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聚合物、噻吩化合物、导电构件和电子部件实质审查 发明

具体技术细节

[0013] [发明所要解决的技术问题]
[0014] 然而,现有的自掺杂型导电性高分子是水溶性的。因此,现有的含有自掺杂型导电性高分子的导电构件通过与水接触而溶出自掺杂型导电性高分子,有时无法保持形状,或者导电性下降。因此,在现有的含有自掺杂型导电性高分子的导电构件和使用其的电子部件中,要求提高耐水性。
[0015] 本发明是鉴于上述情况而完成的发明,其目的在于,提供一种聚合物,其是亲水性低且亲油性良好的自掺杂型导电性高分子,能够形成具有充分的导电性并且耐水性优异的导电构件。
[0016] 本发明的目的还在于,提供一种能够作为具有充分的导电性并且亲水性低、亲油性良好的自掺杂型导电性高分子的原料单体使用的噻吩化合物。
[0017] 本发明的目的还在于,提供含有本发明的聚合物的耐水性优异的导电构件和包含该导电构件的电子部件。
[0018] [用于解决技术问题的技术方案]
[0019] 为了解决上述技术问题,提供下述技术方案。
[0020] 本发明的一个方式所涉及的聚合物是含有选自下述通式(1)所示的结构单元和下述通式(2)所示的结构单元中的至少一种结构单元的聚合物。
[0021]
[0022] (在通式(1)中,X表示二价的连接基。A表示卤素、或者具有或不具有取代基的碳原子数为1~5的烷基。)
[0023] (在通式(2)中,X表示二价的连接基。A表示卤素、或者具有或不具有取代基的碳原子数为1~5的烷基。M表示阳离子。)
[0024] [发明效果]
[0025] 本发明的聚合物含有选自通式(1)所示的结构单元和通式(2)所示的结构单元中的至少一种结构单元。因此,本发明的聚合物是亲水性低且亲油性良好的自掺杂型导电性高分子,能够作为能够形成具有充分的导电性并且耐水性优异的导电构件的材料而合适地使用。
[0026] 另外,本发明的噻吩化合物由通式(3)表示。因此,通过将含有本发明的噻吩化合物的原料单体进行聚合,能够制造本发明的聚合物,即具有充分的导电性并且亲水性低、亲油性良好的自掺杂型导电性高分子。
[0027] 另外,本发明的导电构件和包含该导电构件的电子部件含有本发明的聚合物。因此,本发明的导电构件及包含该导电构件的电子部件的耐水性优异。

法律保护范围

涉及权利要求数量10:其中独权4项,从权-4项

1.一种聚合物,其中,
含有选自下述通式(1)所示的结构单元和下述通式(2)所示的结构单元中的至少一种结构单元,
在通式(1)中,X表示二价的连接基,A表示卤素、或者具有或不具有取代基的碳原子数为1~5的烷基,
在通式(2)中,X表示二价的连接基,A表示卤素、或者具有或不具有取代基的碳原子数为1~5的烷基,M表示阳离子。
2.如权利要求1所述的聚合物,其中,
在通式(1)所示的结构单元和通式(2)所示的结构单元中,
所述X为通式(L-Ar)所示的二价的连接基,
在通式(L-Ar)中,L表示单键或二价的连接基,Ar表示选自具有或不具有取代基的亚苯基、具有或不具有取代基的亚联苯基、具有或不具有取代基的亚萘基中的任一种。
3.如权利要求2所述的聚合物,其中,
所述L由下述通式(L-a)表示,所述Ar为亚苯基,所述A为氟原子、或至少一部分氢原子被氟原子取代的碳原子数为1~5的烷基,
在通式(L-a)中,L1、L2、L3分别独立地表示选自单键、碳原子数为1~2的亚烷基、醚键中的任一种。
4.如权利要求1所述的聚合物,其中,
在通式(1)所示的结构单元和通式(2)所示的结构单元中,
所述X是多个亚烷基经醚键连接而成的链状结构。
5.一种噻吩化合物,其中,
该噻吩化合物由下述通式(3)表示,
在通式(3)中,X表示二价的连接基,A表示卤素、或者具有或不具有取代基的碳原子数为1~5的烷基,M表示阳离子。
6.如权利要求5所述的噻吩化合物,其中,
在通式(3)中,所述X为通式(L-Ar)所示的二价的连接基,
在通式(L-Ar)中,L表示单键或二价的连接基,Ar表示选自具有或不具有取代基的亚苯基、具有或不具有取代基的亚联苯基、具有或不具有取代基的亚萘基中的任一种。
7.如权利要求6所述的噻吩化合物,其中,
所述L由下述通式(L-a)表示,所述Ar为亚苯基,所述A为氟原子、或至少一部分氢原子被氟原子取代的碳原子数为1~5的烷基,
在通式(L-a)中,L1、L2、L3分别独立地表示选自单键、碳原子数为1~2的亚烷基、醚键中的任一种。
8.如权利要求5所述的噻吩化合物,其中,
在通式(3)中,
所述X是多个亚烷基经醚键连接而成的链状结构。
9.一种导电构件,其中,
含有权利要求1~权利要求4中任一项所述的聚合物。
10.一种电子部件,其中,
包含权利要求9所述的导电构件。

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