[0001] 本实用新型属于OLED显示器技术领域，涉及一种倒置型OLED显示器，尤其涉及一种带有辅助电极的倒置型OLED显示器。

[0002] 对于目前OLED显示面板来说，常用的器件结构为倒置顶发射器件结构，这一器件主要采用Ag单层膜为阴极结构，顶发射器件的阴极要求有较好的光透过率，因此厚度一般较薄，然而对应的电阻(Rs)较大。

[0003] 由于顶发射器件阴极面内电阻值较大，随着距离IC端越来越远时，其电阻上升，从而导致线路上的压降，面内亮度不均一，这也就是平时常见的IR‑drop现象。

[0004] 一般可通过增加阴极厚度或者降低Mg的比例来增加导电率，但是阴极厚度增厚后膜层的光透过率会降低，降低Mg的比例不利于电子注入，导致器件电压升高；另外一种方式是增加一层透明金属氧化物或者石墨烯的方式，但是对于此类材料成膜工艺(sputter溅射等)一般会对器件有损伤。实用新型内容

[0005] 本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种OLED显示器，在其阴极层增加辅助电极，在保持OLED显示器发光区域具有良好透光性的同时降低整体电阻，使器件整体压降变小，消除IR‑drop现象。

[0006] 为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

[0007] 本实用新型提供一种OLED显示器，所述显示器包括阴极层、发光层和阳极层，所述发光层包括多个发光区域和设置于所述多个发光区域之间的间隔区域，所述阴极层整层设置，所述阴极层对应所述发光区域的厚度小于对应所述间隔区域的厚度。

[0008] 作为优选地，所述阴极层为透光性能好的材料。

[0009] 作为优选地，所述阴极层材料包括银。

[0010] 作为优选地，所述阴极层材料包括镁。

[0011] 作为优选地，所述发光区域对应的所述阴极层厚度为20nm。

[0012] 作为优选地，所述间隔区域对应的所述阴极层厚度为70nm。

[0013] 作为优选地，所述阴极层、发光层和阳极层由下至上设置。

[0014] 作为优选地，所述OLED显示器还包括设置于所述阴极层和所述发光层之间的电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层。

[0015] 作为优选地，所述OLED显示器还包括设置于所述发光层与所述阳极层之间的电子阻挡层、空穴传输层和空穴注入层。

[0016] 作为优选地，所述阴极层一体成型。

[0017] 通过上述描述可知，本实用新型提出一种倒置型OLED显示器，包括由下至上设置的阴极层、电子传输层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层和空穴传输层，其中，阴极层设置有不同厚度，发光层包括多个发光区域和设置于所述多个发光区域之间的间隔区域，阴极层对应所述发光区域的厚度小于对应所述间隔区域的厚度。本申请通过将非发光单元以应区域的阴极层做厚，降低显示器整体的电阻，从而使压降变小，消除IR‑drop现象，同时对应于发光区域的阴极层非常薄，能够保持良好的透光性。

[0023] 下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

[0024] 基于远离电压输出端的发光单元因为与电压输出端的路径较长，路径本身的电阻导致压降，所以发光单元接到的实际电压可能会降低，造成面内亮度不均一的现象。本实用新型提供一种倒置型OLED显示器，旨在利用在阴极层上增加辅助电极达到降低显示器件整体电阻的目的，消除IR‑drop现象。

[0025] 请参阅图1所示的OLED显示器结构示意图，本实用新型提供的OLED显示器包括阴极层90、阳极层20及设置于所述阴极层90与阳极层20之间的发光层60，所述阴极层90、发光层60和所述阳极层20由下至上设置，其中发光层60包括多个发光区域和设置于所述多个发光区域之间的间隔区域，所述阴极层90整层设置，所述阴极层90对应所述发光区域的厚度小于对应所述间隔区域的厚度。

[0026] 具体地，将发光层60分割为多个发光区域进行发光显示，相邻发光区域之间设置间隔层，在本实施方案中，可将发光层60分割为多个规律的矩形发光区域，阴极层90覆盖于发光区域上，鉴于对应于发光区域的阴极层90需要较好的透光性，因此发光区域对应的阴极层90通常设置的比较薄，例如，发光区域对应设置的是20nm厚度的阴极薄膜。另一方面，本实施方案中对应于发光层60间隔区域的阴极层90设置的相对较厚，例如，设置间隔区域对应的阴极层90厚度为70nm，较厚的阴极层90作为辅助电极100能够降低OLED显示器整体电阻，消除IR‑drop现象，而且辅助电极100设置于间隔区域上，不会对发光区域的透光造成阻挡。以上阴极层和辅助电极厚度的取值可根据多次实验选取最优值，在此可不对厚度值做限定。

[0027] 进一步地，整个阴极层90可作为一体设置，OLED显示器采用蒸镀工艺一层层构建，在构建阴极层90时，首先用CMM蒸镀技术蒸镀厚度在70nm的阴极层90，此时的阴极层90较厚，虽然能够降低OLED显示器整体电阻，但其透光性比较差；对发光层60发光显示具有很大影响，此时需要对对应于发光区域的阴极层90进行薄化处理，优选地，可采用激光蚀刻技术在对应于发光层发光区域的阴极层90上去除50nm厚度多余材料，保留20nm厚度的阴极薄膜，形成如图2‑图3所示的阴极层结构。其中激光处理步骤可采用激光蚀刻机，通过设置激光参数来控制蚀刻的形状、大小和深浅。

[0028] 进一步地，本实施方案中其辅助电极100一般为透光性和导电性良好的金属材料，优选辅助电极100为金属银，因此，一体设置的阴极层90材料为金属银，辅助电极100也可选用其它如镁的金属材料。

[0029] 以上所述方案为辅助电极100制作的一个实施例，作为本申请的另一种实施方式，辅助电极100与阴极层90可分开设置，例如，首先蒸镀一层20nm厚度的阴极层90，然后在所述阴极层90上蒸镀50nm厚度的辅助电极100，需要说明的是，其中发光层60依然分割为多个发光区域，发光区域之间设置间隔区域，蒸镀的辅助电极100对应于所述间隔区域设置，在本实施方式中，阴极层90与辅助电极100可为两种不同的材料，如，阴极层90为20nm厚度的Ag金属薄膜，辅助电极100为50nm厚度的Mg金属薄膜。应当理解，诸如所述带有辅助电极100的阴极层90结构的设计方案均在本申请的保护范围内。

[0030] 作为优选地，在阴极层90和所述发光层60之间还设置有的电子注入层、电子传输层80和空穴阻挡层70，所述阴极层90、电子注入层、电子传输层80、空穴阻挡层70和发光层60依次堆叠设置，其中，电子注入层能够降低从阴极注入电子的的势垒，使电子能从阴极有效地注入到OLED器件中，电子传输层80改变电子的传输速率，使电子与空穴的复合发生在发光层60中；空穴阻挡层70进一步阻止空穴向阴极迁移。

[0031] 作为优选地，在发光层60和阳极层20之间还设置有电子阻挡层50、空穴传输层40和空穴注入层30，所述发光层60、电子阻挡层50、空穴传输层40、空穴注入层30和阳极层20依次堆叠设置；其中空穴注入层30降低从阳极注入空穴的势垒，使空穴能从阳极有效地注入到OLED器件中，空穴传输层40改变空穴的传输速率，使空穴与电子的复合发生在发光层60中；电子阻挡层50进一步阻止电子向阳极迁移。

[0032] 进一步地，所述阳极层20上还设置有封盖层10，压制发光层往外传播时，在金属/介质截面附近存在的spp效应，保持其一定的射光效率。

[0033] 通过上述描述可知，本实用新型提出一种倒置型OLED显示器，包括由下至上设置的阴极层、电子传输层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层和空穴传输层，其中，阴极层设置有不同厚度，发光层包括多个发光区域和设置于所述多个发光区域之间的间隔区域，阴极层对应所述发光区域的厚度小于对应所述间隔区域的厚度。本申请通过将非发光单元以应区域的阴极层做厚，降低整体的电阻，从而使压降变小，同时对应于发光区域的阴极层非常薄，能够保持良好的透光性。

[0034] 以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。