[0001] 本发明涉及陶瓷粉体，具体涉及一种高导热球形结构复相组分陶瓷粉体制备方法领域。

[0002] 随着信息时代快速发展,工业技术的发展与人们生活水平的提高,对工业电子电力产品与消费产品的更高性能化、小型化提出了更高的要求,对导热填料的要求越来越高,而常规的无机导热介质材料已难以满足高导热、高绝缘、耐高电压的需求，而陶瓷材料满足高绝缘材料，现在传统的陶瓷材料导热性能需要进一步提高。

[0003] 因此，如何提高陶瓷材料的导热性能同时满足高绝缘性，成为本领域亟需解决的问题。

[0042] 为了更好的了解本发明的技术方案，下面结合具体实施例本发明作进一步说明。

[0043] 实施例1：

[0044] 本实施例提供了一种高导热球形结构复相组分陶瓷粉体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

[0045] 制备第一可溶性金属盐溶液，所述第一可溶性金属盐溶液包括第一金属盐；所述第一可溶性金属盐溶液的制备过程为，将第一可溶性金属盐、水、表面活性剂、第一助剂按质量比18：80：0.83：0.02混合、搅拌，得到所述第一可溶性金属盐溶液；

[0046] 所述第一金属盐包括氯化硅；

[0047] 所述表面活性剂包括十二烷基苯磺酸钠以及十六烷基三甲基溴化铵；所述第一助剂包括氧化钙、氧化镁。

[0048] 通过所述第一可溶性金属盐溶液制备晶体态泡沫料浆；制备晶体态泡沫料浆过程包括以下步骤：将第一可溶性金属盐溶液在80℃的环境温度下搅拌，搅拌转速1700r/min。

[0049] 将所述晶体态泡沫料浆进行喷雾干燥，得到介孔结构球形粉体A；

[0050] 将所述介孔结构球形粉体A进行第一次加热，得到氧化物球形陶瓷粉体B；所述第一次加热的最高温度为800℃；所述氧化物球形陶瓷粉体B粒径为35μm；所述介孔结构球形粉体A进行第一次加热过程为，升温到95℃，升温速率为9.5℃/min；从95℃升温到300℃，升温速率为6.5℃/min；从300℃升温到500℃，升温速率为3.5℃/min；从500℃升温到800℃，升温速率为5.5℃，在8000℃下加热时间为6h。

[0051] 将氧化物球形陶瓷粉体B配制第一混合料浆，所述第一混合料浆包括第二助剂、第三助剂；所述第一混合料浆的配制过程为将氧化物球形陶瓷粉体B与水混合，然后加入第二助剂、第三助剂，在室温负压状态下搅拌，搅拌转速300r/min，负压为‑0.1MPa；

[0052] 所述氧化物球形陶瓷粉体B、水、第二助剂、第三助剂的质量比为20：78：0.65：0.0165；所述第二助剂包括乙二胺、环己烷；所述第三助剂包括硅烷偶联剂。

[0053] 将一混合料浆与第二可溶性金属盐混合得到第二混合料浆；所述第二混合料浆制备过程为，将第二可溶性金属盐加入第一混合料浆中，在在室温负压状态下搅拌，搅拌转速300r/min，负压为‑0.10MPa；所述第二可溶性金属盐与氧化物球形陶瓷粉体B的质量比为
18:82；所述第二可溶性金属盐包括三氯化铝。

[0054] 将所述第二混合料浆进行造粒，得到球形陶瓷粉体C；

[0055] 将所述球形陶瓷粉体C在反应气气氛下进行第二次加热，得到高导热球形结构复相组分陶瓷粉体；所述反应气体包括氮气；所述高导热球形结构复相组分陶瓷粉体粒径为50μm；

[0056] 将所述球形陶瓷粉体C进行第二次加热的过程为，将球形陶瓷粉体C放入密闭空间后进行抽真空，停止抽真空后通入反应气体，保持密闭空间气体压力为5.5mpa；然后在1600℃下加热煅烧，加热时间为10h，得到高导热球形结构复相组分陶瓷粉体；

[0057] 所述高导热球形结构复相组分陶瓷粉体电导率≥360W、电阻≥1050欧姆、堆积密3
度为0.3g/cm。

[0058] 实施例2：

[0059] 本实施例与实施例1相同的内容不再赘述；本实施例与实施例1不同的方案如下：所述第一可溶性金属盐溶液的制备过程为，将第一可溶性金属盐、水、表面活性剂、第一助剂按质量比16：76：0.55：0.0085混合、搅拌，得到所述第一可溶性金属盐溶液；

[0060] 所述第一金属盐包括氯化铝、硝酸镁、氯化硅；

[0061] 所述表面活性剂包括十二烷基苯磺酸钠以及十八烷基三甲基溴化铵。

[0062] 制备晶体态泡沫料浆过程包括以下步骤：将第一可溶性金属盐溶液在60‑100℃的环境温度下搅拌，搅拌转速1600r/min。

[0063] 所述第一次加热的最高温度为700℃；所述氧化物球形陶瓷粉体B粒径为32μm；所述介孔结构球形粉体A进行第一次加热过程为，升温到92℃，升温速率为9.2℃/min；从92℃升温到290℃，升温速率为6.2℃/min；从290℃升温到490℃，升温速率为3.2℃/min；从490℃升温到700℃，升温速率为5.2℃，在700℃下加热时间为6.2h。

[0064] 所述第一混合料浆的配制过程为将氧化物球形陶瓷粉体B与水混合，然后加入第二助剂、第三助剂，在室温负压状态下搅拌，搅拌转速≤260r/min，负压为‑0.085MPa；

[0065] 所述氧化物球形陶瓷粉体B、水、第二助剂、第三助剂的质量比为13：78：0.58：0.0158；所述第二助剂包括环氧丙烷、N,N二甲基酰胺中。所述第二混合料浆制备过程为，将第二可溶性金属盐加入第一混合料浆中，在在室温负压状态下搅拌，搅拌转速280r/min，负压为‑0.085MPa；所述第二可溶性金属盐与氧化物球形陶瓷粉体B的质量比为17:83；所述第二可溶性金属盐包括硫酸铝。

[0066] 所述高导热球形结构复相组分陶瓷粉体粒径为43μm；

[0067] 将所述球形陶瓷粉体C进行第二次加热的过程为，将球形陶瓷粉体C放入密闭空间后进行抽真空，停止抽真空后通入反应气体，所述反应气体包括氮气、氢气；保持密闭空间气体压力为4mpa；然后在1500℃下加热煅烧，加热时间为10.2h，得到高导热球形结构复相组分陶瓷粉体；

[0068] 所述高导热球形结构复相组分陶瓷粉体电导率≥350W、电阻≥1030欧姆、堆积密3
度为0.29g/cm。

[0069] 实施例3：

[0070] 本实施例与实施例1相同的内容不再赘述；本实施例与实施例1不同的方案如下：所述第一可溶性金属盐溶液的制备过程为，将第一可溶性金属盐、水、表面活性剂、第一助剂按质量比19：83：1.23：0.030混合、搅拌，得到所述第一可溶性金属盐溶液；

[0071] 所述第一金属盐包括硝酸铝、硝酸镁、氯化硅；

[0072] 所述表面活性剂包括十二烷基苯磺酸钠、十六烷基三甲基溴化铵和十八烷基三甲基溴化铵。

[0073] 制备晶体态泡沫料浆过程包括以下步骤：将第一可溶性金属盐溶液在95℃的环境温度下搅拌，搅拌转速1800r/min。

[0074] 所述第一次加热的最高温度为950℃；所述氧化物球形陶瓷粉体B粒径为38μm；所述介孔结构球形粉体A进行第一次加热过程为，升温到98℃，升温速率为9.8℃/min；从98℃升温到310℃，升温速率为6.8℃/min；从310℃升温到510℃，升温速率为3.8℃/min；从510℃升温到950℃，升温速率为5‑6℃，在600‑1000℃下加热时间为5.5‑6.5h。

[0075] 所述第一混合料浆的配制过程为将氧化物球形陶瓷粉体B与水混合，然后加入第二助剂、第三助剂，在室温负压状态下搅拌，搅拌转速≤380r/min，负压为‑0.11MPa；

[0076] 所述氧化物球形陶瓷粉体B、水、第二助剂、第三助剂的质量比为17：79：0.73：0.0173；所述第二助剂包括环己烷、N,N二甲基酰胺。所述第二混合料浆制备过程为，将第二可溶性金属盐加入第一混合料浆中，在在室温负压状态下搅拌，搅拌转速380r/min，负压为‑0.11MPa；所述第二可溶性金属盐与氧化物球形陶瓷粉体B的质量比为19:81所述第二可溶性金属盐包括三氯化铝和硫酸铝。

[0077] 所述高导热球形结构复相组分陶瓷粉体粒径为58μm；

[0078] 将所述球形陶瓷粉体C进行第二次加热的过程为，将球形陶瓷粉体C放入密闭空间后进行抽真空，停止抽真空后通入反应气体，所述反应气体包括氮气、氢气；保持密闭空间气体压力为7mpa；然后在1850℃下加热煅烧，加热时间为9.3h，得到高导热球形结构复相组分陶瓷粉体；

[0079] 所述高导热球形结构复相组分陶瓷粉体电导率≥380W、电阻≥1060欧姆、堆积密3
度为0.31g/cm。

[0080] 以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能。