[0001] 本实用新型涉及一种数据存储系统，尤其涉及一种大数据云存储系统。

[0002] 大数据云存储在现有的数据存储中起着极其重要的作用，数据的重要性在智能化技术发展过程中重要性不断提高。在存储系统的发展过程中，由于DRAM速度快，单位价格高，一般作为主存储器使用，磁盘容量大，速度慢，每位价格相对低很多，其保存数据持久，一般可以达到几年，是当前的最主流的持久存储设备，因此传统存储器中使用磁盘作为后备存储器，FLASH被发现后，其速度快且没有机械运动，功率较小，同时由于其DRAM速度相差几个数量级，并且是以数据块为单位进行读写和擦除操作，无法作为主存部分使用，因此一般作为缓存技术。SSD位价格极为昂贵，其作为辅助存储器大规模使用还有一段距离。而大数据存储器对于高性能的追求是极为苛刻的，对于大容量DRAM的需求增加，而DRAM本身固有的尺寸限制，与小22nm的单元制造工艺很难实现，单位密度受到限制，PCRAM的出现解决了DRAM容量小的缺陷，但是访问延迟较高，可写次数小，仍然会导致大数据存储器的性能劣化。单纯的使用PCRAM代替DRAM作为大数据存储器不是可行的，需要开发新的存储系统获得最佳的容量和最小的延迟。

[0018] 下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明，但并不用来限制本实用新型的保护范围。

[0019] 本实用新型实施例中，参见图1所示的一种大数据云存储系统，包括：磁盘存储子系统，由多个磁盘存储器组成，其中，磁盘存储器优选为硬盘或光盘；闪存存储子系统，由多个闪存类FLASH组成；主存控制器，分别与磁盘存储子系统中的所有磁盘存储器和闪存存储子系统中的所有FLASH连接，主存控制器包括机壳和置于机壳内的控制电路板，控制电路板上设有用于连接磁盘存储器或FLASH的第一接口，对应于硬盘，第一接口可以为SATA口或SAS口，对应于FLASH，第一接口可以为M2接口。机壳包括基础机壳和多个可扩展机壳，控制电路板包括基础电路板和多个可扩展电路板，基础电路板设于基础机壳中，可扩展电路板一一设于多个可扩展机壳内，基础电路板上设有控制器，多个第一接口和用于连接可扩展电路板的第二接口，可扩展电路板上设有多个第一接口和用于连接可扩展电路板或基础电路板的第二接口，第二接口用于与可扩展电路连接的存储器上的数据发送到主存控制器上的作用，选用比较灵活；DRAM缓存存储器以及PCRAM，DRAM一端与主存控制器相连，接收来自主存控制器发出的的数据请求，一端与磁盘存储子系统中的所有磁盘存储器直接相连，从磁盘存储器中读取数据，还有一端与PCRAM通过直接的数据通路连接，从而读写PCRAM，PCRAM与磁盘存储器和DRAM通过数据通路直接连接，从而直接读写DRAM，并且与磁盘存储器通过向磁盘存储器写入数据的通路通信，与闪存存储子系统中的所有FLASH通过数据写入通路连接。

[0020] 本实施例中，为了缓解DRAM和PCRAM之间读写数据延迟，在DRAM的高地址区域单独设立了一个缓冲区，将从DRAM中移除的数据首先转移到这块缓冲区，DRAM继续工作，然后选择合适时机写回到PCRAM中。

[0021] 本实施例通过设置一个大的PCRAM存储器和一个用于作为缓存器的DRAM，用于缓解较大的访问延迟，由操作系统完成对磁盘的数据读写，形成一种混合的主存系统方案，从而将DRAM 的高速特点和PCRAM的大容量特性融合，提高系统的性能。

[0022] 以上对本实用新型实施例所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型实施例的原理以及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只适用于帮助理解本实用新型实施例的原理；同时本领域的一般技术人员，根据本实用新型的实施例，在具体实施方式以及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。