[0001] 本公开的实施方式涉及有机器件、掩模组以及掩模。

[0002] 近年，在智能手机或平板电脑等电子设备中，市场正在要求高精细的显示装置。显示装置例如具有400ppi以上或800ppi以上等的像素密度。

[0003] 由于具有良好的响应性和/或低功耗，因此有机EL显示装置受到关注。作为形成有机EL显示装置的像素的方法，已知通过蒸镀使构成像素的材料附着于基板上的方法。例如，首先，准备以与元件对应的图案形成有阳极的基板。接着，经由掩模的贯通孔使有机材料附着在阳极上，由此在阳极上形成有机层。接着，经由掩模的贯通孔使导电性材料附着在有机层上，由此在有机层上形成阴极。

[0004] 专利文献1：日本特许第3539597号公报

[0005] 阴极的面积越大，则阴极的电阻越低。另一方面，阴极的面积越大，则有机器件中的光的透射率越降低。实用新型内容

[0006] 本公开的一个实施方式的有机器件可以具备：基板；位于所述基板上的第1电极；位于所述第1电极上的有机层；以及位于所述有机层上的第2电极。在沿着所述基板的法线方向观察的情况下，所述有机器件可以具备：第1显示区域，其包含具有第1占有率的所述第
2电极；和第2显示区域，其包含具有比所述第1占有率小的第2占有率的所述第2电极。所述第2显示区域可以包含：所述第2电极；和在俯视时被所述第2电极包围的透射区域。所述透射区域可以包含：第1透射区域；和隔着第2电极与所述第1透射区域相邻的第2透射区域。可以是，所述第1透射区域具有第1形状，所述第2透射区域具有与所述第1形状不同的第2形状。

[0007] 根据本公开的一个实施方式，能够提高有机器件中的光的透射率。

[0057] 在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则“基板”、“基材”、“板”、“片”以及“膜”等、表示成为某结构的基础的物质的用语并不是仅根据称呼上的不同来互相区别的。

[0058] 在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则关于对形状和几何学上的条件以及它们的程度进行指定的例如“平行”、“垂直”等用语、或者长度、角度的值等，并不限定于严格的含义，而是包含可以期待同样功能的程度的范围在内来进行解释。

[0059] 在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则在某个部件或某个区域等的某个结构处于其它部件或其它区域等的其它结构的“上”或“下”、“上侧”或“下侧”、或者“上方”或“下方”的情况下，包含某个结构与其它结构直接接触的情况。而且，还包含如下情况：在某个结构与其它结构之间包含有另外的结构，即，还包含间接地接触的情况。另外，只要没有特别说明，则对于“上”、“上侧”或“上方”、或者“下”、“下侧”或“下方”这样的语句，也可以使上下方向反转。

[0060] 在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则存在这样的情况：对于同一部分或具有相同功能的部分标记相同的标号或类似的标号，并省略其重复的说明。另外，存在为了便于说明而使附图的尺寸比例与实际的比例不同的情况、或者将结构的一部分从附图省略的情况。

[0061] 在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则本公开的实施方式也可以在不发生矛盾的范围内与其它实施方式或变形例组合。另外，其它实施方式彼此、或者其它实施方式与变形例也可以在不发生矛盾的范围内组合。另外，变形例彼此也可以在不发生矛盾的范围内组合。

[0062] 在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则在关于制造方法等方法公开多个工序的情况下，可以在所公开的工序之间实施未公开的其它工序。另外，所公开的工序的顺序在不发生矛盾的范围内为任意。

[0063] 在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则由“～”这样的记号所表述的范围包含了在“～”这样的符号的前后放置的数值或要素。例如，“34质量％～38质量％”这一表述所限定的数值范围与由“34质量％以上且38质量％以下”这一表述所限定的数值范围相同。例如，由“掩模50A～50B”这样的表述所限定的范围包含掩模50A和掩模50B。

[0064] 在本说明书的一个实施方式中，对如下例子进行说明：具备多个掩模的掩模组用于在制造有机EL显示装置时在基板上形成电极。但是，掩模组的用途并不特别限定，对于用于各种用途的掩模组，能够应用本实施方式。例如，为了形成如下装置的电极，也可以使用本实施方式的掩模组，其中，所述装置是用于显示或投影用于表现虚拟现实(所谓的VR)或增强现实(所谓的AR)的图像或影像的装置。另外，为了形成液晶显示装置的电极等、有机EL显示装置以外的显示装置的电极，也可以使用本实施方式的掩模组。另外，为了形成压力传感器的电极等、显示装置以外的有机器件的电极，也可以使用本实施方式的掩模组。

[0065] 本公开的第1方式是有机器件，所述有机器件具备：

[0066] 基板；

[0067] 第1电极，其位于所述基板上；

[0068] 有机层，其位于所述第1电极上；以及

[0069] 第2电极，其位于所述有机层上，

[0070] 在沿着所述基板的法线方向观察的情况下，所述有机器件具备：第1显示区域，其包含具有第1占有率的所述第2电极；和第2显示区域，其包含具有比所述第1占有率小的第2占有率的所述第2电极，

[0071] 所述第2显示区域包含：所述第2电极；和在俯视时被所述第2电极包围的透射区域，

[0072] 所述透射区域包含：第1透射区域；和隔着所述第2电极与所述第1透射区域相邻的第2透射区域，所述第1透射区域具有第1形状，

[0073] 所述第2透射区域具有与所述第1形状不同的第2形状。

[0074] 本公开的第2方式可以是，在上述的第1方式的有机器件中，所述第1透射区域的面积与所述第2透射区域的面积不同。

[0075] 本公开的第3方式可以是，在上述的第1方式或上述的第2方式的任意的有机器件中，所述透射区域包含隔着所述第2电极与所述第1透射区域和所述第2透射区域相邻的第3透射区域。所述第3透射区域可有具有与所述第1形状和所述第2形状不同的第3形状。

[0076] 本公开的第4方式可以是，在上述的第1方式至上述的第3方式各自的有机器件中，所述透射区域包含隔着所述第2电极与所述第1透射区域和第2透射区域相邻的第4透射区域。所述第4透射区域可有具有与所述第1形状和所述第2形状不同的第4形状。

[0077] 本公开的第5方式可以是，在上述的第1方式至上述的第4方式各自的有机器件中，80％以上的所述透射区域相当于所述第1透射区域。

[0078] 本公开的第6方式可以是，在上述的第1方式至上述的第5方式各自的有机器件中，所述第2显示区域具有80％以上的第1分断率。可以是，所述第1分断率是第1分断数相对于包含4个所述有机层的像素组的个数的合计的百分比，所述第1分断数是分断像素组的个数，连结所述分断像素组的4个所述有机层的路径部分地包含所述透射区域。

[0079] 本公开的第7方式可以是，在上述的第1方式至上述的第6方式各自的有机器件中，在所述第2显示区域中，所述第2电极包含干电极和与所述干电极连接的支电极。所述支电极可以包含：电极第1方向上的2个第1电极端；和与所述电极第1方向交叉的电极第2方向上的1个第2电极端。所述2个第1电极端和所述1个第2电极端可以与所述透射区域相接。

[0080] 本公开的第8方式可以是，在上述的第7方式的有机器件中，所述第2电极可以包含第1层和第2层。所述第1显示区域可以包含沿着元件第2方向以第23周期排列的电极重叠区域。可以是，所述电极重叠区域在俯视时包含所述第1层和所述第2层。所述第1电极端的宽度可以为所述第23周期的0.4倍以上。

[0081] 本公开的第9方式可以是，在上述的第7方式或上述的第8方式的任意的有机器件中，所述第2电极可以包含第1层和第2层。所述第1显示区域可以包含沿着元件第1方向以第13周期排列的电极重叠区域。可以是，所述电极重叠区域在俯视时包含所述第1层和所述第
2层。所述第2电极端的宽度可以为所述第13周期的0.4倍以上。

[0082] 本公开的第10方式是掩模组，所述掩模组具备2片以上的掩模，所述掩模具备遮蔽区域和贯通孔，

[0083] 重叠有2片以上的所述掩模的掩模层叠体具备在沿着所述掩模的法线方向观察的情况下与所述贯通孔重叠的贯通区域，在沿着所述掩模的法线方向观察的情况下，所述掩模层叠体具备：掩模第1区域，其包含具有第1开口率的所述贯通区域；和掩模第2区域，其包含具有比所述第1开口率小的第2开口率的所述贯通区域，

[0084] 所述掩模第2区域包含：所述贯通区域；和在俯视时被所述贯通区域包围的重叠区域，

[0085] 所述重叠区域在俯视时包含2片以上的所述掩模的所述遮蔽区域，

[0086] 所述重叠区域包含：第1重叠区域；和隔着所述贯通区域与所述第1重叠区域相邻的第2重叠区域，所述第1重叠区域具有第1掩模形状，

[0087] 所述第2重叠区域具有与所述第1掩模形状不同的第2掩模形状。

[0088] 本公开的第11方式可以是，在上述的第10方式的掩模组中，所述第1重叠区域的面积可以与所述第2重叠区域的面积不同。

[0089] 本公开的第12方式可以是，在上述的第10方式或上述的第11方式的任意一方的掩模组中，所述重叠区域包含隔着所述贯通区域与所述第1重叠区域和所述第2重叠区域相邻的第3重叠区域。所述第3重叠区域可以具有与所述第1掩模形状和所述第2掩模形状不同的第3掩模形状。

[0090] 本公开的第13方式可以是，在上述的第10方式至上述的第12方式的各个方式的掩模组中，所述重叠区域包含隔着所述贯通区域与所述第1重叠区域和所述第2重叠区域相邻的第4重叠区域。所述第4重叠区域可以具有与所述第1掩模形状和所述第2掩模形状不同的第4掩模形状。

[0091] 本公开的第14方式可以是，在上述的第10方式至上述的第13方式的各个方式的掩模组中，80％以上的所述重叠区域相当于所述第1重叠区域。

[0092] 本公开的第15方式可以是，在上述的第10方式至上述的第14方式的各个方式的掩模组中，在所述掩模第2区域中，所述贯通区域包含干区域和与所述干区域连接的支区域。可以是，所述支区域包含：孔第1方向上的2个第1区域端；和与所述孔第1方向交叉的孔第2方向上的1个第2区域端。可以是，所述2个第1区域端和所述1个第2区域端与所述重叠区域相接。

[0093] 本公开的第16方式可以是，在上述的第15方式的掩模组中，所述掩模第1区域包含沿着掩模第2方向以第27周期排列的孔重叠区域。可以是，所述孔重叠区域在俯视时包含2片以上的所述掩模的所述贯通孔。可以是，所述第1区域端的宽度为所述第27周期的0.4倍以上。

[0094] 本公开的第17方式可以是，在上述的第15方式或上述的第16方式的任意的掩模组中，所述掩模第1区域包含沿着掩模第1方向以第17周期排列的孔重叠区域。可以是，所述孔重叠区域在俯视时包含2片以上的所述掩模的所述贯通孔。可以是，所述第2区域端的宽度为所述第17周期的0.4倍以上。

[0095] 本公开的第18方式是掩模，其具有掩模第3方向和与掩模第3方向交叉的掩模第4方向，其中，

[0096] 所述掩模具备遮蔽区域和贯通孔，

[0097] 在沿着所述掩模的法线方向观察的情况下，所述掩模具备：掩模第3区域，其包含具有第3开口率的所述贯通孔；和掩模第4区域，其包含具有比所述第3开口率小的第4开口率的所述贯通孔，

[0098] 在所述掩模第3区域中，所述贯通孔在所述掩模第3方向上以第35周期排列，[0099] 在所述掩模第4区域中，在所述掩模第3方向上排列的2个所述贯通孔的中心点之间的距离的平均值为所述第35周期的1.1倍以上。

[0100] 本公开的第19方式可以是，在上述的第18方式的掩模中，在所述掩模第4区域中，在所述掩模第3方向上排列的2个所述贯通孔的中心点之间的距离的标准偏差为所述第35周期的0.2倍以上。

[0101] 本公开的第20方式是有机器件的制造方法，所述有机器件的制造方法具备使用上述所记载的掩模组在基板上的第1电极上的有机层上形成第2电极的第2电极形成工序，[0102] 所述第2电极形成工序具备：

[0103] 通过使用第1个所述掩模的蒸镀法形成所述第2电极的第1层的工序；和

[0104] 通过使用第2个所述掩模的蒸镀法形成所述第2电极的第2层的工序。

[0105] 参照附图，对本公开的一个实施方式详细地进行说明。并且，以下所示的实施方式是本公开的实施方式的一例，本公开并非是仅限定于这些实施方式来被解释。

[0106] 首先，对有机器件100进行说明。有机器件100具备通过使用本实施方式的掩模组而形成的电极。图1是示出沿着有机器件100的基板的法线方向观察的情况下的有机器件100的一例的俯视图。在以下的说明中，将沿着基板等成为基础的物质的面的法线方向观察的情况也称为俯视。

[0107] 有机器件100包括基板和沿着基板的面内方向排列的多个元件115。元件115例如是像素。如图1所示，在俯视时，有机器件100可以包含第1显示区域101和第2显示区域102。第2显示区域102可以具有比第1显示区域101小的面积。如图1所示，第2显示区域102可以被第1显示区域101包围。虽未图示，但第2显示区域102的外缘的一部分也可以与第1显示区域
101的外缘的一部分位于同一直线上。

[0108] 图2是将图1的第2显示区域102及其周围放大示出的俯视图。在第1显示区域101中，元件115也可以沿着不同的2个方向排列。在图1和图2所示的例子中，第1显示区域101的2个以上的元件115也可以沿着元件第1方向G1排列。第1显示区域101的2个以上的元件115也可以沿着与元件第1方向G1交叉的元件第2方向G2排列。元件第2方向G2也可以与元件第1方向G1垂直。

[0109] 有机器件100具备第2电极140。第2电极140位于后述的有机层130上。第2电极140可以与2个以上的有机层130电连接。例如，第2电极140可以在俯视时与2个以上的有机层130重叠。将位于第1显示区域101的第2电极140也表示为第2电极140X。将位于第2显示区域
102的第2电极140也表示为第2电极140Y。

[0110] 第2电极140X具有第1占有率。第1占有率是通过将位于第1显示区域101的第2电极140的面积的合计除以第1显示区域101的面积而算出的。第2电极140Y具有第2占有率。第2占有率是通过将位于第2显示区域102的第2电极140的面积的合计除以第2显示区域102的面积而算出的。第2占有率可以小于第1占有率。例如，如图2所示，第2显示区域102可以包括非透射区域103和透射区域104。透射区域104在俯视时不与第2电极140Y重叠。透射区域104可以在俯视时被第2电极140Y包围。非透射区域103在俯视时与第2电极140Y重叠。

[0111] 第2占有率与第1占有率之比例如可以为0.2以上，也可以为0.3以上，也可以为0.4以上。第2占有率与第1占有率之比例如可以为0.6以下，也可以为0.7以下，也可以为0.8以下。第2占有率与第1占有率之比的范围可以通过由0.2、0.3以及0.4构成的第1组和/或由0.6、0.7以及0.8构成的第2组来限定。第2占有率与第1占有率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2占有率与第1占有率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2占有率与第1占有率之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第2占有率与第1占有率之比可以为0.2以上且0.8以下，可以为0.2以上且
0.7以下，可以为0.2以上且0.6以下，可以为0.2以上且0.4以下，可以为0.2以上且0.3以下，可以为0.3以上且0.8以下，可以为0.3以上且0.7以下，可以为0.3以上且0.6以下，可以为
0.3以上且0.4以下，可以为0.4以上且0.8以下，可以为0.4以上且0.7以下，可以为0.4以上且0.6以下，可以为0.6以上且0.8以下，可以为0.6以上且0.7以下，可以为0.7以上且0.8以下。

[0112] 也将非透射区域103的透射率称作第1透射率。也将透射区域104的透射率称作第2透射率。由于透射区域104不包含第2电极140Y，因此第2透射率比第1透射率高。因此，在包含透射区域104的第2显示区域102中，到达有机器件100的光能够透过透射区域104而到达基板的背面侧的光学部件等。光学部件例如是照相机等通过检测光线来实现某些功能的部件。由于第2显示区域102包含非透射区域103，因此在元件115为像素的情况下，能够在第2显示区域102显示影像。这样，第2显示区域102能够检测光线且显示影像。通过检测光线所实现的第2显示区域102的功能例如是照相机、指纹传感器、面部认证传感器等传感器等。第2显示区域102的透射区域104的第2透射率越高、第2占有率越低，越能够增加传感器所接收的光量。

[0113] 在非透射区域103在元件第1方向G1及元件第2方向G2上的尺寸、以及透射区域104在元件第1方向G1及元件第2方向G2上的尺寸中的任意为1mm以下的情况下，使用显微分光光度计来测量第1透射率和第2透射率。作为显微分光光度计，可以使用奥林巴斯株式会社制的OSP‑SP200或大塚电子株式会社制的LCF系列中的任意。任一显微分光光度计均可在380nm以上且780nm以下的可见光区域中测量透射率。使用石英或TFT液晶用硼硅酸玻璃、TFT液晶用无碱玻璃中的任意作为参考。将550nm处的测量结果用作第1透射率和第2透射率。

[0114] 在非透射区域103在元件第1方向G1及元件第2方向G2上的尺寸、以及透射区域104在元件第1方向G1及元件第2方向G2上的尺寸均大于1mm的情况下，使用分光光度计测量第1透射率和第2透射率。作为分光光度计，可以使用株式会社岛津制作所制造的紫外可见分光光度计UV‑2600i或UV‑3600i Plus中的任意。通过在分光光度计上安装微小光束光圈单元，能够测量最大具有1mm的尺寸的区域的透射率。使用大气作为参考。将550nm处的测量结果用作第1透射率和第2透射率。

[0115] 第2透射率TR2与第1透射率TR1之比TR2/TR1例如可以为1.2以上，也可以为1.5以上，也可以为1.8以上。TR2/TR1例如可以为2以下，也可以为3以下，也可以为4以下。TR2/TR1的范围可以通过由1.2、1.5以及1.8构成的第1组和/或由2、3以及4构成的第2组来限定。TR2/TR1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。TR2/TR1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。TR2/TR1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，TR2/TR1可以为1.2以上且4以下，可以为1.2以上且3以下，可以为1.2以上且2以下，可以为1.2以上且1.8以下，可以为1.2以上且1.5以下，可以为1.5以上且4以下，可以为
1.5以上且3以下，可以为1.5以上且2以下，可以为1.5以上且1.8以下，可以为1.8以上且4以下，可以为1.8以上且3以下，可以为1.8以上且2以下，可以为2以上且4以下，可以为2以上且
3以下，可以为3以上且4以下。

[0116] 如图2所示，第2电极140可以包含电极连接端。电极连接端将第2电极140Y与第2电极140X连接。电极连接端相当于第2电极140X与第2电极140Y的边界。电极连接端可以包含第1电极连接端140Z1、第2电极连接端140Z2、第3电极连接端140Z3和第4电极连接端140Z4。第1电极连接端140Z1位于元件第1方向G1上的一侧的边界。第2电极连接端140Z2位于元件第1方向G1上的另一侧的边界。第3电极连接端140Z3位于元件第2方向G2上的一侧的边界。
第4电极连接端140Z4位于元件第2方向G2上的另一侧的边界。

[0117] 在图2所示的例子中，规定“元件第1方向G1上的一侧的边界”的边界线在元件第2方向G2上延伸。因此，规定“元件第1方向G1上的一侧的边界”的边界线与元件第1方向G1所成的角度为90°。虽未图示，但规定“元件第1方向G1上的一侧的边界”的边界线可以不是直线。例如，在第2显示区域102的轮廓为圆的情况下，规定“元件第1方向G1上的一侧的边界”的边界线为圆弧。在该情况下，规定“元件第1方向G1上的一侧的边界”的边界线与元件第1方向G1所成的角度超过45°且为90°以下。换言之，可以将相对于元件第1方向G1所成的角度超过45°且为90°以下、且位于元件第1方向G1上的一侧的边界线确定为“元件第1方向G1上的一侧的边界”。同样地，可以将相对于元件第1方向G1所成的角度超过45°且为90°以下、且位于元件第1方向G1上的另一侧的边界线确定为“元件第1方向G1上的另一侧的边界”。可以将相对于元件第2方向G2所成的角度超过45°且为90°以下、且位于元件第2方向G2上的一侧的边界线确定为“元件第2方向G2上的一侧的边界”。可以将相对于元件第2方向G2所成的角度超过45°且为90°以下、且位于元件第2方向G2上的另一侧的边界线确定为“元件第2方向G2上的另一侧的边界”。

[0118] 如图2所示，第2显示区域102的第2电极140Y可以包含从1个电极连接端连续到另1个电极连接端的区域。例如，第2电极140Y可以包含下述的区域。各区域可以互相重复。第2电极140Y可以包含下述类型的区域的全部。第2电极140Y也可以包含下述类型的区域的一部分。

[0119] ·从第1电极连接端140Z1连续至第2电极连接端140Z2的区域

[0120] ·从第1电极连接端140Z1连续至第3电极连接端140Z3的区域

[0121] ·从第1电极连接端140Z1连续至第4电极连接端140Z4的区域

[0122] ·从第2电极连接端140Z2连续至第3电极连接端140Z3的区域

[0123] ·从第2电极连接端140Z2连续至第4电极连接端140Z4的区域

[0124] ·从第3电极连接端140Z3连续至第4电极连接端140Z4的区域

[0125] 图3是将第1显示区域101的第2电极140X和第2显示区域102的第2电极140Y放大示出的俯视图。第2电极140X和第2电极140Y都可以在俯视时与有机层130重叠。有机层130是元件115的一个构成要素。

[0126] 在第1显示区域101中，有机层130可以沿着元件第1方向G1以第11周期P11排列。在第2显示区域102中，有机层130可以沿着元件第1方向G1以第12周期P12排列。第12周期P12可以比第11周期P11大。如后所述，第12周期P12也可以与第11周期P11相同。

[0127] 第12周期P12与第11周期P11之比例如可以为1.0以上，也可以为1.1以上，也可以为1.3以上，也可以为1.5以上。第12周期P12与第11周期P11之比例如可以为2.0以下，也可以为3.0以下，也可以为4.0以下。第12周期P12与第11周期P11之比的范围可以通过由1.0、1.1、1.3以及1.5构成的第1组和/或由2.0、3.0以及4.0构成的第2组来限定。第12周期P12与第11周期P11之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第12周期P12与第11周期P11之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第12周期P12与第11周期P11之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第12周期P12与第11周期P11之比可以为1.0以上且4.0以下，也可以为1.0以上且3.0以下，也可以为1.0以上且
2.0以下，也可以为1.0以上且1.5以下，也可以为1.0以上且1.3以下，也可以为1.0以上且
1.1以下，也可以为1.1以上且4.0以下，也可以为1.1以上且3.0以下，也可以为1.1以上且
2.0以下，也可以为1.1以上且1.5以下，也可以为1.1以上且1.3以下，也可以为1.3以上且
4.0以下，也可以为1.3以上且3.0以下，也可以为1.3以上且2.0以下，也可以为1.3以上且
1.5以下，也可以为1.5以上且4.0以下，也可以为1.5以上且3.0以下，也可以为1.5以上且
2.0以下，也可以为2.0以上且4.0以下，也可以为2.0以上且3.0以下，也可以为3.0以上且
4.0以下。在第12周期P12与第11周期P11之比较小的情况下，第2显示区域102的像素密度与第1显示区域101的像素密度之差变小。由此，能够抑制在第1显示区域101与第2显示区域
102之间产生视觉差。

[0128] 在第1显示区域101中，有机层130可以沿着元件第2方向G2以第21周期P21排列。在第2显示区域102中，有机层130可以沿着元件第2方向G2以第22周期P22排列。第22周期P22可以比第21周期P21大。如后所述，第22周期P22也可以与第21周期P21相同。

[0129] 第22周期P22与第21周期P21之比例如可以为1.0以上，也可以为1.1以上，也可以为1.3以上，也可以为1.5以上。第22周期P22与第21周期P21之比例如可以为2.0以下，也可以为3.0以下，也可以为4.0以下。第22周期P22与第21周期P21之比的范围可以通过由1.0、1.1、1.3以及1.5构成的第1组和/或由2.0、3.0以及4.0构成的第2组来限定。第22周期P22与第21周期P21之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第22周期P22与第21周期P21之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第22周期P22与第21周期P21之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第22周期P22与第21周期P21之比可以为1.0以上且4.0以下，也可以为1.0以上且3.0以下，也可以为1.0以上且
2.0以下，也可以为1.0以上且1.5以下，也可以为1.0以上且1.3以下，也可以为1.0以上且
1.1以下，也可以为1.1以上且4.0以下，也可以为1.1以上且3.0以下，也可以为1.1以上且
2.0以下，也可以为1.1以上且1.5以下，也可以为1.1以上且1.3以下，也可以为1.3以上且
4.0以下，也可以为1.3以上且3.0以下，也可以为1.3以上且2.0以下，也可以为1.3以上且
1.5以下，也可以为1.5以上且4.0以下，也可以为1.5以上且3.0以下，也可以为1.5以上且
2.0以下，也可以为2.0以上且4.0以下，也可以为2.0以上且3.0以下，也可以为3.0以上且
4.0以下。在第22周期P22与第21周期P21之比较小的情况下，第2显示区域102的像素密度与第1显示区域101的像素密度之差变小。由此，能够抑制在第1显示区域101与第2显示区域
102之间产生视觉差。

[0130] 如图3所示，第2电极140Y可以不规则地配置。由此，被第2电极140Y包围的透射区域104能够具有不规则的形状。由此，能够抑制在透过透射区域104时被衍射的光互相增强。因此，能够抑制具有高强度的衍射光入射到传感器。由此，例如能够抑制由传感器生成的图像模糊。

[0131] 对不规则的形状的例子进行说明。如图3所示，透射区域104可以包含第1透射区域1041和第2透射区域1042。第2透射区域1042隔着第2电极140Y与第1透射区域1041相邻。第1透射区域1041具有第1形状。第2透射区域1042可以具有与第1形状不同的第2形状。第1形状与第2形状之间的具体的不同点是任意的。例如，第2形状的面积可以与第1形状的面积不同。

[0132] “第1透射区域1041”可以不是表示特定的透射区域104的用语。例如，如图4所示，与图3的情况不同的透射区域104也可以相当于第1透射区域1041。图4的第2电极140和透射区域104的形状与图3的第2电极140和透射区域104的形状相同。在图4的例子中，也存在隔着第2电极140Y与第1透射区域1041相邻且具有与第1透射区域1041不同的形状的透射区域104。即，在图4的例子中，按照与第1透射区域1041的关系，也存在相当于第2透射区域1042的透射区域104。这样，在隔着第2电极140相邻的2个透射区域104具有互不相同的形状的情况下，能够将一个透射区域104称为第1透射区域1041，能够将另一个透射区域104称为第2透射区域1042。

[0133] 在作为对象的1个透射区域104的周围仅存在具有相同形状的多个其他透射区域104的情况下，作为对象的1个透射区域104不被称为第1透射区域1041。

[0134] 第2显示区域102可以具有第1符合率。第1符合率是第1符合数相对于透射区域104的个数的合计的百分比。第1符合数是在与第2透射区域1042的关系中能够被称为第1透射区域1041的透射区域104的个数。第1符合率例如可以为80％以上，也可以为85％以上，也可以为90％以上。第1符合率例如可以为95％以下，也可以为97％以下，也可以为99％以下。第1符合率的范围可以通过由80％、85％以及90％构成的第1组和/或由95％、97％以及99％构成的第2组来限定。第1符合率的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第1符合率的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第1符合率的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第1符合率可以为80％以上且99％以下，也可以为80％以上且97％以下，也可以为80％以上且95％以下，也可以为80％以上且90％以下，也可以为
80％以上且85％以下，也可以为85％以上且99％以下，也可以为85％以上且97％以下，也可以为85％以上且95％以下，也可以为85％以上且90％以下，也可以为90％以上且99％以下，也可以为90％以上且97％以下，也可以为90％以上且95％以下，也可以为95％以上且99％以下，也可以为95％以上且97％以下，也可以为97％以上且99％以下。

[0135] 第2透射区域1042可以隔着第1电极120和第2电极140Y与第1透射区域1041相邻。在图3和图4所示的例子中，第2透射区域1042在元件第1方向G1上隔着第1电极120和第2电极140Y与第1透射区域1041相邻。

[0136] 如图3和图4所示，透射区域104可以包含第3透射区域1043。第3透射区域1043隔着第2电极140Y与第1透射区域1041和第2透射区域1042相邻。第3透射区域1043可以具有与第1形状和第2形状不同的第3形状。例如，第3形状的面积可以与第1形状的面积和第2形状的面积不同。

[0137] 第2显示区域102可以具有第2符合率。第2符合率是第2符合数相对于透射区域104的个数的合计的百分比。第2符合数是在与第2透射区域1042和第3透射区域1043的关系中能够被称为第1透射区域1041的透射区域104的个数。作为第2符合率的范围，能够采用上述的第1符合率的范围。

[0138] 第3透射区域1043可以隔着第1电极120和第2电极140Y与第1透射区域1041相邻。在图3和图4所示的例子中，第3透射区域1043在元件第2方向G2上隔着第1电极120和第2电极140Y与第1透射区域1041相邻。

[0139] 如图3和图4所示，透射区域104可以包含第4透射区域1044。第4透射区域1044隔着第2电极140Y与第1透射区域1041和第2透射区域1042相邻。第4透射区域1044可以具有与第1形状和第2形状不同的第4形状。例如，第4形状的面积可以与第1形状的面积和第2形状的面积不同。第4形状可以与第3形状不同。

[0140] 第2显示区域102可以具有第3符合率。第3符合率是第3符合数相对于透射区域104的个数的合计的百分比。第3符合数是在与第2透射区域1042、第3透射区域1043以及第4透射区域1044的关系中能够被称为第1透射区域1041的透射区域104的个数。作为第3符合率的范围，能够采用上述的第1符合率的范围。

[0141] 第4透射区域1044可以隔着第1电极120和第2电极140Y与第1透射区域1041相邻。在图4所示的例子中，第4透射区域1044在元件第2方向G2上隔着第1电极120和第2电极140Y与第1透射区域1041相邻。

[0142] 如图3和图4所示，透射区域104可以包含第5透射区域1045。第5透射区域1045隔着第2电极140Y与第1透射区域1041相邻。第5透射区域1045可以隔着第2电极140Y与第4透射区域1044相邻。第5透射区域1045可以具有与第1形状不同的第5形状。例如，第5形状的面积可以与第1形状的面积不同。第5形状可以与第2形状、第3形状以及第4形状不同。

[0143] 第2显示区域102可以具有第4符合率。第4符合率是第4符合数相对于透射区域104的个数的合计的百分比。第4符合数是在与第2透射区域1042、第3透射区域1043、第4透射区域1044以及第5透射区域1045的关系中能够被称为第1透射区域1041的透射区域104的个数。作为第4符合率的范围，能够采用上述的第1符合率的范围。

[0144] 第5透射区域1045可以隔着第1电极120和第2电极140Y与第1透射区域1041相邻。在图3和图4所示的例子中，第5透射区域1045在元件第2方向G2上隔着第1电极120和第2电极140Y与第1透射区域1041相邻。

[0145] 如图3和图4所示，透射区域104可以包含第6透射区域1046。第6透射区域1046隔着第2电极140Y与第1透射区域1041相邻。第6透射区域1046可以具有与第1形状不同的第6形状。例如，第6形状的面积可以与第1形状的面积不同。第6形状可以与第2形状、第3形状、第4形状以及第5形状不同。

[0146] 第2显示区域102可以具有第5符合率。第5符合率是第5符合数相对于透射区域104的个数的合计的百分比。第5符合数是在与第2透射区域1042、第3透射区域1043、第4透射区域1044、第5透射区域1045以及第6透射区域1046的关系中能够被称为第1透射区域1041的透射区域104的个数。作为第5符合率的范围，能够采用上述的第1符合率的范围。

[0147] 第6透射区域1046可以隔着第1电极120和第2电极140Y与第1透射区域1041相邻。在图3和图4所示的例子中，第6透射区域1046在元件第1方向G1上隔着第1电极120和第2电极140Y与第1透射区域1041相邻。

[0148] 具有不同形状的2个透射区域104可以在多个第1电极120规则地排列的方向上隔着第1电极120和第2电极140Y而相邻。在图4所示的例子中，如上所述，在元件第1方向G1上，第1透射区域1041与第2透射区域1042相邻，且第1透射区域1041与第6透射区域1046相邻。在图4所示的例子中，如上所述，在元件第2方向G2上，第1透射区域1041与第3透射区域1043相邻，并且，第1透射区域1041与第4透射区域1044相邻，并且，第1透射区域1041与第5透射区域1045相邻。

[0149] 根据本实施方式，能够抑制如下情况：在多个第1电极120规则地排列的方向上，透过透射区域104时被衍射的光互相增强。

[0150] 如图3所示，在元件第1方向G1或元件第2方向G2上相邻的2个有机层130之间存在第2电极140Y或者透射区域104。俯视时相邻的2个有机层130之间的区域中的第2显示区域102的结构可以分类为第11类型T11、第12类型T12、第13类型T13、第21类型T21、第22类型T22或第23类型T23。

[0151] 第11类型T11在沿元件第1方向G1相邻的2个有机层130之间包含在元件第1方向G1上具有0.5×第12周期P12以上的尺寸的透射区域104。

[0152] 第12类型T11在沿元件第1方向G1相邻的2个有机层130之间包含在元件第1方向G1上具有小于0.5×第12周期P12的尺寸的透射区域104。

[0153] 第13类型T13在沿元件第1方向G1相邻的2个有机层130之间包含在元件第1方向G1上连续地延伸的第2电极140Y。

[0154] 第21类型T21在沿元件第2方向G2相邻的2个有机层130之间包含在元件第2方向G2上具有0.5×第22周期P22以上的尺寸的透射区域104。

[0155] 第22类型T22在沿元件第2方向G2相邻的2个有机层130之间包含在元件第2方向G2上具有小于0.5×第22周期P22的尺寸的透射区域104。

[0156] 第23类型T23在沿元件第2方向G2相邻的2个有机层130之间包含在元件第2方向G2上连续地延伸的第2电极140Y。

[0157] 虽未图示，但相邻的2个有机层130之间的第2显示区域102的结构也可以分类为其他类型。

[0158] 优选第13类型T13和第23类型T23不局部地集中。例如，包含4个有机层130的像素组115G优选包含第11类型T11、第12类型T12、第21类型T21以及第22类型T22中的任意。在像素组115G包含第11类型T11、第12类型T12、第21类型T21以及第22类型T22中的任意的情况下，在俯视时在元件第1方向G1或元件第2方向G2上连结4个有机层130的路径的某处，第2电极140Y被断开。即，连结4个有机层130的路径局部地包含透射区域104。由此，能够抑制在透过透射区域104时所衍射的光相互增强。也将包含第11类型T11、第12类型T12、第21类型T21以及第22类型T22中的任意的像素组115G称为分断像素组。

[0159] 图5是将图3的一部分放大示出的图。像素组115G包含第1有机层1301、第2有机层1302、第3有机层1303和第4有机层1304。第1有机层1301和第2有机层1302在元件第1方向G1上相邻。第3有机层1303和第4有机层1304在元件第1方向G1上相邻。第1有机层1301和第3有机层1303在元件第2方向G2上相邻。第2有机层1302和第4有机层1304在元件第2方向G2上相邻。

[0160] 第1有机层1301与第2有机层1302之间的区域由第11类型T11构成。第3有机层1303与第4有机层1304之间的区域由第12类型T12构成。第1有机层1301与第3有机层1303之间的区域由第21类型T21构成。第2有机层1302与第4有机层1304之间的区域由第23类型T23构成。

[0161] 第2显示区域102可以具有第1分断率。第1分断率是第1分断数相对于在第2显示区域102中存在的像素组115G的个数的合计的百分比。第1分断数是包含第11类型T11、第12类型T12、第21类型T21以及第22类型T22中的任意的像素组115G的个数。第1分断率例如可以为80％以上，也可以为85％以上，也可以为90％以上。第1分断率例如可以为95％以下，也可以为97％以下，也可以为99％以下。第1分断率的范围可以通过由80％、85％以及90％构成的第1组和/或由95％、97％以及99％构成的第2组来限定。第1分断率的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第1分断率的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第1分断率的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第1分断率可以为80％以上且99％以下，也可以为80％以上且97％以下，也可以为80％以上且95％以下，也可以为80％以上且90％以下，也可以为80％以上且85％以下，也可以为85％以上且99％以下，也可以为85％以上且97％以下，也可以为85％以上且95％以下，也可以为85％以上且
90％以下，也可以为90％以上且99％以下，也可以为90％以上且97％以下，也可以为90％以上且95％以下，也可以为95％以上且99％以下，也可以为95％以上且97％以下，也可以为
97％以上且99％以下。

[0162] 如图3所示，第2显示区域102可以包含第11类型T11和第12类型在元件第1方向G1上排列的11‑12排列T11‑12。第2显示区域102可以包含第11类型T11和第13类型在元件第1方向G1上排列的11‑13排列T11‑13。第2显示区域102可以包含第12类型T11和第13类型在元件第1方向G1上排列的12‑13排列。

[0163] 第2显示区域102可以包含第21类型T21和第22类型在元件第2方向G2上排列的21‑22排列。第2显示区域102可以包含第21类型T21和第23类型在元件第2方向G2上排列的21‑
23排列。第2显示区域102可以包含第22类型T21和第23类型在元件第2方向G2上排列的22‑
23排列。

[0164] 如图3和图4所示，第2电极140Y可以包含干电极141和支电极142。干电极141构成从1个电极连接端连续至另1个电极连接端的路径。支电极142与干电极141连接。

[0165] 图6是示出支电极142的一例的俯视图。支电极142可以是第1支电极142A，可以是第2支电极142B。

[0166] 第1支电极142A包含2个第1电极端1421和1个第2电极端1422。第1电极端1421是支电极142在电极第5方向G5上的端部。2个第1电极端1421在与电极第5方向G5垂直的方向上对置。电极第5方向G5可以与元件第1方向G1平行。虽未图示，但电极第5方向G5也可以不与元件第1方向G1平行。第2电极端1422是支电极142在电极第6方向G6上的端部。电极第6方向G6与电极第5方向G5交叉。电极第6方向G6可以与电极第5方向G5垂直。2个第1电极端1421和1个第2电极端1422与透射区域104相接。

[0167] 第2支电极142B包含1个第1电极端1421和2个第2电极端1422。2个第2电极端1422在与电极第6方向G6垂直的方向上对置。1个第1电极端1421和2个第2电极端1422与透射区域104相接。

[0168] 第1电极端1421的宽度W51可以相对于第21周期P21具有一定的比率。宽度W51与第21周期P21之比例如可以为0.4以上，也可以为0.6以上，也可以为0.8以上。宽度W51与第21周期P21之比例如可以为1.2以下，也可以为1.4以下，也可以为1.6以下。宽度W51与第21周期P21之比的范围可以通过由0.4、0.6以及0.8构成的第1组和/或由1.2、1.4以及1.6构成的第2组来限定。宽度W51与第21周期P21之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意
1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。宽度W51与第21周期P21之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。宽度W51与第21周期P21之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，宽度W51与第21周期P21之比可以为0.4以上且1.6以下，也可以为0.4以上且1.4以下，也可以为
0.4以上且1.2以下，也可以为0.4以上且0.8以下，也可以为0.4以上且0.6以下，也可以为
0.6以上且1.6以下，也可以为0.6以上且1.4以下，也可以为0.6以上且1.2以下，也可以为
0.6以上且0.8以下，也可以为0.8以上且1.6以下，也可以为0.8以上且1.4以下，也可以为
0.8以上且1.2以下，也可以为1.2以上且1.6以下，也可以为1.2以上且1.4以下，也可以为
1.4以上且1.6以下。

[0169] 宽度W51例如可以为20μm以上，也可以为40μm以上，也可以为60μm以上。宽度W51例如可以为110μm以下，也可以为130μm以下，也可以为150μm以下。宽度W51的范围可以通过由20μm、40μm以及60μm构成的第1组和/或由110μm、130μm以及150μm构成的第2组来限定。宽度W51的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。宽度W51的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。宽度W51的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。
例如，宽度W51可以为20μm以上且150μm以下，也可以为20μm以上且130μm以下，也可以为20μm以上且110μm以下，也可以为20μm以上且60μm以下，也可以为20μm以上且40μm以下，也可以为40μm以上且150μm以下，也可以为40μm以上且130μm以下，也可以为40μm以上且110μm以下，也可以为40μm以上且60μm以下，也可以为60μm以上且150μm以下，也可以为60μm以上且
130μm以下，也可以为60μm以上且110μm以下，也可以为110μm以上且150μm以下，也可以为
110μm以上且130μm以下，也可以为130μm以上且150μm以下。

[0170] 第2电极端1422的宽度W61可以相对于第11周期P11具有一定的比率。宽度W61与第11周期P11之比例如可以为0.4以上，也可以为0.6以上，也可以为0.8以上。宽度W61与第11周期P11之比例如可以为1.2以下，也可以为1.4以下，也可以为1.6以下。宽度W61与第11周期P11之比的范围可以通过由0.4、0.6以及0.8构成的第1组和/或由1.2、1.4以及1.6构成的第2组来限定。宽度W61与第11周期P11之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意
1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。宽度W61与第11周期P11之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。宽度W61与第11周期P11之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，宽度W61与第11周期P11之比可以为0.4以上且1.6以下，也可以为0.4以上且1.4以下，也可以为
0.4以上且1.2以下，也可以为0.4以上且0.8以下，也可以为0.4以上且0.6以下，也可以为
0.6以上且1.6以下，也可以为0.6以上且1.4以下，也可以为0.6以上且1.2以下，也可以为
0.6以上且0.8以下，也可以为0.8以上且1.6以下，也可以为0.8以上且1.4以下，也可以为
0.8以上且1.2以下，也可以为1.2以上且1.6以下，也可以为1.2以上且1.4以下，也可以为
1.4以上且1.6以下。

[0171] 宽度W61例如可以为20μm以上，也可以为40μm以上，也可以为60μm以上。宽度W61例如可以为110μm以下，也可以为130μm以下，也可以为150μm以下。宽度W61的范围可以通过由20μm、40μm以及60μm构成的第1组和/或由110μm、130μm以及150μm构成的第2组来限定。宽度W61的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。宽度W61的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。宽度W61的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。
例如，宽度W61可以为20μm以上且150μm以下，也可以为20μm以上且130μm以下，也可以为20μm以上且110μm以下，也可以为20μm以上且60μm以下，也可以为20μm以上且40μm以下，也可以为40μm以上且150μm以下，也可以为40μm以上且130μm以下，也可以为40μm以上且110μm以下，也可以为40μm以上且60μm以下，也可以为60μm以上且150μm以下，也可以为60μm以上且
130μm以下，也可以为60μm以上且110μm以下，也可以为110μm以上且150μm以下，也可以为
110μm以上且130μm以下，也可以为130μm以上且150μm以下。

[0172] 通过使第2电极140Y包含支电极142，由此，容易不规则地配置第2电极140Y。由此，能够进一步抑制在透过透射区域104时所衍射的光相互增强。

[0173] 对第2电极140的层结构进行说明。图7是将在图3的有机器件100中由标注有标号VII的双点划线所包围的区域放大示出的俯视图。

[0174] 第2电极140可以包含多个层。例如，第2电极140可以包含第1层140A和第2层140B。第1层140A和第2层140B分别是通过使用后述的第1掩模50A和第2掩模50B的蒸镀法而形成的。

[0175] 在第1显示区域101中，第1层140A可以在元件第3方向G3和元件第4方向G4上排列。元件第3方向G3是与元件第1方向G1和元件第2方向G2双方交叉的方向。元件第3方向G3相对于元件第1方向G1和元件第2方向G2所成的角度例如为20°以上且70°以下。元件第4方向G4是与元件第1方向G1和元件第2方向G2双方交叉的方向。元件第4方向G4相对于元件第1方向G1和元件第2方向G2所成的角度例如为20°以上且70°以下。元件第3方向G3与元件第4方向G4交叉。例如，元件第3方向G3也可以与元件第4方向G4正交。

[0176] 标号G31表示在元件第3方向G3上相邻的2个第1层140A之间的间隔。间隔G31例如可以为5μm以上，也可以为10μm以上，也可以为15μm以上。间隔G31例如可以为30μm以下，也可以为40μm以下，也可以为50μm以下。间隔G31的范围可以通过由5μm、10μm以及15μm构成的第1组和/或由30μm、40μm以及50μm构成的第2组来限定。间隔G31的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。间隔G31的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。间隔G31的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，间隔G31可以为5μm以上且50μm以下，也可以为5μm以上且40μm以下，也可以为5μm以上且30μm以下，也可以为5μm以上且15μm以下，也可以为5μm以上且10μm以下，也可以为10μm以上且50μm以下，也可以为10μm以上且40μm以下，也可以为10μm以上且30μm以下，也可以为10μm以上且15μm以下，也可以为15μm以上且50μm以下，也可以为15μm以上且40μm以下，也可以为15μm以上且30μm以下，也可以为30μm以上且50μm以下，也可以为30μm以上且40μm以下，也可以为40μm以上且50μm以下。

[0177] 标号G41表示在元件第4方向G4上相邻的2个第1层140A之间的间隔。作为间隔G41的范围，可以采用上述的间隔G31的范围。

[0178] 在第1显示区域101中，第2层140B可以与第1层140A相同地在元件第3方向G3和元件第4方向G4上排列。作为在元件第3方向G3上相邻的2个第2层140B之间的间隔的范围，可以采用上述的间隔G31的范围。作为在元件第4方向G4上相邻的2个第2层140B之间的间隔的范围，可以采用上述的间隔G41的范围。

[0179] 第1层140A可以在元件第1方向G1上与第2层140B连接。在该情况下，如图7所示，在第1显示区域101中，电极重叠区域145可以沿着元件第1方向G1以第13周期P13排列。电极重叠区域145是在俯视时第2电极140的多个层重叠的区域。在本实施方式中，电极重叠区域145是第1层140A与第2层140B重叠的区域。作为第13周期P13的范围，可以采用上述的第11周期P11的范围。

[0180] 第1层140A可以在元件第2方向G2上与第2层140B连接。在该情况下，在第1显示区域101中，电极重叠区域145可以沿着元件第2方向G2以第23周期P23排列。作为第23周期P23的范围，可以采用上述的第21周期P21的范围。

[0181] 上述的第1电极端1421的宽度W51可以相对于第23周期P23具有一定的比率。作为宽度W51与第23周期P23之比的范围，可以采用“宽度W51与第21周期P21之比”的范围。

[0182] 上述的第2电极端1422的宽度W61可以相对于第13周期P13具有一定的比率。作为宽度W61与第13周期P13之比的范围，可以采用“宽度W61与第11周期P11之比”的范围。

[0183] 电极重叠区域145的面积可以小于第1层140A的面积。电极重叠区域145的面积与第1层140A的面积之比例如可以为0.02以上，也可以为0.05以上，也可以为0.10以上。电极重叠区域145的面积与第1层140A的面积之比例如可以为0.20以下，也可以为0.30以下，也可以为0.40以下。电极重叠区域145的面积与第1层140A的面积之比的范围可以通过由0.02、0.05以及0.10构成的第1组和/或由0.20、0.30以及0.40构成的第2组来限定。电极重叠区域145的面积与第1层140A的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意
1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。电极重叠区域145的面积与第1层140A的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。电极重叠区域145的面积与第1层140A的面积之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，电极重叠区域145的面积与第1层140A的面积之比可以为0.02以上且0.40以下，也可以为0.02以上且0.30以下，也可以为0.02以上且0.20以下，也可以为0.02以上且0.10以下，也可以为0.02以上且0.05以下，也可以为0.05以上且0.50以下，也可以为0.05以上且0.30以下，也可以为0.05以上且0.20以下，也可以为0.05以上且
0.10以下，也可以为0.10以上且0.40以下，也可以为0.10以上且0.30以下，也可以为0.10以上且0.20以下，也可以为0.20以上且0.40以下，也可以为0.20以上且0.30以下，也可以为
0.30以上且0.40以下。

[0184] 电极重叠区域145的面积可以小于第2层140B的面积。作为电极重叠区域145的面积与第2层140B的面积之比的范围，可以采用上述的“电极重叠区域145的面积与第1层140A的面积之比”的范围。

[0185] 图8是示出从图7的有机器件100去除了第2电极140的状态的俯视图。有机层130可以包含第1有机层130A、第2有机层130B和第3有机层130C。第1有机层130A、第2有机层130B和第3有机层130C例如可以为红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层。在以下的说明中，在说明第1有机层130A、第2有机层130B和第3有机层130C共同的有机层的结构的情况下，使用“有机层130”这样的用语和标号。

[0186] 对于俯视时的第2电极140和有机层130的配置，通过使用高倍率的数字显微镜观察有机器件100来检测。基于检测结果，能够算出上述的占有率、面积、尺寸、间隔等。在有机器件100具备罩玻璃等罩的情况下，可以通过将罩剥离或破坏等来去除罩，然后观察第2电极140和有机层130。也可以不使用数码显微镜而使用扫描型电子显微镜。

[0187] 如图7和图8所示，包含1个第1有机层130A、1个第2有机层130B以及1个第3有机层130C的1个有机层130在俯视时可以与1个第1层140A或1个第2层140B重叠。

[0188] 接下来，对有机器件100的层结构的一例进行说明。图9是图7的有机器件的沿A‑A线的剖视图。图10是图7的有机器件的沿B‑B线的剖视图。

[0189] 有机器件100具备基板110和位于基板110上的元件115。元件115可以具有第1电极120、位于第1电极120上的有机层130和位于有机层130上的第2电极140。

[0190] 有机器件100可以具备在俯视时位于相邻的2个第1电极120之间的绝缘层160。绝缘层160例如包含聚酰亚胺。绝缘层160可以与第1电极120的端部重叠。

[0191] 绝缘层160可以在俯视时与电极重叠区域145重叠。例如，在俯视时，电极重叠区域145可以被绝缘层160的轮廓包围。

[0192] 电极重叠区域145包含第2电极140的多个层。因此，电极重叠区域145具有比第2电极140的1个层低的透射率。当透过电极重叠区域145的光从有机器件100射出时，有时光的强度会产生不均。通过使绝缘层160与电极重叠区域145重叠，能够抑制光的强度产生不均的情况。

[0193] 有机器件100可以是有源矩阵型。例如，虽然未图示，但有机器件100可以具备开关。开关与多个元件115分别电连接。开关例如是晶体管。开关能够控制针对对应的元件115的电压或电流的接通/断开。

[0194] 基板110可以是具有绝缘性的板状的部件。基板110优选具有使光透过的透明性。

[0195] 在基板110具有规定的透明性的情况下，基板110的透明性优选为能够使来自有机层130的发光透过而进行显示的程度的透明性。例如，基板110在可见光区域中的透射率优选为70％以上，更优选为80％以上。基板110的透射率可以通过依据JIS K7361‑1的塑料‑透明材料的总透光率的试验方法来测量。

[0196] 基板110可以具有挠性，也可以不具有挠性。可以根据有机器件100的用途适当选择基板110。

[0197] 作为基板110的材料，例如能够使用石英玻璃、Pyrex(注册商标)玻璃、合成石英板、无碱玻璃等不具有挠性的刚性材料、或者树脂膜、光学用树脂板、薄玻璃等具有挠性的柔性材料等。另外，基材可以是在树脂膜的单面或双面具有阻隔层的层叠体。

[0198] 关于基板110的厚度，可以根据基板110所使用的材料、有机器件100的用途等适当选择，例如可以为0.005mm以上。另外，基板110的厚度可以为5mm以下。

[0199] 通过在第1电极120与第2电极140之间施加电压、或者在第1电极120与第2电极140之间流过电流，由此，元件115能够实现某些功能。例如，在元件115是有机EL显示装置的像素的情况下，元件115能够放出构成影像的光。

[0200] 第1电极120包含具有导电性的材料。例如，第1电极120包含金属、具有导电性的金属氧化物、其他具有导电性的无机材料等。第1电极120可以包含铟锡氧化物等具有透明性和导电性的金属氧化物。

[0201] 作为构成第1电极120的材料，能够使用：Au、Cr、Mo、Ag、Mg等金属；被称为ITO的氧化铟锡、被称为IZO的氧化铟锌、氧化锌、氧化铟等无机氧化物；以及金属掺杂的聚噻吩等导电性高分子等。这些导电性材料可以单独使用，也可以将2种以上组合在一起使用。在使用2种以上的情况下，可以层叠由各材料构成的层。另外，也可以使用包含有2种以上的材料的合金。例如，可以使用MgAg等镁合金等。

[0202] 有机层130含有有机材料。当对有机层130通电时，有机层130能够发挥某些功能。通电是指对有机层130施加电压、或者在有机层130中流过电流。作为有机层130，可以使用通过通电而放出光的发光层、通过通电而使光的透射率或折射率变化的层等。有机层130可以包含有机半导体材料。

[0203] 将包含第1电极120、第1有机层130A和第2电极140的层叠结构也称为第1元件115A。将包含第1电极120、第2有机层130B和第2电极140的层叠结构也称为第2元件115B。将包含第1电极120、第3有机层130C和第2电极140的层叠结构也称为第3元件。在有机器件100为有机EL显示装置的情况下，第1元件115A、第2元件115B以及第3元件分别为子像素。

[0204] 在以下的说明中，在对第1元件115A、第2元件115B和第3元件所共用的元件的结构进行说明的情况下，使用“元件115”这样的用语和标号。

[0205] 当在第1电极120与第2电极140之间施加电压时，位于两者之间的有机层130被驱动。在有机层130为发光层的情况下，从有机层130放出光，并从第2电极140侧或第1电极120侧向外部取出光。

[0206] 在有机层130包含通过通电而放出光的发光层的情况下，有机层130可以进一步包含空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等。

[0207] 例如，在第1电极120为阳极的情况下，有机层130可以在发光层与第1电极120之间具有空穴注入传输层。空穴注入传输层可以是具有空穴注入功能的空穴注入层，也可以是具有空穴传输功能的空穴传输层，还可以具有空穴注入功能和空穴传输功能这两种功能。另外，空穴注入传输层可以是层叠空穴注入层和空穴传输层而成的层。

[0208] 在第2电极140为阴极的情况下，有机层130可以在发光层与第2电极140之间具有电子注入传输层。电子注入传输层可以是具有电子注入功能的电子注入层，也可以是具有电子传输功能的电子传输层，还可以具有电子注入功能和电子传输功能这两种功能。另外，电子注入传输层可以是层叠电子注入层和电子传输层而成的层。

[0209] 发光层包含发光材料。发光层可以含有使流平性良好的添加剂。

[0210] 作为发光材料，可以使用公知的材料，例如可以使用色素系材料、金属络合物系材料、高分子系材料等发光材料。

[0211] 作为色素系材料，例如可以使用环戊二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯基胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、噻酚衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮衍生物、苝衍生物、低聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物等。

[0212] 作为金属络合物系材料，例如可以使用羟基喹啉铝络合物、苯并羟基喹啉铍络合物、苯并噁唑锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、桉素络合物等、中心金属具有Al、Zn、Be等或Tb、Eu、Dy等稀土金属且配体具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物。

[0213] 作为高分子系材料，例如可以使用聚对苯乙炔衍生物、聚噻吩衍生物、聚对苯衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚芴衍生物、聚喹喔啉衍生物、以及它们的共聚物等。

[0214] 出于提高发光效率、改变发光波长等目的，发光层可以含有掺杂剂。作为掺杂剂，例如可以使用苝衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸鎓衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯系色素、并四苯衍生物、吡唑啉衍生物、十环烯、吩噁嗪酮、喹喔啉衍生物、咔唑衍生物、芴衍生物等。另外，作为掺杂剂，可以使用在中心具有铂、铱等重金属离子且显示磷光的有机金属络合物。关于掺杂剂，可以单独使用1种，可以使用2种以上。

[0215] 另外，作为发光材料和掺杂剂，例如可以使用在日本特开2010‑272891号公报的[0094]～[0099]或国际公开第2012/132126号的[0053]～[0057]中记载的材料。

[0216] 关于发光层的膜厚，只要是能够提供电子与空穴的再结合的场所而表现出发光的功能的膜厚，则并不特别限定，例如可以设为1nm以上，另外，可以设为500nm以下。

[0217] 作为空穴注入传输层所使用的空穴注入传输性材料，可以使用公知的材料。例如，可以使用三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氮烷衍生物、聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物、苯胺衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、芴衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、聚苯乙炔衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基胺衍生物等。另外，可以例示出螺环化合物、酞菁化合物、金属氧化物等。另外，例如也可以适当地选择使用在日本特开2011‑119681号公报、国际公开第2012/018082号、日本特开2012‑069963号公报、国际公开第2012/132126号的[0106]中记载的化合物。

[0218] 并且，在空穴注入传输层是层叠空穴注入层和空穴传输层而成的空穴注入传输层的情况下，空穴注入层可以含有添加剂A，空穴传输层可以含有添加剂A，空穴注入层和空穴传输层可以含有添加剂A。添加剂A可以为低分子化合物，也可以为高分子化合物。具体而言，可以使用氟系化合物、酯系化合物、烃系化合物等。

[0219] 作为电子注入传输层所使用的电子注入传输性材料，可以使用公知的材料。例如，可以使用碱金属类、碱金属的合金、碱金属的卤化物、碱土金属类、碱土金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱金属的有机络合物、镁的卤化物或氧化物、氧化铝等。另外，作为电子注入传输性材料，例如可以使用浴铜灵、浴菲咯啉、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、硝基取代芴衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、二苯基醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘或苝等芳香环四羧酸酐、碳二亚胺、亚芴基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、喹喔啉衍生物、羟基喹啉络合物等金属络合物、酞菁化合物、二苯乙烯基吡嗪衍生物等。

[0220] 另外，也可以是，形成在电子传输性的有机材料中掺杂碱金属或碱土金属而成的金属掺杂层，并将其作为电子注入传输层。作为电子传输性的有机材料，例如可以使用浴铜灵、红菲咯啉、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、三(8‑羟基喹啉)铝(Alq3)等金属络合物、以及它们的高分子衍生物等。另外，作为进行掺杂的金属，可以使用Li、Cs、Ba、Sr等。

[0221] 第2电极140包含金属等具有导电性的材料。第2电极140通过使用后述的掩模的蒸镀法而形成在有机层130上。作为构成第2电极140的材料，能够使用铂、金、银、铜、铁、锡、铬、铝、铟、锂、钠、钾、钙、镁、铬、碳等。这些材料可以单独使用，也可以将2种以上的材料组合使用。在使用2种以上的情况下，可以层叠由各材料构成的层。另外，也可以使用包含有2种以上的材料的合金。例如，可以使用MgAg等镁合金、AlLi、AlCa、AlMg等铝合金、碱金属类和碱土金属类的合金等。

[0222] 第2电极140的厚度例如可以为5nm以上，也可以为10nm以上，也可以为50nm以上，也可以为100nm以上。第2电极140的厚度例如可以为200nm以下，也可以为500nm以下，也可以为1μm以下，也可以为100μm以下。第2电极140的厚度的范围可以通过由5nm、10nm、50nm以及100nm构成的第1组和/或由200nm、500nm、1μm以及100μm构成的第2组来限定。第2电极140的厚度的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2电极140的厚度的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2电极140的厚度的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第2电极140的厚度可以为5nm以上且100μm以下，也可以为5nm以上且1μm以下，也可以为5nm以上且500nm以下，也可以为5nm以上且200nm以下，也可以为5nm以上且100nm以下，也可以为5nm以上且50nm以下，也可以为5nm以上且10nm以下，也可以为10nm以上且100μm以下，也可以为10nm以上且1μm以下，也可以为10nm以上且500nm以下，也可以为10nm以上且200nm以下，也可以为10nm以上且100nm以下，也可以为10nm以上且
50nm以下，也可以为50nm以上且100μm以下，也可以为50nm以上且1μm以下，也可以为50nm以上且500nm以下，也可以为50nm以上且200nm以下，也可以为50nm以上且100nm以下，也可以为100nm以上且100μm以下，也可以为100nm以上且1μm以下，也可以为100nm以上且500nm以下，也可以为100nm以上且200nm以下，也可以为200nm以上且100μm以下，也可以为200nm以上且1μm以下，也可以为200nm以上且500nm以下，也可以为500nm以上且100μm以下，也可以为500nm以上且1μm以下，也可以为1μm以上且100μm以下。

[0223] 电极140的厚度越小，则电极140的透射率越高，非透射区域103的透射率也越高。入射到非透射区域103的光也能够对应于非透射区域103的透射率而到达传感器。通过提高非透射区域103的透射率，能够增加传感器接收的光量。

[0224] 关于基板110的厚度、第2电极140的厚度等有机器件100的各构成要素的厚度，可以通过使用扫描型电子显微镜观察有机器件100的截面的图像来测量。

[0225] 接着，对通过蒸镀法形成上述的有机器件100的第2电极140的方法进行说明。图11是示出蒸镀装置10的图。蒸镀装置10实施使蒸镀材料蒸镀到对象物上的蒸镀处理。

[0226] 蒸镀装置10可以在其内部具备蒸镀源6、加热器8和掩模装置40。蒸镀装置10可以具备用于使蒸镀装置10的内部成为真空气氛的排气单元。蒸镀源6例如是坩埚。蒸镀源6收纳导电性材料等蒸镀材料7。加热器8对蒸镀源6进行加热，在真空气氛下使蒸镀材料7蒸发。掩模装置40以与坩埚6对置的方式配置。

[0227] 如图11所示，掩模装置40可以具备：至少1个掩模50；和支承掩模50的框架41。框架41可以包括第1框架面41a和第2框架面41b。可以在第1框架面41a上固定掩模50。第2框架面
41b位于第1框架面41a的相反侧。另外，框架41可以包含开口42。开口42从第1框架面41a贯通到第2框架面41b。掩模50可以以在俯视时横穿开口42的方式固定于框架41。另外，框架41可以将掩模50以在其面方向上对其拉伸的状态进行支承。由此，能够抑制掩模50挠曲。

[0228] 作为掩模50，可以使用后述的第1掩模50A或第2掩模50B。在以下的说明中，在对第1掩模50A和第2掩模50B所共有的掩模结构进行说明的情况下，使用“掩模50”这样的用语和标号。关于后述的贯通孔、遮蔽区域等掩模的构成要素也相同，在说明第1掩模50A和第2掩模50B所共有的内容的情况下，作为标号，使用“53”、“54”等未附加字母的只有数字的标号。
另一方面，在对第1掩模50A和第2掩模50B各自所特有的内容进行说明的情况下，有时也使用在数字之后附加有“A”、“B”等对应的字母的标号。

[0229] 掩模装置40的掩模50与基板110对置。基板110是使蒸镀材料7附着的对象物。基板110包含第1面111和第2面112。第1面111与掩模50对置。掩模50包括多个贯通孔53。贯通孔
53使从蒸镀源6飞来的蒸镀材料7通过。通过了贯通孔53的蒸镀材料7附着于基板110的第1面111。掩模50包括第1面51a和第2面51b。第1面51a与第1面111对置。第2面51b位于第1面
51a的相反侧。贯通孔53从第1面51a向第2面51b贯通。

[0230] 蒸镀装置10可以具备保持基板110的基板保持器2。基板保持器2可以是能够在基板110的厚度方向上移动。基板保持器2可以是能够在基板110的面方向上移动。基板保持器2可以控制基板110的倾斜。例如，基板保持器2可以包括安装于基板110的外缘的多个卡盘。
各卡盘可以是能够在基板110的厚度方向、面方向上独立地移动。

[0231] 蒸镀装置10可以具备保持掩模装置40的掩模保持器3。掩模保持器3可以是能够在掩模50的厚度方向上移动。掩模保持器3可以是能够在掩模50的面方向上移动。例如，掩模保持器3可以包括安装于框架41的外缘的多个卡盘。各卡盘可以是能够在掩模50的厚度方向、面方向上独立地移动。

[0232] 通过使基板保持器2和掩模保持器3中的至少任意一方移动，由此能够调整掩模装置40的掩模50相对于基板110的位置。

[0233] 蒸镀装置10可以具备冷却板4。冷却板4可以配置于基板110的第2面112侧。冷却板4可以具有用于使制冷剂在冷却板4的内部循环的流路。冷却板4能够抑制基板110的温度在蒸镀工序时上升。

[0234] 蒸镀装置10可以具备配置于第2面112侧的磁铁5。磁铁5可以与冷却板4重叠。磁铁5通过磁力将掩模50向基板110侧吸引。由此，能够减少掩模50与基板110之间的间隙或者消除间隙。由此，能够抑制在蒸镀工序中产生阴影。因此，能够提高第2电极140的尺寸精度和位置精度。在本申请中，阴影是指蒸镀材料7进入掩模50与基板110之间的间隙、由此使得第
2电极140的厚度变得不均匀的现象。另外，可以使用利用静电力的静电卡盘将掩模50向基板110侧吸引。

[0235] 接下来，对掩模装置40进行说明。图12是示出掩模装置40的俯视图。掩模装置40可以具备2片以上的掩模50。掩模50例如可以通过焊接而固定于框架41。

[0236] 框架41包括一对第1边411和一对第2边412。框架41可以具有矩形的轮廓。可以在第1边411上固定被施加了张力的状态下的掩模50。第1边411可以比第2边412长。框架41可以包括由一对第1边411和一对第2边412包围的开口42。

[0237] 掩模50包含至少1个单元52。单元52包括贯通孔53和遮蔽区域54。掩模50可以包含2个以上的单元52。在使用掩模50制作有机EL显示装置等显示装置的情况下，1个单元52可以与1个有机EL显示装置的显示区域、即1个画面对应。1个单元52也可以与多个显示区域对应。掩模50可以包含位于单元52之间的遮蔽区域54。虽未图示，但掩模50也可以包括位于单元52之间的贯通孔53。

[0238] 单元52例如可以具有俯视时呈大致四边形的轮廓，更准确而言，可以具有俯视时呈大致矩形的轮廓。各单元52可以根据有机EL显示装置的显示区域的形状而具有各种形状的轮廓。例如各单元52可以具有圆形的轮廓。

[0239] 图13是放大表示掩模50的一例的俯视图。掩模50具有掩模第1方向D1和与掩模第1方向D1交叉的掩模第2方向D2。掩模第1方向D1可以与掩模第2方向D2正交。可以是，掩模第1方向D1与元件第1方向G1对应，掩模第2方向D2与元件第2方向G2对应。

[0240] 掩模50具备贯通孔53和遮蔽区域54。贯通孔53在掩模第1方向D1和掩模第2方向D2上排列。

[0241] 在沿着第1面51a的法线方向观察掩模50的情况下，掩模50具备掩模第3区域M3和掩模第4区域M4。掩模第3区域M3对应于有机器件100的第1显示区域101。掩模第4区域M4对应于有机器件100的第2显示区域102。

[0242] 在掩模第3区域M3中，贯通孔53具有第3开口率。关于第3开口率，通过将位于掩模第3区域M3的贯通孔53的面积的合计除以掩模第3区域M3的面积来算出。在掩模第4区域M4中，贯通孔53具有第4开口率。关于第4开口率，通过将位于掩模第4区域M4的贯通孔53的面积的合计除以掩模第4区域M4的面积来算出。第4开口率可以小于第3开口率。

[0243] 第4开口率与第3开口率之比例如可以为0.2以上，也可以为0.3以上，也可以为0.4以上。第4开口率与第3开口率之比例如可以为0.6以下，也可以为0.7以下，也可以为0.8以下。第4开口率与第3开口率之比的范围可以通过由0.2、0.3以及0.4构成的第1组和/或由0.6、0.7以及0.8构成的第2组来限定。第4开口率与第3开口率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第4开口率与第3开口率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第4开口率与第3开口率之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第4开口率与第3开口率之比可以为0.2以上且0.8以下，可以为0.2以上且
0.7以下，可以为0.2以上且0.6以下，可以为0.2以上且0.4以下，可以为0.2以上且0.3以下，可以为0.3以上且0.8以下，可以为0.3以上且0.7以下，可以为0.3以上且0.6以下，可以为
0.3以上且0.4以下，可以为0.4以上且0.8以下，可以为0.4以上且0.7以下，可以为0.4以上且0.6以下，可以为0.6以上且0.8以下，可以为0.6以上且0.7以下，可以为0.7以上且0.8以下。

[0244] 掩模50可以具有校准标识50M。校准标识50M例如形成于掩模50的单元52的角部。可以是，在使用掩模50通过蒸镀法在基板110上形成第2电极140的工序中，为了进行掩模50相对于基板110的对位而利用校准标识50M。校准标识50M例如可以形成在与框架41重叠的位置。可以是，在制作掩模装置40时，为了进行掩模50与框架41的对位而使用校准标识50M。

[0245] 在形成第2电极140的工序中，可以使用多个掩模50。例如，如图14所示，掩模50可以具备第1掩模50A和第2掩模50B。第1掩模50A和第2掩模50B可以构成不同的掩模装置40。也将具备第1掩模50A的掩模装置40称为第1掩模装置40A。也将具备第2掩模50B的掩模装置
40称为第2掩模装置40B。

[0246] 在形成第2电极140的工序中，例如，在蒸镀装置10中使用第1掩模装置40A而在基板110上形成第2电极140的第1层140A。接着，在蒸镀装置10中使用第2掩模装置40B而在基板110上形成第2电极140的第2层140B。这样，在形成有机器件100的第2电极140的工序中，依次使用第1掩模50A、第2掩模50B等多个掩模50。也将用于形成有机器件100的第2电极140的多个掩模50的组称为“掩模组”。

[0247] 图15是示出掩模50的截面结构的一例的图。掩模50具有形成于金属板51的多个贯通孔53。贯通孔53从第1面51a向第2面51b贯通金属板51。

[0248] 贯通孔53可以包含第1凹部531和第2凹部532。第1凹部531位于第1面51a侧。第2凹部532位于第2面51b侧。第1凹部531在金属板51的厚度方向上与第2凹部532连接。

[0249] 在俯视时，第2凹部532的尺寸r2可以比第1凹部531的尺寸r1大。第1凹部531可以通过利用蚀刻等从第1面51a侧对金属板51进行加工而形成。第2凹部532可以通过利用蚀刻等从第2面51b侧对金属板51进行加工而形成。第1凹部531和第2凹部532在连接部533处连接。

[0250] 标号534表示贯通部。俯视时的贯通孔53的开口面积在贯通部534中最小。贯通部534可以由连接部533划定。

[0251] 在使用掩模50的蒸镀法中，从第2面51b侧向第1面51a侧通过了贯通孔53的贯通部534的蒸镀材料7附着于基板110，由此在基板110形成上述的第1层140A、第2层140B、第3层
140C等层。形成于基板110的层在基板110的面内方向上的轮廓由俯视时的贯通部534的轮廓决定。在后述的图16～图20等俯视图中示出的贯通孔53的轮廓是贯通部534的轮廓。贯通孔53的面积可以是贯通部534的面积。俯视时的贯通孔53的尺寸可以是贯通部534的尺寸r。

[0252] 贯通部534以外的金属板51的区域能够遮蔽朝向基板110的蒸镀材料7。将贯通部534以外的金属板51的区域也称为遮蔽区域54。在图13、图14、图16、图17等掩模50的俯视图中，对遮蔽区域54附加斜线的阴影。

[0253] 掩模第4区域M4的遮蔽区域54可以包括不贯通金属板51的凹部。通过在掩模第4区域M4设置凹部，能够降低掩模第4区域M4的刚性。由此，能够减小掩模第4区域M4的刚性与掩模第3区域M3的刚性之间的差异。因此，能够抑制因刚性的差异而在掩模50上产生褶皱的情况。褶皱例如容易在对掩模50施加张力时产生。

[0254] 掩模50的厚度T例如可以为5μm以上，也可以为10μm以上，也可以为15μm以上，也可以为20μm以上。掩模50的厚度T例如可以为25μm以下，也可以为30μm以下，也可以为50μm以下，也可以为100μm以下。掩模50的厚度T的范围可以通过由5μm、10μm、15μm以及20μm构成的第1组和/或由25μm、30μm、50μm以及100μm构成的第2组来限定。掩模50的厚度T的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。掩模50的厚度T的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。掩模50的厚度T的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，掩模50的厚度T可以为5μm以上且100μm以下，也可以为5μm以上且50μm以下，也可以为
5μm以上且30μm以下，也可以为5μm以上且25μm以下，也可以为5μm以上且20μm以下，也可以为5μm以上且15μm以下，也可以为5μm以上且10μm以下，也可以为10μm以上且100μm以下，也可以为10μm以上且50μm以下，也可以为10μm以上且30μm以下，也可以为10μm以上且25μm以下，也可以为10μm以上且20μm以下，也可以为10μm以上且15μm以下，也可以为15μm以上且
100μm以下，也可以为15μm以上且50μm以下，也可以为15μm以上且30μm以下，也可以为15μm以上且25μm以下，也可以为15μm以上且20μm以下，也可以为20μm以上且100μm以下，也可以为20μm以上且50μm以下，也可以为20μm以上且30μm以下，也可以为20μm以上且25μm以下，也可以为25μm以上且100μm以下，也可以为25μm以上且50μm以下，也可以为25μm以上且30μm以下，也可以为30μm以上且100μm以下，也可以为30μm以上且50μm以下，也可以为50μm以上且
100μm以下。

[0255] 作为测量掩模50的厚度T的方法，可以采用接触式的测量方法。作为接触式的测量方法，可以使用具备球形衬套引导式的柱塞的、海德汉公司制的长度计HEIDENHAIM‑METRO的“MT1271”。

[0256] 贯通孔53的截面形状不限于图15所示的形状。另外，贯通孔53的形成方法不限于蚀刻，能够采用各种方法。例如，可以通过以产生贯通孔53的方式进行镀敷来形成掩模50。

[0257] 作为构成掩模50的材料，例如能够使用含镍的铁合金。铁合金除了镍外还可以含有钴。例如，作为掩模50的材料，可以使用镍和钴的含量合计为30质量％以上且54质量％以下、并且钴的含量为0质量％以上且6质量％以下的铁合金。作为含镍或镍和钴的铁合金，能够列举出含有34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材、除了30质量％以上且34质量％以下的镍以外还含有钴的超因瓦合金材、含有38质量％以上且54质量％以下的镍的低热膨胀Fe‑Ni系镀敷合金等。通过使用这样的铁合金，能够降低掩模50的热膨胀系数。例如，在采用玻璃基板来作为基板110的情况下，可以将掩模50的热膨胀系数设为与玻璃基板同等低的值。由此，在蒸镀工序时，能够抑制这样的情况：形成于基板110的蒸镀层的尺寸精度或位置精度由于掩模50与基板110之间的热膨胀系数之差而降低。

[0258] 接着，对第1掩模50A进行详细说明。图16是将第1掩模50A的掩模第3区域M3和掩模第4区域M4放大示出的俯视图。第1掩模50A具备第1贯通孔53A和第1遮蔽区域54A。

[0259] 第1掩模50A具有掩模第1方向D1、掩模第2方向D2、掩模第3方向D3以及掩模第4方向D4。在蒸镀工序中，掩模第1方向D1可以与元件第1方向G1平行。在蒸镀工序中，掩模第2方向D2可以与元件第2方向G2平行。掩模第3方向D3是与掩模第1方向D1和掩模第2方向D2双方交叉的方向。掩模第3方向D3相对于掩模第1方向D1及掩模第2方向D2所成的角度例如为20°以上且70°以下。掩模第4方向D4是与掩模第1方向D1和掩模第2方向D2双方交叉的方向。掩模第4方向D4相对于掩模第1方向D1及掩模第2方向D2所成的角度例如为20°以上且70°以下。掩模第3方向D3与掩模第4方向D4交叉。例如，掩模第3方向D3可以与掩模第4方向D4正交。

[0260] 在掩模第3区域M3中，第1贯通孔53A可以沿着掩模第3方向D3以第35周期P35排列。在掩模第3区域M3中，第1贯通孔53A可以沿着掩模第4方向D4以第45周期P45排列。

[0261] 标号G35表示位于掩模第3区域M3且在掩模第3方向D3上相邻的2个第1贯通孔53A之间的间隔。间隔G35例如可以为5μm以上，也可以为10μm以上，也可以为15μm以上。间隔G35例如可以为30μm以下，也可以为40μm以下，也可以为50μm以下。间隔G35的范围可以通过由5μm、10μm以及15μm构成的第1组和/或由30μm、40μm以及50μm构成的第2组来限定。间隔G35的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。间隔G35的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。间隔G35的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，间隔G35可以为5μm以上且50μm以下，也可以为5μm以上且40μm以下，也可以为5μm以上且30μm以下，也可以为5μm以上且15μm以下，也可以为5μm以上且10μm以下，也可以为10μm以上且50μm以下，也可以为10μm以上且40μm以下，也可以为10μm以上且30μm以下，也可以为10μm以上且15μm以下，也可以为15μm以上且50μm以下，也可以为15μm以上且40μm以下，也可以为
15μm以上且30μm以下，也可以为30μm以上且50μm以下，也可以为30μm以上且40μm以下，也可以为40μm以上且50μm以下。

[0262] 标号G45表示位于掩模第4区域M4且在掩模第4方向D4上相邻的2个第1贯通孔53A之间的间隔。作为间隔G45的范围，可以采用上述的间隔G35的范围。

[0263] 如图16所示，在掩模第4区域M4中，第1贯通孔53A可以沿着掩模第3方向D3排列。在掩模第4区域M4中，在掩模第3方向D3上相邻的2个第1贯通孔53A的中心点之间的距离K35可以是第35周期P35的N1倍。N1可以是1以上的数。N1可以是1以上的整数。N1的值可以根据位置而不同。

[0264] N1的平均值例如可以为1.1以上，也可以为1.2以上，也可以为1.5以上。N1的平均值例如可以为2.0以下，也可以为2.5以下，也可以为3.0以下。N1的平均值的范围可以通过由1.1、1.2以及1.5构成的第1组和/或由2.0、2.5以及3.0构成的第2组来限定。N1的平均值的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。N1的平均值的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。N1的平均值的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，N1的平均值可以为1.1以上且3.0以下，可以为1.1以上且2.5以下，可以为1.1以上且2.0以下，可以为1.1以上且1.5以下，可以为1.1以上且1.2以下，可以为1.2以上且3.0以下，可以为1.2以上且2.5以下，可以为1.2以上且2.0以下，可以为1.2以上且1.5以下，可以为1.5以上且3.0以下，可以为1.5以上且2.5以下，可以为1.5以上且2.0以下，可以为2.0以上且3.0以下，可以为2.0以上且2.5以下，可以为2.5以上且3.0以下。

[0265] N1的标准偏差与N1的平均值之比例如可以为0.2以上，也可以为0.3以上，也可以为0.4以上。N1的标准偏差与N1的平均值之比例如可以为0.6以下，也可以为0.7以下，也可以为0.8以下。N1的标准偏差与N1的平均值之比的范围可以通过由0.2、0.3以及0.4构成的第1组和/或由0.6、0.7以及0.8构成的第2组来限定。N1的标准偏差与N1的平均值之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。N1的标准偏差与N1的平均值之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。N1的标准偏差与N1的平均值之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，N1的标准偏差与N1的平均值之比可以为0.2以上且0.8以下，可以为0.2以上且0.7以下，可以为0.2以上且0.6以下，可以为0.2以上且0.4以下，可以为0.2以上且0.3以下，可以为0.3以上且0.8以下，可以为0.3以上且0.7以下，可以为0.3以上且0.6以下，可以为0.3以上且0.4以下，可以为0.4以上且0.8以下，可以为0.4以上且0.7以下，可以为0.4以上且0.6以下，可以为0.6以上且0.8以下，可以为0.6以上且0.7以下，可以为0.7以上且0.8以下。

[0266] 在掩模第4区域M4中，第1贯通孔53A可以沿着掩模第4方向D4排列。在掩模第4区域M4中，在掩模第4方向D4上相邻的2个第1贯通孔53A的中心点之间的距离K45可以是第45周期P45的N2倍。N2可以是1以上的数。N2可以是1以上的整数。N2的值可以根据位置而不同。作为N2的平均值的范围，可以采用上述的N1的平均值的范围。作为N2的标准偏差与N2的平均值之比的范围，可以采用上述的“N1的标准偏差与N1的平均值之比”的范围。

[0267] 参照图17，对第2掩模50B进行说明。对于第2掩模50B的与第1掩模50A同样地构成的部分，有时省略重复的说明。

[0268] 第2掩模50B具备第2贯通孔53B和第2遮蔽区域54B。在掩模第3区域M3中，第2贯通孔53B可以与第1贯通孔53A同样地沿着掩模第3方向D3以第36周期P36排列。第36周期P36可以与第1掩模50A中的第35周期P35相同。在掩模第3区域M3中，第2贯通孔53B可以与第1贯通孔53A同样地沿着掩模第4方向D4以第45周期P45排列。第46周期P46可以与第1掩模50A中的第45周期P45相同。

[0269] 标号G36表示位于掩模第3区域M3且在掩模第3方向D3上相邻的2个第2贯通孔53B之间的间隔。作为间隔G36的范围，可以采用上述的间隔G35的范围。

[0270] 标号G46表示位于掩模第3区域M3且在掩模第4方向D4上相邻的2个第2贯通孔53B之间的间隔。作为间隔G46的范围，可以采用上述的间隔G35的范围。

[0271] 在掩模第4区域M4中，第2贯通孔53B可以沿着掩模第3方向D3排列。在掩模第4区域M4中，在掩模第3方向D3上相邻的2个第2贯通孔53B的中心点之间的距离K36可以是第36周期P36的N3倍。N3可以是1以上的数。N3可以是1以上的整数。N3的值可以根据位置而不同。作为N3的平均值的范围，可以采用上述的N1的平均值的范围。作为N3的标准偏差与N3的平均值之比的范围，可以采用上述的“N1的标准偏差与N1的平均值之比”的范围。

[0272] 在掩模第4区域M4中，第2贯通孔53B可以沿着掩模第4方向D4排列。在掩模第4区域M4中，在掩模第4方向D4上相邻的2个第2贯通孔53B的中心点之间的距离K46可以是第46周期P46的N4倍。N4可以是1以上的数。N4可以是1以上的整数。N4的值可以根据位置而不同。作为N4的平均值的范围，可以采用上述的N1的平均值的范围。作为N4的标准偏差与N4的平均值之比的范围，可以采用上述的“N1的标准偏差与N1的平均值之比”的范围。

[0273] 在测量各掩模50A～50B的贯通孔53A～53B的形状和配置的方法中，使平行光沿着各掩模的法线方向入射到第1面51a和第2面51b的一方。平行光从第1面51a和第2面51b的另一方射出。测量射出的光所占的区域的形状作为贯通孔53的形状。

[0274] 对N1的计算方法进行说明。对N1的计算方法进行说明。首先，使用SOKIA制造的尺寸测量仪AMIC‑701，测量位于掩模第4区域M4的所有第1贯通孔53A的配置和形状，并进行解析。由此，针对位于掩模第4区域M4的所有第1贯通孔53A计算出距离K35。另外，同样地测量并解析位于掩模第3区域M3的第1贯通孔53A的配置和形状。由此，计算出第35周期P35。接着，将距离K35除以第35周期P35。由此，能够计算出与位于掩模第4区域M4的所有第1贯通孔53A相关的N1。对于N2、N3、N4，也同样地进行计算。也可以基于用于制造掩模的设计图或设计值来计算N1、N2、N3、N4。

[0275] 接下来，对第1掩模50A和第2掩模50B的位置关系进行说明。图18是示出掩模层叠体55的俯视图。掩模层叠体55具备重叠的2片以上的掩模50。图18所示的掩模层叠体55具备重叠的第1掩模50A和第2掩模50B。

[0276] 在掩模层叠体55中，各掩模50A～50B的校准标识50M可以重合。或者，可以基于各掩模50A～50B的单元52的配置使各掩模50A～50B重叠。或者，可以基于各掩模50A～50B的贯通孔53A～53B和遮蔽区域54A～54B的配置使各掩模50A～50B重叠。在重叠各掩模50A～50B时，可以对各掩模50A～50B施加张力，也可以不施加张力。

[0277] 另外，对于将2张以上的掩模50重叠的状态的图，可以通过将各掩模50的图像数据重叠而得到。例如，首先，使用拍摄装置，分别取得与各掩模50A～50B的贯通孔53A～53B的轮廓相关的图像数据。接着，使用图像处理装置，重叠各掩模50A～50B的图像数据。由此，能够制作出图18那样的图。在取得图像数据时，可以对各掩模50A～50B施加张力，也可以不施加张力。对于将2片以上的掩模50重叠的状态的图，也可以通过将用于制造各掩模50A～50C的设计图重叠而得到。

[0278] 如图18所示，掩模层叠体55具备贯通区域55A、重叠区域58和孔重叠区域59。

[0279] 贯通区域55A在俯视时包含掩模层叠体55所包含的掩模50的贯通孔53的至少1个。在图18所示的例子中，贯通区域55A包含各掩模50A～50B的贯通孔53A～53B中的至少1个。
即，贯通区域55A在俯视时与各掩膜50A～50B的贯穿孔53A～53B中的至少任意一个重叠。因此，在蒸镀工序中，在与贯通区域55A对应的基板110的区域形成至少1层的第2电极140。

[0280] 孔重叠区域59是在俯视时2个以上的掩模50的贯通孔53相重叠的区域。即，孔重叠区域59在俯视时包含掩模层叠体55所包含的2个以上的掩模50的贯通孔53中的至少2个。在图18所示的例子中，孔重叠区域59是在俯视时第1贯通孔53A与第2贯通孔53B重叠的区域。即，孔重叠区域59包含第1贯通孔53A和第2贯通孔53B。因此，在蒸镀工序中，在与孔重叠区域59对应的基板110的区域形成至少2层的第2电极140。

[0281] 重叠区域58是在俯视时各掩模50的全部遮蔽区域54重叠的区域。即，重叠区域58在俯视时包含各掩模50的全部遮蔽区域54。换言之，重叠区域58在俯视时与各掩模的贯通孔53均不重叠。在图18所示的例子中，重叠区域58是在俯视时第1遮蔽区域54A与第2遮蔽区域54B重叠的区域。即，重叠区域58包含第1遮蔽区域54A和第2遮蔽区域54B。因此，在蒸镀工序中，在基板110的与孔重叠区域59对应的区域未形成第2电极140。即，在蒸镀工序中，在基板110的与重叠区域58对应的区域形成透射区域104。

[0282] 在俯视时，掩模层叠体55具备掩模第1区域M1和掩模第2区域M2。掩模第1区域M1对应于有机器件100的第1显示区域101。掩模第2区域M2对应于有机器件100的第2显示区域102。

[0283] 在掩模第1区域M1中，贯通区域55A具有第1开口率。关于第1开口率，通过将位于掩模第1区域M1的贯通区域55A的面积的合计除以掩模第1区域M1的面积来算出。在掩模第2区域M2中，贯通区域55A具有第2开口率。关于第2开口率，通过将位于掩模第2区域M2的贯通区域55A的面积的合计除以掩模第2区域M2的面积来算出。第2开口率可以小于第1开口率。

[0284] 第2开口率与第1开口率之比例如可以为0.2以上，也可以为0.3以上，也可以为0.4以上。第2开口率与第1开口率之比例如可以为0.6以下，也可以为0.7以下，也可以为0.8以下。第2开口率与第1开口率之比的范围可以通过由0.2、0.3以及0.4构成的第1组和/或由0.6、0.7以及0.8构成的第2组来限定。第2开口率与第1开口率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2开口率与第1开口率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2开口率与第1开口率之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第2开口率与第1开口率之比可以为0.2以上且0.8以下，可以为0.2以上且
0.7以下，可以为0.2以上且0.6以下，可以为0.2以上且0.4以下，可以为0.2以上且0.3以下，可以为0.3以上且0.8以下，可以为0.3以上且0.7以下，可以为0.3以上且0.6以下，可以为
0.3以上且0.4以下，可以为0.4以上且0.8以下，可以为0.4以上且0.7以下，可以为0.4以上且0.6以下，可以为0.6以上且0.8以下，可以为0.6以上且0.7以下，可以为0.7以上且0.8以下。

[0285] 在掩模第1区域M1中，第1贯通孔53A和第2贯通孔53B可以在掩模第1方向D1上交替地排列。第1贯通孔53A可以在掩模第1方向D1上与第2贯通孔53B连接。在该情况下，在掩模第1区域M1中，孔重叠区域59可以沿着掩模第1方向D1以第17周期P17排列。

[0286] 在掩模第1区域M1中，第1贯通孔53A和第2贯通孔53B可以在掩模第2方向D2上交替地排列。第1贯通孔53A可以在掩模第2方向D2上与第2贯通孔53B连接。在该情况下，在掩模第1区域M1中，孔重叠区域59可以沿着掩模第2方向D2以第27周期P27排列。

[0287] 孔重叠区域59的面积可以小于第1贯通孔53A的面积。孔重叠区域59的面积与第1贯通孔53A的面积之比例如可以为0.02以上，也可以为0.05以上，也可以为0.10以上。孔重叠区域59的面积与第1贯通孔53A的面积之比例如可以为0.20以下，也可以为0.30以下，也可以为0.40以下。孔重叠区域59的面积与第1贯通孔53A的面积之比的范围可以通过由0.01、0.05以及0.10构成的第1组和/或由0.20、0.30以及0.40构成的第2组来限定。孔重叠区域59的面积与第1贯通孔53A的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意
1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。孔重叠区域59的面积与第1贯通孔53A的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。孔重叠区域59的面积与第1贯通孔53A的面积之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，孔重叠区域59的面积与第1贯通孔53A的面积之比可以为0.01以上且0.40以下，也可以为0.01以上且0.30以下，也可以为0.01以上且0.20以下，也可以为0.01以上且0.10以下，也可以为0.01以上且0.05以下，也可以为0.05以上且0.40以下，也可以为0.05以上且0.30以下，也可以为0.05以上且0.20以下，也可以为0.05以上且
0.10以下，也可以为0.10以上且0.40以下，也可以为0.10以上且0.30以下，也可以为0.10以上且0.20以下，也可以为0.20以上且0.40以下，也可以为0.20以上且0.30以下，也可以为
0.30以上且0.40以下。

[0288] 孔重叠区域59的面积可以小于第2贯通孔53B的面积。作为孔重叠区域59的面积与第2贯通孔53B的面积之比的范围，可以采用上述的“孔重叠区域59的面积与第1贯通孔53A的面积之比”的范围。

[0289] 如图18所示，在掩模第2区域M2中，重叠区域58可以不规则地配置。由此，与重叠区域58对应的透射区域104能够具有不规则的形状。

[0290] 对不规则的形状的例子进行说明。如图18所示，重叠区域58可以包含第1重叠区域581和第2重叠区域582。第2重叠区域582隔着贯通区域55A与第1重叠区域581相邻。第1重叠区域581具有第1掩模形状。第2重叠区域582可以具有与第1掩模形状不同的第2掩模形状。
第1掩模形状与第2掩模形状之间的具体的不同点是任意的。例如，第2掩模形状的面积可以与第1掩模形状的面积不同。

[0291] “第1重叠区域581”可以不是表示特定的重叠区域58的用语。例如，如图19所示，与图18的情况不同的重叠区域58可以对应于第1重叠区域581。图19的贯通区域55A和重叠区域58的形状与图18的贯通区域55A和重叠区域58的形状相同。在图19的例子中，也存在隔着贯通区域55A与第1重叠区域581相邻且具有与第1重叠区域581不同的形状的重叠区域58。即，在图19的例子中，在与第1重叠区域581的关系中，也存在符合第2重叠区域582的重叠区域58。这样，在隔着贯通区域55A相邻的2个重叠区域58具有互不相同的形状的情况下，能够将一个重叠区域58称为第1重叠区域581，能够将另一个重叠区域58称为第2重叠区域582。

[0292] 掩模第2区域M2可以具有第11符合率。第11符合率是第11符合数相对于重叠区域58的个数的合计的百分比。第11符合数是在与第2重叠区域582的关系中能够被称为第1重叠区域581的重叠区域58的个数。第11符合率例如可以为80％以上，也可以为85％以上，也可以为90％以上。第11符合率例如可以为95％以下，也可以为97％以下，也可以为99％以下。第11符合率的范围可以通过由80％、85％以及90％构成的第1组和/或由95％、97％以及
99％构成的第2组来限定。第11符合率的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第11符合率的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第11符合率的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第11符合率可以为80％以上且99％以下，也可以为80％以上且97％以下，也可以为80％以上且95％以下，也可以为80％以上且90％以下，也可以为80％以上且85％以下，也可以为85％以上且99％以下，也可以为85％以上且
97％以下，也可以为85％以上且95％以下，也可以为85％以上且90％以下，也可以为90％以上且99％以下，也可以为90％以上且97％以下，也可以为90％以上且95％以下，也可以为
95％以上且99％以下，也可以为95％以上且97％以下，也可以为97％以上且99％以下。

[0293] 如图18和图19所示，重叠区域58可以包含第3重叠区域583。第3重叠区域583隔着贯通区域55A与第1重叠区域581和第2重叠区域582相邻。第3重叠区域583可以具有与第1掩模形状和第2掩模形状不同的第3掩模形状。例如，第3掩模形状的面积可以与第1掩模形状的面积和第2掩模形状的面积不同。

[0294] 掩模第2区域M2可以具有第12符合率。第12符合率是第12符合数相对于重叠区域58的个数的合计的百分比。第12符合数是在与第2重叠区域582和第3重叠区域583的关系中能够被称为第1重叠区域581的重叠区域58的个数。作为第12符合率的范围，能够采用上述的第11符合率的范围。

[0295] 如图18和图19所示，重叠区域58可以包含第4重叠区域584。第4重叠区域584隔着贯通区域55A与第1重叠区域581和第2重叠区域582相邻。第4重叠区域584可以具有与第1掩模形状和第2掩模形状不同的第4掩模形状。例如，第4掩模形状的面积可以与第1掩模形状的面积和第2掩模形状的面积不同。第4掩模形状可以也与第3掩模形状不同。

[0296] 掩模第2区域M2可以具有第13符合率。第13符合率是第13符合数相对于重叠区域58的个数的合计的百分比。第13符合数是在与第2重叠区域582、第3重叠区域583以及第4重叠区域584的关系中能够被称为第1重叠区域581的重叠区域58的个数。作为第13符合率的范围，能够采用上述的第11符合率的范围。

[0297] 如图18和图19所示，重叠区域58可以包含第5重叠区域585。第5重叠区域585隔着贯通区域55A与第1重叠区域581相邻。第5重叠区域585可以隔着贯通区域55A与第4重叠区域584相邻。第5重叠区域585可以具有与第1掩模形状不同的第5掩模形状。例如，第5掩模形状的面积可以与第1掩模形状的面积不同。第5掩模形状可以也与第2掩模形状、第3掩模形状以及第4掩模形状不同。

[0298] 掩模第2区域M2可以具有第14符合率。第14符合率是第14符合数相对于重叠区域58的个数的合计的百分比。第14符合数是在与第2重叠区域582、第3重叠区域583、第4重叠区域584以及第5重叠区域585的关系中能够被称为第1重叠区域581的重叠区域58的个数。
作为第14符合率的范围，能够采用上述的第11符合率的范围。

[0299] 如图18和图19所示，重叠区域58可以包含第6重叠区域586。第6重叠区域586隔着贯通区域55A与第1重叠区域581相邻。第6重叠区域586可以具有与第1掩模形状不同的第6掩模形状。例如，第6掩模形状的面积可以与第1掩模形状的面积不同。第6掩模形状可以也与第2掩模形状、第3掩模形状、第4掩模形状以及第5掩模形状不同。

[0300] 掩模第2区域M2可以具有第15符合率。第15符合率是第15符合数相对于重叠区域58的个数的合计的百分比。第15符合数是在与第2重叠区域582、第3重叠区域583、第4重叠区域584、第5重叠区域585以及第6重叠区域586的关系中能够被称为第1重叠区域581的重叠区域58的个数。作为第15符合率的范围，能够采用上述的第11符合率的范围。

[0301] 接下来，对贯通区域55A进行说明。如图18和图19所示，贯通区域55A可以包含连接端55Z。连接端55Z将掩模第2区域M2的贯通区域55A与掩模第1区域M1的贯通区域55A连接。连接端55Z是位于掩模第1区域M1与掩模第2区域M2的边界处的贯通区域55A。连接端55Z可以与上述的第2电极140的电极连接端140Z同样地包含第1连接端、第2连接端、第3连接端和第4连接端。第1连接端位于掩模第1方向D1上的一侧的边界。第2连接端位于掩模第1方向D1上的另一侧的边界。第3连接端位于掩模第2方向D2上的一侧的边界。第4连接端位于掩模第
2方向D2上的另一侧的边界。

[0302] 与第2显示区域102的第2电极140Y相同，掩模第2区域M2的贯通区域55A可以包含从1个连接端连续到另1个连接端的区域。例如，贯通区域55A可以包含下述的区域。各区域可以互相重复。贯通区域55A可以包含下述类型的区域的全部。贯通区域55A也可以包含下述类型的区域的一部分。

[0303] ·从第1连接端连续至第2连接端的区域

[0304] ·从第1连接端连续至第3连接端的区域

[0305] ·从第1连接端连续至第4连接端的区域

[0306] ·从第2连接端连续至第3连接端的区域

[0307] ·从第2连接端连续至第4连接端的区域

[0308] ·从第3连接端连续至第4连接端的区域

[0309] 如图18和图19所示，掩模第2区域M2的贯通区域55A可以包含干区域56和支区域57。干区域56构成从1个连接端连续至另1个连接端的路径。支区域57与干区域56连接。

[0310] 图20是示出支区域57的示例的俯视图。支区域57可以是第1支区域57A，也可以是第2支区域57B。

[0311] 第1支区域57A包含2个第1区域端571和1个第2区域端572。第1区域端571是支区域57在掩模第5方向D5上的端部。2个第1区域端571在与掩模第5方向D5垂直的方向上对置。掩模第5方向D5可以与掩模第1方向D1平行。虽未图示，但掩模第5方向D5也可以不与掩模第1方向D1平行。第2区域端572是支区域57在掩模第6方向D6上的端部。掩模第6方向D6与掩模第5方向D5交叉。掩模第6方向D6可以与掩模第5方向D5垂直。2个第1区域端571和1个第2区域端572与重叠区域58相接。

[0312] 第2支区域57B包含1个第1区域端571和2个第2区域端572。2个第2区域端572在与掩模第6方向D6垂直的方向上对置。1个第1区域端571和2个第2区域端572与重叠区域58相接。

[0313] 第1区域端571的宽度W55可以相对于第27周期P27具有一定的比率。宽度W55与第27周期P27之比例如可以为0.4以上，也可以为0.6以上，也可以为0.8以上。宽度W55与第27周期P27之比例如可以为1.2以下，也可以为1.4以下，也可以为1.6以下。宽度W55与第27周期P27之比的范围可以通过由0.4、0.6以及0.8构成的第1组和/或由1.2、1.4以及1.6构成的第2组来限定。宽度W55与第27周期P27之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意
1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。宽度W55与第27周期P27之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。宽度W55与第27周期P27之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，宽度W55与第27周期P27之比可以为0.4以上且1.6以下，也可以为0.4以上且1.4以下，也可以为
0.4以上且1.2以下，也可以为0.4以上且0.8以下，也可以为0.4以上且0.6以下，也可以为
0.6以上且1.6以下，也可以为0.6以上且1.4以下，也可以为0.6以上且1.2以下，也可以为
0.6以上且0.8以下，也可以为0.8以上且1.6以下，也可以为0.8以上且1.4以下，也可以为
0.8以上且1.2以下，也可以为1.2以上且1.6以下，也可以为1.2以上且1.4以下，也可以为
1.4以上且1.6以下。

[0314] 第2区域端572的宽度W65可以相对于第17周期P17具有一定的比率。宽度W65与第17周期P17之比例如可以为0.4以上，也可以为0.6以上，也可以为0.8以上。宽度W65与第17周期P17之比例如可以为1.2以下，也可以为1.4以下，也可以为1.6以下。宽度W65与第17周期P17之比的范围可以通过由0.4、0.6以及0.8构成的第1组和/或由1.2、1.4以及1.6构成的第2组来限定。宽度W65与第17周期P17之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意
1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。宽度W65与第17周期P17之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。宽度W65与第17周期P17之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，宽度W65与第17周期P17之比可以为0.4以上且1.6以下，也可以为0.4以上且1.4以下，也可以为
0.4以上且1.2以下，也可以为0.4以上且0.8以下，也可以为0.4以上且0.6以下，也可以为
0.6以上且1.6以下，也可以为0.6以上且1.4以下，也可以为0.6以上且1.2以下，也可以为
0.6以上且0.8以下，也可以为0.8以上且1.6以下，也可以为0.8以上且1.4以下，也可以为
0.8以上且1.2以下，也可以为1.2以上且1.6以下，也可以为1.2以上且1.4以下，也可以为
1.4以上且1.6以下。

[0315] 通过使贯通区域55A包含支区域57，由此，容易不规则地配置贯通区域55A。因此，能够不规则地形成第2电极140Y。由此，能够进一步抑制在透过透射区域104时所衍射的光相互增强。

[0316] 接下来，对制造有机器件100的方法的一例进行说明。

[0317] 首先，准备形成有第1电极120的基板110。第1电极120例如通过如下方式而形成，即，在通过溅镀法等而在基板110上形成了构成第1电极120的导电层之后，通过光刻法等对导电层进行构图。俯视时位于相邻的2个第1电极120之间的绝缘层160可以形成于基板110。

[0318] 接着，如图8所示，在第1电极120上形成包括第1有机层130A和第2有机层130B的有机层130。第1有机层130A例如可以通过使用具有与第1有机层130A对应的贯通孔的掩模的蒸镀法来形成。例如，通过使有机材料等经由掩模蒸镀到与第1有机层130A对应的第1电极120上，由此能够形成第1有机层130A。第2有机层130B也可以通过使用具有与第2有机层
130B对应的贯通孔的掩模的蒸镀法来形成。

[0319] 接着，可以实施第2电极形成工序。在第2电极形成工序中，使用上述的掩模组在有机层130上形成第2电极140。首先，可以实施通过使用第1掩模50A的蒸镀法来形成第2电极140的第1层140A的工序。例如，经由第1掩模50A将金属等导电性材料等蒸镀在有机层130等上。由此，能够形成第1层140A。接着，可以实施通过使用第2掩模50B的蒸镀法来形成第2电极140的第2层140B的工序。例如，经由第2掩模50B将金属等导电性材料等蒸镀在有机层130等上。由此，能够形成第2层140B。这样，如图7所示，能够形成包含第1层140A和第2层140B的第2电极140。

[0320] 此外，形成第1层140A和第2层140B的顺序并不特别限定。例如，也可以按照第2层140B、第1层140A的顺序实施蒸镀工序。

[0321] 对本公开的方式的效果进行总结。

[0322] 在有机器件100的第2显示区域102包含透射区域104的情况下，到达有机器件100的光能够透过透射区域104而到达基板的背面侧的光学部件等。因此，第2显示区域102能够检测光且显示影像。因此，能够在第2显示区域102实现照相机、指纹传感器等传感器的功能。

[0323] 在透射区域104的形状不固定的情况下，能够抑制透过透射区域104时发生衍射的光相互增强。因此，能够抑制具有高强度的衍射光入射到传感器。由此，例如能够抑制由传感器生成的图像模糊。

[0324] 图21是将参考方式的第2显示区域102的一例放大示出的俯视图。在图21所示的例子中，透射区域104的形状恒定。具体来说，透射区域104在俯视时为正方形。在该情况下，透过透射区域104时发生衍射的光有时会在特定的方向上相互增强。因此，存在这样的情况：由设置于第2显示区域102的传感器所生成的图像变得模糊。

[0325] 与此相对，根据上述的图3的例子，由于透射区域104的形状不固定，因此能够抑制透过透射区域104时发生衍射的光互相增强。因此，能够抑制具有高强度的衍射光入射到传感器。由此，例如能够抑制由传感器生成的图像模糊。

[0326] 另外，能够对上述的一个实施方式施加各种变更。以下，根据需要参照附图对其他实施方式进行说明。在以下的说明和以下的说明所使用的附图中，对于能够与上述的一个实施方式同样地构成的部分，使用与对上述的一个实施方式中的对应的部分所使用的标号相同的标号，并省略重复的说明。另外，在上述的一个实施方式中得到的作用效果很明显也能够在其他的实施方式中得到的情况下，有时也省略其说明。

[0327] 在上述的一个实施方式中，示出了第1显示区域101的有机层130与第2显示区域102的有机层130具有相同的尺寸的例子。然而，第2显示区域102的有机层130也可以具有与第1显示区域101的有机层130不同的尺寸。例如，如图22所示，第2显示区域102的有机层130可以具有比第1显示区域101的有机层130大的尺寸。

[0328] 图22所示的第1显示区域101具有与图3和图7所示的上述第1显示区域101相同的结构。具体而言，在第1显示区域101中，包含第1有机层130A、第2有机层130B和第3有机层130C的有机层130在元件第1方向G1和元件第2方向G2上排列。第2电极140X包含第1层140A、第2层140B和第3层140C。在俯视时，1个第1层140A或1个第2层140B与1个有机层130重叠。

[0329] 在第2显示区域102中，第2电极140Y可以包含第1层140A、第2层140B和第3层140C。第1层140A、第2层140B和第3层140C分别通过使用后述的第1掩模50A、第2掩模50B和第3掩模50C的蒸镀法而形成。

[0330] 第3层140C可以与包含第1有机层130A、第2有机层130B和第3有机层130C的有机层130重叠。第1层140A和第2层140B可以不与有机层130重叠。

[0331] 在图22的例子中，第2电极140Y可以不规则地配置。由此，被第2电极140Y包围的透射区域104能够具有不规则的形状。例如，与图3的例子相同，透射区域104可以包含第1透射区域1041和第2透射区域1042。透射区域104可以包含第3透射区域1043。透射区域104可以包含第4透射区域1044。透射区域104可以包含第5透射区域1045。透射区域104可以包含第6透射区域1046。

[0332] 图24是示出第1掩模50A的一例的俯视图。图25是示出第2掩模50B的一例的俯视图。图26是示出第3掩模50C的一例的俯视图。

[0333] 如图24所示，第1掩模50A具备第1贯通孔53A和第1遮蔽区域54A。与图16所示的例子相同，在掩模第4区域M4中，在掩模第3方向D3上相邻的2个第1贯通孔53A的中心点之间的距离K35可以是第35周期P35的N1倍。在掩模第4区域M4中，在掩模第4方向D4上相邻的2个第1贯通孔53A的中心点之间的距离K45可以是第45周期P45的N2倍。

[0334] 如图25所示，第2掩模50B具备第2贯通孔53B和第2遮蔽区域54B。与图17所示的例子相同，在掩模第4区域M4中，在掩模第3方向D3上相邻的2个第2贯通孔53B的中心点之间的距离K36可以是第36周期P36的N3倍。在掩模第4区域M4中，在掩模第4方向D4上相邻的2个第2贯通孔53B的中心点之间的距离K46可以是第46周期P46的N4倍。

[0335] 如图26所示，第3掩模50C包含掩模第3区域M3和掩模第4区域M4。第3掩模50C可以在掩模第4区域M4中具备第3贯通孔53C和第3遮蔽区域54C。第3贯通孔53C可以在掩模第1方向D1上以第18周期P18排列。第3贯通孔53C可以在掩模第2方向D2上以第28周期P28排列。第3掩模50C在掩模第3区域M3中包含第3遮蔽区域54C。第3掩模50C可以在掩模第3区域M3中不包含第3贯通孔53C。

[0336] 图23是示出掩模层叠体55的俯视图。掩模层叠体55具备重叠的第1掩模50A、第2掩模50B和第3掩模50C。在掩模层叠体55中，第1贯通孔53A和第2贯通孔53B可以在掩模第1方向D1上与第3贯通孔53C连接。第1贯通孔53A和第2贯通孔53B可以在掩模第2方向D2上与第3贯通孔53C连接。

[0337] 掩模层叠体55具备贯通区域55A、重叠区域58以及孔重叠区域59。与图18的例子相同，在掩模第2区域M2中，重叠区域58可以不规则地配置。由此，与重叠区域58对应的透射区域104能够具有不规则的形状。例如，与图18的例子相同，重叠区域58可以包含第1重叠区域581和第2重叠区域582。重叠区域58可以包含第3重叠区域583。重叠区域58可以包含第4重叠区域584。重叠区域58可以包含第5重叠区域585。重叠区域58可以包含第6重叠区域586。

[0338] 在第2电极形成工序中，使用包含第1掩模50A、第2掩模50B和第3掩模50C的掩模组来形成第2电极140。首先，可以实施通过使用第1掩模50A的蒸镀法来形成第2电极140的第1层140A的工序。接着，可以实施通过使用第2掩模50B的蒸镀法来形成第2电极140的第2层140B的工序。接着，可以通过使用第3掩模50C的蒸镀法形成第2电极140的第3层140C。这样，如图22所示，能够形成包含第1层140A、第2层140B以及第3层140C的第2电极140。

[0339] 在上述的实施方式中，示出了包含第1有机层130A、第2有机层130B和第3有机层130C的有机层130在俯视时与第2电极140的1个层重叠的例子。但是，有机层130也可以与第
2电极140的2个以上的层重叠。例如，如图27所示，可以是，第1有机层130A和第3有机层130C与第2电极140的1个层重叠，第2有机层130B与第2电极140的另1个层重叠。

[0340] 图27所示，第2电极140可以包含第1层140A和第2层140B。第1层140A可以包含第11层140A1和第12层140A2。第12层140A2可以具有比第11层140A1大的面积。第2层140B可以包含第21层140B1和第22层140B2。第22层140B2可以具有比第21层140B1大的面积。

[0341] 第11层140A1可以在元件第1方向G1上与第22层140B2连接。第11层140A1可以在元件第2方向G2上与第21层140B1连接。第21层140B1可以在元件第1方向G1上与第12层140A2连接。第22层140B2可以在元件第2方向G2上与第12层140A2连接。

[0342] 1个第1有机层130A和1个第3有机层130C可以在俯视时与1个第12层140A2或1个第22层140B2重叠。1个第2有机层130B可以在俯视时与1个第11层140A1或1个第21层140B1重叠。

[0343] 在图27的例子中，第2电极140Y可以不规则地配置。由此，被第2电极140Y包围的透射区域104能够具有不规则的形状。例如，与图3的例子相同，透射区域104可以包含第1透射区域1041和第2透射区域1042。透射区域104可以包含第3透射区域1043。透射区域104可以包含第4透射区域1044。透射区域104可以包含第5透射区域1045。透射区域104可以包含第6透射区域1046。

[0344] 图29是示出第1掩模50A的一例的俯视图。图30是示出第2掩模50B的一例的俯视图。

[0345] 如图29所示，第1掩模50A具备第1贯通孔53A和第1遮蔽区域54A。与图16所示的例子相同，在掩模第4区域M4中，在掩模第3方向D3上相邻的2个第1贯通孔53A的中心点之间的距离K35可以是第35周期P35的N1倍。在掩模第4区域M4中，在掩模第4方向D4上相邻的2个第1贯通孔53A的中心点之间的距离K45可以是第45周期P45的N2倍。

[0346] 如图30所示，第2掩模50B具备第2贯通孔53B和第2遮蔽区域54B。与图17所示的例子相同，在掩模第4区域M4中，在掩模第3方向D3上相邻的2个第2贯通孔53B的中心点之间的距离K36可以是第36周期P36的N3倍。在掩模第4区域M4中，在掩模第4方向D4上相邻的2个第2贯通孔53B的中心点之间的距离K46可以是第46周期P46的N4倍。

[0347] 图28是示出掩模层叠体55的俯视图。掩模层叠体55具备重叠的第1掩模50A和第2掩模50B。

[0348] 掩模层叠体55具备贯通区域55A、重叠区域58以及孔重叠区域59。与图18的例子相同，在掩模第2区域M2中，重叠区域58可以不规则地配置。由此，与重叠区域58对应的透射区域104能够具有不规则的形状。例如，与图18的例子相同，重叠区域58可以包含第1重叠区域581和第2重叠区域582。重叠区域58可以包含第3重叠区域583。重叠区域58可以包含第4重叠区域584。重叠区域58可以包含第5重叠区域585。重叠区域58可以包含第6重叠区域586。

[0349] 参照图38和图39，对有机器件100的一例进行说明。

[0350] 图38是示出有机器件100的一例的俯视图。将位于第1显示区域101的元件115也表示为元件115X。将位于第2显示区域102的元件115也表示为元件115Y。

[0351] 在第1显示区域101中，元件115X的有机层可以沿着元件第1方向G1以第11周期P11排列。在第2显示区域102中，元件115Y的有机层可以沿着元件第1方向G1以第12周期P12排列。第12周期P12可以与第11周期P11相同。通过使第12周期P12与第11周期P11相同，能够抑制在第1显示区域101与第2显示区域102之间产生视觉差。

[0352] 在第1显示区域101中，元件115X的有机层可以沿着元件第2方向G2以第21周期P21排列。在第2显示区域102中，元件115Y的有机层可以沿着元件第2方向G2以第22周期P22排列。第22周期P22可以与第21周期P21相同。通过使第22周期P22与第21周期P21相同，能够抑制在第1显示区域101与第2显示区域102之间产生视觉差。

[0353] 图39是示出图38的第2显示区域102的一例的俯视图。在图38中，用虚线表示被第2电极140覆盖的第1电极120。第1电极120可以包含第1A电极120A、第1B电极120B和第1C电极120C。第1A电极120A在俯视时与上述的第1有机层重叠。第1B电极120B在俯视时与上述的第
2有机层重叠。第1C电极120C在俯视时与上述的第3有机层重叠。

[0354] 元件115X可以包含至少1个第1A电极120A、至少1个第1B电极120B和至少1个第1C电极120C。例如，元件115X可以包含1个第1A电极120A、1个第1B电极120B和2个第1C电极120C。元件115X在元件第1方向G1和元件第2方向G2上的周期可以基于第1A电极120A或第1B电极120B的任意的周期来决定。

[0355] 元件115Y也可以与元件115X相同地包含至少1个第1A电极120A、至少1个第1B电极120B和至少1个第1C电极120C。例如，元件115Y也可以与元件115X相同地包含1个第1A电极
120A、1个第1B电极120B和2个第1C电极120C。元件115Y在元件第1方向G1和元件第2方向G2上的周期可以基于第1A电极120A或第1B电极120B的任意的周期来决定。

[0356] 第2显示区域102的元件115Y的面积可以小于第1显示区域101的元件115X的面积。例如，第2显示区域102的元件115Y的有机层的面积可以小于第1显示区域101的元件115X的有机层的面积。例如，第2显示区域102的元件115Y的第1电极的面积可以小于第1显示区域
101的元件115X的第1电极的面积。通过使元件115Y的面积小于元件115X的面积，由此，如图
39所示，能够在第2显示区域102形成第1透射区域1041、第2透射区域1042、第3透射区域
1043等透射区域104。在图39所示的例子中，元件115X的第1电极的面积是1个第1A电极120A的面积、1个第1B电极120B的面积以及2个第1C电极120C的面积之和。在图39所示的例子中，元件115Y的第1电极的面积是1个第1A电极120A的面积、1个第1B电极120B的面积以及2个第
1C电极120C的面积之和。

[0357] 元件115Y的第1电极的面积与元件115X的第1电极的面积之比例如可以为0.1以上，也可以为0.2以上，也可以为0.3以上。元件115Y的第1电极的面积与元件115X的第1电极的面积之比例如可以为0.5以下，也可以为0.7以下，也可以为0.9以下。元件115Y的第1电极的面积与元件115X的第1电极的面积之比的范围可以通过由0.1、0.2以及0.3构成的第1组和/或由0.5、0.7以及0.9构成的第2组来限定。元件115Y的第1电极的面积与元件115X的第1电极的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。元件115Y的第1电极的面积与元件115X的第1电极的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。元件115Y的第1电极的面积与元件115X的第1电极的面积之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，元件115Y的第1电极的面积与元件115X的第1电极的面积之比可以为0.1以上且0.9以下，也可以为0.1以上且0.7以下，也可以为0.1以上且0.5以下，也可以为0.1以上且0.3以下，也可以为0.1以上且0.2以下，也可以为0.2以上且0.9以下，也可以为0.2以上且0.7以下，也可以为0.2以上且0.5以下，也可以为0.2以上且0.3以下，也可以为0.3以上且0.9以下，也可以为0.3以上且0.7以下，也可以为0.3以上且0.5以下，也可以为0.5以上且0.9以下，也可以为0.5以上且0.7以下，也可以为0.7以上且0.9以下。

[0358] 具有不同形状的2个透射区域104可以在多个第1电极120规则地排列的方向上隔着第1电极120和第2电极140Y而相邻。在图39所示的例子中，多个第1电极120在元件第3方向G3和元件第4方向G4上也规则地排列。在图39所示的例子中，在元件第3方向G3上，第1透射区域1041和第3透射区域1043隔着第1电极120和第2电极140Y相邻。在图39所示的例子中，元件第3方向G3与元件第1方向G1和元件第2方向G2所成的角度为45°。在图39所示的例子中，元件第4方向G4与元件第3方向G3垂直。

[0359] 参照图40至图43，对形成透射区域104的方法的一例进行说明。具体而言，针对在形成第2电极140的工序之前在基板110上形成抑制层的例子进行说明。抑制层具有使构成第2电极140的导电性材料难以附着的特性。

[0360] 图40是示出用于形成抑制层的掩模60的一例的俯视图。掩模60包含至少1个单元62。单元62包括贯通孔63和遮蔽区域64。掩模60可以包含2个以上的单元62。1个单元62可以与1个有机EL显示装置的显示区域、即1个画面对应。

[0361] 掩模60与上述的掩模50同样地具备掩模第3区域M3和掩模第4区域M4。掩模第3区域M3对应于有机器件100的第1显示区域101。掩模第4区域M4对应于有机器件100的第2显示区域102。

[0362] 掩模第3区域M3包含遮蔽区域64。掩模第3区域M3可以不包含贯通孔63。即，掩模第3区域M3的整个区域可以由遮蔽区域64构成。

[0363] 掩模第4区域M4包括贯通孔63和遮蔽区域64。掩模第4区域M4的贯通孔63与透射区域104对应。遮蔽区域64可以不规则地配置。由此，被遮蔽区域64包围的贯通孔63能够具有不规则的形状。例如，掩模第4区域M4可以包含具有不同的形状且隔着遮蔽区域64而相邻的2个贯通孔63。例如，掩模第4区域M4可以包含与上述的第1透射区域1041～第6透射区域
1046对应的第1贯通孔～第6贯通孔。

[0364] 图41是示出形成抑制层170的抑制层形成工序的一例的剖视图。抑制层形成工序在形成有机层130的工序之后且在形成第2电极140的工序之前实施。

[0365] 抑制层形成工序可以包括经由掩模60将抑制层170的材料蒸镀到基板110上的工序。如图41所示，在基板110的与贯通孔63重叠的区域形成抑制层170。

[0366] 图42是示出用于形成第2电极140的掩模50的一例的俯视图。掩模50包含至少1个单元52。单元52由贯通孔53构成。单元52被遮蔽区域54包围。

[0367] 图43是示出形成第2电极140的工序的一个例子的剖视图。第2电极140通过经由图42的掩模50使第2电极140的材料蒸镀到基板110而形成。如上所述，抑制层170具有构成第2电极140的导电性材料难以附着的特性。如图43所示，能够抑制在抑制层170上形成第2电极
140。因此，形成有抑制层170的区域能够作为透射区域104发挥功能。

[0368] 抑制层170具有透明性。例如，包含有基板110和抑制层170的层叠体的透射率优选为70％以上，更优选为80％以上。包含有基板110和抑制层170的层叠体的透射率可通过依据JIS K7361‑1的塑料‑透明材料的总透光率的试验方法来测量。

[0369] 抑制层170的材料可以是在WO2017072678A1或WO2019150327A1中记载的核生成抑制涂层(nucleation inhibiting coating)的材料。例如，抑制层170的材料可以包含低分子有机材料和有机聚合物等有机材料。有机材料例如可以是多环芳香族化合物。多环芳香族化合物包含有机分子，该有机分子包含核部分和与核部分键合的至少1个末端部分。有机分子可以含有氮、硫、氧、磷、铝等的1个或多个杂原子。末端部分的数量可以为1个以上，可以为2个以上，可以为3个以上，也可以为4个以上。在有机分子包含2个以上的末端部分的情况下，2个以上的末端部位可以相同，也可以不同。

[0370] 末端部分可以包含由以下的化学结构(l‑a)、(l‑b)和(l‑c)中的任意表示的联苯部分。

[0371] (l‑a)

[0372]

[0373] (l‑b)

[0374]

[0375] (l‑c)

[0376]

[0377] 取代基Ra及Rb可以分别独立地选自氘、氟、包含C1～C4烷基的烷基、环烷基、芳基烷基、甲硅烷基、芳基、杂芳基、氟烷基、以及它们的任意组合。

[0378] 参照图44和图45，对形成透射区域104的方法的一例进行说明。具体而言，针对通过将第2电极140部分地除去而形成透射区域104的例子进行说明。

[0379] 图44是示出形成第2电极140的工序的一个例子的剖视图。图44的第2电极140例如通过经由图42所示的掩模50使第2电极140的材料蒸镀到基板110上而形成。在该情况下，第2电极140遍及第1显示区域101和第2显示区域102的整个区域而形成。

[0380] 在形成第2电极140的工序之后，实施将第2电极140部分地除去的工序。例如，如图45所示，对第2显示区域102的第2电极140局部地照射激光L。被激光L照射的第2电极140飞散，由此形成透射区域104。

[0381] 虽然未图示，但激光L可以经由激光掩模向第2电极140照射。激光掩模包含与透射区域104对应的贯通孔。

[0382] 【实施例】

[0383] 接下来，通过实施例对本公开的实施方式更具体地进行说明，但是，本公开的实施方式只要不超出其主旨，则不受以下的实施例的记载限定。

[0384] 例1

[0385] 通过仿真验证了在通过了透射区域104的光中产生的衍射。

[0386] 设计了图31所示的基板110和第2电极140。第2电极140被不规则地配置。因此，被第2电极140包围的透射区域104能够具有不规则的形状。

[0387] 基于图32所示的结构，通过仿真算出了通过透射区域104并到达屏幕113的光的强度分布。首先，使光L1沿着基板110的法线方向入射到基板110。接着，通过仿真算出了由第2电极140产生的光的衍射。标号L2表示未被衍射而直线前进并到达屏幕113的光。标号Pc表示屏幕113上的光L3的到达点。标号L3表示由第2电极140衍射的光。光L1的波长为550nm。第2电极140与屏幕113之间的距离为5000mm。无视由基板110引起的光的折射。

[0388] 将仿真的结果示于图33及图34。横轴表示距点Pc的距离。纵轴表示到达屏幕113的光的强度。图33是将第2电极140的透射率设定为0％的情况下的仿真结果。图34是将第2电极140的透射率设定为60％的情况下的仿真结果。

[0389] 例2

[0390] 设计了图35所示的基板110和第2电极140。第2电极140被规则地配置成格子状。因此，被第2电极140包围的透射区域104为正方形。

[0391] 通过仿真算出了通过透射区域104并到达屏幕113的光的强度分布。将仿真的结果示于图36及图37。图36是将第2电极140的透射率设定为0％的情况下的仿真结果。图37是将第2电极140的透射率设定为60％的情况下的仿真结果。

[0392] 根据图33与图36的比较、以及图34与图37的比较可知，通过使透射区域104具有不规则的形状，由此能够抑制具有高强度的衍射光L3到达屏幕113。

[0393] 例3

[0394] 设计了图46所示的第1A电极120A、第1B电极120B、第1C电极120C和第2电极140。多个透射区域104均具有十字形。多个透射区域104沿着元件第1方向G1和元件第2方向G2规则地排列。

[0395] 与例1的情况相同，通过仿真算出了通过透射区域104并到达屏幕113的光的强度分布。仿真的设定条件如下所述。

[0396] ·透射区域104的透射率：100％

[0397] ·第2电极140的透射率：60％

[0398] ·第1A电极120A、第1B电极120B、第1C电极120C的透射率：0％

[0399] 在强度分布中出现的衍射光的强度的最大值为9.5％。衍射光的强度通过屏幕113上的点Pc处的光的强度而被标准化。

[0400] 例4

[0401] 设计了图47所示的第1A电极120A、第1B电极120B、第1C电极120C和第2电极140。元件115在元件第1方向G1和元件第2方向G2上的周期与例3的情况相同。多个透射区域104均具有长方形。多个透射区域104沿着元件第1方向G1和元件第2方向G2规则地排列。

[0402] 与例3的情况相同，通过仿真算出了通过透射区域104并到达屏幕113的光的强度分布。在强度分布中出现的衍射光的强度的最大值为9.5％。

[0403] 例5

[0404] 设计了图48所示的第1A电极120A、第1B电极120B、第1C电极120C和第2电极140。元件115在元件第1方向G1和元件第2方向G2上的周期与例3的情况相同。

[0405] 例5的第2电极140Y被不规则地配置。因此，被第2电极140Y包围的透射区域104具有不规则的形状。透射区域104位于在元件第1方向G1上相邻的2个元件115之间、以及在元件第2方向G2上相邻的2个元件115之间。一部分透射区域104具有圆形。一部分透射区域104具有四边形。一部分四边形的透射区域104与相邻的透射区域104连接。

[0406] 例5包含在元件第3方向G3上隔着1个元件115而相邻的2个圆形的透射区域104。例5包含在元件第4方向G4上隔着1个元件115而相邻的2个圆形的透射区域104。在例5中，元件第3方向G3相对于元件第1方向G1和元件第2方向G2所成的角度为45°。在例5中，元件第4方向G4与元件第3方向G3垂直。在例5中，2个圆形的透射区域104隔着1个元件115而相邻的概率为1/16。概率是第2组合的数量与第1组合的数量的比率。第1组合的数量是在元件第3方向G3或元件第4方向G4上隔着1个元件115而相邻的2个透射区域104的组合的数量。第2组合的数量是在元件第3方向G3或元件第4方向G4上隔着1个元件115而相邻的2个圆形的透射区域104的组合的数量。

[0407] 与例3的情况相同，通过仿真算出了通过透射区域104并到达屏幕113的光的强度分布。在强度分布中出现的衍射光的强度的最大值为5.5％。

[0408] 例6

[0409] 设计了图49所示的第1A电极120A、第1B电极120B、第1C电极120C和第2电极140。元件115在元件第1方向G1和元件第2方向G2上的周期与例3的情况相同。

[0410] 例6的第2电极140Y与例5的情况同样地被不规则地配置。因此，被第2电极140Y包围的透射区域104具有不规则的形状。透射区域104位于在元件第1方向G1上相邻的2个元件115之间、以及在元件第2方向G2上相邻的2个元件115之间。一部分透射区域104具有圆形。
一部分透射区域104具有四边形。一部分四边形的透射区域104与相邻的透射区域104连接。

[0411] 例6与例5的情况同样地包含在元件第3方向G3上隔着1个元件115而相邻的2个圆形的透射区域104。例6与例5的情况同样地包含在元件第4方向G4上隔着1个元件115而相邻的2个圆形的透射区域104。在例5中，2个圆形的透射区域104隔着1个元件115而相邻的概率为1/4。

[0412] 与例3的情况相同，通过仿真算出了通过透射区域104并到达屏幕113的光的强度分布。在强度分布中出现的衍射光的强度的最大值为5.3％。