化合物半导体热电材料及其制造方法有效专利 发明

技术总结

提供了化合物半导体热电材料，其制造方法以及使用其的热电模块、热电发电机或热电冷却装置，所述化合物半导体热电材料通过具有优异的功率因数和ZT值而具有优异的热电转换性能，并且特别地，在低温下具有优异的热电转换性能。根据本发明的化合物半导体热电材料包含：n型化合物半导体基体；和分散在基体中的n型颗粒，所述n型颗粒是与基体不同的化合物半导体并且平均颗粒尺寸为1μm至100μm。

技术研发人员：

权五贞; 崔铉祐; 林炳圭; 郑明珍; 朴哲熙

受保护的技术研发主体：

株式会社LG化学

技术申请主体：

株式会社LG化学

技术研发申请日期：

2016-07-21

技术被公开/公告日期：

2017-11-28

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