技术领域
[0001] 本申请涉及红外探测技术领域，尤其涉及一种光电传感器组件及其制备方法、读出电路结构及光电结构。
相关背景技术
[0002] 微电子器件，如红外探测器件，需要将红外光电探测器与读出电路单元二者的焊接凸点进行键合，以实现电性连接，并在键合后在二者之间的间隙中填充底胶。底胶的填充效果直接影响焊接凸点及器件抵抗外力的性能。
具体实施方式
[0097] 这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0098] 本申请提供一种光电传感器组件，其包括读出电路结构及至少一个光电结构。读出电路结构具有第一表面，且具有至少一个读出单元，每一所述读出单元的第一表面具有位于中部的第一焊接凸点设置区域；每一光电结构对应键合于一个读出单元之上，与所对应的一个读出单元形成一个光电传感器单元，所述光电结构具有第三表面，所述第三表面具有位于中部并与所述第一焊接凸点设置区域相对的第二焊接凸点设置区域；其中，在每一个光电传感器单元中，所述第一焊接凸点设置区域和所述第二焊接凸点设置区域均设有多个底胶促进铺展区和多个非促进铺展区；其中，底胶在所述底胶促进铺展区的表面张力系数小于底胶在所述非促进铺展区的表面张力系数。上述光电传感器组件，通过在读出电路结构和光电结构中设置交替排布的底胶促进铺展区和非促进铺展区，在填充底胶时，底胶能够在焊接凸点设置区域更加均匀的朝向背离底胶的一端铺展开，能够很好地避免底胶填充时由于边缘区域铺展速度太快而导致底胶中存在气泡的情况的发生，提高底胶填充的效果。
[0099] 下面结合附图1至图24对本申请所提供的光电传感器组件及其制备方法、读出电路结构及光电结构进行详细描述。
[0100] 首先，请参照图1，并在必要时结合图2至图16所示，本申请提供一种光电传感器组件1000，其包括具有读出电路结构1及至少一个光电结构20的光电传感器组件及填充于读出电路结构1及光电结构20之间的底胶30。
[0101] 读出电路结构1具有第一主体11。具有相互背离的第一表面S1和第二表面S2，具有至少一个读出单元10，每一读出单元10的第一表面S1具有位于中部的第一焊接凸点设置区域Q1。
[0102] 至少一个光电结构20，每一光电结构20对应键合于一个读出单元10之上，与所对应的一个读出单元10形成一个光电传感器单元。所述光电结构20具有相互背离的第三表面S3和第四表面S4，所述第三表面S3具有位于中部并与所述第一焊接凸点设置区域Q1相对的第二焊接凸点设置区域Q3。
[0103] 其中，在每一个光电传感器单元中，所述第一焊接凸点设置区域Q1设有多个底胶促进铺展区104和多个非促进铺展区105，所述第二焊接凸点设置区域Q3设有多个底胶促进铺展区204和多个非促进铺展区205。其中，底胶在所述底胶促进铺展区104、204的表面张力系数小于底胶在所述非促进铺展区105、205的表面张力系数。
[0104] 多个所述底胶促进铺展区104和多个所述非促进铺展区105可交替排布，多个所述底胶促进铺展区204和多个所述非促进铺展区205可交替排布。
[0105] 多个所述底胶促进铺展区104、204和多个所述非促进铺展区105、205均沿第一方向L延伸。每一焊接凸点设置区所设有的多个所述底胶促进铺展区和多个所述非促进铺展区可在第二方向W上交替排布。即多个所述底胶促进铺展区104和多个所述非促进铺展区105在第二方向W上间隔交替排布，多个所述底胶促进铺展区204和多个所述非促进铺展区
205在第二方向W上间隔交替排布。
[0106] 在一些实施例中，在每一个光电传感器单元中，所述第一焊接凸点设置区域Q1的多个底胶促进铺展区104与所述第二焊接凸点设置区域Q3的多个底胶促进铺展区204一一正对设置，所述第一焊接凸点设置区域Q1的多个非促进铺展区105与所述第二焊接凸点设置区域Q3的多个非促进铺展区205一一正对设置。
[0107] 可以理解的是，在其它一些实施例中，所述第一焊接凸点设置区域Q1的多个底胶促进铺展区104与所述第二焊接凸点设置区域Q3的多个底胶促进铺展区204也可不一一正对设置，所述第一焊接凸点设置区域Q1的多个非促进铺展区105与所述第二焊接凸点设置区域Q3的多个非促进铺展区205也可不一一正对设置。
[0108] 在一些实施例中，在光电结构20键合于对应的读出单元10之上所形成的中间光电传感器组件100可为一中间光电传感器组件，中间光电传感器组件100中填充底胶30的情况下可形成对应的光电传感器组件1000。在该中间光电传感器组件100中，读出电路结构1的宽度方向W1与光电结构20的宽度方向W2一致，二者的宽度方向也为光电传感器组件1000及中间光电传感器组件100的第二方向W一致。读出电路结构1的长度方向L1与光电结构20的长度方向L2一致，二者的长度方向也为光电传感器组件1000及中间光电传感器组件100的第一方向L一致。在其它一些实施例中，W1和W2也可为对应结构的长度方向，L1、L2可分别为对应结构的宽度方向。
[0109] 所述第一焊接凸点设置区域Q1设置有阵列排布的多个第一焊接凸点12。多个第一焊接凸点12在第二方向W上成多行排布，所述第二焊接凸点设置区域Q3设有与多个所述第一焊接凸点12一一对应的多个第二焊接凸点22。
[0110] 在一些实施例中，至少一行第一焊接凸点12位于一个底胶促进铺展区104，至少一行第二焊接凸点22位于一个底胶促进铺展区104。
[0111] 在另一些实施例中，至少一行第一焊接凸点12位于一个非促进铺展区105，至少一行第二焊接凸点22位于一个非促进铺展区205。
[0112] 相较于对应焊接凸点位于非促进铺展区的，焊接凸点位于底胶促进铺展区时，所形成的底胶30能够更好地包裹焊接凸点，具有更好的保护和支撑作用。
[0113] 在一些实施例中，每行第一焊接凸点12位于一个底胶促进铺展区104，每行第二焊接凸点22位于一个底胶促进铺展区204，比如图11至图13所示。
[0114] 在另一些实施例中，每行第一焊接凸点12位于一个非促进铺展区105，每行第二焊接凸点22位于一个非促进铺展区205，比如图1至图10所示。
[0115] 在一些实施例中，所述第一焊接凸点设置区域Q1所设有的多个底胶促进铺展区104均匀间隔排布，所述第一焊接凸点设置区域Q1所设有的和多个非促进铺展区105均匀间隔排布。也即各相邻两个底胶促进铺展区104之间的距离相等。所述第二焊接凸点设置区域Q3所设有的多个底胶促进铺展区204均匀间隔排布，所述第二焊接凸点设置区域Q3所设有的多个非促进铺展区205均匀间隔排布，进一步有利于底胶均匀铺设，也即各相邻两个底胶促进铺展区104之间的距离相等。
[0116] 在一些实施例中，在多个所述底胶促进铺展区104和多个所述非促进铺展区105间隔交替的方向上，各第一焊接凸点设置区域Q1的多个所述底胶促进铺展区104均位于所对应的最外侧两行焊接凸点之内，或各第一焊接凸点设置区域Q1的多个所述底胶促进铺展区104至少一部分位于所对应的最外侧两行第一焊接凸点12之外。第二焊接凸点设置区域Q3的多个所述底胶促进铺展区204和多个所述非促进铺展区205排布情况与此相同。
[0117] 可通过对底胶促进铺展区和非促进铺展区至少一种所对应的区域表面进行处理形成对底胶具有不同表面张力的底胶促进铺展区和非促进铺展区。
[0118] 在一些实施例中，所述第一表面S1的各第一焊接凸点设置区域Q1的表面设置底胶促进铺展材料15形成多个所述底胶促进铺展区104，与多个所述底胶促进铺展区104交替排布的区域表面不做处理而直接作为多个所述非促进铺展区105，比如图2所示。
[0119] 在另一些实施例中，所述第一表面S1中各第一焊接凸点设置区域Q1的表面设置底胶促进铺展材料形成多个所述底胶促进铺展区104，各第一焊接凸点设置区域Q1的表面与多个所述底胶促进铺展区104交替排布的区域经过氟化处理形成多个所述非促进铺展区105。
[0120] 在又一些实施例中，所述第一表面S1各第一焊接凸点设置区域Q1的表面设置底胶促进铺展材料15形成多个所述底胶促进铺展区104，各第一焊接凸点设置区域Q1的表面设置非促进铺展材料层16形成多个所述非促进铺展区105，比如图14所示的光电传感器组件4000。其中，非促进铺展材料层16也可铺设于促进铺展区，并在非促进铺展材料层16位于促进铺展区的表面再设置底胶促进铺展材料15，而形成交替的底胶促进铺展区104和非促进铺展区105。
[0121] 此外，在其它实施例中，各第一焊接凸点设置区域Q1的表面经过氟化处理或设置非促进铺展材料层形成多个所述非促进铺展区105，各第一焊接凸点设置区域Q1的表面中与多个所述非促进铺展区交替的区域表面不做处理而直接作为所述底胶促进铺展区。
[0122] 相应地，第二焊接凸点设置区域的促进铺展区204和非促进铺展区205设置方式类似。
[0123] 比如，在一些实施例中，所述第三表面S3的各第二焊接凸点设置区域Q3的表面设置底胶促进铺展材料形成多个所述底胶促进铺展区204，与多个所述底胶促进铺展区204交替排布的区域作为多个所述非促进铺展区205。
[0124] 在另一些实施例中，所述第三表面S3中各第二焊接凸点设置区域Q3的表面设置底胶促进铺展材料形成多个所述底胶促进铺展区205，各第二焊接凸点设置区域的表面与多个所述底胶促进铺展区204交替排布的区域经过氟化处理形成多个所述非促进铺展区205。
[0125] 在又一些实施例中，所述第三表面S3各第二焊接凸点设置区域Q3的表面设置底胶促进铺展材料形成多个所述底胶促进铺展区204，各第二焊接凸点设置区域的表面设置非促进铺展材料层26形成多个所述非促进铺展区205。
[0126] 此外，在其它实施例中，各第二焊接凸点设置区域Q3的表面经过氟化处理或设置非促进铺展材料层形成多个所述非促进铺展区205，各第二焊接凸点设置区域Q3的表面中与多个所述非促进铺展区205交替的区域不做处理而直接作为所述底胶促进铺展区204。
[0127] 需要说明的是，优选地，在同一光电传感器组件中，所有促进铺展区的设置方式相同，所有非促进铺展区的设置方式相同。
[0128] 在一些实施例中，对于所述底胶促进铺展区104、204由底胶促进铺展材料形成的，所述底胶促进铺展材料为金属、金属氧化物或纳米异质结构材料。
[0129] 在一些实施例中，对于非促进铺展区105、205由非促进铺展材料层形成的，所述非促进铺展材料层为氟化处理层。
[0130] 需要说明的是，与多个所述底胶促进铺展区104交替排布的区域表面不做处理而直接作为多个所述非促进铺展区105的，可以理解为读出单元10第一表面S1中与多个所述底胶促进铺展区104交替排布的区域直接作为非促进铺展区域105，比如读出单元10为硅基材料的，其非促进铺展区域105处的材料为硅基材料。
[0131] 同样，各第一焊接凸点设置区域Q1的表面中与多个所述非促进铺展区交替的区域表面不做处理而直接作为所述底胶促进铺展区的，可以理解为读出单元10第一表面S1中与多个所述非底胶促进铺展区105交替排布的区域直接作为促进铺展区域104，比如读出单元10为硅基材料的，其促进铺展区域105处的材料为硅基材料。
[0132] 光电结构20的第二焊接凸点设置区域Q3中直接作为非促进铺展区或促进铺展区部分类似。
[0133] 在一些实施例中，所述第一焊接凸点设置区域Q1设置有在第二方向上成多行排布的多个第一焊接凸点12，所述第二焊接凸点设置区域Q3设有与多个所述第一焊接凸点12一一对应的多个第二焊接凸点22。
[0134] 如图6及图11所示，在多个所述底胶促进铺展区104和多个所述非促进铺展区105间隔交替的方向上，各第一焊接凸点设置区域Q1中非促进铺展区105的宽度为第一宽度W0，相邻两行第一焊接凸点12之间的间距为第一间距D0，其中，第一宽度W0和第一间距D0之间具有如下关系：
[0135] W0＝(1/8‑1/5)D0。
[0136] 如此设置，能够很好提高填充底胶的同时保证光电传感器组件的结构强度。
[0137] 相应地，光电结构20中第二焊接凸点22和非促进铺展区205的宽度也满足上述关系。
[0138] 在一些实施例中，每一读出单元10的第一表面S1具有位于所述第一焊接凸点设置区域Q1外围的第一外围区域Q2，每一光电结构20的第三表面S3具有位于所述第二焊接凸点设置区域Q3外围并与所述第一外围区域Q2相对的第二外围区域Q4。每一个光电传感器单元中，所述光电结构20与所对应的读出单元10之间设有位于所述第一焊接凸点设置区域Q1和所述第二焊接凸点设置区域Q3在第一方向L相对两侧的凸起结构，所述凸起结构设置于所述第一外围区域Q2和所述第二外围区域Q4中至少一个上以防止读出电路结构1和光电结构20键合时二者相对倾斜较大。
[0139] 请结合图15和图16所示，在一些实施例中，所述凸起结构包括两组，两组所述凸起结构13、14分别位于所述第一焊接凸点设置区域Q1和第二焊接凸点22设置区域Q3在第一方向L的相对两侧(即第二方向上的相对两端)。读出电路10的第一外围区域Q2也可设有位于第一焊接凸点设置区域Q1相对两侧的凸起结构，比如图15所示的凸起结构13。光电结构20的第二外围区域Q4也可。设有位于第二焊接凸点设置区域Q3相对两侧侧的凸起结构，比如图15所示的凸起结构14。
[0140] 图15所示，位于同一侧的一组凸起结构13、14分别设于第一外围区域Q2和所述第二外围区域Q4。可以理解的是，在其它一些实施例中，位于同一侧的凸起结构也可以仅设于第一外围区域Q2和所述第二外围区域Q4中一个之上。读出单元10的第一外围区域Q2可设有位于第一焊接凸点设置区域Q1一侧的凸起结构。光电结构20的第二外围区域Q4也可设有位于第二焊接凸点设置区域Q3一侧的凸起结构。
[0141] 在一些实施例中，所述凸起结构13、14呈条状，可进一步防止读出电路结构1和光电结构20键合时二者相对倾斜。
[0142] 在一些实施例中，所述条状的凸起结构与位于其内侧凸点设置区域的底胶促进铺展区临接，以在防止读出电路结构1和光电结构20键合时二者相对倾斜的同时，还能够对于条状的凸起结构内侧的底胶具有遮挡作用，使得底胶能够在条状的凸起结构内侧铺展，有利于进一步提高底胶铺展效果。比如图15所示，条状的凸起结构13与第一凸点设置区域Q1的底胶促进铺展区临接，条状的凸起结构14与第而凸点设置区域Q3的底胶促进铺展区临接。
[0143] 所述凸起结构的材质为硅基材料、化合物材料、金属、陶瓷、有机材质中的一种或多种。
[0144] 在一些实施例中，所述光电结构20为光电探测器。
[0145] 所述读出电路结构1为具有一个读出电路单元10的单元结构或具有多个读出电路单元的晶圆。
[0146] 在一些实施例中，所述光电结构20在所述第一表面S1上的正投影落于对应读出单元在所述第一表面S1上的正投影之内。
[0147] 需要说明的是，本申请所述第一方向L与方向W优选相互垂直。相应地长度方向L1与宽度方向W1相互垂直，长度方向L2与宽度方向W2相互垂直。当然，在其它一些实施例中，第一方向L与方向W之间也可具有非直角的夹角。相应地长度方向L1与宽度方向W1具有非直角的夹角，长度方向L2与宽度方向W2具有非直角的夹角。
[0148] 在一些实施例中，第一焊接凸点12的截面径向尺寸或宽度尺寸小于或等于10μm，比如10μm、9μm、8μm、5μm等。第二焊接凸点22与第一焊接凸点12的截面尺寸及形状相同。
[0149] 在一些实施例中，相邻第一焊接凸点12之间的距离小于或等于20μm。比如20μm、18μm、15μm、13μm、10μm等。
[0150] 在一些实施例中，所述第一表面S1具有位于所述第一焊接凸点设置区域Q1在第一方向L上一端的施胶区域1001。
[0151] 请结合图6、图10、图12及图13所示，在一些实施例中，所述施胶区域1001沿第二方向W延伸。
[0152] 优选地，第一施胶区域1001的延伸方向和多个所述底胶促进铺展区204和多个所述非促进铺展区205的延伸方向垂直。
[0153] 在一些实施例中，所述施胶区域1001与所述第一焊接凸点设置区域Q1正对，即施胶区域1001在第二方向W上的中心与所述第一焊接凸点设置区域Q1在第二方向上的中心正对。
[0154] 在一些实施例中，所述施胶区域1001所对应的读出单元10在所述施胶区域长度方向L上的长度l1，与所述施胶区域的长度l2二者之间具有如下关系：1/2l1≤l2≤2/3l1。
[0155] 可选地，所述施胶区域1001所对应的读出单元10在所述施胶区域1001长度方向L上的长度l1，可以与阵列的第一焊接凸点12及第二焊接凸点在该方向上的跨越长度相等。
[0156] 在一些实施例中，第一焊接凸点12包括靠近读出电路结构主体11的焊料金属层121及位于焊料金属层121背离读出电路结构主体11的焊料层122。该焊料金属层可以包括靠近读出电路结构主体11的底层、位于底层背离读出电路结构主体11的中间层以及位于中间层背离读出电路结构主体11的顶层金属层。其中，底层为粘结层，主要包括Cr和Ti等材料，能够实现中间层与读出电路结构主体11中电路结构的粘结。中间层为阻挡层，防止顶层金属扩散到读出电路结构主体11中。顶层金属层主要包括Ni和Pt等材料。焊料层主体包括Au和Ag等材料。
[0157] 第二焊接凸点22包括靠近光电结构主体21的焊料金属层221及位于焊料金属层221背离光电结构主体11的焊料层222。第二焊接凸点22可与第一焊接凸点12具体结构类似。
[0158] 在一些实施例中，所述底胶30位于每一组正对的两个底胶促进区域之间。
[0159] 该底胶30还可位于焊料金属层121和正对的焊料金属层221之间，包裹焊料层122及222。
[0160] 请参照图17所示，本申请另提供一种光电传感器组件的制备方法，其包括如下步骤S101和步骤S103：
[0161] 在步骤S101中，提供读出电路结构，所述读出电路结构具有第一表面，具有至少一个读出单元，每一读出单元的第一表面具有位于中部的第一焊接凸点设置区域；
[0162] 在步骤S103中，提供至少一个光电结构，并将每一光电结构对应键合于一个读出单元之上形成具有多个光电传感器单元的中间光电传感器组件，每一个光电传感器单元包括一个光电结构和所对应的一个读出单元；所述光电结构具有第三表面，所述第三表面具有位于中部并与所述第一焊接凸点设置区域相对的第二焊接凸点设置区域；
[0163] 其中，在每一个光电传感器单元中，所述第一焊接凸点设置区域和所述第二焊接凸点设置区域均设有多个底胶促进铺展区和多个非促进铺展区，且每一焊接凸点设置区所设有的多个所述底胶促进铺展区和多个所述非促进铺展区交替排布，其中，底胶在所述底胶促进铺展区的表面张力系数小于底胶在所述非促进铺展区的表面张力系数；
[0164] 在步骤S105中，在所述读出电路结构和所述光电结构之间填充底胶，形成光电传感器组件。
[0165] 下面结合图18至图24所示，对所述光电传感器组件的制备方法进行描述。
[0166] 如图18，在步骤S101中，提供读出电路结构1，所述读出电路结构1具有相互背离的第一表面S1和第二表面S2，具有至少一个读出单元10，每一读出单元10的第一表面S1具有位于中部的第一焊接凸点设置区域Q1。
[0167] 如图19至图21，在步骤S103中，提供至少一个光电结构20，并将每一光电结构20对应键合于一个读出单元10之上形成具有多个传感器单元的中间光电传感器组件100，所述光电结构20具有相互背离的第三表面S3和第四表面S4，所述第三表面S3具有位于中部并与所述第一焊接凸点设置区域Q1相对的第二焊接凸点22设置区域Q3；
[0168] 其中，在每一个光电传感器单元中，所述第一焊接凸点设置区域Q1设有多个底胶促进铺展区104和多个非促进铺展区105。所述第二焊接凸点设置区域Q3设有多个底胶促进铺展区204和多个非促进铺展区205，多个所述底胶促进铺展区104和多个所述非促进铺展区105交替排布，多个所述底胶促进铺展区204和多个所述非促进铺展区205交替排布。其中，底胶在所述底胶促进铺展区104、204的表面张力系数小于底胶在所述非促进铺展区105、205的表面张力系数。
[0169] 在一些实施例中，多个所述底胶促进铺展区104、204和多个所述非促进铺展区105、205均沿第一方向L延伸，且多个所述底胶促进铺展区104和多个所述非促进铺展区105在第二方向W上间隔交替排布，多个所述底胶促进铺展区204和多个所述非促进铺展区205在第二方向W上间隔交替排布。
[0170] 在一些实施例中，所述第一焊接凸点设置区域Q1的多个底胶促进铺展区104与所述第二焊接凸点设置区域Q3的多个底胶促进铺展区204一一正对设置，所述第一焊接凸点设置区域Q1的多个非促进铺展区105与所述第二焊接凸点设置区域Q3的多个非促进铺展区205一一正对设置。
[0171] 在一些实施例中，步骤S103中在将每一光电结构20对应键合于一个读出单元10之上可先形成一中间光电传感器组件，比如中间光电传感器组件100。相应地，在将每一光电结构20对应键合于一个读出单元10之上之后，所述方法包括如下步骤S105：
[0172] 在步骤S105中，在所述读出电路结构1和所述光电结构20之间填充底胶30。
[0173] 在一些实施例中，所述第一表面具有位于所述第一焊接凸点设置区域Q1在第一方向上一端的施胶区域1001。施胶区域1001可沿第二方向延伸。
[0174] 结合图22和图23所示，步骤S105在所述读出电路结构1和所述光电结构20之间的间隔空间中填充底胶30具体可包括如下步骤S1051至步骤S1053：
[0175] 在步骤S1051中，在常温下，在中间光电传感器组件100的每一个施胶区域1001施加底胶30’。
[0176] 在步骤S1052中，将施加有底胶30’的中间光电传感器组件100置于真空环境中，初步加热至第一温度，使得所述底胶30’在所述读出电路结构1和所述光电结构20之间的间隔空间中铺展开。
[0177] 具体地，所述底胶30’位于每一组正对的两个底胶促进区域之间。
[0178] 该底胶30’还可位于焊料金属层121和正对的焊料金属层221之间，包裹焊料层122及222。
[0179] 在一些实施例中，第一温度为50摄氏度到70摄氏度，初步加入的时长可为30分钟左右。该步骤S1052的真空环境可以为真空烘箱的腔室。
[0180] 该第一温度低于底胶的固化温度，且低于底胶的粘度拐点温度。
[0181] 在步骤S1053中，继续加热至第二温度，使得所述底胶固化。
[0182] 该第二温度为100摄氏度到130摄氏度，该第二温度的持续时长(也即固化的时长)大概为30分钟。该步骤S1053可继续在真空烘箱所提供的真空环境中进行。
[0183] 该第二温度可以为底胶固化温度，也可以为大于底胶固化的温度。
[0184] 该实施方式有利于提高底胶填充的效率。
[0185] 当然，在其它一些实施例中，也可在常温下进行底胶铺展及底胶固化。
[0186] 请结合图20所示，在一些实施例中，在步骤S1052在将施加有底胶的中间光电传感器组件100置于真空环境中，初步加热至第一温度，使得所述底胶填充满所述读出电路结构1和所述光电结构20之间的间隔空间时，所述方法还包括：
[0187] 将施加有底胶30’的所述中间光电传感器组件100背离施胶区域的一端向下倾斜预设角度，以利于提高底胶铺设的速度，提高底胶填充效率。
[0188] 这里图18至图24以一种读出电路结构和光电结构为例进行说明。其它类似方式的光电传感器组件的制备可参考上述相关步骤，采用类似的制备方法进行制备。
[0189] 需要说明的是，在上述光电传感器组件的读出电路结构1具有一个读出单元10时，所述光电传感器组件为具有一个光电传感器单元的一个光电传感器。在上述光电传感器组件具有多个读出单元时，光电传感器组件为具有多个光电传感器单元的光电传感器晶圆。该光电传感器晶圆可经过切分形成具有一个光电传感器单元的光电传感器。
[0190] 在本申请中，所述结构实施例与方法实施例在不冲突的情况下，可以互为补充。
[0191] 在本申请中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”、“若干”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
[0192] 本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
[0193] 应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。
