涉及权利要求数量9：其中独权2项，从权-2项
1.一种磁存储元件，包括：
自旋轨道层，其沿一个方向延伸；
写入线，其电耦合到所述自旋轨道层，并允许电流沿所述自旋轨道层的延伸方向流动；
隧道结元件，其包括按顺序堆叠在所述自旋轨道层上的存储层、绝缘体层和磁化固定层；以及
非磁性层，其膜厚度为2nm或更小，并设置在所述自旋轨道层和所述绝缘体层之间的任何堆叠位置。
2.如权利要求1所述的磁存储元件，其中
所述存储层包括第一存储层和第二存储层，以及
所述非磁性层夹在所述第一存储层和所述第二存储层之间。
3.如权利要求2所述的磁存储元件，其中所述第一存储层和所述第二存储层通过所述非磁性层彼此磁性耦合。
4.如权利要求2所述的磁存储元件，其中所述非磁性层进一步设置于所述第二存储层下方。
5.如权利要求2所述的磁存储元件，进一步包括垂直辅助层，其设置在所述自旋轨道层和所述第二存储层之间并包括具有NaCl基晶体结构的化合物。
6.如权利要求1所述的磁存储元件，其中垂直辅助层、所述非磁性层和所述存储层按顺序堆叠在所述自旋轨道层上，所述垂直辅助层包括具有NaCl基晶体结构的化合物。
7.如权利要求1所述的磁存储元件，其中所述存储层包括磁性材料，所述磁性材料具有多种元素组合的组成，所述多种元素选自由以下组成的群：Co、Fe、B、Al、Si、Mn、Ga、Ge、Ni、Cr和V。
8.如权利要求1所述的磁存储元件，其中所述非磁性层包括单层膜或层压膜，所述单层膜或层压膜包括选自由以下组成的群的一或多种非磁性材料：Ru、Mo、Nb、HfB、Ta、W、Cr、MgO、AlOx、MgS和MgCaS2。
9.一种电子设备，包括：
存储器，其使用磁存储元件；以及
算术处理器，其基于存储在所述存储器中的信息来处理信息，
所述磁存储元件，包括
自旋轨道层，其沿一个方向延伸，
写入线，其电耦合到所述自旋轨道层，并允许电流沿所述自旋轨道层的延伸方向流动，隧道结元件，其包括按顺序堆叠在所述自旋轨道层上的存储层、绝缘体层和磁化固定层，以及
非磁性层，其膜厚度为2nm或更小，并设置在所述自旋轨道层和所述绝缘体层之间的任何堆叠位置。