[0001] 本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。

[0002] 隧穿钝化接触（Tunnel Oxide and Passivated Contact，TOPCon）太阳能电池是一种新型高效太阳能电池，这种太阳能电池通过隧穿氧化硅和掺杂多晶硅钝化晶体硅太阳能电池（以下简称太阳能电池或电池）的表面，来实现光生载流子的选择性通过，也即多数载流子可以无障碍地通过隧穿氧化硅层进入到掺杂多晶硅薄膜内继而被收集，而与此同时少数载流子在隧穿氧化硅和硅的界面处的复合速率很低并且无法通过隧穿氧化硅到达掺杂多晶硅薄膜中。TOPCon电池可以实现光生载流子的一维收集，减小了少数载流子复合几率的；同时，也增加了多数载流子的收集几率。

[0003] TOPCon(隧穿氧化钝化接触)电池目前采用整面厚度均匀的隧穿氧化层叠加掺杂非晶硅层。为了避免金属化浆料的烧穿，背面的掺杂非晶硅层需要具有一定的厚度（主流约为110nm）。但较厚的掺杂多晶硅层会带来较大的寄生吸收，限制了太阳能电池光电性能的提升。

[0004] 需要说明的是，上述内容并不必然是现有技术，也不用于限制本申请的专利保护范围。

[0029] 下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

[0030] 应当明白，当元件或层被称为“在......上”、“与......相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在......上”、“与......直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本申请必然存在第一元件、部件、区、层或部分。

[0031] 在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

[0032] 需说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

[0033] 本申请中，涉及到数值区间(也即数值范围)，如无特别说明，该数值区间内可选的数值的分布视为连续，且包括该数值区间的两个数值端点(即最小值及最大值)，以及这两个数值端点之间的每一个数值。如无特别说明，当数值区间仅仅指向该数值区间内的整数时，包括该数值范围的两个端点整数，以及两个端点之间的每一个整数，相当于直接列举了每一个整数。当提供多个数值范围描述特征或特性时，可以合并这些数值范围。换言之，除非另有指明，否则本申请中所公开之数值范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。该数值区间中的“数值”可以为任意的定量值，比如数字、百分比、比例等。“数值区间”允许广义地包括百分比区间，比例区间，比值区间等定量区间。

[0034] 目前量产采用整面厚度均匀的隧穿氧化层叠加掺杂非晶硅层。为了避免金属化浆料的烧穿，背面的掺杂非晶硅层需要保证一定的厚度（主流约为110nm）。但较厚的掺杂多晶硅层带来较大的寄生吸收，限制了电流的提升。选择性掺杂钝化接触结构应运而生，即在背面金属化对应区域形成重掺杂，非金属化区域形成轻掺杂，保证钝化的同时减少了寄生吸收。但是目前的选择性掺杂方法操作复杂、步骤繁琐、量产困难。

[0035] 据此，本申请实施例的第一方面，提供一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括（1）提供衬底，所述衬底包括依次层叠设置的基底、隧穿氧化层和本征非晶硅层；（2）按照预定图案，在所述本征非晶硅层远离所述隧穿氧化层一侧面覆盖含磷浆料并干燥；（3）对经过所述干燥的产物进行磷扩散；（4）对经过所述磷扩散的产物进行退火，以得到磷重掺杂区和磷轻掺杂区间隔排的磷掺杂多晶硅层。

[0036] 本申请实施例的方法流程简单，易于实现。制备的太阳能电池在提升钝化效果的同时，减少了载流子的寄生吸收，使得该太阳能电池表现出较高的光电效率。

[0037] 具体地按照预定图案，在本征非晶硅层上覆盖含磷浆料并干燥，以提供重掺杂区所需的磷源。通过对干燥产物进行磷扩散，以使含磷浆料覆盖的区域形成磷重掺杂区，该磷重掺杂区用于在其表面形成金属电极，其他区域则形成非金属化区（磷轻掺杂区）结构。退火可以令非晶硅向多晶硅的转变的同时，使得晶粒晶化更充分和均匀，且使所述覆盖含磷浆料的区域为所述磷掺杂多晶硅层中的磷重掺杂区。另外，本申请的方法仅通过增加一步覆盖含磷浆料的步骤，即可形成选择性掺杂结构，在非金属区（未覆盖含磷浆料区）形成浓度较低的掺杂多晶硅层，该较低的磷掺杂浓度可显著降低寄生吸收和降低复合；金属化区（磷重掺区）可以显著提升电极与磷掺杂多晶硅层的接触性能，即高浓度的磷有利于降低接触电阻，与金属电极形成良好的接触。总之，本申请的方法获得的这种选择性掺杂钝化接触结构，有利于降低电极浆料与磷重掺杂区的接触电阻，进而在保证钝化的同时减少载流子的寄生吸收，从而提升效率。

[0038] 根据本申请的实施例的方法，步骤（1）提供衬底。该步骤中，衬底包括了依次层叠设置的基底、隧穿氧化层和本征非晶硅层。

[0039] 在一些实施例中，形成衬底的方式包括：提供基底；在基底的一侧表面形成隧穿氧化层，在隧穿氧化层远离基底的一侧面形成本征非晶硅层。

[0040] 进一步地，还包括对基底进行制绒清洗，以去除基底表面的脏污和金属杂质，并去除衬底在切割过程中产生的机械损伤层，减少复合中心，进而形成起伏不平的绒面，以提升硅片对太阳光的吸收，降低反射率。

[0041] 可选地，在基底的相对两表面形成均匀的“正金字塔”绒面，绒面高度为0.5‑3μm。

[0042] 可选地，基底包括N型硅片、P型硅片等。

[0043] 可选地，基底的厚度为100‑200μm。

[0044] 在一些实施例中，所述太阳能电池为TOPcon电池。

[0045] 可选地，在提供基底之前，在基底的一侧表面形成隧穿氧化层之后，还包括：对基底远离隧穿氧化层的一侧面进行硼掺杂，以在所述基底的表面形成硼掺杂层和硼硅玻璃层。在基底上扩散P型杂质，以达到合适的掺杂浓度和方阻，并获得适合太阳能电池PN结需要的深度。

[0046] 可选地，硼掺杂扩散时的温度为600‑1000℃，时间为60‑120s。硼扩散后，在N型基底上扩散P型杂质形成PN结，达到合适的掺杂浓度ρ/方阻R。

[0047] 可选地，硼掺杂扩散过程中的硼源包括BCl3、BBr3中的至少之一。

[0048] 可选地，所述硼掺杂层的厚度为70‑1200nm，例如70nm、160nm、260nm、380nm、500nm、600nm、800nm、900nm、1100nm、1200nm等。

[0049] 可选地，对形成硼掺杂层后的基底的进行第一绕度刻蚀。以去除硼硅玻璃层和对背面刻蚀抛光，提高背面反射率，以提升基底的长波吸收，并减少表面悬挂键的复合。

[0050] 可选地，所述去除硼硅玻璃层是采用HF溶液对基底进行链式酸洗。

[0051] 可选地，所述HF的浓度为0.5‑10wt%，例如0.5wt%、1wt%、2wt%、5wt%、10wt%等。

[0052] 在一些实施例中，所述刻蚀在碱性溶液中进行的，碱性溶液包括氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。

[0053] 可选地，所述氢氧化钠溶液的浓度0.5‑5wt%，例如0.5wt%、1wt%、2wt%、3wt%、4wt%、5wt%等。

[0054] 在一些实施例中，在所述基底的一侧表面形成隧穿氧化层。隧穿氧化层可提供隧穿通道，选择性通过电子，并形成界面化学钝化，阻挡N型掺杂层中过多的磷进入硅片。

[0055] 在一些实施例中，形成隧穿氧化层的面为衬底的背面。

[0056] 在一些实施例中，形成隧穿氧化层的方法包括采用LPCVD设备，在温度为400‑650℃的条件下，在基底上生长隧穿氧化层。

[0057] 可选地，隧穿氧化层的厚度为1‑2nm。

[0058] 在一些实施例中，在所述隧穿氧化层远离所述基底的一侧面形成本征非晶硅层，以用于后续形成磷掺杂多晶硅层。

[0059] 在一些实施例中，采用LPCVD（低压化学气相沉积）设备，在温度为400‑650℃的条件下，在所述隧穿氧化层远离所述衬底的一侧面形成本征非晶硅层(a‑Si)。

[0060] 可选地，本征非晶硅层的厚度为80‑130nm。

[0061] 根据本申请的实施例，步骤（2）按照预定图案，在所述本征非晶硅层远离所述隧穿氧化层一侧面覆盖含磷浆料并干燥。

[0062] 在一些实施例中，所述覆盖的方式包括涂布。

[0063] 可选地，参考图1，所述涂布的方式为狭缝涂布，以在所述本征非晶硅层的表面形成含磷浆料的涂布图案。其中狭缝的宽度H1为60‑160μm，该宽度用于匹配金属电极的宽度。

[0064] 可选地，狭缝涂布时，狭缝的宽度大于含磷浆料涂布的宽度。

[0065] 可选地，含磷浆料涂布的宽度为70‑150μm。

[0066] 在一些实施例中，所述干燥的温度为100‑400℃，例如100℃、250℃、280℃、300℃、400℃等。

[0067] 根据本申请，步骤（3）对经过所述干燥的产物进行磷扩散。

[0068] 在一些实施例中，所述磷扩散采用梯度升温，并于14‑40min内进行的。

[0069] 在一些实施例中，所述磷烷的流量为500‑2000sccm，例如500sccm、1000sccm、1500sccm、2000sccm等。

[0070] 在一些实施例中，所述梯度升温过程包括依次进行的（3‑1）以升温速率V1升至温度T1；（3‑2）以升温速率V2升至温度T2；（3‑3）以升温速率V3升至温度T3；（3‑4）以升温速率V4升至温度T4；其中，20℃≤T2‑T1≤70℃，10℃≤T3‑T2≤30℃，5℃≤T4‑T3≤25℃。采用前述的梯度升温过程有利于降低升温过程中带来的缺陷产生率，同时使磷的掺杂更均匀。

[0071] 进一步地，步骤（3‑1）中T1为800‑860℃，例如800℃、810℃、830℃、860℃等；V1为0.4‑0.8℃/s，例如0.4℃/s、0.6℃/s、0.8℃/s等。控制T1为前述范围有利于降低升温过程中带来的缺陷产生率；控制V1为前述范围有利于使磷的掺杂均匀。

[0072] 进一步地，步骤（3‑2）中的T2为860‑900℃，例如860℃、880℃、890℃、900℃等；V2为0.4‑0.8℃/s，例如0.4℃/s、0.6℃/s、0.8℃/s等。

[0073] 进一步地，步骤（3‑3）中的T3为880‑920℃，例如880℃、890℃、900℃、920℃等；V3为0.4‑0.8℃/s，例如0.4℃/s、0.6℃/s、0.8℃/s等。

[0074] 进一步地，步骤（3‑4）中的T4为900‑945℃，例如900℃、910℃、930℃、945℃等；V4为0.4‑0.8℃/s，例如0.4℃/s、0.6℃/s、0.8℃/s等。

[0075] 根据本申请，步骤（4）对经过所述磷扩散的产物进行退火，以得到磷重掺杂区和磷轻掺杂区间隔排的磷掺杂多晶硅层。

[0076] 在一些实施例中，所述退火过程包括依次进行的保温过程和梯度降温过程。

[0077] 在一些实施例中，（4‑1）以900‑945℃的温度保温1300‑1800s。这样可以提升非晶硅的晶化过程充分性和稳定性，进而形成均匀稳定的磷掺杂多晶硅层。

[0078] 在一些实施例中，所述梯度降温过程包括依次进行的：（4‑2）以降温速率V5降至温度T5；（4‑3）以降温速率V6降至温度T6；（4‑4）以降温速率V7降至温度T7；其中，10℃≤T5‑T6≤50℃，10℃≤T7‑T6≤50℃。梯度降温可以降低退火过程中迅速降温带来的缺陷产生率，以及改善多晶硅的晶型。

[0079] 进一步地，步骤（4‑2）中的T5为870‑925℃，例如870℃、890℃、925℃；V5为0.3‑0.9℃/s，例如0.3℃/s、0.6℃/s、0.9℃/s等。这样可以进一步降低退火过程中迅速降温带来的缺陷产生率，以及改善多晶硅的晶型。

[0080] 进一步地，步骤（4‑3）中的T6为850‑890℃，例如850℃、860℃、870℃；V6为0.3‑0.9℃/s，例如0.3℃/s、0.6℃/s、0.9℃/s等。这样可以进一步降低退火过程中迅速降温带来的缺陷产生率，以及改善多晶硅的晶型。

[0081] 进一步地，步骤（4‑4）中的T7为800‑850℃，例如800℃、830℃、850℃；V7为0.3‑0.9℃/s，例如0.3℃/s、0.6℃/s、0.9℃/s等。这样可以进一步降低退火过程中迅速降温带来的缺陷产生率，以及改善多晶硅的晶型。

[0082] 在一些实施例中，所述制备太阳能电池的方法还包括（5）：去除正面、边缘和背面的磷硅玻璃层，以及正面的氧化层包括依次进行酸洗、水洗、预脱水和烘干步骤，其中酸洗采用氢氟酸，时间为200‑300s；水洗采用去离子水，时间为100‑200s；预脱水时间为5‑20s，酸洗、水洗、预脱水均可在常温(20‑30℃)下进行。烘干采用热风烘干，时间为400‑700s，温度为80‑100℃。

[0083] 在一些实施例中，所述磷重掺杂区的磷的浓度为3×E20‑1×E21个原子/cm‑3。这样磷重掺杂区具有较高的磷浓度，有利于提升其与金属电极的接触效果。

[0084] 在一些实施例中，所述制备太阳能电池的方法还包括：（6）在所述磷掺杂多晶硅远离衬底的一侧面沉积钝化层，以得到所述电池片。

[0085] 进一步地，采用PEVCD设备在沉积钝化层。

[0086] 可选地，钝化层的厚度为1‑5nm。

[0087] 在一些实施例中，所述制备太阳能电池的方法还包括：（7）在所述电池片的正面和背面均沉积减反射层。

[0088] 进一步地，减反射层的厚度为70‑85nm。

[0089] 进一步地，正面减反射层的厚度为70‑80nm，背面减反射层的厚度为75‑85nm。

[0090] 在一些实施例中，所述制备太阳能电池的方法还包括：（8）丝网印刷形成第一电极和第二电极。所述第一电极形成在所述磷掺杂多晶硅层的磷重掺杂区接触。这样电极浆料与第一区域接触较好，可以提升太阳能电池的钝化效果。

[0091] 本申请实施例的第二方面，提供一种太阳能电池。参考图2，所述太阳能电池包括基底1；隧穿氧化层3，所述隧穿氧化层3位于所述基底1的一侧表面；磷掺杂多晶硅层4，所述磷掺杂多晶硅层4位于所述隧穿氧化层3远离所述基底1的一侧表面，所述磷掺杂多晶硅层4包括间隔排布的磷重掺杂区5和磷轻掺杂区8，其中，所述磷掺杂多晶硅层是通过在本征非晶硅层上按照预定图案涂敷含磷浆料并磷扩散形成的。

[0092] 本申请实施例的太阳能电池在提升钝化效果的同时，减少了载流子的寄生吸收，使得该太阳能电池表现出较高的光电效率。

[0093] 该太阳能电池具有选择性掺杂钝化接触结构，非金属区（未覆盖含磷浆料区）形成厚度较薄且浓度较低的掺杂多晶硅层，该较薄的厚度可显著降低寄生吸收和降低复合；金属化区（磷重掺区）可以显著提升电极与磷掺杂多晶硅层的接触性能，即高浓度的磷有利于降低接触电阻，与金属电极形成良好的接触。

[0094] 在一些实施例中，所述相邻的磷重掺杂区之间为磷轻掺杂区。

[0095] 可选地，所述磷重掺杂区的磷的浓度为3×E20‑1×E21个原子/cm‑3；所述磷轻掺杂19 20 ‑3
区的磷的浓度为3×E ‑2×E 个原子/cm 。

[0096] 在一些实施例中，参考图2，还包括硼掺杂层2。所述硼掺杂层位于所述衬底远离隧穿氧化层的一侧面。

[0097] 在一些实施例中，参考图1，所述太阳能电池还包括钝化层6。所述钝化层位于所述磷掺杂多晶硅层远离所述隧穿氧化层的一侧面。

[0098] 在一些实施例中，所述太阳能电池还包括减反射层，所述减反射层位于所述钝化层以及所述衬底的背面。

[0099] 在一些实施例中，还包括第一电极7。所述第一电极与磷掺杂区接触，所述第二电极与硼掺杂层接触。

[0100] 本申请实施例的第三方面，还可以提供一种光伏组件，所述光伏组件包括第一方面所述的制备方法得到的太阳能电池或第二方面所述的太阳能电池。

[0101] 在一些实施例中，所述光伏组件包括多个串联和/或并联连接的太阳能电池；其中，至少一个太阳能电池如上所述的第一方面所述的制备方法得到的太阳能电池或第二方面所述的太阳能电池。串联状态下的多个太阳能电池形成电池串，相邻的太阳能电池之间可以通过串焊的方式连接在一起。

[0102] 本申请实施例的第四方面，提供一种光伏系统，包括以上任一实施例中的光伏组件。上述光伏组件所具备的优势，该光伏系统同样具备，在此不再赘述。

[0103] 在一些实施例中，上述光伏系统的应用领域广泛，不仅限于光伏电站，如地面电站、屋顶电站和水面电站，还包括各种利用太阳能发电的设备和装置，例如用户太阳能电源、太阳能路灯、太阳能汽车和太阳能建筑等。当然，可以理解的是，光伏系统的应用场景不限于此，也即是说，光伏系统可应用在需要采用太阳能进行发电的所有领域中。以光伏发电系统网为例，光伏系统可包括光伏阵列、汇流箱和逆变器，光伏阵列可为多个光伏组件的阵列组合，例如，多个光伏组件可组成多个光伏阵列，光伏阵列连接汇流箱，汇流箱可对光伏阵列所产生的电流进行汇流，汇流后的电流流经逆变器转换成市电电网要求的交流电之后接入市电网络以实现太阳能供电。

[0104] 下面，将参照附图更详细地描述根据本申请的示例性实施例。须知，这些示例性实施例可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施例。

[0105] 实施例1S1：制绒清洗
对厚度为120μm的N型硅片进行制绒清洗，在硅片的相对两表面形成均匀的“正金字塔”绒面，绒面高度为3μm。

[0106] S2：对N型硅片的正面进行硼掺杂在制绒清洗后的硅片正面扩散300nm厚度的硼掺杂层。

[0107] S3：第一绕度刻蚀采用浓度为5wt%HF溶液对硼掺杂后的衬底进行链式酸洗。

[0108] 采用浓度为5wt%的氢氧化钠溶液对衬底背面进行刻蚀。

[0109] S4：隧穿氧化层和本征非晶硅层采用LPCVD设备，在温度为650℃的条件下，在硅片背面生长隧穿氧化层及本征非
晶硅层(a‑Si)，其中第一隧穿氧化层的厚度为1.5nm，本征非晶硅层的厚度为100nm。

[0110] S4：在本征非晶硅的局部区域涂布含磷浆料。

[0111] 采用狭缝涂布的方式进行含磷浆料的涂布，干燥的温度200℃，狭缝之间的宽度为100μm（第一区域的宽度）。

[0112] S5：磷扩散磷扩散为将沉积非晶硅后的硅片载入到管式磷扩散炉管中，以磷烷为工艺气体，
采用扩散的方式在电池背面进行磷掺杂，磷扩散过程的温度为梯度升温。

[0113] 梯度升温过程：先将S4所得物升温至800℃；再以600秒的时间从800℃升温至840℃；再以600秒的时间从840℃升温至880℃；再以300秒的时间从880℃升温至900℃；以200秒的时间从900℃升温至913℃。该过程控制时间为25min，得到磷重掺杂区的磷的浓度为620 ‑3 20 ‑3
×E cm ，轻掺杂区的磷的浓度为2×E 个原子/cm 。

[0114] S6：退火对经过所述磷扩散的产物进行退火，以得到磷掺杂多晶硅层，所述磷掺杂多晶硅
层中的所述覆盖含磷浆料区为磷重掺杂区。退火过程包括保温过程和梯度降温过程。

[0115] 保温过程为在910℃保温1380秒。

[0116] 梯度降温过程：以600秒的时间从910℃降温至870℃；以600秒的时间从870℃降温至850℃；以600秒的时间从850℃降温至800℃。

[0117] S7:正面进行第二绕度刻蚀对步骤S6所得物依次进行酸洗、水洗、预脱水和烘干步骤，其中酸洗采用氢氟酸，时间为300s；水洗采用去离子水，时间为200s；预脱水时间为20s，酸洗、水洗、预脱水均可在常温下进行。烘干采用热风烘干，时间为700s，温度为100℃。

[0118] S8：沉积钝化层在正面绕度刻蚀后的所得物的正面沉积5nm钝化层。

[0119] S9：沉积反射膜对沉积钝化膜后的电池片的正面和背面均沉积30nm的反射膜。

[0120] S10：形成金属电极太阳能电池受光面和背光面分别制作金属银第一电极和金属银第二电极。

[0121] S11：光注入将S10得到的电池片进行光注入处理，形成太阳能电池，其中光注入温度为220℃，时间120s，以得到太阳能电池（隧穿钝化接触太阳能电池）。

[0122] 实施例2‑4按照实施例1的方式制备太阳能电池，所不同的是S4中：干燥温度分别为100℃、
300℃和400℃。

[0123] 实施例5按照实施例1的方式制备太阳能电池，所不同的是S5中：磷重掺杂区的磷的浓度为
20 ‑3 20 ‑3
3×E cm ，轻掺杂区的磷的浓度为2×E 个原子/cm 。

[0124] 实施例6按照实施例1的方式制备太阳能电池，所不同的是S5中：磷重掺杂区的磷的浓度为
21 ‑3 20 ‑3
1×E cm ，轻掺杂区的磷的浓度为2×E 个原子/cm 。

[0125] 实施例7按照实施例1的方式制备太阳能电池，所不同的是S6：梯度退火
梯度升温过程：先将S5所得物升温至800℃；再以600秒的时间从800℃升温至830
℃；再以600秒的时间从830℃升温至860℃；再以300秒的时间从860℃升温至920℃；以200秒的时间从920℃升温至945℃。

[0126] 晶化过程为在945℃保温1380秒。

[0127] 梯度降温过程：以600秒的时间从945℃降温至900℃；以600秒的时间从900℃降温至850℃；以600秒的时间从850℃降温至830℃。

[0128] 对比例1按照实施例1的方式制备太阳能电池，所不同的是，不进行S6。

[0129] 对比例2：按照实施例1的方式制备太阳能电池，所不同的是，S6只有保温过程：具体为在910℃保温4880秒。

[0130] 对比例3按照实施例1的方式制备太阳能电池，所不同的是，S6中的梯度降温过程：直接以
1800秒的时间从945℃降温至830℃。

[0131] 对比例4按照实施例1的方式制备太阳能电池，所不同的是，S4：在本征非晶硅的远离衬底的一侧面全部涂布含磷浆料，并烘干。

[0132] 对上述实施例和对比例的太阳能电池进行光电性能的测试，测试结果见表1，需要说明的是下表的值是根据对比例1相比后的相对值。

[0133] 表1

[0134] 通过上述表1可知，通过实施例1‑7和对比例1‑4相比，实施例的太阳能电池的光电性能优于对比例的太阳能电池。这是在于，本申请的方法仅通过增加一步覆盖含磷浆料的步骤，即可形成选择性掺杂结构，金属化区为磷的重掺区，在非金属区形成浓度较低的磷的轻掺杂区，这种由磷重掺杂区和磷轻掺杂区形成的掺杂多晶硅层，可降低寄生吸收，以及提升电极与磷掺杂多晶硅层的接触性能，进而得到光电效率较好的太阳能电池。

[0135] 还需要说明的是，在本申请中所谈到的“一些实施例”、“另一些实施例”、“实施例”等，指的是结合该实施例描述的具体特征、结构或者特点包括在本申请概括性描述的至少一个实施例中。在说明书中多个地方出现同种表述不是一定指的是同一个实施例。进一步来说，结合任一实施例描述一个具体特征、结构或者特点时，所要主张的是结合其他实施例来实现这种特征、结构或者特点也落在本申请的范围内。

[0136] 在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

[0137] 还需要说明的是，以上仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利保护范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。