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磁存储元件和电子设备有效专利 发明

技术总结

[待解决的问题]提供一种具有降低的写入电流同时保持存储层的磁性保留性能的磁存储元件和电子设备。[解决方案]磁存储元件包括:自旋轨道层,其沿一个方向延伸;写入线,其电耦合到所述自旋轨道层,并允许电流沿所述自旋轨道层的延伸方向流动;隧道结元件,其包括按顺序堆叠在所述自旋轨道层上的存储层、绝缘体层和磁化固定层;以及非磁性层,其膜厚度为2nm或更小,并设置在所述自旋轨道层和所述绝缘体层之间的任何堆叠位置。

技术研发人员:

长谷直基; 细见政功; 肥后丰; 大森广之; 内田裕行; 佐藤阳

受保护的技术研发主体:

索尼半导体解决方案公司

技术申请主体:

索尼半导体解决方案公司

技术研发申请日期:

2018-01-15

技术被公开/公告日期:

2019-11-26

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