首页 / 电磁耦合器装置

电磁耦合器装置实质审查 发明

技术领域

[0001] 本公开内容大体上涉及电磁耦合技术。更具体地说,非限制性实施方式涉及一种电磁耦合器装置,其适用于对RFID嵌体进行编码的打印机或可在至少两个不同频率范围内工作的其他近场编码应用。

相关背景技术

[0002] 射频识别(RFID)是一种使用无线电波从电子标签(称为RFID标签或RFID嵌体)传输数据的技术。信息以电子方式存储在标签中。为了读出信息,RFID读取器发射编码的无线电信号来询问标签。因此,RFID标签包括适用于电感耦合的平面金属迹线,更具体地说,电流环路。相同的平面金属迹线(电流环路)也可用于通过电磁耦合对RFID标签进行编码。
[0003] 包括平面金属迹线的RFID器件通常被称为嵌体。从技术上讲,RFID嵌体是一种射频端接的平面金属迹线。特别地,嵌体是包括支承在柔性基板上的平面金属迹线膜的RFID器件,其连接至应答器。包括在电流环路中的应答器是用于译解发送到嵌体并由平面金属迹线接收的信号的集成电路。应答器还用于向平面金属迹线发送信号,然后信号通过平面金属迹线(有时也称为“天线”)传输。嵌体天线可以被调谐(即,调整尺寸)成在特定目标频率处与收发器通信,该收发器至少包括用于与RFID嵌体和询问器通信的耦合元件。为了更好地理解,值得注意的是,在本公开内容中,术语“天线”被解释为表示辐射装置的意思。然而,与辐射远场相反,本公开内容涉及反应性近场中的耦合。因此,术语“天线”的使用限于RFID嵌体和标签,因为它们的预期工作和设计目标可能在传播的近场和/或远场中。
[0004] 近年来,可以使RFID嵌体在例如纸张的介质上移位并且同时能够在打印过程中用期望的信息对RFID嵌体进行编码的打印设备是公知的。编码通过电磁耦合优选地在反应性近场中进行。为此,RFID打印机/编码器被设置有电磁耦合器装置,该布置将电磁耦合器安装在打印机的腔体中,以便将承载编码信息的电磁功率耦合到位于介质上的RFID嵌体中,同时介质沿着介质路径被引导通过打印机/编码器。
[0005] 可以使用仅具有单个耦合元件的耦合器装置,也可以使用具有形成一维或二维阵列的多个耦合元件的耦合器装置。
[0006] 在实际实施方式中,存在具有不同工作频率的RFID标记(标签)。例如,用于编码被询问的RFID标签的工作频率可以在HF(高频)或UHF(超高频)频率范围内。在本公开内容中,“HF”用于表示大约3MHz(兆赫)和30MHz之间的任何频率范围。HF通信的典型中心频率是13.56MHz。“UHF”用来表示更高频率的范围。典型的UHF频率在大约300MHz和3GHz(千兆赫)之间的任何范围内。
[0007] 甚至存在包括若干个标签的RFID标签,其可以包括HF和UHF标签中的一个或两个。可以有在HF频率和UHF频率两者处工作的单个物理芯片,或者可以有在嵌体中分别在HF频率和/或UHF频率处工作的两个独立的空间分布标签(芯片)。在前一种类型中,在单个芯片上可能有高频天线以及超高频“天线”。特别地,单个RFID芯片单独地连接到相应的HF天线和UHF天线。在示例中,HF天线是近场多匝磁线圈,并且UHF天线被调谐用于传播远场。
[0008] 然而,在某些应用中,例如打印机应用,考虑到有限的空间要求,不期望使用辐射(远场)耦合。因此,也期望实现用于UHF嵌体的环形反应性近场耦合器解决方案。值得注意的是,即使标签/嵌体天线具有标称辐射特性,这些相同的结构也可用于反应性近场耦合应用,特别是当包括环形结构时。
[0009] 例如,在打印机应用(但不限于此)中,因此可能期望通过单个耦合布置与使用不同频率范围的标记(标签)进行通信,特别是与HF和UHF技术的标签进行通信。特别地,打印机应该能够在单个硬件平台(并且,优选地,还有软件)内编码(编程)HF和UHF RFID标记(标签)两者。
[0010] 特别是对于例如标记和标签打印机的小型打印机,打印机环境中存在的另一个挑战是可以在其中安装相应电磁耦合器装置的有限可用空间。尽管原则上可以预见到连接到单个打印机中的各个询问器的用于不同频率范围的多个独立耦合器装置,但是与单个频率编码耦合器装置相比,这具有需要更大空间要求的缺点。
[0011] 因此,期望提供适用于编码RFID嵌体的通用电磁耦合器装置,其可在不同的频率范围内工作,并且还适用于安装在具有有限安装空间的设备中,例如标记和标签打印机。

具体实施方式

[0037] 遍及本说明书,词语“包括(comprise)”或例如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”的变体将被理解为意指包括所陈述的元件、整体或步骤,或元件、整体或步骤的组,但不排除任何其他元件、整体或步骤,或元件、整体或步骤的组。
[0038] 本公开内容涉及一种用于与RFID嵌体相互耦合、特别是用于对RFID嵌体进行编码的在至少两个不同频率范围(例如HF和UHF)中工作的电磁耦合器装置。
[0039] 在电磁耦合器装置的非限制性实施方式中,询问器(有时也称为“RFID读取器”)经由平衡‑不平衡转换器连接到螺旋形或细长螺旋形的耦合元件。
[0040] 公开的非限制性实施方式特别适用于对设置在例如RFID打印机/编码器中的介质上的嵌体进行编码。
[0041] 因此,本发明提供了一种支持RFID的打印机,该打印机能够在单个软件和硬件平台中对HF和UHF RFID标记(标签)进行编程。因此,单个打印机产品中包含了组合的HF和UHF RFID功能。在扩展中,同一个RFID标签可以由HF技术、UHF技术或它们的组合的多个标签组成。
[0042] 图1提供了根据本公开内容的实施方式的双频打印机/编码器的总体概念图。
[0043] 附图示意性地示出了打印机(RFID打印机/编码器)100,其具有作为用于馈电打印介质20的元件的压纸辊10。打印机还包括电磁耦合器30,用于对设置(嵌入)在打印介质20上的RFID嵌体进行编码。耦合器30与嵌入在打印机中的询问器40耦合(通过各自的线缆)。嵌入式询问器40具体包括用于向耦合器30提供HF频率范围内的信号的HF询问器部分40a以及用于向耦合器30提供UHF频率范围内的信号的UHF询问器部分40b。
[0044] 本领域技术人员知道为了降低附图的复杂性并集中在与本公开内容的基本特征相关的打印机100的那些元件上而在此没有示出的包括在这种类型的打印机/编码器中的多个另外的部件。特别地,与实际打印相关的任何部件已经被省略,用于提供控制功能的部件也被省略。这些部件可以用本领域已知的任何一种实施方式来实现,其中实施的具体方式与本发明无关,因此对本发明来说不是必需的。
[0045] 尽管HF询问器部件和UHF询问器部件在本图中被示出为嵌入式询问器的两个独立部件,但是本公开内容不限于这样的实施方式。根据集成程度,在实现本公开内容的教导时,可以采用用于HF和UHF的单独的询问器,或者可以在询问器中分别使用用于HF和UHF的单独的询问器部件。更具体地说,两个独立的询问器部件(询问器单元)可以嵌入在打印机的主板上。当在主板上嵌入一个能够产生和处理HF和UHF信号的询问器时,可以实现更高的集成度。如下面将要解释的,在集成HF和UHF询问器的情况下,对于两个频率范围仅使用单个馈线的实施方式是特别有利的。例如,这可以通过包括可以分离两个频率范围的平衡‑不平衡变换器的馈电网络来实现。
[0046] 换句话说,取决于空间可用性,询问器40可以被分成两个分别采用HF和UHF技术的物理单元(40a和40b)。此外,这些单元可以被限制在不同的壳体中。然而,由于询问器壳体位于打印机壳体内部,所以对于这种配置,仍然普遍使用术语“嵌入的”。
[0047] 另一种可能性是将HF和UHF技术集成在单个单元和壳体中。因为这将减小尺寸,所以它也能够应用于较小尺寸的打印机。还有一种可能性是“片上”集成,直接集成到打印机的主板上。同样,在这种情况下,HF和UHF技术可以以或多或少的程度集成在多频芯片解决方案中,或者集成在独立的频率相关芯片中。
[0048] 对于组合的HF/UHF询问器解决方案,要被编程的RFID介质可以是不同类型的。频率和/或空间意义上的不同解决方案是可能的。对于单个RFID嵌体/标签,存在不同的可能性,或者是一个物理芯片在HF和UHF两种频率处工作,或者是两个独立的空间分布的嵌体/标签分别在HF和/或UHF频率处工作。
[0049] 通过提供在两个频带(范围)处工作的通用类型的耦合器,本发明实现了提供空间紧凑的耦合器解决方案的技术优势,该解决方案可以容易地限制在单个标签/嵌体间距长度内。当提到间距长度时,注意的是,在RFID打印机/编码器中,各个RFID标记(标签)被设置(嵌入)在打印介质上,例如其上具有多个标签的纸卷,其中每个标签具有RFID标签。此外“间距长度”对应于打印介质上各个相邻RFID标签之间的距离。由于期望单独地编码各个RFID标签(因为通常不同的(单独的)信息必须被编码在各个标签上),所以必须实现一次仅与单个RFID标签的目标(选择性)耦合。为此,希望耦合器装置被限制至单个标签,特别是在间距长度内。
[0050] 图2示意性地示出了根据本公开内容的实施方式的电磁耦合器装置300的结构。
[0051] 具体来说,图中所示的结构是保护电路板(PCB,也称为印刷电路板)上的铜迹线,形状为细长的螺旋轨迹。
[0052] 电磁耦合器装置300包括双端线形金属结构36,该结构包括多个环形金属迹线段。在本示例中,示出了三个环形金属迹线段36a、36b和36c。然而,环形金属迹线段的数量并不限于三个;任何其他数量的环形金属迹线段(绕组)也是可以的。优选地,金属结构由铜制成,不限于这种特定的金属。
[0053] 从图中还可看出,提供了两个馈电端子31和32,彼此非常接近。在馈电端子的区域中,还可以预见一个梯结构34,在图的左手侧中间提供了它的放大图。金属迹线的每个环离开其右手侧的梯结构34,并在一次缠绕后返回到其左手侧的梯结构34,表示环形金属迹线段。
[0054] 在该梯结构中,中间的水平阴影线元件(对应于梯的“台阶”)每个都表示电感元件。因此,通常每个电感元件将一个环形金属迹线段(例如,在左手侧)的端子与下一个(即,沿着电流路径的后续)环形金属迹线段(例如,在右手侧)的端子连接。因此,在所示的示例中,迹线段36a的端子(梯的第二行中的左侧)连接到迹线段36b的端子(梯的第二行中的右侧),迹线段36b的另一个端子(梯的第三行中的左侧)连接到迹线段36c的端子(梯的第三行中的右侧)。只有在线形金属结构的开始和结束处是例外。即,第一迹线段36a的第一端子(梯的第一行中的右侧)经由电感元件连接到第一馈电端子31(梯的第一行中的左侧)。另一方面,最后一个迹线段36c的末端端子(梯的第四行中的左侧)经由电感元件连接到第二馈电端子32(梯的第四行中的右侧)。值得注意的是,由于整个结构是完全对称的,对于本公开来说,图示的哪个馈电端子(31和32)被标记为“第一”和哪个“第二”并不重要,以及因此,哪个迹线段被称为“第一”和哪个“最后”并不重要。在本具体实施方式中使用的惯例是将细长螺旋形的最里面的迹线(36a)段称为“第一”,将最外面的迹线(36c)称为“最后”,但是本领域技术人员知道这些名称可以在本发明的框架内改变为另一个惯例。
[0055] 在梯结构34中,垂直阴影线元件(在该结构的两侧,并且布置在梯的“台阶”之间,即在梯的“杆”的区域中)表示电容元件。因此,在每个迹线段的相应端子(沿着电流路径的“第一”和“第二”)和相应的相邻迹线段之间通常存在电容耦合。更具体地说,第二迹线段36b的“第一”端子与第一和第三(“最后”)迹线段36a和36c(在梯结构的右手侧)的“第一”端子电容耦合。这同样适用于相应的“第二”端子(在梯结构的左手侧)。
[0056] 只有在整体结构的开头和结尾是例外。即,在第一馈电端子31和第一迹线段36a的第二端子(梯结构34的左上角)之间以及在第二馈电端子32和第三(“最后”)迹线段36c的第一端子(梯结构34的右下角)之间存在经由电容器的耦合。
[0057] 从附图中还可看出,在给定的示例中,耦合器装置具有细长的螺旋形状,与其严格几何意义上的螺旋形状相反,后者与图示形状的不同之处在于没有任何直线部分。在附图中所示的本公开中所理解的“细长螺旋形状”围绕中心点(附图中的35)缠绕成几个绕组(每个绕组对应于一个金属迹线段)。但是,存在延伸的直线(或基本直线)部分(特别是:在绘图的宽度方向上)。从图中可以看出,每个绕组中的直线部分彼此平行布置(通过弯曲部分连接),并且馈电端子被定位成使得在它们之间有至少一个金属结构的绕组。如下面将要详细描述的,直线或基本直线部分特别有助于提高耦合效率。
[0058] 仅给出一些印象,不暗示任何限制,图2中所示结构的宽度尺寸可以是10mm(毫米)的数量级。
[0059] 图3示出了图2所示的结构的等效电路图。
[0060] 在下文中,将参照图3解释图2所示的电磁耦合器装置300的功能。
[0061] 在图中,在右手侧,金属迹线段36a、36b和36c被示为电流环路。左手侧示出了馈电端子31和32(分别标记为“端口1”和“端口2”)。在图的中央部分,示出了经由布置在梯结构34中的电容元件(C)和电感元件(L)的互连(用虚线框示意性标记)。
[0062] 由此可见,梯结构34内的互连形成了LC滤波器网络。滤波器网络将低频和高频分开。即,对于较低的频率(例如:HF),电感器表示信号的低阻抗路径,而电容器是高阻抗的。对于更高的频率(例如:UHF),情况则相反。沿着例如HF的较低频率路径,可以看到信号以连续的顺序通过环路,因此,有源环路是螺旋环路。在UHF等较高频率路径下,环路被分流,形成具有较粗金属迹线(例如:铜迹线)的单环路。
[0063] 如上所述,对于保持环路的高耦合效率来说,存在变得至关重要的要求:不要延伸超过UHF下的引导波长的一半。在这种情况下,沿着环路的电流会发生过零,这意味着朝向嵌体的耦合会降低。在高频时,电长度变得相当短,并且因此,在这种情况下,螺旋环路的匝数并不重要。在这两种情况下,沿着环的电流强度对于实现朝向嵌体的强反应性近场耦合是是重要的。
[0064] 当然,在特定实施方式中使用的电感和电容元件的电参数(值)必须根据要分离的频率值来选择和调谐,即耦合器的工作所需的频率范围。例如,在890MHz的UHF频率下,100nH的值表示560Ω的电抗,被视为高阻抗。然而,在13.56MHz的HF频率下,相应值为8.5Ω,被认为是低阻抗的。值为20pF的电容值为8.9Ω和590Ω,分别被视为低阻抗和高阻抗。
然而,给定的值仅仅是示例,本发明决不局限于此。
[0065] 在图3中,电容CPC(容性相位补偿)和电阻RQVR(用于降低Q值的电阻)是可选元件。将它们包括在内的原因如下。具有特别调谐的组件的LC网络可能具有非常高的“Q(质量)因子”,这在另一方面导致非常窄的带宽,从而影响匹配。在附加电阻器RQVR的帮助下,可以降低Q因子,从而通过具有更宽的带宽来实现更好的匹配。电容CPC的值可以设置为使系统阻抗与某个输入匹配。换句话说,CPC可以补偿螺旋的总体电感特性,从而产生总的实阻抗。然后,为了可接受的带宽/效率折衷,该实际阻抗(电阻)可以通过RQVR进一步分流到较低值。
[0066] 图4提供了包括平衡‑不平衡变换器的电路的示意图,所述平衡‑不平衡变换器适合用作本公开内容的框架中的馈电网络。一般来说,平衡‑不平衡变换器是将平衡通道(可能携带差分信号)转换为不平衡或单端通道的功能模块。
[0067] 从图中可以看出,平衡‑不平衡变换器2有一个输入端1和两个输出端7和输出端8。
[0068] 在输入端1输入预定频带的输入信号,例如来自默认的50Ω(欧姆)同轴电缆系统的信号。平衡‑不平衡变换器2将输入信号分成两个信号,在输出端7和输出端8输出。输出端7和输出端8将分别连接到电磁耦合器装置的第一馈电端子31和第二馈电端子32,用于馈电分离信号。具体来说,至少对于例如UHF特定(更高)频率范围内的输入信号,平衡‑不平衡变换器2的工作原理是将输入信号分成两个信号,这两个信号具有相同的幅度,并且彼此之间相移为180°。当在输出端7和输出端8输出时,这种信号组合被认为是“差分信号”。
[0069] 差分馈电,即在馈电端子31和馈电端子32处馈电差分信号,还表示了为什么耦合器装置的细长螺旋形状可能优于严格几何螺旋形状的原因。即,由于端子31和端子32处的差分馈电,在每个时刻,金属结构36的细长平行部分中的电流方向是相同的。这对应于更均匀分布的电流密度,并且因此,沿着耦合器的传输线环路产生磁场。这实现了与多种形状的RFID标签的高效耦合。另一方面,在金属结构的区域之外,磁场强度下降得相当快,使得磁场保持仅局限于耦合器表面的区域,并且高空间选择性不受影响。
[0070] 为了完整起见,注意到简单的螺旋形状(在其严格的数学意义上,即没有扁平的细长部分)将适合作为根据本公开内容的耦合器几何形状。然而,在顶面上均匀分布电流以实现各种RFID标签形状的增强的灵活性的特殊优势将无法由此实现。
[0071] 现在将参照图5提供平衡‑不平衡变换器2的示例实施方式的更详细解释。
[0072] 图5示出了平衡‑不平衡变换器2的特定实施方式的等效电路图,该平衡‑不平衡变换器2适合作为上面参照图2和图3描述的环路结构的馈电网络,并且通常如图4所示。
[0073] 这种结构通常用作用于UHF耦合环路的差分馈电的平衡‑不平衡变换器。
[0074] 从图中可以看出,平衡‑不平衡变换器2通常具有三端口结构,具有标记为“端口1”的输入端1和分别标记为“端口2”和“端口3”的两个输出端7和输出端8。为了明确下面的描述,将分别假设输出端7将与图3的布置300的输入端31耦合,并且输出端8将与图3的布置300的输入端32耦合。
[0075] 从图中还可以看出,输入端口1经由第一电流路径51与输出端口7连接,并且经由第二电流路径52与输出端口8连接。更具体地说,第一电流路径51经由电感元件(图示为LLP1和LLP2)连接输入端子1和输出端子7。电流路径还经由电容元件(图示为CLP和CHP2))接地。第二电流路径52通过电容元件(图示为CHP2)连接输入端1和输出端8。如图所示,电流路径还经由LC滤波器接地,该LC滤波器包括另一支路中的两个电感元件(分别图示为LLP1和LLP2)和电容元件CLP。在本图中,“LP”表示“低通”,“HP”表示“高通”。特别地可以看出,元件LLP1、LLP2和CLP分别形成了低通滤波器的结构,而在此由于历史发展原因而使用“CHP2”标签。
[0076] 基于图5的方案,可以进行以上对于图3的环路结构提供的类似的网络分析。
[0077] 在较低频率下(例如:HF),电容是高阻抗路径,电感是低阻抗路径。由此可见,从输入端1到输出端7出现低阻抗通路,而输出端8具有低阻抗接地通路。输入端1(“端口1”)在这里表示要连接到询问器40的耦合器输入,并且如上所述,输出端7(“端口2”)连接到一个环路端(为了描述的明确性,假设是馈电端子31,尽管考虑到对称性,这不是必需的)。输出端8(“端口3”)连接到另一个环路端(即,为了描述的明确性,是馈电端子32),该环路端因此接地。因此,在较低(HF)频率下,平衡‑不平衡转换器结构实际上表示一种单端解决方案。
[0078] 另一方面,在更高的频率下(例如:UHF),情况更为复杂。平衡‑不平衡变换器的部件(LLP1、LLP2、CLP和CHP2)对于所需频率(特别是:UHF)下的工作具有根据设计方程的特定值。由此,实现了在较高频率(UHF)下,平衡‑不平衡变换器结构表示一种调谐设备,以使得在环路结构36的馈电端子31和32处进行差分馈电(如上所述,在这些频率处作为单环路工作)。
[0079] 有关部件设计的详细信息,包括相应的设计方程,可参见Markus Frank、Mattias Thorsell和Peter Enoksson于2017年12月12日发表的文章“Design Equations for Lumped Element Balun With Inherent Complex Impedance Transformation(具有固有复阻抗变换的集总元件平衡‑不平衡变换器的设计方程)”,“IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques”(《IEEE微波理论与技术汇刊》),第65卷第12期。如其中所示,图5所示的平衡‑不平衡变换器拓扑仅仅是一个示例,并且在本公开内容的框架内适用的平衡‑不平衡变换器结构不限于此。例如,在电流路径之一中包括高通滤波器的拓扑以及更复杂的结构同样是可能的,以实现在UHF处具有用于差分馈电的调谐设备和在HF处具有单端结构的目标。
[0080] 然而,示例性平衡‑不平衡转换器的实现细节对于在本公开内容的框架中使用来说并不重要。唯一重要的是选择结构和部件值,以使得在较高频率范围(UHF)实现差分馈电拓扑,在较低频率范围(HF)实现单端接地拓扑。
[0081] 因此,平衡‑不平衡变换器2可以在HF和UHF两者下工作,因为单端接地连接在HF处并不表示缺点,这是由于分别在HF和UHF处工作的电长度的巨大差异。
[0082] 具有几个元件的更分布式的耦合器也是可能的,每个元件在如上所述的单个或多个频带处工作。如果需要在更宽的空间区域上编程,这甚至是所期望的。耦合器元件阵列可以适用于这种情况。
[0083] 图6示出了根据本公开内容的非限制性实施方式的实现电磁耦合器装置的多层结构的示例。
[0084] 示例性多层结构具有五个金属信号层(s1、s2、s3、s4、s5)。四个多个介电基底层(d1、d2、d3、d4)被布置在两个相邻的金属层之间,以被相邻的金属层“夹在中间”。由此,信号层被电隔离。然而,可以根据需要通过基底层中的通孔形成电连接(图中未示出)。
[0085] 在图示结构中,层s5对应于包括双端线形金属结构36的顶表面层。图6还示出了将被编码的RFID标签60,其被布置成紧邻顶表面层s5。换句话说,在打印机中,顶表面层s5位于打印机的介质路径附近,待编码的RFID标签沿着该路径被引导。
[0086] 此外,在图示结构中,层s4、s3、s2和s1分别对应于上述第一接地面层、中间信号层(可选)、第二接地面层(可选)和馈电/部件层。虽然中间信号层是用带状线技术实现的,因此总是被夹在两个接地面层之间,但是顶表面层和部件及馈电层是用微带技术实现的,与单个接地面相结合。如所示,中间信号层s3以及第二接地面层s2是可选的,因此,在最小配置中,层堆叠具有三个金属层s5、s4和s1(其中间有两个基板d4和d1)。
[0087] 根据本公开内容的装置在相关领域提供了优于传统技术的多个优点。
[0088] 根据本公开内容,一个单独的RFID打印机产品可以用于对HF和UHF嵌体(标签)进行编程,与购买单独的HF和UHF打印机产品相比,这意味着对于需要HF和UHF打印机技术的客户来说成本降低。
[0089] 由于目前HF和UHF的RFID都是可行并且同时存在的技术,因此打印机制造商可以实现更简化的生产。
[0090] 多频概念的发展也推动了尺寸更小的解决方案和集成的发展,这反过来又能在更广泛的产品中实现。
[0091] 就RFID频率范围而言,更简化的产品也可能意味着专业认证方面的成本降低。
[0092] 值得注意的是,前文已经概述了一些更相关的非限制性实施方式。对于本领域技术人员来说,将清楚的是,可以在不偏离其精神和范围的情况下对已公开的非限制性实施方式进行修改。因此,所描述的非限制性实施方式应该被认为仅仅是一些更突出的特征和应用的说明。通过以不同的方式应用非限制性实施方式,或者以本领域技术人员已知的方式修改它们,可以实现其他有益的结果。这包括在本文中明确预期的各种非限制性实施方式之间的特征、元件和/或功能的混合和匹配,使得本领域普通技术人员将根据本公开内容理解实施方式的特征、元件和/或功能可以结合到另一实施方式中。正如本领域普通技术人员根据本公开内容所理解的,除非上面另有描述,实施方式的特征、元件和/或功能可以适当地结合到另一实施方式中。虽然描述是针对特定的装置和方法进行的,但是其意图和概念可以适合并适用于其他装置和应用。
[0093] 总之,本公开内容涉及一种用于RFID嵌体、特别是用于通过电磁信号对RFID嵌体进行编码的双频反应性近场电磁耦合器装置。该装置的核心元件是螺旋或细长螺旋平面形状的双端线形金属结构,并且包括多个环形金属迹线段。所述结构连接到馈电端子,并且各个段通过形成LC滤波器网络的电感和电容元件互连,所述LC滤波器网络被布置成使得耦合器结构能够在两个不同的频率范围特别是在HF和UHF内有效工作。本公开内容还涉及一种结合双频反应性近场电磁耦合器装置的RFID打印机/编码器。

当前第1页 第1页 第2页 第3页