。在形成圆柱形柱状间隔物时，应用Corelink Co.,Ltd.的商业产品(其中在作为聚酯膜的主体的一侧上形成遮光层，然后形成保护层)作为包括遮光层的光掩模。图26是由此形成的间隔物的照片。在图26中，(a)为OM形状，(b)为SEM图像。
[0173] 实施例3
[0174] 以与实施例1中相同的方式生产间隔物，不同之处在于形成以蜂窝状排列的间隔物。图27是由此形成的间隔物的照片。在图27中，(A)和(B)分别是低段差图案的低放大倍率和高放大倍率SEM(扫描电子显微镜)图像，(C)是高段差图案的高放大倍率SEM(扫描电子显微镜)图像，(D)是反射模式下的OM(光学显微术)低放大倍率图像，(E)是透射模式下的高放大倍率照片。
[0175] 比较例1
[0176] 以与实施例1中相同的方式制备间隔物，不同之处在于未形成黑层。图28是应用比较例1的基板的液晶单元在遮光状态下的照片。
[0177] 比较例2
[0178] 通过应用黑球状间隔物(Sekisui Chem，KBN-512)作为间隔物而不如实施例中形成黑层和柱状间隔物来生产液晶单元。液晶单元通过如下来生产：在作为下基础层的其上形成有ITO电极层的膜的ITO电极层上涂覆其中分散有黑球状间隔物的配向膜，涂覆其上形成有ITO电极层的膜的ITO电极层，然后与涂覆有其中分散有球状间隔物的配向膜的下基础层的ITO电极层相对地设置其上同样形成有ITO电极层的膜的ITO电极层，在此状态下，在其间填充液晶并将它们结合在一起。图29是液晶单元在遮光状态下的照片。
[0179] 比较例3
[0180] 以与实施例1中相同的方式生产间隔物，不同之处在于未形成黑层，而是在可紫外固化的树脂(UV)中以约3重量％的量应用炭黑以形成柱状间隔物。图30是应用比较例3的基板的液晶单元在遮光状态下的照片。
[0181] 测试例1
[0182] 图31和32分别是实施例1和比较例1中形成的柱状间隔物膜的OM(光学显微术)图像。
[0183] 图31从左侧起分别是实施例1的低放大倍率(x200)反射模式图像、低放大倍率(x200)透射模式图像、高放大倍率(x500)反射模式图像和高放大倍率(x500)透射模式图像，图32从左侧起分别是比较例1的低放大倍率(x200)反射模式图像、低放大倍率(x200)透射模式图像、高放大倍率(x500)反射模式图像和高放大倍率(x500)透射模式图像。
[0184] 图33和34分别是通过应用实施例1的柱状间隔物膜制造的液晶单元在遮光模式下的低放大倍率(x200)和高放大倍率(x500)透射模式OM(光学显微术)图像。图35和36分别是通过应用比较例1的柱状间隔物膜制造的液晶单元在遮光模式下的低放大倍率(x200)和高放大倍率(x500)透射模式OM(光学显微术)图像。在比较例1中，通过附图观察到在柱状间隔物形成部位处产生的漏光，从而引起透射率增加的问题。
[0185] 此外，作为在黑墨涂覆之后测量的结果，实施例1由于与涂覆的黑墨相比高的光密度而显示出低于正面黑墨涂覆的总透射率(11.7μm正面黑墨涂覆透射率：约1.7％)的总透射率，比较例1由于漏光而显示出高于正面黑墨涂覆的总透射率(12.5μm正面黑墨涂覆透射率：约2.2％)的总透射率。
