本申请提供一种锗虚衬底外延制造方法，该方法包括：提供单晶硅衬底；在所述衬底上依次低温外延和高温外延生长锗薄膜，得到第一样品，其中所述第一样品包括依次堆叠的低温外延锗层和高温外延锗层；对所述第一样品进行高温原位退火，以消除所述低温外延锗层和所述高温外延锗层点缺陷并使得失配位错被压制在所述低温外延锗层；将所述衬底的温度降低至低温外延生长的第一目标温度后再依次低温外延和高温外延生长锗薄膜，得到第二样品；对所述第二样品进行高温原位退火，得到目标外延锗虚衬底薄膜。本申请可有效减少锗虚衬底点缺陷和失配错位，提高晶体质量，降低表面粗糙度。