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存储器存储方法无效专利 发明

技术领域

[0001] 本发明涉及电能表的存储技术领域,具体讲是一种存储器存储方法。

相关背景技术

[0002] 现有技术的存储器(EEPROM、FLASH)一般都是有一定读写寿命的。若是长时间的对其中的一个地址或多个地址进行重复多次使用的话,则很容易导致该地址或多个地址的损坏,即无法再进行读写。因此,基于上述原因,亟待需要一种能够避免一个地址或多个地址被重复读写的存储器存储方法,该方法能够在一定程度上提高存储器的读写寿命,以解决上述问题。

具体实施方式

[0012] 下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
[0013] 本发明(1)、在存储器内连续开辟K个连续区间,每个区间均由若干个连续地址组成;
[0014] (2)、设置一个指针,并将该指针指向第一区间;
[0015] (3)、将第一个区间读写N次,指针后移指向第二个区间,相当于将第一个区间的多 个连续地址基本上读写5次;将第二个区间读写N次,指针后移指向第三个区间;……;将第K个区间读写N次,指针后移指向第一个区间;
[0016] (4)、将第一个区间读写N次,指针后移指向第二个区间,依次类推。即将第一个区间读写5次,指针后移指向第二个区间,相当于将第一个区间的多个连续地址基本上读写5次;将第二个区间读写5次,指针后移指向第三个区间;将第3个区间读写5次,指针后移指

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