[0001] 本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种基板的退镀方法、植球方法及其基板。

[0002] 在植球工艺或回流工艺过程中，焊点时常会出现质量问题，例如：焊桥、大球、缺球、焊点高度异常、球面压伤或擦伤、球面氧化、球褶皱、虚焊等，因此，需对存在焊点质量问题的基板进行批量退镀、再植球等处理。

[0003] 然而，现有的退镀工艺容易造成焊点残留，导致退镀后的基板质量不高，也会影响再植球的质量。

[0028] 为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。

[0029] 除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

[0030] 应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分；举例来说，可以将第一掺杂类型成为第二掺杂类型，且类似地，可以将第二掺杂类型成为第一掺杂类型；第一掺杂类型与第二掺杂类型为不同的掺杂类型，譬如，第一掺杂类型可以为P型且第二掺杂类型可以为N型，或第一掺杂类型可以为N型且第二掺杂类型可以为P型。

[0031] 空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

[0032] 在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白，当术语“组成”和/或“包括”在该说明书中使用时，可以确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。同时，在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

[0033] 这里参考作为本申请的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例，这样可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的所示形状的变化。因此，本申请的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造技术导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不表示器件的区的实际形状，且并不限定本申请的范围。

[0034] 在一些相关技术中，请参考图1，基板包括沿垂直基板方向依次层叠的金属线路层10、保护层20和焊盘30，保护层20上具备多个暴露出金属线路层10的开口，焊盘30位于开口内，与开口暴露出的金属线路层10接触，焊盘30包括第一垫层301和第二垫层302，其中，第一垫层301的材料包括钛，第二垫层302的材料包括铜，焊点40位于焊盘30上，焊点40的材料包括锡和银，保护层20的材料为聚酰亚胺（Polyimide，PI）。

[0035] 如背景技术中所言，在植球工艺或回流工艺过程中，焊点时常会出现质量问题，因此，需对存在焊点质量问题的基板进行批量退镀、再植球等处理。

[0036] 请参阅图2，本申请提供一种基板的退镀方法，所述方法包括：步骤S202‑步骤S208。

[0037] 步骤S202：对基板上的焊点进行预去除处理，得到去除部分焊点后的基板。

[0038] 其中，部分焊点的体积占一个焊点的主体体积的至少一半。作为示例，基板还包括位于金属线路层下方的器件层，器件层为用于实现器件功能的膜层。金属线路层可为再分配层(Redistribution Layer，RDL)。

[0039] 作为示例，预去除处理为去除焊点并对去除焊点过程中生成的反应物进行去除的工艺。其中，可采用盐酸、稀硫酸等酸性溶液，或氢氧化钠等碱性溶液与焊点反应，由于焊点的材料包括锡，焊盘的材料包括铜和钛，由于锡和铜在金属活动性序列中的位置不同，锡比铜更活泼，所以通过控制反应温度和溶液浓度，可以去除包括锡的焊点而不损伤包括铜的焊盘。此外，也可采用去锡水腐蚀焊点中的锡和银，而不损伤焊盘中的铜和钛，以及保护层。

[0040] 步骤S204：于基板上涂布配比助焊剂；其中，配比助焊剂为异丙醇溶液和助焊剂的混合物。

[0041] 作为示例，助焊剂可包括但不限于松香型助焊剂例如：松香基助焊剂等，树脂型助焊剂例如：酚醛树脂助焊剂、改性树脂助焊剂等，有机型助焊剂例如：乳酸助焊剂、柠檬酸助焊剂等，无机型助焊剂例如氯化锌助焊剂等。

[0042] 作为示例，于基板上涂布配比助焊剂可采用喷涂涂布、刷涂涂布、浸渍法涂布等涂布方法。

[0043] 步骤S206：采用回流工艺处理涂布配比助焊剂后的基板，得到残留焊点。

[0044] 其中，回流工艺为将包括锡和配比助焊剂的基板进行焊接的技术，通常包括升温区、保温区、焊接区和冷却区，升温区用于将锡软化并覆盖焊盘，保温区用于预热基板，防止基板突然进入高温区造成损坏，焊接区用于使基板温度快速上升，使锡融化、润湿、扩散并混合，形成焊点，冷却区用于使焊点凝固。在本申请实施例中，通过回流工艺处理涂布配比助焊剂后的基板，可以使基板上的氧化物与助焊剂反应，起到还原氧化物的作用，同时平整化残留焊点，便于后续对残留焊点进行后去除处理。

[0045] 作为示例，回流工艺的温度可根据基板的材料进行设置，需低于基板的耐受温度。本实施例中回流工艺的温度范围可包括220摄氏度‑270摄氏度，例如，230摄氏度、240摄氏度、250摄氏度、260摄氏度等。

[0046] 步骤S208：对基板上的残留焊点进行后去除处理，暴露出焊盘。

[0047] 作为示例，后去除处理为去除残留焊点并对去除残留焊点过程中生成的反应物进行去除的工艺。其中，可采用盐酸、稀硫酸等酸性溶液，或氢氧化钠等碱性溶液与残留焊点反应，由于残留焊点的材料包括锡，焊盘的材料包括铜和钛，由于锡和铜在金属活动性序列中的位置不同，锡比铜更活泼，所以通过控制反应温度和溶液浓度，可以去除包括锡的残留焊点而不损伤包括铜的焊盘。此外，也可采用去锡水腐蚀残留焊点中的锡和银，而不损伤焊盘中的铜和钛，以及保护层。

[0048] 在上述实施例中，通过对基板上的焊点进行预去除处理，得到去除部分焊点后的基板，于基板上涂布配比助焊剂，其中，配比助焊剂为异丙醇溶液和助焊剂的混合物，采用回流工艺处理涂布配比助焊剂后的基板，得到残留焊点，对基板上的残留焊点进行后去除处理，暴露出焊盘，从而去除基板上的焊点，并清洁了焊盘表面的杂质，减少了焊点的残留，提高了退镀的质量。由于焊点的主体较大，且在焊点的去除过程中会生成反应物阻减缓反应，本申请通过在去除焊点主体中的部分焊点后涂布包括异丙醇溶液和助焊剂的混合物，并采用回流工艺处理涂布配比助焊剂后的基板，使助焊剂与焊盘表面的氧化物反应，达到还原氧化物的目的，然后再采用后去除处理去除焊点主体中的残留焊点，暴露出焊盘，提高了焊盘的清洁度。

[0049] 在一个实施例中，异丙醇占配比助焊剂的总体积的60%‑70%，例如60%、62%、64%、66%、68%、70%等。具体地，配比助焊剂中异丙醇与助焊剂的体积比可为2：1。

[0050] 在一个实施例中，步骤S202：对基板上的焊点进行预去除处理，得到去除部分焊点后的基板，包括：采用去锡水刻蚀基板上的焊点，生成焊点与去锡水的反应物，采用有机物溶剂去除反应物，得到去除部分焊点后的基板的步骤。

[0051] 作为示例，去锡水的材料可包括甲基磺酸。焊点与去锡水的反应物为包括锡的离子化合物，呈薄膜状覆盖于焊点表面。

[0052] 作为示例，有机物溶剂为用于溶解有机物脏污的溶剂，例如异丙醇（IPA）溶液、酒精溶液等。采用有机物溶剂去除反应物，可包括：采用带有有机物溶剂的无尘布擦拭基板表面，去除反应物和基板表面的有机物脏污。

[0053] 在一个实施例中，采用去锡水刻蚀基板上的焊点，生成焊点与去锡水的反应物之后，以及采用有机物溶剂去除反应物，得到去除部分焊点后的基板之前，方法还包括：采用去离子水（Deionized water，DI‑water）清洗基板，去除基板上残留的去锡水和部分反应物的步骤。

[0054] 在一个实施例中，采用有机物溶剂去除反应物，得到去除部分焊点后的基板之后，还包括：采用刷洗机（Scrubber）清洗基板。

[0055] 在上述实施例中，由于去锡水与焊点中的锡或银等金属反应而不腐蚀焊盘或者金属线路层中的铜，相比于一些技术中采用硝酸等酸性溶液对焊点进行腐蚀退镀，导致反应时间过长会损伤焊盘、保护层甚至金属线路层，反应时间过短会造成焊点残留，反应时间难以把握，导致退镀后的基板质量不高，也会影响再植球的质量，在焊接过程中，焊锡与焊盘会快速形成类似锡合金的化合物，退镀较难去除等问题，本实施例中的去锡水与锡反应且不会损伤焊盘、金属线路层或保护层，保障了退镀后基板的性能，然后在利用IPA溶液作为润滑剂擦除反应物，避免损伤基板的同时，还可通过IPA溶液溶解有机物脏污，提高基板的清洁度。

[0056] 在一个实施例中，步骤S206：采用回流工艺处理涂布配比助焊剂后的基板，得到残留焊点之后，以及步骤S208：对基板上的残留焊点进行后去除处理，暴露出焊盘之前，还包括：采用DI‑water和去助焊剂溶剂清洗基板，去除基板上的助焊剂的步骤。

[0057] 其中，可根据助焊剂的类型选择合适的去助焊剂溶剂。作为示例，当助焊剂为水溶性助焊剂时，可采用DI‑water去除基板上的助焊剂。

[0058] 在一个实施例中，对基板上的残留焊点进行后去除处理，包括：采用去锡水刻蚀基板上的残留焊点，生成残留焊点与去锡水的反应物；采用有机物溶剂去除反应物，暴露出焊盘的步骤。

[0059] 作为示例，残留焊点与去锡水的反应物为包括锡的离子化合物，呈薄膜状覆盖于焊盘表面。

[0060] 作为示例，有机物溶剂为用于溶解有机物脏污的溶剂，例如异丙醇（IPA）溶液、酒精溶液等。采用有机物溶剂去除反应物，可包括：采用带有有机物溶剂的无尘布擦拭焊盘表面，去除反应物和焊盘表面的有机物脏污。

[0061] 在一个实施例中，采用去锡水刻蚀基板上的残留焊点，生成残留焊点与去锡水的反应物之后，以及采用有机物溶剂去除反应物，暴露出焊盘之前，方法还包括：采用去离子水（Deionized water，DI‑water）清洗基板，去除基板上残留的去锡水和部分反应物。

[0062] 在一个实施例中，采用有机物溶剂去除反应物，暴露出焊盘之后，还包括：采用刷洗机（Scrubber）清洗基板。

[0063] 在一个实施例中，采用有机物溶剂去除反应物，暴露出焊盘之后，还包括：依次采用酸洗工艺、刷洗工艺、擦洗工艺对基板进行清洗。

[0064] 作为示例，酸洗工艺包括采用冰乙酸清洗基板，去除焊盘表面的氧化物，由于冰乙酸不与焊盘的材料反应，不会损伤焊盘。刷洗工艺包括采用刷洗机清洗基板。擦洗工艺包括采用带有有机物溶剂的无尘布擦拭焊盘表面，提高焊盘表面的清洁度。

[0065] 在一个实施例中，本申请提供了一种植球方法，植球方法包括：提供基板，以及于基板的焊盘上形成目标焊点的步骤；其中，基板为本申请实施例中任一项所述的退镀方法处理后的基板。

[0066] 其中，目标焊点为焊接质量满足需求的焊点。作为示例，于基板的焊盘上形成目标焊点，包括：于焊盘上印刷助焊剂，于焊盘上植入锡球或锡膏，采用回流工艺处理植有锡球或锡膏的基板，于焊盘上形成目标焊点的步骤。

[0067] 在上述实施例中，通过提供基板，基板为本申请实施例中任一项所述的退镀方法处理后的基板，于基板的焊盘上形成目标焊点，由于本申请实施例中退镀方法处理后的基板上的焊盘的清洁度较高，于清洁度较高的焊盘上形成目标焊点，提高了焊点的焊接强度，提高了再植球的质量。

[0068] 在一个实施例中，请参考图3，于基板的焊盘上形成目标焊点，包括：步骤S302‑步骤S304。

[0069] 步骤S302：采用植球工艺于焊盘上形成初始焊点；其中，植球工艺采用的助焊材料为助焊剂和锡膏的混合物；

[0070] 作为示例，助焊剂的型号可包括WS600。锡膏的体积占助焊剂和锡膏的混合物的总体积的20%‑30%，例如20%、22%、24%、25%、26%、28%、30%等，具体地，助焊剂与锡膏的体积比可为4：1。

[0071] 作为示例，步骤S302：采用植球工艺于焊盘上形成初始焊点，包括：于焊盘上印刷助焊剂和锡膏的混合物，于焊盘上植入锡球，采用回流工艺处理植有锡球的基板，于焊盘上形成初始焊点的步骤。其中，于焊盘上形成初始焊点之后，还包括：采用DI‑water和去助焊剂溶剂清洗基板，去除基板上的脏污和助焊剂。

[0072] 在上述示例中，由于焊球为球状，与焊盘的接触面积较小，容易出现虚焊，通过于基板上印刷锡膏和助焊剂的混合物，利用锡膏填补焊盘中不平整的区域，可增强锡球和焊盘的焊接强度。

[0073] 步骤S304：采用补焊工艺处理初始焊点，形成目标焊点；其中，补焊工艺采用的助焊材料为助焊剂。

[0074] 作为示例，步骤S304：采用补焊工艺处理初始焊点，形成目标焊点，包括：于基板上涂布助焊剂，采用回流工艺处理涂布助焊剂后的基板，形成目标焊点步骤。相比于直接采用回流工艺进行对初始焊点进行补焊，本实施例可以避免出现球褶皱。

[0075] 在上述实施例中，由于植球工艺后的锡球的球形会出现不圆润的情况，且退镀后的焊盘之间的高度不同，通过采用植球工艺于焊盘上形成初始焊点，其中，植球工艺采用的助焊材料为助焊剂和锡膏的混合物，然后采用补焊工艺于基板上进行整面涂布，圆化初始焊点的同时可以使初始焊点充分回流，增强焊点和焊盘之间的焊接强度。

[0076] 在一个实施例中，请参考图4，本申请还提供了一种焊点的返工方法，包括：

[0077] 步骤一：去锡水浸泡基板，以去除部分焊点；

[0078] 步骤二：采用DI‑water清洗基板，以去除去锡水和焊点的部分反应物；

[0079] 步骤三：采用异丙醇清洗基板，去除去锡水和焊点的反应物和基板上的有机物脏污；

[0080] 步骤四：采用Scrubber清洗工艺清洗基板；

[0081] 步骤五：于基板上涂布IPA和助焊剂的混合物；其中，助焊剂的型号为WS600，助焊剂与IPA的体积比为1：2；

[0082] 步骤六：采用回流工艺处理基板；其中，回流的温度为250摄氏度；

[0083] 步骤七：采用DI‑water清洗基板，去除IPA和助焊剂的混合物；

[0084] 步骤八：采用Scrubber清洗工艺清洗基板；

[0085] 步骤九：去锡水浸泡基板，以去除残留焊点；

[0086] 步骤十：采用DI‑water清洗基板，以去除去锡水和残留焊点的部分反应物；

[0087] 步骤十一：采用异丙醇清洗基板，去除去锡水和残留焊点的反应物和基板上的有机物脏污；

[0088] 步骤十二：采用Scrubber清洗工艺清洗基板；

[0089] 步骤十三：采用酸洗工艺清洗基板；其中，酸洗工艺采用的酸洗溶液为冰乙酸；

[0090] 步骤十四：采用Scrubber清洗工艺清洗基板；

[0091] 步骤十五：采用异丙醇清洗基板，去除去锡水和残留焊点的反应物；

[0092] 步骤十六：采用Scrubber清洗工艺清洗基板；

[0093] 步骤十七：于焊盘上印刷助焊剂和锡膏的混合物；其中，助焊剂与锡膏的体积比为4：1；

[0094] 步骤十八：于焊盘上植入锡球

[0095] 步骤十九：采用回流工艺处理基板；

[0096] 步骤二十：采用DI‑water清洗基板，去除锡膏和助焊剂的混合物；

[0097] 步骤二十一：采用Scrubber清洗工艺清洗基板；

[0098] 步骤二十二：于基板上涂布助焊剂；

[0099] 步骤二十三：采用回流工艺处理基板；

[0100] 步骤二十四：采用DI‑water清洗基板，去除助焊剂；

[0101] 步骤二十五：采用Scrubber清洗工艺清洗基板，得到焊点质量符合需求的基板。

[0102] 在上述实施例中，请参考图5a‑图5c，经过本申请中的植球方法形成的焊点的球高、球径分布均匀，且焊点的结合强度均大于规格下线（2.5），且大部分的焊点的结合强度在3.4之上，良率也由返工前的35%提高为返工后的99.83%，满足焊点质量的需求。

[0103] 应该理解的是，虽然图2、图3的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图2、图3中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

[0104] 在一个实施例中，本申请提供一种基板，采用本申请实施例中任一项所述的退镀方法制备而成.其中，基板上包括去除焊点后的焊盘。

[0105] 在一个实施例中，本申请还提供了一种基板，采用本申请实施例中任一项所述的植球方法制备而成。其中，基板上包括焊盘和位于焊盘上的目标焊点。

[0106] 上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

[0107] 以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。