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像素型多阳极半导体探测器阵列的电子学通道复用方法实质审查 发明

技术总结

本申请公开了一种像素型多阳极半导体探测器阵列的电子学通道复用方法,涉及射线探测技术领域,该方法包括:针对每一像素型多阳极半导体探测器的1个阴极,使用一路阴极电子学通道进行读出,得到N路阴极电子学通道;分别从每一像素型多阳极半导体探测器中尚未连接到阳极电子学通道的若干阳极像素中选取一个阳极像素,得到N个阳极像素并编号为一组,合并读出到一路阳极电子学通道,得到M路阳极电子学通道;然后进行事例筛选,根据筛选出的有效事例反推出射线击中像素型多阳极半导体探测器阵列的具体位置。本申请可以减少读出所有探测单元所需的电子学通道数量。

技术研发人员:

王宇; 杨正光; 赵懋源; 封常青; 张志永; 沈仲弢; 刘树彬

受保护的技术研发主体:

中国科学技术大学

技术申请主体:

中国科学技术大学

技术研发申请日期:

2024-11-28

技术被公开/公告日期:

2024-12-31

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