[0001] 本发明涉及树脂组合物和使用了该树脂组合物的树脂片、电路基板和感应器部件。

[0002] 对于在印刷布线板等电路基板上内置感应器(电感器)的感应器内置基板，为了增大感应，通常使用作为含有磁性粉体的树脂组合物的固化物的磁性层来形成。

[0003] 例如，在专利文献1中记载了：使用包含支撑体和由树脂组合物形成的树脂组合物层的树脂片，来形成感应器内置基板。

[0004] 现有技术文献

[0005] 专利文献

[0006] 专利文献1：日本特开2022‑120452号公報。

[0048] 以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，各附图仅在可理解发明的程度上概略地示出了构成要素的形状、大小和配置。本发明并不限定于以下的记
述，各构成要素可适当变更。在以下说明所使用的附图中，对同样的构成要素标注相同的标
记来表示，有时省略重复的说明。另外，本发明的实施方式所涉及的构成并不一定通过图示
例的配置来制造或使用。

[0049] [树脂组合物]

[0050] 本发明的树脂组合物包含：(A)重均分子量为600以上且小于8000的树脂低聚物、(B)环氧树脂(不包括相当于(A)成分的树脂)和(C)磁性粉体。通过使用这样的树脂组合物，
可得到相对磁导率高、损耗系数低、剥离性优异的固化物。另外，通常还可得到熔融粘度低
的树脂组合物。

[0051] 根据需要，树脂组合物可进一步包含：(D)重均分子量为8000以上的高分子化合物、(E)溶剂、(F)固化剂、(G)分散剂和(H)其它添加剂等的任选成分。

[0052] 以下，对树脂组合物中可包含的各成分进行说明。需要说明的是，在本发明中，只要没有另外明示，树脂组合物中的各成分的含量是将树脂组合物中的非挥发成分设为100
质量％时的值，非挥发成分是指树脂组合物中的除溶剂之外的全部非挥发性成分。

[0053] ＜(A)重均分子量为600以上且小于8000的树脂低聚物＞

[0054] 树脂组合物含有(A)重均分子量为600以上且小于8000的树脂低聚物作为(A)成分。通过在树脂组合物中含有(A)重均分子量为600以上且小于8000的树脂低聚物，可得到
相对磁导率高、损耗系数低、剥离性优异的树脂组合物的固化物。(A)成分可单独使用1种，
或也可将2种以上组合使用。

[0055] 由于(A)成分的分子长度比以往使用的高分子化合物短，因此树脂组合物中所含的(C)磁性粉体间的距离变短。其结果，推定磁矩变多，固化物的相对磁导率提高。

[0056] (A)成分的重均分子量为600以上、优选为700以上、更优选为800以上。上限优选为小于8000、优选为7500以下、更优选为7000以下。树脂的重均分子量是通过凝胶渗透色谱
(GPC)法测定的聚苯乙烯换算值的重均分子量。

[0057] 作为(A)重均分子量为600以上且小于8000的树脂低聚物，优选具有环氧基等热固化性官能团的热固化性树脂低聚物和热塑性树脂低聚物中的任一种，更优选热固化性树脂
低聚物。作为热固化性树脂低聚物，例如可举出：含环氧基的低聚物、酚醛树脂低聚物等。在此，“含环氧基的低聚物”表示具有环氧基的低聚物。其中，作为(A)成分，优选含环氧基的低聚物。

[0058] 含环氧基的低聚物优选在1分子中包含2个以上环氧基。另外，含环氧基的低聚物优选具有芳族结构，在使用2种以上含环氧基的低聚物的情况下，更优选至少1种具有芳族
结构。芳族结构是通常被定义为芳族的化学结构，也包含多环芳族和芳族杂环。相对于100
质量％的含环氧基的低聚物的非挥发成分，在1分子中具有2个以上环氧基的含环氧基的低
聚物的比例优选为50质量％以上、更优选为60质量％以上、特别优选为70质量％以上。

[0059] 作为含环氧基的低聚物，优选双酚型含环氧基的低聚物，优选双酚A型含环氧基的低聚物、双酚F型含环氧基的低聚物、双酚AF型含环氧基的低聚物，更优选双酚A型含环氧基
的低聚物和双酚F型含环氧基的低聚物中的任一种。作为含环氧基的低聚物的具体例，可举
出：三菱化学公司制造的“jER1001”(双酚A型含环氧基的低聚物)、“jER4005P”(双酚F型含环氧基的低聚物)、“jER1004AF”(由双酚制造的聚醚型的含环氧基的低聚物)、“jER4005P”(双酚F型含环氧基的低聚物)、“jER1010”(双酚A型环氧树脂)、DIC公司制造的“EXA‑4850‑
150”(改性双酚型环氧树脂)等。这些可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。

[0060] 含环氧基的低聚物的环氧当量优选为50g/eq.～5000g/eq.、更优选为50g/eq.～3000g/eq.、进一步优选为80g/eq.～2000g/eq.、更进一步优选为110g/eq.～1000g/eq.。通
过为该范围，固化物的交联密度变得充分，可带来表面粗糙度小的磁性层。需要说明的是，
环氧当量可依据JIS K7236来测定，是包含1当量环氧基的树脂的质量。

[0061] 作为酚醛树脂低聚物，可使用市售品。作为酚醛树脂低聚物的市售品，可举出：丸善石油化学公司制造的“S‑1P”、“S‑1P”等。

[0062] 在将树脂组合物中的非挥发成分设为100质量％的情况下，从显著地得到本发明效果的观点出发，(A)成分的含量优选为0.1质量％以上、更优选为0.2质量％以上、进一步
优选为0.25质量％以上，优选为5质量％以下、更优选为3质量％以下、进一步优选为1质
量％以下。

[0063] ＜(B)环氧树脂＞

[0064] 树脂组合物含有(B)环氧树脂作为(B)成分。在作为该(B)成分的(B)环氧树脂中不含相当于上述的(A)成分的树脂。通过在树脂组合物中含有(B)环氧树脂，可得到剥离性优
异的树脂组合物的固化物。(B)环氧树脂可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。

[0065] 作为(B)环氧树脂，例如可举出：双酚A型环氧树脂；双酚F型环氧树脂；双酚S型环氧树脂；双酚AF型环氧树脂；双环戊二烯型环氧树脂；三酚型环氧树脂；苯酚酚醛清漆型环
氧树脂；叔丁基邻苯二酚型环氧树脂；萘酚酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、萘酚型环
氧树脂、蒽型环氧树脂等具有稠环结构的环氧树脂；缩水甘油基胺型环氧树脂；缩水甘油基
酯型环氧树脂；甲酚酚醛清漆型环氧树脂；联苯型环氧树脂；线性脂族环氧树脂；具有丁二
烯结构的环氧树脂；脂环式环氧树脂；杂环式环氧树脂；含螺环的环氧树脂；环己烷二甲醇
型环氧树脂；三羟甲基型环氧树脂；四苯基乙烷型环氧树脂；环状脂族二缩水甘油基醚型环
氧树脂等。环氧树脂可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。(B)环氧树脂优选为选自双
酚A型环氧树脂和双酚F型环氧树脂的1种以上，更优选包含双酚A型环氧树脂和双酚F型环
氧树脂。

[0066] (B)环氧树脂优选包含在1分子中具有2个以上环氧基的环氧树脂。另外，(B)环氧树脂优选具有芳族结构，在使用2种以上环氧树脂的情况下，更优选至少1种具有芳族结构。
芳族结构是指通常被定义为芳族的化学结构，也包含多环芳族和芳族杂环。相对于100质
量％的环氧树脂的非挥发成分，在1分子中具有2个以上环氧基的环氧树脂的比例优选为50
质量％以上、更优选为60质量％以上、特别优选为70质量％以上。

[0067] 环氧树脂包括在温度25℃下为液态的环氧树脂(以下，有时称为“液态环氧树脂”)和在温度25℃下为固态的环氧树脂(以下，有时称为“固态环氧树脂”)。对于树脂组合物而
言，作为(B)环氧树脂，可以仅包含液态环氧树脂，也可以仅包含固态环氧树脂，还可以组合包含液态环氧树脂和固态环氧树脂，从降低树脂组合物粘度的观点出发，优选仅包含液态
环氧树脂。

[0068] 作为液态环氧树脂，优选甘草醇型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、萘型环氧树脂、缩水甘油基酯型环氧树脂、缩水甘油基胺型环氧树
脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、具有酯骨架的脂环式环氧树脂、环己烷二甲醇型环氧树脂、
环状脂族二缩水甘油基醚型环氧树脂、环状脂族缩水甘油基醚型环氧树脂、环状脂族缩水
甘油基醚型环氧树脂和具有丁二烯结构的环氧树脂，更优选双酚A型环氧树脂和双酚F型环
氧树脂。作为液态环氧树脂的具体例，可举出：DIC公司制造的“HP4032”、“HP4032D”、
“HP4032SS”(萘型环氧树脂)；三菱化学公司制造的“828US”、“jER828EL”(双酚A型环氧树脂)、“jER807”(双酚F型环氧树脂)、“jER152”(苯酚酚醛清漆型环氧树脂)；三菱化学公司制造的“630”、“630LSD”；ADEKA公司制造的“ED‑523T”(甘草醇型环氧树脂(ADEKA甘草醇))、“EP‑3980S”(缩水甘油基胺型环氧树脂)、“EP‑4088S”(双环戊二烯型环氧树脂)；日铁化学材料公司制造的“ZX1059”(双酚A型环氧树脂与双酚F型环氧树脂的混合品)、“EX‑201”(环状脂族缩水甘油基醚型环氧树脂)、“ZX1658”、“ZX1658GS”(环状脂族二缩水甘油基醚型环氧树脂)；Nagase ChemteX公司制造的“EX‑721”(缩水甘油基酯型环氧树脂)；大赛璐公司制造的“Celloxide2021P”(具有酯骨架的脂环式环氧树脂)、“PB‑3600”(具有丁二烯结构的环氧树脂)等。这些可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。

[0069] 作为固态环氧树脂，优选萘型四官能环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、三酚型环氧树脂、萘酚型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘醚型环氧树脂、蒽型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂。作为固态环氧树脂的具体例，可举出：DIC公司制造的“HP4032H”(萘型环氧树脂)、“HP‑4700”、“HP‑4710”(萘型四官能环氧树脂)、“N‑690”(甲酚酚醛清漆型环氧树脂)、“N‑695”(甲酚酚醛清漆型环氧树脂)、“HP‑
7200”、“HP‑7200HH”、“HP‑7200H”(双环戊二烯型环氧树脂)、“EXA‑7311”、“EXA‑7311‑G3”、“EXA‑7311‑G4”、“EXA‑7311‑G4S”、“HP6000”(萘醚型环氧树脂)；日本化药公司制造的“EPPN‑502H”(三酚型环氧树脂)、“NC7000L”(萘酚酚醛清漆型环氧树脂)、“NC3000H”、“NC3000”、“NC3000L”、“NC3100”(联苯型环氧树脂)；日铁化学材料公司制造的“ESN475V”(萘型环氧树脂)、“ESN485”(萘酚酚醛清漆型环氧树脂)；三菱化学公司制造的“YX4000H”、“YL6121”(联苯型环氧树脂)、“YX4000HK”(联二甲酚型环氧树脂)、“YX8800”(蒽型环氧树脂)；大阪燃气化学公司制造的“PG‑100”、“CG‑500”；三菱化学公司制造的“YL7760”(双酚AF型环氧树脂)、“YL7800”(芴型环氧树脂)、“jER1010”(固态双酚A型环氧树脂)、“jER1031S”(四苯基乙烷型环氧树脂)等。这些可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。

[0070] 作为(B)环氧树脂，在并用液态环氧树脂和固态环氧树脂的情况下，它们的量比(液态环氧树脂：固态环氧树脂)以质量比计优选1：0.1～1：4的范围。通过使液态环氧树脂
与固态环氧树脂的量比为所述范围，可获得能够得到具有充分的断裂强度的固化物等的效
果。从上述效果的观点出发，液态环氧树脂与固态环氧树脂的量比(液态环氧树脂：固态环
氧树脂)以质量比计更优选为1：0.3～1：3.5的范围、进一步优选为1：0.6～1：3的范围、特别优选为1：0.8～1：2.5的范围。

[0071] (B)环氧树脂的环氧当量优选为50g/eq.～5000g/eq.、更优选为50g/eq.～3000g/eq.、进一步优选为80g/eq.～2000g/eq.、更进一步优选为110g/eq.～1000g/eq.。通过为该
范围，固化物的交联密度变得充分，可带来表面粗糙度小的磁性层。需要说明的是，环氧当
量可依据JIS K7236来测定，是包含1当量环氧基的树脂的质量。

[0072] (B)环氧树脂的重均分子量优选小于600、更优选为500以下、进一步优选为400以下。对下限没有特别限定，为100以上、更优选为150以上、进一步优选为200以上。

[0073] 从得到显示出良好的机械强度的磁性层的观点出发，在将树脂组合物中的非挥发成分设为100质量％的情况下，(B)环氧树脂的含量(质量％)优选为0.1质量％以上、更优选
为0.3质量％以上、进一步优选为0.5质量％以上、进一步优选为1质量％以上。对环氧树脂
的含量的上限没有特别限定，只要发挥本发明的效果即可，优选为5质量％以下、更优选为3
质量％以下、进一步优选为2质量％以下。

[0074] 在将树脂组合物中的非挥发成分设为100体积％的情况下，(B)环氧树脂的含量(体积％)优选为1质量％以上、更优选为3质量％以上、进一步优选为5质量％以上。对上限
没有特别限定，只要发挥本发明的效果即可，优选为25质量％以下、更优选为20质量％以
下、进一步优选为15质量％以下。

[0075] ＜(C)磁性粉体＞

[0076] 树脂组合物含有(C)磁性粉体作为(C)成分。通过在树脂组合物中含有(C)磁性粉体，可提高树脂组合物的固化物的相对磁导率，且可降低损耗系数。(C)磁性粉体可单独使
用1种，或也可并用2种以上。

[0077] (C)磁性粉体可使用相对磁导率大于1的材料的颗粒。作为(C)磁性粉体的一个实施方式，优选包含纳米晶磁性粉和小直径磁性粉中的任一种，更优选包含纳米晶磁性粉。

[0078] 术语“纳米晶磁性粉”是指包含粒径为100nm以下的晶粒的磁性粉。对晶粒的粒径的下限没有特别限制，优选为1nm以上。其中，纳米晶磁性粉优选晶粒的最大粒径为100nm以
下。通常，在纳米晶磁性粉的1个颗粒中包含多个晶粒，因此，纳米晶磁性粉的颗粒可以是多晶体。晶粒的大小例如可通过TEM(透射型电子显微镜)来观察。由于纳米晶磁性粉含有晶
粒，因此通常可在X射线衍射图案中显示出表示结晶性的峰。作为晶粒所具有的晶体结构，
例如可举出：bcc晶体结构(体心立方晶格结构)，但也可以是除此以外的晶体结构。

[0079] 纳米晶磁性粉通常以颗粒的状态包含在树脂组合物中。纳米晶磁性粉可以是在其颗粒的至少一部分中包含晶粒的磁性粉，优选在颗粒的表层包含晶粒的磁性粉，更优选在
颗粒的整体中包含晶粒的磁性粉，特别优选仅由晶粒构成的磁性粉。

[0080] 纳米晶磁性粉通常具有5.5μm以上且20μm以下的范围的粒径。纳米晶磁性粉的粒径可通过基于米氏(Mie)散射理论的激光衍射/散射法来测定。具体而言，可通过激光衍射
散射式粒径分布测定装置，以体积基准制作纳米晶磁性粉的粒径分布，根据其粒径分布来
测定。测定样品可优选使用通过超声波使磁性粉分散于纯水中而得的样品。作为激光衍射
散射式粒径分布测定装置，可使用MicrotracBEL公司制造的“MT3000II”、堀场制作所公司
制造的“LA‑960”、岛津制作所公司制造的“SALD‑2200”等。

[0081] 纳米晶磁性粉的平均粒径D50通常为5.5μm以上、优选为5.7μm以上、更优选为5.9μm以上，通常为20μm以下、优选为18μm以下、更优选为16μm以下。通过使用具有这样范围的平均粒径D50的纳米晶磁性粉，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。纳米晶磁性粉的平均粒径D50表示体积基准的中值粒径，可根据通过所述激光衍射/散射法测定的体积基准的粒径分布来测定。

[0082] 纳米晶磁性粉的体积基准的粒径分布通常遵循正态分布。因此，纳米晶磁性粉可具有小于该纳米晶磁性粉的平均粒径D50的10％粒径D10和大于该纳米晶磁性粉的平均粒径
D50的90％粒径D90。在此，10％粒径D10表示在体积基准的粒径分布中从粒径小的一侧累积的体积的累计量为10％时的粒径。另外，90％粒径D90表示在体积基准的粒径分布中从粒径小
的一侧累积的体积的累计量为90％时的粒径。纳米晶磁性粉的10％粒径D10和90％粒径D90
可根据通过所述激光衍射/散射法测定的体积基准的粒径分布来测定。

[0083] 纳米晶磁性粉的10％粒径D10优选大于2.0μm、更优选为2.4μm以上、特别优选为2.8μm以上。上限为平均粒径D50以下，例如可以是10μm以下、8μm以下、6μm以下等。在纳米晶磁性粉的10％粒径D10处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0084] 纳米晶磁性粉的90％粒径D90优选为60μm以下、更优选为50μm以下、特别优选为40μm以下。下限为平均粒径D50以上，例如可以是6μm以上、8μm以上、10μm以上等。在纳米晶磁性粉的90％粒径D90处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0085] 纳米晶磁性粉的10％粒径D10与90％粒径D90之差D90‑D10优选为1μm以上、更优选为3μm以上、特别优选为5μm以上，优选为40μm以下、更优选为35μm以下、特别优选为30μm以下。在差D90‑D10处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0086] 纳米晶磁性粉的10％粒径D10与90％粒径D90之比D90/D10优选为1.1以上、更优选为2以上、特别优选为3以上，优选为10以下、更优选为8以下、特别优选为6以下。在比D90/D10处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0087] 纳米晶磁性粉可以是具有大于1的相对磁导率的磁性材料的颗粒。该磁性材料通常为无机材料，可以是软磁性材料，也可以是硬磁性材料。另外，磁性材料可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。其中，从抑制纳米晶磁性粉的偏析的观点出发，作为纳米晶磁性
粉中所含的磁性材料，优选软磁性材料。

[0088] 作为纳米晶磁性粉所含的磁性材料，例如可举出：磁性金属氧化物、磁性金属。其中，纳米晶磁性粉所含的磁性材料优选包含铁(Fe)。因此，作为纳米晶磁性粉所含的磁性材
料，可举出：具有结晶性的铁合金磁性材料、具有结晶性的铁氧体磁性材料等。从相对磁导
率和损耗系数的观点出发，纳米晶磁性粉所含的磁性材料优选具有下述组成：与Fe组合地
进一步含有选自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W和V的1种以上的元素。

[0089] 作为纳米晶磁性粉中所含的磁性材料的优选例，可举出：日本特开2021‑158343号公报、日本特开2021‑141267号公报、日本特开2019‑31463号公报、日本特开2021‑11602号公报等中记载的磁性材料。

[0090] 在所述例子之中，从相对磁导率和损耗系数的观点出发，优选Fe‑Si‑Nb‑B合金粉。Fe‑Si‑Nb‑B合金粉表示由含有Fe、Si、Nb和B的合金形成的磁性粉。

[0091] 纳米晶磁性粉优选包含所述磁性材料，优选仅包含所述磁性材料。另外，纳米晶磁性粉可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。

[0092] 纳米晶磁性粉例如可通过雾化法(atomization method)来制造。作为纳米晶磁性粉的制造方法的具体例，可举出：日本特开2021‑141267号公报、日本特开2021‑158343号公报中记载的方法。

[0093] 另外，纳米晶磁性粉可使用市售品。作为包含纳米晶磁性粉的市售的磁性粉，例如可举出：Epson Atmix公司制造的“KUAMET NC1‑53μm”、“KUAMET NC1‑38μm”、“ATFINE‑NC1 PF10FA”等。需要说明的是，在从市场获取纳米晶磁性粉的情况下，根据需要，可将市售的磁性粉进行分级后使用。

[0094] 纳米晶磁性粉优选为球形。作为纳米晶磁性粉的颗粒的长轴长度除以短轴长度而得的值(纵横比)，优选为2以下、更优选为1.5以下、进一步优选为1.2以下，通常为1以上、优选大于1、更优选为1.05以上。

[0095] 相对于100质量％的树脂组合物的非挥发成分，纳米晶磁性粉的含量(质量％)优选为30质量％以上、更优选为40质量％以上、进一步优选为50质量％以上，优选为90质量％
以下、更优选为85质量％以下、进一步优选为80质量％以下。在纳米晶磁性粉的含量处于所
述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0096] 相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，纳米晶磁性粉的含量(体积％)优选为23体积％以上、更优选为25体积％以上、进一步优选为28体积％以上，优选为60体积％
以下、更优选为50体积％以下、进一步优选为40体积％以下。在纳米晶磁性粉的含量处于所
述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0097] 小直径磁性粉通常以颗粒的状态包含在树脂组合物中。该小直径磁性粉通常具有2μm以下的粒径。小直径磁性粉的粒径可通过与纳米晶磁性粉的粒径相同的方法来测定。

[0098] 小直径磁性粉的平均粒径D50通常为2μm以下、优选为1.5μm以下、更优选为1μm以下。下限例如可以是0.01μm以上、0.1μm以上等。通过使用具有这样范围的平均粒径D50的小直径磁性粉，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。小直径磁性原料粉的平均粒径D50表示体积基准的中值粒径，可通过与纳米晶磁性粉的平均粒径D50相同的方法来测定。

[0099] 小直径磁性粉的体积基准的粒径分布通常遵循正态分布。因此，小直径磁性粉可具有小于该小直径磁性粉的平均粒径D50的10％粒径D10和大于该小直径磁性粉的平均粒径
D50的90％粒径D90。小直径磁性粉的10％粒径D10和90％粒径D90可通过与纳米晶磁性粉的
10％粒径D10和90％粒径D90相同的方法来测定。

[0100] 小直径磁性粉的10％粒径D10优选为0.01μm以上、更优选为0.02μm以上、特别优选为0.03μm以上。上限为平均粒径D50以下，例如可以是1μm以下、0.7μm以下、0.5μm以下等。在小直径磁性粉的10％粒径D10处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离
性。

[0101] 小直径磁性粉的90％粒径D90优选为小于5.5μm、更优选为4μm以下、特别优选为2μm以下。下限为平均粒径D50以上，例如可以是0.5μm以上、0.8μm以上、1μm以上等。在小直径磁性粉的90％粒径D90处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0102] 小直径磁性粉的10％粒径D10与90％粒径D90之差D90‑D10优选为0.1μm以上、更优选为0.3μm以上、特别优选为0.5μm以上，优选为5μm以下、更优选为4μm以下、特别优选为3μm以下。在差D90‑D10处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0103] 小直径磁性粉的10％粒径D10与90％粒径D90之比D90/D10优选为1.1以上、更优选为1.5以上、特别优选为2以上，优选为50以下、更优选为40以下、特别优选为30以下。在比D90/D10处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0104] 小直径磁性粉可以是包含晶粒的纳米晶磁性粉，可以是不含晶粒的非晶磁性粉，可以是纳米晶磁性粉以外的晶体磁性粉，也可以是将它们进行组合。纳米晶磁性粉如上所
述。另一方面，由于非晶磁性材料是非晶质的，因此通常在X射线衍射图案中不显示表示结
晶性的特定峰。通常，在非晶磁性粉的X射线衍射图案中，出现没有表示结晶性的峰的宽的
图案。

[0105] 小直径磁性粉可以是具有大于1的相对磁导率的磁性材料的颗粒。该磁性材料通常为无机材料，可以是软磁性材料，也可以是硬磁性材料。另外，磁性材料可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。其中，从抑制小直径磁性粉的偏析的观点出发，作为小直径磁性
粉中所含的磁性材料，优选软磁性材料。

[0106] 作为小直径磁性粉所含的磁性材料，例如可举出：磁性金属氧化物材料、磁性金属材料。

[0107] 作为磁性金属氧化物材料，例如可举出：铁氧体系的磁性材料；以及氧化铁粉(III)、四氧化三铁粉等氧化铁材料等。其中，优选铁氧体系的磁性材料。铁氧体系的磁性材料通常是以氧化铁为主要成分的复合氧化物，化学稳定。因此，在使用铁氧体系的磁性材料
的情况下，可获得耐腐蚀性高、起火的危险性低、难以退磁等优点。

[0108] 作为铁氧体系的磁性材料，例如可举出：Fe‑Mn系铁氧体、Fe‑Mn‑Mg系铁氧体、Fe‑Mn‑Mg‑Sr系铁氧体、Fe‑Mg‑Zn系铁氧体、Fe‑Mg‑Sr系铁氧体、Fe‑Zn‑Mn系铁氧体、Fe‑Cu‑Zn系铁氧体、Fe‑Ni‑Zn系铁氧体、Fe‑Ni‑Zn‑Cu系铁氧体、Fe‑Ba‑Zn系铁氧体、Fe‑Ba‑Mg系铁氧体、Fe‑Ba‑Ni系铁氧体、Fe‑Ba‑Co系铁氧体、Fe‑Ba‑Ni‑Co系铁氧体、Fe‑Y系铁氧体等。

[0109] 在铁氧体系的磁性材料之中，优选包含选自Mn、Zn、Ni和Cu的至少1种元素的铁氧体，特别优选包含Mn的铁氧体。因此，作为优选的铁氧体系的磁性材料，例如可举出：Fe‑Mn系铁氧体、Fe‑Mn‑Mg系铁氧体、Fe‑Mn‑Mg‑Sr系铁氧体、Fe‑Mg‑Zn系铁氧体、Fe‑Zn‑Mn系铁氧体、Fe‑Cu‑Zn系铁氧体、Fe‑Ni‑Zn系铁氧体、Fe‑Ni‑Zn‑Cu系铁氧体、Fe‑Ba‑Zn系铁氧体、Fe‑Ba‑Ni系铁氧体、Fe‑Ba‑Ni‑Co系铁氧体。其中，优选Fe‑Mn系铁氧体、Fe‑Mn‑Mg系铁氧体、Fe‑Mn‑Mg‑Sr系铁氧体和Fe‑Zn‑Mn系铁氧体，特别优选Fe‑Mn系铁氧体。Fe‑Mn铁氧体表示含有Fe和Mn的铁氧体。

[0110] 作为磁性金属材料，例如可举出：纯铁；Fe‑Si系合金、Fe‑Si‑Al系合金、Fe‑Cr系合金、Fe‑Cr‑Si系合金、Fe‑Ni‑Cr系合金、Fe‑Cr‑Al系合金、Fe‑Ni系合金、Fe‑Ni‑B系合金、Fe‑Ni‑Mo系合金、Fe‑Ni‑Mo‑Cu系合金、Fe‑Co系合金、Fe‑Ni‑Co系合金、Co基非晶合金等晶质或非晶质的合金磁性材料等。在磁性金属材料之中，更优选铁合金系磁性材料。从相对磁导率和损耗系数的观点出发，优选包含Fe和选自Si、Cr、Al、Ni和Co的至少1种元素的铁合金系磁性材料，特别优选Fe‑Si‑Cr系合金。Fe‑Si‑Cr系合金材料表示含有Fe、Si和Cr的合金。

[0111] 作为小直径磁性粉所含的磁性材料，可使用作为纳米晶磁性粉的磁性材料而说明的磁性材料。小直径磁性粉所含的磁性材料和纳米晶磁性粉的磁性材料可相同也可不同。

[0112] 小直径磁性粉优选包含所述磁性材料，优选仅包含所述磁性材料。另外，小直径磁性粉可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。

[0113] 作为小直径磁性粉，可使用市售的磁性粉。作为市售的磁性粉的具体例，可举出：Powdertech公司制造的“MZ03S”、“M05S”、“M001”、“MZ05S”；山阳特殊制钢公司制造的“PST‑S”；Epson Atmix公司制造的“AW2‑08”、“AW2‑08PF20F”、“AW2‑08PF10F”、“AW2‑08PF3F”、“Fe‑3.5Si‑4.5CrPF20F”、“Fe‑50NiPF20F”、“Fe‑80Ni‑4MoPF20F”、“ATFINE‑NC1 PF5FA”、“ATFINE‑NC1 PF3FA”；JFE化学公司制造的“CVD铁粉(0.7μm)”、“LD‑M”、“LD‑MH”、“KNI‑
106”、“KNI‑106GSM”、“KNI‑106GS”、“KNI‑109”、“KNI‑109GSM”、“KNI‑109GS”；户田工业公司制造的“KNS‑415”、“BSF‑547”、“BSF‑029”、“BSN‑125”、“BSN‑125”、“BSN‑714”、“BSN‑828”、“S‑1281”、“S‑1641”、“S‑1651”、“S‑1470”、“S‑1511”、“S‑2430”；日本重化学工业公司制造的“JR09P2”；CIK Nanotek公司制造的“Nanotek”；KINSEI MATEC公司制造的“JEMK‑S”、“JEMK‑H”；ALDRICH公司制造的“氧化铱铁”；DOWA Electronics公司制造的“MA‑RCO‑5”等。
在从市场获取小直径磁性粉的情况下，根据需要，可将市售的磁性粉进行分级后使用。

[0114] 小直径磁性粉优选为球形。小直径磁性粉的颗粒的纵横比的范围可与纳米晶磁性粉的纵横比的范围相同。小直径磁性粉的纵横比和纳米晶磁性粉的纵横比可相同也可不
同。

[0115] 相对于100质量％的树脂组合物的非挥发成分，小直径磁性粉的含量(质量％)优选为1质量％以上、进一步优选为5质量％以上、特别优选为8质量％以上，优选为50质量％
以下、优选为40质量％以下、进一步优选为35质量％以下。在小直径磁性粉的含量处于所述
范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0116] 相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，小直径磁性粉的含量(体积％)优选为5体积％以上、更优选为6体积％以上、进一步优选为7体积％以上，优选为30体积％以
下、更优选为26体积％以下、进一步优选为22体积％以下。在使用这样含量的小直径磁性粉
的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0117] 相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，纳米晶磁性粉的含量(体积％)用“V(A)”表示，小直径磁性粉的含量(体积％)用“V(B)”表示。在这种情况下，树脂组合物中所含的纳米晶磁性粉与小直径磁性粉的体积比(纳米晶磁性粉/小直径磁性粉)可用“V(A)/V
(B)”表示。该体积比V(A)/V(B)通常为0.8以上、优选为1以上、更优选为1.2以上、特别优选为1.4以上，通常为12以下、优选为8.4以下、更优选为7.0以下、进一步优选为6.0以下、特别优选为5.0以下。在体积比V(A)/V(B)处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数
和剥离性。

[0118] 另外，相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，树脂组合物中所含的纳米晶磁性粉与小直径磁性粉的总计量(体积％)可用“V(A)+V(B)”表示。该总计量(体积％)V(A)+
V(B)通常为28体积％以上、优选为34体积％以上、进一步优选为38体积％以上、特别优选为
40体积％以上，优选为72体积％以下、更优选为68体积％以下、进一步优选为64体积％以
下、特别优选为60体积％以下。在纳米晶磁性粉与小直径磁性粉的总计量(体积％)V(A)+V
(B)处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0119] 相对于100质量％的树脂组合物的非挥发成分，纳米晶磁性粉的含量(质量％)用“M(A)”表示，小直径磁性粉的含量(质量％)用“M(B)”表示。在这种情况下，树脂组合物中所含的纳米晶磁性粉与小直径磁性粉的质量比((A)纳米晶磁性粉/(B)小直径磁性粉)可用“M
(A)/M(B)”表示。该质量比M(A)/M(B)优选为1以上、更优选为3以上、特别优选为5以上，优选为15以下、更优选为10以下、特别优选为9以下。在质量比M(A)/M(B)处于所述范围的情况
下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0120] 另外，相对于100质量％的树脂组合物的非挥发成分，树脂组合物中所含的纳米晶磁性粉与小直径磁性粉的总计量(质量％)可用“M(A)+M(B)”表示。该总计量(质量％)M(A)+
M(B)优选为40质量％以上、更优选为45质量％以上、进一步优选为50质量％以上、特别优选
为53质量％以上，优选为95质量％以下、更优选为90质量％以下、特别优选为88质量％以
下。在总计量(质量％)M(A)+M(B)处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和
剥离性。

[0121] (C)磁性粉体可进一步包含与纳米晶磁性粉和小直径磁性粉不同的磁性粉。有时将与纳米晶磁性粉和小直径磁性粉不同的磁性粉称为“中间磁性粉”。

[0122] 中间磁性粉包含下述(C1)和(C2)的磁性粉。

[0123] (C1)磁性粉，其是纳米晶磁性粉，并且具有大于2μm且小于5.5μm的粒径。

[0124] (C2)磁性粉，其是纳米晶磁性粉以外的磁性粉，并且具有大于2μm且20μm以下的粒径。

[0125] 通过在树脂组合物中含有中间磁性粉，可增大树脂组合物中的磁性粉体的比例，因此可增大树脂组合物的固化物的相对磁导率。通常，根据中间磁性粉，可增大固化物的损
耗系数，但由于中间磁性粉具有小的粒径，因此可抑制其损耗系数的增大程度。因此，根据
中间磁性粉，通常可在抑制损耗系数增大的同时提高相对磁导率。

[0126] 具体而言，中间磁性粉的平均粒径D50通常大于2μm、优选为2.5μm以上、更优选为3μm以上，通常为小于纳米晶磁性粉的平均粒径、优选为小于5.5μm、更优选为5μm以下。在使用具有这样范围的平均粒径D50的中间磁性粉的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。中间磁性粉的平均粒径D50表示体积基准的中值粒径，可通过与纳米晶磁性粉的平均粒
径D50相同的方法来测定。

[0127] 中间磁性粉的体积基准的粒径分布通常遵循正态分布。因此，中间磁性粉可具有小于该中间磁性原料粉的平均粒径D50的10％粒径D10和大于该中间磁性粉的平均粒径D50的
90％粒径D90。中间磁性原料粉的10％粒径D10和90％粒径D90可通过与纳米晶磁性粉的10％
粒径D10和90％粒径D90相同的方法来测定。

[0128] 中间磁性粉的10％粒径D10优选为1μm以上、更优选为1.3μm以上、进一步优选为1.5μm以上。上限为平均粒径D50以下，例如可以是5μm以下、4μm以下、3μm以下等。在中间磁性粉的10％粒径D10处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0129] 中间磁性粉的90％粒径D90优选为小于10μm、更优选为9μm以下、特别优选为8μm以下。下限为平均粒径D50以上，例如可以是3μm以上、4μm以上、5μm以上等。在中间磁性粉的90％粒径D90处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0130] 中间磁性粉的10％粒径D10与90％粒径D90之差D90‑D10优选为0.1μm以上、更优选为1μm以上、特别优选为2μm以上，优选为9μm以下、更优选为7μm以下、特别优选为5μm以下。在差D90‑D10处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0131] 中间磁性粉的10％粒径D10与90％粒径D90之比D90/D10优选为1.1以上、更优选为1.5以上、特别优选为2以上，优选为10以下、更优选为8以下、特别优选为6以下。在比D90/D10处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0132] 中间磁性粉可以是包含晶粒的纳米晶磁性粉，可以是不含晶粒的非晶磁性粉，可以是纳米晶磁性粉以外的晶体磁性粉，也可以是将它们进行组合。该中间磁性粉可以是具
有大于1的相对磁导率的磁性材料的颗粒。作为中间磁性粉所含的磁性材料，可使用作为小
直径磁性粉的磁性材料而说明的磁性材料。中间磁性粉所含的磁性材料和小直径磁性粉的
磁性材料可相同也可不同。中间磁性粉优选包含所述磁性材料，优选仅包含所述磁性材料。
另外，中间磁性粉可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。

[0133] 作为中间磁性粉，可使用市售的磁性粉。作为市售的磁性粉的具体例，可举出：与小直径磁性粉同样的例子。在从市场获取中间磁性粉的情况下，根据需要，可将市售的磁性
粉进行分级后使用。

[0134] 中间磁性粉优选为球形。中间磁性粉的颗粒的纵横比的范围可与纳米晶磁性粉的纵横比的范围相同。中间磁性粉的纵横比和纳米晶磁性粉的纵横比可相同也可不同。另外，
中间磁性粉的纵横比和小直径磁性粉的纵横比可相同也可不同。

[0135] 相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，中间磁性粉的含量(体积％)可以是0体积％、可大于0体积％、优选为1体积％以上、更优选为3体积％以上、特别优选为5体
积％以上，优选为25体积％以下、更优选为15体积％以下、特别优选为13体积％以下。在中
间磁性粉的含量处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0136] 相对于100质量％的树脂组合物的非挥发成分，中间磁性粉的含量(质量％)可以是0质量％、可大于0质量％、优选为1质量％以上、进一步优选为5质量％以上、特别优选为8质量％以上，优选为20质量％以下、优选为15质量％以下、进一步优选为10质量％以下。在
中间磁性粉的含量处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0137] 相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，中间磁性粉的量(体积％)用“V(C)”表示。在这种情况下，树脂组合物中所含的纳米晶磁性粉与中间磁性粉的体积比(中间
磁性粉/纳米晶磁性粉)可用“V(C)/V(A)”表示。该体积比V(C)/V(A)可以是0、可大于0、优选为0.01以上、更优选为0.1以上，优选为1.0以下、更优选为0.9以下、特别优选为0.8以下。在体积比V(C)/V(A)处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0138] 另外，树脂组合物中所含的小直径磁性粉与中间磁性粉的体积比(中间磁性粉/小直径磁性粉)可用“V(C)/V(B)”表示。该体积比V(C)/V(B)可以是0、可大于0、优选为0.01以上、更优选为0.1以上，优选为8以下、更优选为5以下、特别优选为2以下。在体积比V(C)/V
(B)处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0139] 相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，纳米晶磁性粉、小直径磁性粉和中间磁性粉的总计量(体积％)优选为70体积％以上、优选为75体积％以上、特别优选为80体
积％以上，优选为95体积％以下、更优选为90体积％以下、特别优选为85体积％以下。在纳
米晶磁性粉、小直径磁性粉和中间磁性粉的总计量(体积％)处于所述范围的情况下，可改
善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0140] 相对于100体积％的树脂组合物中的所有磁性粉体的总计量，纳米晶磁性粉、小直径磁性粉和中间磁性粉的总计量(体积％)优选为50体积％以上、更优选为60体积％以上、
特别优选为70体积％以上，通常为100体积％以下。该数值大表示树脂组合物中的粒径大于
20μm的巨大磁性粉体少。在纳米晶磁性粉、小直径磁性粉和中间磁性粉的总计量(体积％)
处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0141] 相对于100质量％的树脂组合物的非挥发成分，中间磁性粉的含量(质量％)用“M(C)”表示。在这种情况下，树脂组合物中所含的纳米晶磁性粉与中间磁性粉的质量比(中间
磁性粉/纳米晶磁性粉)可用“M(C)/M(A)”表示。该质量比M(C)/M(A)可以是0、可大于0、优选为1以上、更优选为3以上、特别优选为5以上，优选为15以下、更优选为10以下、特别优选为9以下。在质量比M(C)/M(A)处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0142] 另外，树脂组合物中所含的小直径磁性粉与中间磁性粉的质量比(中间磁性粉/小直径磁性粉)可用“M(C)/M(B)”表示。该质量比M(C)/M(B)可以是0、可大于0、优选为0.01以上、更优选为0.1以上、进一步优选为0.5以上，优选为8以下、更优选为5以下、特别优选为
1.5以下。在质量比M(C)/M(B)处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离
性。

[0143] 相对于100质量％的树脂组合物的非挥发成分，纳米晶磁性粉、小直径磁性粉和中间磁性粉的总计量(质量％)优选为40质量％以上、优选为50质量％以上、特别优选为60质
量％以上，优选为99质量％以下、更优选为98质量％以下。在纳米晶磁性粉、小直径磁性粉
和中间磁性粉的总计量(质量％)处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和
剥离性。

[0144] 相对于100质量％的树脂组合物中的所有磁性粉体的总计量，纳米晶磁性粉、小直径磁性粉和中间磁性粉的总计量(质量％)优选为50质量％以上、更优选为60质量％以上、
特别优选为70质量％以上，通常为100质量％以下。该数值大表示树脂组合物中的粒径大于
20μm的巨大磁性粉体少。在纳米晶磁性粉、小直径磁性粉和中间磁性粉的总计量(质量％)
处于所述范围的情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0145] 相对于100体积％的树脂组合物的非挥发成分，(C)磁性粉体的含量(体积％)优选为70体积％以上、优选为75体积％以上、特别优选为80体积％以上，优选为95体积％以下、
更优选为90体积％以下、特别优选为85体积％以下。在(C)磁性粉体的含量处于所述范围的
情况下，可改善相对磁导率、损耗系数和剥离性。

[0146] 相对于100质量％的树脂组合物的非挥发成分，(C)磁性粉体的含量(质量％)优选为40质量％以上、优选为50质量％以上、特别优选为60质量％以上，优选为99质量％以下、
更优选为98质量％以下。在(C)磁性粉体的含量处于所述范围的情况下，可改善相对磁导
率、损耗系数和剥离性。

[0147] ＜(D)重均分子量为8000以上的高分子化合物＞

[0148] 树脂组合物可与(A)～(C)成分组合，包含(D)重均分子量为8000以上的高分子化合物作为(D)成分。在作为该(D)成分的(D)重均分子量为8000以上的高分子化合物中不含
相当于上述的(A)～(C)成分的成分。通过在树脂组合物中含有(D)成分，可得到剥离性优异
的树脂组合物的固化物。(D)成分可单独使用1种，或也可将2种以上组合使用。

[0149] (D)成分的重均分子量为8000以上、优选为9000以上、更优选为10000以上。上限优选为100000以下、更优选为50000以下、进一步优选为40000以下。

[0150] 作为(D)重均分子量为8000以上的高分子化合物，优选热固化性树脂和热塑性树脂中的任一种，更优选热塑性树脂。作为热塑性树脂，例如可举出：苯氧树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、聚烯烃树脂、聚酰亚胺树脂、聚丁二烯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯醚树脂、聚醚醚酮树脂、聚酯树脂等，优选苯氧树脂。

[0151] 作为苯氧树脂，例如可举出：具有选自双酚A骨架、双酚F骨架、双酚S骨架、双酚苯乙酮骨架、酚醛清漆骨架、联苯骨架、芴骨架、双环戊二烯骨架、降冰片烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金刚烷骨架、萜烯骨架和三甲基环己烷骨架的1种以上骨架的苯氧树脂。苯氧树脂的末
端可以是酚式羟基、环氧基等的任意官能团。作为苯氧树脂的具体例，可举出：三菱化学公
司制造的“1256”和“4250”(均为含双酚A骨架的苯氧树脂)；三菱化学公司制造的“YX8100”(含双酚S骨架的苯氧树脂)；三菱化学公司制造的“YX6954”(含双酚苯乙酮骨架的苯氧树
脂)；新日铁住金化学公司制造的“FX280”和“FX293”；三菱化学公司制造的“YL7500BH30”、“YX6954BH30”、“YX7553”、“YX7553BH30”、“YL7769BH30”、“YL6794”、“YL7213”、“YL7290”、“YL7482”和“YL7891BH30”等。

[0152] 作为聚乙烯醇缩醛树脂，例如可举出：聚乙烯醇缩甲醛树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂，优选聚乙烯醇缩丁醛树脂。作为聚乙烯醇缩醛树脂的具体例，例如可举出：DENKA公司制造的“电化Butyral4000‑2”、“电化Butyral 5000‑A”、“电化Butyral 6000‑C”、“电化Butyral 6000‑EP”；积水化学工业公司制造的S‑LEC BH系列、BX系列(例如，BX‑5Z)、KS系列(例如，KS‑1)、BL系列、BM系列等。

[0153] 作为聚烯烃树脂，例如可举出：低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物、乙烯‑丙烯酸乙酯共聚物、乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物等乙烯系共聚树脂；聚丙烯、乙烯‑丙烯嵌段共聚物等的聚烯烃系聚合物等。

[0154] 作为聚酰亚胺树脂的具体例，可举出：信越化学工业公司制造的“SLK‑6100”；新日本理化公司制造的“RIKACOAT SN20”和“RIKACOAT PN20”等。作为聚酰亚胺树脂的具体例，还可举出：使二官能性羟基末端聚丁二烯、二异氰酸酯化合物和四元酸酐反应而得到的线性聚酰亚胺(日本特开2006‑37083号公报记载的聚酰亚胺)、含聚硅氧烷骨架的聚酰亚胺
(日本特开2002‑12667号公报和日本特开2000‑319386号公报等中记载的聚酰亚胺)等改性
聚酰亚胺。

[0155] 作为聚丁二烯树脂，例如可举出：含氢化聚丁二烯骨架的树脂、含羟基的聚丁二烯树脂、含酚式羟基的聚丁二烯树脂、含羧基的聚丁二烯树脂、含酸酐基的聚丁二烯树脂、含
环氧基的聚丁二烯树脂、含异氰酸酯基的聚丁二烯树脂、含氨基甲酸乙酯基的聚丁二烯树
脂、聚苯醚‑聚丁二烯树脂等。

[0156] 作为聚酰胺酰亚胺树脂的具体例，可举出：东洋纺公司制造的“VYLOMAX HR11NN”和“VYLOMAX HR16NN”。作为聚酰胺酰亚胺树脂的具体例，还可举出：Resonac公司制造的
“KS9100”、“KS9300”(含聚硅氧烷骨架的聚酰胺酰亚胺)等改性聚酰胺酰亚胺。

[0157] 作为聚醚砜树脂的具体例，可举出：住友化学公司制造的“PES5003P”等。

[0158] 作为聚砜树脂的具体例，可举出：Solvay Advanced Polymers公司制造的聚砜“P1700”、“P3500”等。

[0159] 作为聚苯醚树脂的具体例，可举出：SABIC制造的“NORYL SA90”等。作为聚醚酰亚胺树脂的具体例，可举出：GE公司制造的“ULTEM”等。

[0160] 作为聚碳酸酯树脂，例如可举出：含羟基的碳酸酯树脂、含酚式羟基的碳酸酯树脂、含羧基的碳酸酯树脂、含酸酐基的碳酸酯树脂、含异氰酸酯基的碳酸酯树脂、含氨基甲
酸乙酯基的碳酸酯树脂等。作为聚碳酸酯树脂的具体例，可举出：三菱瓦斯化学公司制造的
“FPC0220”；旭化成公司制造的“T6002”、“T6001”(聚碳酸酯二醇)；可乐丽公司制造的“C‑
1090”、“C‑2090”、“C‑3090”(聚碳酸酯二醇)等。作为聚醚醚酮树脂的具体例，可举出：住友化学公司制造的“SUMIPLOY K”等。

[0161] 作为聚酯树脂，例如可举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚萘二甲酸丁二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丙二醇酯树脂、
聚萘二甲酸丙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯树脂等。

[0162] 在将树脂组合物中的非挥发成分设为100质量％的情况下，(D)成分的含量优选为5质量％以下、更优选为3质量％以下、进一步优选为2质量％以下。下限为0质量％以上或
0.5质量％以上等，特别优选不含有。

[0163] 在将树脂组合物中的非挥发成分设为100质量％的情况下，在将(A)成分的含量设为Am、将(D)成分的含量设为Dm时，从显著地得到本发明效果的观点出发，Dm/(Am+Dm)优选
为0以上、更优选为0.1以上、进一步优选为0.2以上，优选为0.7以下、更优选为0.6以下、进一步优选为0.55以下。

[0164] 在将树脂组合物中的非挥发成分设为100质量％的情况下，在将(A)成分的含量设为Am、将(B)成分的含量设为Bm、将(D)成分的含量设为Dm时，从显著地得到本发明效果的观
点出发，(Am+Dm))/(Am+Bm+Dm)优选为0.1以上、更优选为0.15以上、进一步优选为0.2以上，优选为0.8以下、更优选为0.4以下、进一步优选为0.3以下。

[0165] ＜(E)溶剂＞

[0166] 树脂组合物中，可与上述的(A)～(D)成分这样的非挥发成分组合，进一步包含(E)溶剂作为挥发性成分。

[0167] 作为(E)溶剂，通常使用有机溶剂。作为有机溶剂，例如可举出：丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮等酮系溶剂；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸异丁酯、乙酸异戊酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、γ‑丁内酯、丁基卡必醇乙酸酯等酯系溶剂；四氢吡喃、四氢呋喃、1,4‑二烷、二乙醚、二异丙基醚、二丁基醚、二苯基醚等醚系溶剂；甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇等醇系溶剂；乙酸2‑乙氧基乙酯、丙二醇单甲基醚乙酸酯、二乙二醇单乙基醚乙酸酯、卡必醇乙酸酯(ethyl diglycol acetate)、γ‑丁内酯、甲氧基丙酸甲酯等醚酯系溶剂；乳酸甲酯、乳酸乙酯、2‑羟基异丁酸甲酯等酯醇系溶剂；2‑甲氧基丙醇、2‑甲氧基乙醇、2‑乙氧基乙醇、丙二醇单甲基醚、二乙二醇单丁基醚(丁基卡必醇)等醚醇系溶剂；N,N‑二甲基甲酰胺、N,N‑二甲基乙酰胺、N‑甲基‑2‑吡咯烷酮等酰胺系溶剂；二甲基亚砜等亚砜系溶剂；乙腈、丙腈等腈系溶剂；己烷、环戊烷、环己烷、甲基环己烷等脂族烃系溶剂；苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、三甲基苯等芳族烃系溶剂等。其中，作为(E)溶剂，优选酮系溶剂、酯系溶剂。(E)溶剂可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。

[0168] 从提高树脂片中的与支撑体之间的剥离性、降低树脂组合物层的粘性的观点出发，相对于树脂组合物的全部质量，(E)溶剂的量优选为0.5质量％以上、更优选为0.8质
量％以上、进一步优选为1质量％以上。在树脂片的制造中，从降低树脂清漆的粘度而容易
涂布的观点出发，上限优选为1.5质量％以下、更优选为1.4质量％以下、进一步优选为1.3
质量％以下。

[0169] ＜(F)固化剂＞

[0170] 树脂组合物中，可与(A)～(C)成分组合，包含(F)固化剂作为(F)成分。在作为该(F)成分的(F)固化剂中不含相当于上述的(A)～(E)成分的成分。(F)固化剂包括：具有使
(B)环氧树脂固化的功能的环氧树脂固化剂和具有促进(B)环氧树脂的固化速度的功能的
固化促进剂。固化促进剂通常与环氧树脂固化剂一并使用。对于树脂组合物而言，作为(F)
固化剂，优选包含环氧树脂固化剂。

[0171] (环氧树脂固化剂)

[0172] 环氧树脂固化剂通常可与(B)环氧树脂反应而使树脂组合物固化。作为环氧树脂固化剂，例如可举出：苯酚系环氧树脂固化剂、萘酚系环氧树脂固化剂、活性酯系环氧树脂
固化剂、酸酐系环氧树脂固化剂、苯并 嗪系环氧树脂固化剂、氰酸酯系环氧树脂固化剂和
咪唑系环氧树脂固化剂。作为环氧树脂固化剂，优选选自苯酚系环氧树脂固化剂和萘酚系
环氧树脂固化剂的1种以上，更优选苯酚系环氧树脂固化剂。环氧树脂固化剂可单独使用1
种，或可并用2种以上。

[0173] 作为苯酚系环氧树脂固化剂和萘酚系环氧树脂固化剂，从耐热性和耐水性的观点出发，优选具有酚醛清漆结构的苯酚系环氧树脂固化剂或具有酚醛清漆结构的萘酚系环氧
树脂固化剂。作为苯酚系环氧树脂固化剂，优选含氮苯酚系环氧树脂固化剂，更优选含三嗪
骨架的苯酚系环氧树脂固化剂，进一步优选含三嗪骨架的苯酚酚醛清漆环氧树脂固化剂。

[0174] 作为苯酚系环氧树脂固化剂和萘酚系环氧树脂固化剂的具体例，可举出：明和化成公司制造的“MEH‑7700”、“MEH‑7810”、“MEH‑7851”；日本化药公司制造的“NHN”、“CBN”、“GPH”；新日铁住金化学公司制造的“SN170”、“SN180”、“SN190”、“SN475”、“SN485”、“SN495V”、“SN375”、“SN395”；DIC公司制造的“TD‑2090”、“LA‑7052”、“LA‑7054”、“LA‑
1356”、“LA‑3018‑50P”、“EXB‑9500”、“HPC‑9500”、“KA‑1160”、“KA‑1163”、“KA‑1165”；群荣化学公司制造的“GDP‑6115L”、“GDP‑6115H”等。

[0175] 作为活性酯系环氧树脂固化剂，没有特别限制，通常优选使用：酚酯类、硫酚酯类、N‑羟基胺酯类、杂环羟基化合物的酯类等的在1分子中具有2个以上反应活性高的酯基的化合物。该活性酯系环氧树脂固化剂优选通过羧酸化合物和/或硫代羧酸化合物与羟基化合
物和/或硫醇化合物的缩合反应而得到的固化剂。特别是，从提高耐热性的观点出发，优选
由羧酸化合物和羟基化合物得到的活性酯系环氧树脂固化剂，更优选由羧酸化合物与苯酚
化合物和/或萘酚化合物得到的活性酯系环氧树脂固化剂。作为羧酸化合物，例如可举出：
苯甲酸、乙酸、琥珀酸、马来酸、衣康酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、均苯四甲酸等。作为苯酚化合物或萘酚化合物，例如可举出：对苯二酚、间苯二酚、双酚A、双酚F、双酚S、酚酞啉、甲基化双酚A、甲基化双酚F、甲基化双酚S、苯酚、邻甲酚、间甲酚、对甲酚、邻苯二酚、α‑萘酚、β‑萘酚、1,5‑二羟基萘、1,6‑二羟基萘、2,6‑二羟基萘、二羟基二苯甲酮、三羟基二苯甲酮、四羟基二苯甲酮、间苯三酚、苯三酚(benzenetriol)、双环戊二烯型二苯酚化合
物、苯酚酚醛清漆等。在此，“双环戊二烯型二苯酚化合物”是指2分子苯酚与1分子双环戊二烯缩合而得到的二苯酚化合物。

[0176] 具体而言，优选包含双环戊二烯型二苯酚结构的活性酯系环氧树脂固化剂、包含萘结构的活性酯系环氧树脂固化剂、包含苯酚酚醛清漆的乙酰化物的活性酯系环氧树脂固
化剂、包含苯酚酚醛清漆的苯甲酰化物的活性酯系环氧树脂固化剂。“双环戊二烯型二苯酚
结构”表示由亚苯基‑亚二环戊烯基‑亚苯基构成的二价结构。

[0177] 作为活性酯系环氧树脂固化剂的市售品，作为包含双环戊二烯型二苯酚结构的活性酯系环氧树脂固化剂，可举出DIC公司制造的“EXB9451”、“EXB9460”、“EXB9460S”、“HPC‑
8000‑65T”、“HPC‑8000H‑65TM”、“EXB‑8000L‑65TM”；作为包含萘结构的活性酯化合物，可举出DIC公司制造的“EXB9416‑70BK”；作为包含苯酚酚醛清漆的乙酰化物的活性酯系环氧树
脂固化剂，可举出三菱化学公司制造的“DC808”；作为包含苯酚酚醛清漆的苯甲酰化物的活性酯系环氧树脂固化剂，可举出三菱化学公司制造的“YLH1026”、“YLH1030”、“YLH1048”；关于作为苯酚酚醛清漆的乙酰化物的活性酯系环氧树脂固化剂，可举出三菱化学公司制造的
“DC808”等。

[0178] 作为酸酐系环氧树脂固化剂，可举出：在1分子内具有1个以上酸酐基的环氧树脂固化剂。作为酸酐系环氧树脂固化剂的具体例，可举出：邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、甲基四氢邻苯二甲酸酐、甲基六氢邻苯二甲酸酐、甲基纳迪克酸酐、氢
化甲基纳迪克酸酐、三烷基四氢邻苯二甲酸酐、十二烯基琥珀酸酐、5‑(2,5‑二氧代四氢‑3‑呋喃基)‑3‑甲基‑3‑环己烯‑1,2‑二甲酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸酐、二苯甲酮四甲酸二酐、联苯四甲酸二酐、萘四甲酸二酐、氧双邻苯二甲酸二酐、3,3’‑4,4’‑二苯基砜四甲酸二酐、1,3,3a,4,5,9b‑六氢‑5‑(四氢‑2,5‑二氧代‑3‑呋喃基)‑萘并[1,2‑C]呋喃‑1,3‑二酮、乙二醇双(脱水偏苯三酸酯)、苯乙烯和马来酸共聚而成的苯乙烯‑马来酸树脂等聚合物型
的酸酐等。

[0179] 作为酸酐系环氧树脂固化剂的市售品，可举出：新日本理化公司制造的“HNA‑100”、“MH‑700”等。

[0180] 作为苯并 嗪系环氧树脂固化剂的具体例，可举出：昭和高分子公司制造的“HFB2006M”；四国化成工业公司制造的“P‑d”、“F‑a”。

[0181] 作为氰酸酯系环氧树脂固化剂，例如可举出：双酚A二氰酸酯、多酚氰酸酯、低聚(3‑亚甲基‑1,5‑亚苯基氰酸酯)、4,4'‑亚甲基双(2,6‑二甲基苯基氰酸酯)、4,4'‑亚乙基二苯基二氰酸酯、六氟双酚A二氰酸酯、2,2‑双(4‑氰酸酯基)苯基丙烷、1,1‑双(4‑氰酸酯基苯基甲烷)、双(4‑氰酸酯基‑3,5‑二甲基苯基)甲烷、1,3‑双(4‑氰酸酯基苯基‑1‑(甲基亚乙基))苯、双(4‑氰酸酯基苯基)硫醚和双(4‑氰酸酯基苯基)醚等二官能氰酸酯树脂；由苯酚
酚醛清漆和甲酚酚醛清漆等衍生的多官能氰酸酯树脂；这些氰酸酯树脂进行部分三嗪化而
成的预聚物等。作为氰酸酯系环氧树脂固化剂的具体例，可举出：Lonza公司制造的“PT30”和“PT60”(均为苯酚酚醛清漆型多官能氰酸酯树脂)、“BA230”、“BA230S75”(双酚A二氰酸酯的一部分或全部进行三嗪化而成为三聚体的预聚物)等。

[0182] 作为咪唑系环氧树脂固化剂，例如可举出：2‑甲基咪唑、2‑十一烷基咪唑、2‑十七烷基咪唑、1,2‑二甲基咪唑、2‑乙基‑4‑甲基咪唑、1,2‑二甲基咪唑、2‑乙基‑4‑甲基咪唑、2‑苯基咪唑、2‑苯基‑4‑甲基咪唑、1‑苄基‑2‑甲基咪唑、1‑苄基‑2‑苯基咪唑、1‑氰基乙基‑2‑甲基咪唑、1‑氰基乙基‑2‑十一烷基咪唑、1‑氰基乙基‑2‑乙基‑4‑甲基咪唑、1‑氰基乙基‑2‑苯基咪唑、1‑氰基乙基‑2‑十一烷基咪唑鎓偏苯三甲酸盐、1‑氰基乙基‑2‑苯基咪唑鎓偏苯三甲酸盐、2,4‑二氨基‑6‑[2'‑甲基咪唑基‑(1')]‑乙基‑均三嗪、2,4‑二氨基‑6‑[2'‑十一烷基咪唑基‑(1')]‑乙基‑均三嗪、2,4‑二氨基‑6‑[2'‑乙基‑4'‑甲基咪唑基‑(1')]‑乙基‑均三嗪、2,4‑二氨基‑6‑[2'‑甲基咪唑基‑(1')]‑乙基‑均三嗪异氰脲酸加成物、2‑苯基咪唑异氰脲酸加成物、2‑苯基‑4,5‑二羟基甲基咪唑、2‑苯基‑4‑甲基‑5‑羟基甲基咪唑、2,3‑二氢‑1H‑吡咯并[1,2‑a]苯并咪唑、1‑十二烷基‑2‑甲基‑3‑苄基咪唑鎓氯化物、2‑甲基咪唑啉、2‑苯基咪唑啉等咪唑化合物、及咪唑化合物与环氧树脂的加合物，优选2‑乙基‑4‑甲基咪唑、1‑苄基‑2‑苯基咪唑。

[0183] 作为咪唑系环氧树脂固化剂，可使用市售品，例如可举出：四国化成工业公司制造的“2MZA‑PW”、“2PHZ‑PW”；三菱化学公司制造的“P200‑H50”等。

[0184] 关于环氧树脂与环氧树脂固化剂的量比，以[环氧树脂的环氧基的总计数]：[环氧树脂固化剂的反应基团的总计数]的比率计，优选为1：0.2～1：2的范围，更优选为1：0.3～
1：1.5的范围，进一步优选为1：0.4～1：1的范围。在此，环氧树脂固化剂的反应基团是指活性羟基、活性酯基等，根据环氧树脂固化剂的种类而不同。另外，环氧树脂的环氧基的总计
数是指，将各环氧树脂的非挥发成分的质量除以环氧当量而得的值针对所有环氧树脂进行
总计而得的值，环氧树脂固化剂的反应基团的总计数是指，将各环氧树脂固化剂的非挥发
成分的质量除以反应基团当量而得的值针对所有环氧树脂固化剂进行总计而得的值。通过
使环氧树脂与环氧树脂固化剂的量比为所述范围内，作为固化物时的耐热性进一步提高。

[0185] 在将树脂组合物中的非挥发成分设为100质量％的情况下，环氧树脂固化剂的含量优选为0.1质量％以上、更优选为0.5质量％以上、进一步优选为0.8质量％以上，上限优
选为8质量％以下、更优选为3质量％以下、进一步优选为2质量％以下。

[0186] (固化促进剂)

[0187] 固化促进剂通常可在(B)环氧树脂的固化反应中作为催化剂发挥作用，而促进固化反应。作为固化促进剂，例如可举出：胺系固化促进剂、咪唑系固化促进剂、磷系固化促进剂、胍系固化促进剂、金属系固化促进剂等。固化促进剂可单独使用1种，也可将2种以上组
合使用。固化促进剂通常与环氧树脂固化剂一并使用。

[0188] 作为胺系固化促进剂，例如可举出：三乙基胺、三丁基胺等三烷基胺、4‑二甲基氨基吡啶、苄基二甲基胺、2,4,6‑三(二甲基氨基甲基)苯酚、1,8‑二氮杂双环(5,4,0)‑十一碳烯等，优选4‑二甲基氨基吡啶、1,8‑二氮杂双环(5,4,0)‑十一碳烯。

[0189] 作为胺系固化促进剂，可使用市售品，例如可举出：味之素Fine‑techno公司制造的“PN‑50”、“PN‑23”、“MY‑25”等。

[0190] 作为咪唑系固化促进剂，与所述咪唑系环氧树脂固化剂同样。在所述咪唑系环氧树脂固化剂与其它环氧树脂固化剂一并使用的情况下，有时作为固化促进剂发挥功能。

[0191] 作为磷系固化促进剂，例如可举出：三苯基膦、鏻硼酸盐化合物、四苯基鏻四苯基硼酸盐、正丁基鏻四苯基硼酸盐、四丁基鏻癸酸盐、(4‑甲基苯基)三苯基鏻硫氰酸盐、四苯基鏻硫氰酸盐、丁基三苯基鏻硫氰酸盐等，优选为三苯基膦、四丁基鏻癸酸盐。

[0192] 作为磷系固化促进剂，可使用市售品，例如可举出：北兴化学工业公司制造的“TBP‑DA”等。

[0193] 作为胍系固化促进剂，例如可举出：双氰胺、1‑甲基胍、1‑乙基胍、1‑环己基胍、1‑苯基胍、1‑(邻甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7‑三氮杂双环[4.4.0]癸‑5‑烯、7‑甲基‑1,5,7‑三氮杂双环[4.4.0]癸‑5‑烯、1‑甲基双胍、1‑乙基双胍、1‑正丁基双胍、1‑正十八烷基双胍、1,1‑二甲基双胍、1,1‑二乙基双胍、1‑环己基双胍、1‑烯丙基双胍、1‑苯基双胍、1‑(邻甲苯基)双胍等，优选双氰胺、1,5,7‑三氮杂双环[4.4.0]癸‑5‑烯。

[0194] 作为金属系固化促进剂，例如可举出：钴、铜、锌、铁、镍、锰、锡等金属的有机金属络合物或有机金属盐。作为有机金属络合物的具体例，可举出：乙酰丙酮钴(II)、乙酰丙酮钴(III)等有机钴络合物、乙酰丙酮铜(II)等有机铜络合物、乙酰丙酮锌(II)等有机锌络合
物、乙酰丙酮铁(III)等有机铁络合物、乙酰丙酮镍(II)等有机镍络合物、乙酰丙酮锰(II)
等有机锰络合物等。作为有机金属盐，例如可举出：辛酸锌、辛酸锡、环烷酸锌、环烷酸钴、硬脂酸锡、硬脂酸锌等。

[0195] 在将树脂组合物中的非挥发成分设为100质量％的情况下，固化促进剂的含量优选为0.001质量％以上、更优选为0.005质量％以上、进一步优选为0.01质量％以上，上限优
选为2质量％以下、更优选为0.1质量％以下、进一步优选为0.05质量％以下。

[0196] 在将树脂组合物中的非挥发成分设为100质量％的情况下，(F)固化剂的含量优选为0.1质量％以上、更优选为0.5质量％以上、进一步优选为0.8质量％以上，上限优选为8质
量％以下、更优选为4质量％以下、进一步优选为3质量％以下。

[0197] ＜(G)分散剂＞

[0198] 树脂组合物中，可与(A)～(F)成分组合，包含(G)分散剂作为(G)成分。在作为该(G)成分的(G)分散剂中不含相当于上述的(A)～(F)成分的成分。根据(G)分散剂，可有效地
提高(C)磁性粉体的分散性，因此可有效地降低树脂组合物的粘度，其结果，可改善剥离性。
(G)分散剂可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。

[0199] 对(G)分散剂的种类没有限制。例如，作为(G)分散剂，可使用含有对(C)磁性粉体具有吸附能力的官能团、并且在吸附于(C)磁性粉体的情况下通过(G)分散剂彼此的排斥
(例如，静电排斥、立体排斥等)而使(C)磁性粉体分散的分散剂。作为这样的(G)分散剂，例
如可举出：酸性分散剂、碱性分散剂等。

[0200] 酸性分散剂通常含有羧基、磺基(‑SO3H)、硫酸基(‑OSO3H)、膦酰基(‑PO(OH)2)、膦酰基氧基(‑OPO(OH)2)、羟基磷酰基(‑PO(OH)‑)、硫烷基(‑SH)等酸性官能团。酸性官能团通常具有解离性的质子，也可被胺、氢氧化物离子等碱中和。作为优选的酸性分散剂，例如可举出：含有聚氧化烯链、聚醚链等高分子链的酸性高分子分散剂。作为酸性分散剂的优选
例，可举出：日油公司制造的“C‑2093I”、“SC‑1015F(主链中具有离子性基团、接枝链中具有聚氧化烯链的多官能梳型的功能性聚合物)”；楠本化成公司制造的“DA‑375(聚醚磷酸酯化合物系分散剂)”；东邦化学工业公司制造的“PHOSPHANOL”系列的“RS‑410”、“RS‑610”、“RS‑
710”(pH为1.9)(磷酸酯系分散剂)；日油公司制造的“MALIALIM”系列的“AKM‑0531”、“AFB‑
1521”、“SC‑0505K”、“SC‑0708A”。

[0201] 碱性分散剂通常含有伯、仲和叔氨基；铵基；亚氨基；以及吡啶、嘧啶、吡嗪、咪唑、三唑等含氮杂环基等的碱性官能团。碱性官能团也可被有机酸、无机酸等酸中和。作为优选的碱性分散剂，例如可举出：含有聚酯链等高分子链的碱性高分子分散剂。作为碱性分散剂
的优选例，可举出：味之素Fine‑techno公司制造的“AJISPER PB881”(含有聚酯链的多胺系分散剂)等。

[0202] 相对于100质量％的树脂组合物的非挥发成分，(G)分散剂的含量可以是0质量％、可大于0质量％、优选为0.05质量％以上、更优选为0.1质量％以上，优选为5质量％以下、更优选为3质量％以下、特别优选为1质量％以下。在(G)分散剂的量处于所述范围的情况下，
可降低树脂组合物的粘度，可改善剥离性。

[0203] ＜(H)其它添加剂＞

[0204] 对于树脂组合物而言，作为任选的非挥发成分，可包含(H)其它添加剂。作为(H)其它添加剂，例如可举出：自由基聚合性化合物；聚合引发剂；有机铜化合物、有机锌化合物、有机钴化合物等有机金属化合物；酞菁蓝、酞菁绿、碘绿、重氮黄、结晶紫、氧化钛、炭黑等着色剂；对苯二酚、邻苯二酚、连苯三酚、吩噻嗪等阻聚剂；有机硅系均化剂、丙烯酸聚合物系均化剂等均化剂；Benton、蒙脱石等增稠剂；有机硅系消泡剂、丙烯酸系消泡剂、氟系消泡
剂、乙烯基树脂系消泡剂等消泡剂；苯并三唑系紫外线吸收剂等紫外线吸收剂；脲硅烷等粘
接性提高剂；三唑系密合性赋予剂、四唑系密合性赋予剂、三嗪系密合性赋予剂等密合性赋
予剂；受阻酚系抗氧化剂等抗氧化剂；芪类衍生物等荧光增白剂；氟系表面活性剂、有机硅
系表面活性剂等表面活性剂；磷系阻燃剂(例如磷酸酯化合物、膦腈化合物、次膦酸化合物、红磷)、氮系阻燃剂(例如硫酸三聚氰胺)、卤素系阻燃剂、无机系阻燃剂(例如三氧化锑)等
阻燃剂；硼酸酯系稳定剂、钛酸酯系稳定剂、铝酸酯系稳定剂、锆酸酯系稳定剂、异氰酸酯系稳定剂、羧酸系稳定剂、羧酸酐系稳定剂等稳定剂；叔胺类等光聚合引发助剂；吡唑啉(ピラリゾン)类、蒽类、香豆素类、氧杂蒽酮类、噻吨酮类等光敏剂。(H)其它添加剂可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。

[0205] ＜树脂组合物的物性等＞

[0206] 树脂组合物由于包含(A)成分，因此显示出剥离性优异的特性。因此，在包含树脂组合物的树脂片中，在从树脂组合物层上剥离支撑体时，可抑制树脂组合物层与支撑体一
起被剥离。例如，若从支撑体上剥离树脂片，则树脂组合物层的全部可从支撑体上剥离，树
脂组合物层的全部或一部分没有与支撑体一起被剥离。剥离性的评价可通过后述的实施例
中记载的方法来测定。

[0207] 通过将树脂组合物在190℃下加热90分钟而得到的固化物，显示出频率10MHz下的相对磁导率高的特性。因此，所述固化物带来相对磁导率高的磁性层。该固化物的频率
10MHz下的相对磁导率优选为29以上、更优选为30以上。另外，对上限没有特别限定，可设为
100以下等。相对磁导率可通过后述的实施例中记载的方法来测定。

[0208] 通过将树脂组合物在190℃下加热90分钟而得到的固化物，显示出频率10MHz下的损耗系数低的特性。因此，所述固化物带来损耗系数低的磁性层。该固化物的频率10MHz下
的损耗系数优选为0.4以下、更优选为0.3以下、进一步优选为0.2以下。对下限没有特别限
定，可设为0.001以上等。损耗系数可通过后述的实施例中记载的方法来测定。

[0209] 树脂组合物通常显示出熔融粘度低的特性。作为熔融粘度，优选为102泊以上、更3 4 7 6
优选为10泊以上、进一步优选为10泊以上，优选为10泊以下、更优选为10泊以下、进一步
5
优选为10泊以下。熔融粘度可通过后述的实施例中记载的方法来测定。

[0210] 从活用上述优点的观点出发，树脂组合物优选用于形成电路基板的磁性层。另外，从活用上述优点的观点出发，树脂组合物还优选用于填充芯基材的通孔。

[0211] [树脂片]

[0212] 树脂片包含：支撑体和设置于该支撑体上的由本发明的树脂组合物形成的树脂组合物层。

[0213] 从薄型化的观点出发，树脂组合物层的厚度优选为5μm以上、更优选为10μm以上、特别优选为50μm以上，优选为600μm以下、更优选为300μm以下、特别优选为200μm以下。

[0214] 作为支撑体，例如可举出：由塑料材料构成的膜、金属箔、脱模纸，优选由塑料材料构成的膜、金属箔。

[0215] 在使用由塑料材料构成的膜作为支撑体的情况下，作为塑料材料，例如可举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯(以下有时简称为“PET”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(以下有时简称为
“PEN”)等聚酯、聚碳酸酯(以下有时简称为“PC”)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸聚合物、环状聚烯烃、三乙酰纤维素(TAC)、聚醚硫化物(polyethyl sulfide,PES)、聚醚酮、聚酰亚胺等。其中，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯，特别优选廉价的聚对苯
二甲酸乙二醇酯。

[0216] 在使用金属箔作为支撑体的情况下，作为金属箔，例如可举出：铜箔、铝箔等，优选铜箔。作为铜箔，可使用由铜的单金属构成的箔，也可使用由铜与其它金属(例如锡、铬、银、镁、镍、锆、硅、钛等)的合金构成的箔。

[0217] 可对支撑体的与树脂组合物层接合的面施行消光处理、电晕处理。

[0218] 另外，作为支撑体，可使用在与树脂组合物层接合的面上具有脱模层的带脱模层的支撑体。作为用于带脱模层的支撑体中的脱模层的脱模剂，例如可举出：选自醇酸树脂、
聚烯烃树脂、氨基甲酸乙酯树脂和有机硅树脂的1种以上的脱模剂。带脱模层的支撑体可使
用市售品，例如可举出：作为具有以醇酸树脂系脱模剂为主要成分的脱模层的PET膜的、
LINTEC公司制造的“PET501010”、“SK‑1”、“AL‑5”、“AL‑7”；东丽公司制造的“Lumirror T60”；帝人公司制造的“Purex”；UNITIKA公司制造的“Unipeel”等。

[0219] 作为支撑体的厚度，没有特别限定，优选5μm～75μm的范围，更优选10μm～60μm的范围。需要说明的是，在使用带脱模层的支撑体的情况下，优选带脱模层的支撑体整体的厚度为上述范围。

[0220] 树脂片例如可通过以下方式来制造：使用模涂机等，将树脂组合物涂布于支撑体上，而形成树脂组合物层。根据需要，可调制溶解于溶剂中而得的树脂清漆，并将该树脂清
漆涂布于支撑体上。在使用溶剂的情况下，根据需要，可在涂布后进行干燥。

[0221] 干燥可通过加热、吹热风等方法来实施。对干燥条件没有特别限定，使树脂组合物层中的有机溶剂的含量达到10质量％以下、优选为5质量％以下的方式进行干燥。虽然根据
树脂组合物中所含的成分而不同，但通过在50℃～150℃下干燥3分钟～10分钟，可形成树
脂组合物层。

[0222] 树脂片中，在树脂组合物层的未与支撑体接合的面(即，与支撑体相反一侧的面)上，可进一步层叠基于支撑体选用的保护膜。对保护膜的厚度没有特别限定，例如为1μm～
40μm。通过层叠保护膜，可抑制灰尘等附着于树脂组合物层的表面或对树脂组合物层的表
面造成损伤。树脂片可卷绕成卷状而进行保存。在树脂片具有保护膜的情况下，可通过剥离
保护膜来使用。

[0223] [电路基板及其制造方法]

[0224] 本发明的一个实施方式所涉及的电路基板包含磁性层。该磁性层包含上述的树脂组合物、或树脂片的树脂组合物层的固化物，优选仅包含上述的树脂组合物的固化物。对电
路基板的具体结构没有限制，只要具备包含上述的树脂组合物的固化物的磁性层即可。第1
实施方式的电路基板是具备作为形成有通孔的基材的芯基材和填充于该通孔中的磁性层
的电路基板。另外，第2实施方式的电路基板是包含由树脂片的树脂组合物层的固化物形成
的磁性层的电路基板。在这些电路基板中，磁性层可以是将树脂组合物层固化而得的层，也
可以是将树脂组合物固化而得的层。以下，对电路基板的制造方法的第1实施方式和第2实
施方式进行说明。然而，本发明所涉及的电路基板的制造方法不限定于以下所示例的第1和
第2实施方式。

[0225] ＜第1实施方式＞

[0226] 第1实施方式的电路基板具备：形成有通孔的芯基材和填充于该通孔中的磁性层。该电路基板例如依次包括下述工序：

[0227] 工序(1)，以树脂组合物层填充于通孔中的方式，层叠形成有通孔的芯基材和树脂片；

[0228] 工序(2)，使树脂组合物层固化，以形成磁性层。

[0229] 另外，第1实施方式的电路基板的制造方法中，可与所述工序(1)～(2)组合而包括任选的工序。例如，电路基板的制造方法可包括下述工序：

[0230] 工序(3)，研磨磁性层；

[0231] 工序(4)，对磁性层施行粗化处理；和

[0232] 工序(5)，在磁性层上形成导体层。

[0233] 通常依次进行工序(3)、工序(4)和工序(5)。

[0234] ＜工序(1)＞

[0235] 工序(1)通常包括准备形成有通孔的芯基材的工序。芯基材可从市场购入而准备。另外，芯基材也可使用适当的材料制造而准备。以下，对一个例子所涉及的芯基材的制造方
法进行说明。

[0236] 图1是示意性地表示在本发明的第1实施方式所涉及的电路基板的制造方法中形成通孔之前的芯基材10的截面图。如图1所示的例子那样，准备芯基材10的工序可包括：准
备未形成应该填充磁性层的通孔的芯基材10。该芯基材10是形成通孔之前的基材，可以是
板状的构件。

[0237] 芯基材10通常包含支撑基板11。作为支撑基板11，例如可举出：玻璃环氧基板、金属基板、聚酯基板、聚酰亚胺基板、BT树脂基板、热固化型聚苯醚基板等绝缘性基材。另外，在该支撑基板11上可设置金属层。金属层可设置于支撑基板11的单面上，也可设置于双面
上。在此，示出在支撑基板11的两个表面上设置有金属层12和13的例子。作为金属层12和
13，例如可举出：由铜等金属形成的层。金属层12和13例如可以是带载体的铜箔等铜箔，也
可以是由后述的导体层的材料形成的金属层。

[0238] 图2是示意性地表示在本发明的第1实施方式所涉及的电路基板的制造方法中形成有通孔14的芯基材10的截面图。如图2所示的例子那样，准备芯基材10的工序可包括：在
芯基材10上形成通孔14。通孔14例如可通过钻孔加工、激光照射、等离子体照射等方法来形
成。通常，可通过在芯基材10上形成贯穿孔来形成通孔14。作为具体例，通孔14的形成可使
用市售的钻孔装置来实施。作为市售的钻孔装置，例如可举出：日立Via Mechanics公司制
造的“ND‑1S211”等。

[0239] 图3是示意性地表示在本发明的第1实施方式所涉及的电路基板的制造方法中在通孔14内形成有电镀层20的芯基材10的截面图。准备芯基材10的工序可包括：根据需要在
对芯基材10施行粗化处理之后，如图3所示，形成电镀层20。作为所述粗化处理，可进行干式和湿式中的任一种的粗化处理。作为干式粗化处理的例子，可举出：等离子体处理等。另外，作为湿式的粗化处理的例子，可举出：依次进行基于溶胀液的溶胀处理、基于氧化剂的粗化
处理和基于中和液的中和处理的方法。电镀层20可通过电镀法形成。通过电镀法形成电镀
层20的步骤可与后述的工序(5)中的导体层的形成相同。在此，示出在通孔14内、金属层12
的表面和金属层13的表面形成有电镀层20的例子。另外，在该例子中，对具备电镀层20的芯
基材标注与形成电镀层20之前的芯基材10相同的标记“10”并进行说明。

[0240] 图4是示意性地表示在本发明的第1实施方式所涉及的电路基板的制造方法中层叠芯基材10和树脂片30的模样的截面图。工序(1)包括：在准备形成有通孔14的芯基材10之
后，如图4所示，将芯基材10和树脂片30层叠。在本实施方式中，示出将具备树脂组合物层31和支撑体32的树脂片30层叠于芯基材10的一个面10U上的例子并进行说明。在以下的说明
中，在芯基材10的面中，有时将与树脂片30接合的面10U称为“第一面10U”，将其相反一侧的面称为“第二面10D”。

[0241] 以树脂组合物层31的一部分或全部填充到通孔14中的方式进行芯基材10与树脂片30的层叠。因此，层叠通常以树脂组合物层31与芯基材10接合的方式进行。具体而言，所
述层叠可通过将树脂片30加热压接于芯基材10上，并在芯基材10上贴合树脂组合物层31来
进行。如图4所示的例子那样，在树脂片30具备支撑体32的情况下，所述层叠可通过从支撑
体32侧将树脂片30按压于芯基材10上来进行。作为用于加热压接的构件(以下，有时称为
“加热压接构件”，未图示)，例如可举出：经加热的金属板(SUS端板等)或金属辊(SUS辊等)等。可将加热压接构件向树脂片30直接压制，但优选隔着耐热橡胶等弹性材料进行压制，以
使树脂片30充分地追随芯基材10的表面凹凸。

[0242] 芯基材10与树脂片30的层叠例如可通过真空层压法来实施。层叠条件例如可如下所述。加热压接温度优选为60℃～160℃、更优选为80℃～140℃的范围。加热压接压力优选
为0.098MPa～1.77MPa、更优选为0.29MPa～1.47MPa的范围。加热压接时间优选为20秒～
400秒、更优选为30秒～300秒的范围。层叠优选在压力为13hPa以下的减压条件下来实施。

[0243] 在层叠之后，也可通过常压下(大气压下)、例如从支撑体32侧对加热压接构件进行压制，从而对层叠后的树脂片30进行平滑化处理。平滑化处理的压制条件可与上述层叠
的加热压接条件同样的条件。需要说明的是，层叠与平滑化处理可使用真空层压机连续地
进行。

[0244] 图5是示意性地表示在本发明的第1实施方式所涉及的电路基板的制造方法中层叠有芯基材10和树脂片30的模样的截面图。通过芯基材10与树脂片30的层叠，如图5所示，
由于树脂片30的树脂组合物层31进入通孔14，因此通孔14被树脂组合物层31填充。在此，示
出树脂组合物层31的一部分进入通孔14、另一部分不进入通孔14而附着于芯基材10的第一
面10U上的例子并进行说明。因此，可在芯基材10的第一面10U上形成树脂组合物层31。而
且，进入通孔14的树脂组合物层31的又一部分可穿过通孔14，可从芯基材10的第二面10D侧
的开口排出。因此，可在芯基材10的第二面10D上形成树脂组合物层31。

[0245] 通常，在芯基材10与树脂片30层叠之后剥离支撑体32。在本实施方式中，示出在芯基材10与树脂片30层叠后、在工序(2)之前剥离支撑体32的例子并进行说明。然而，支撑体
32的剥离也可在工序(2)之后进行。

[0246] ＜工序(2)＞

[0247] 图6是用于说明本发明的第1实施方式所涉及的电路基板的制造方法的工序(2)的示意性截面图。工序(2)包括：在将芯基材10和树脂片30层叠之后，如图6所示，使树脂组合
物层31固化。通过使树脂组合物层31固化，可形成包含该树脂组合物的固化物的磁性层40。
磁性层40可形成于通孔14内，而且通常也可形成于芯基材10的第一面10U和第二面10D上。

[0248] 树脂组合物层31的固化通常通过热固化来进行。树脂组合物层31的热固化条件可在树脂组合物层31的固化进行的范围内适当地设定。固化温度优选为60℃以上、更优选为
70℃以上、进一步优选为80℃以上，优选为245℃以下、更优选为220℃以下、进一步优选为
200℃以下。固化时间优选为5分钟以上、更优选为10分钟以上、进一步优选为15分钟以上，
优选为120分钟以下、更优选为110分钟以下、进一步优选为100分钟以下。

[0249] 工序(2)中得到的磁性层40的固化度优选为80％以上、更优选为85％以上、进一步优选为90％以上。固化度例如可使用差示扫描量热装置来测定。

[0250] 电路基板的制造方法可包括下述工序(预热工序)：在将芯基材10和树脂片30层叠之后、且在使树脂组合物层31固化之前，将树脂组合物层31在低于固化温度的温度下进行
加热。例如，可在使树脂组合物层31固化之前，通常以50℃以上且低于120℃(优选为60℃以
上且110℃以下、更优选为70℃以上且100℃以下)的温度，对树脂组合物层31通常预热5分
钟以上(优选为5分钟～150分钟、更优选为15分钟～120分钟)。

[0251] ＜工序(3)＞

[0252] 图7是用于说明本发明的第1实施方式所涉及的电路基板的制造方法的工序(3)的示意性截面图。工序(3)可包括：研磨磁性层40。详细而言，工序(3)可包括：研磨位于通孔14之外的部分的磁性层40。在本实施方式所示的例子中，由于在芯基材10的第一面10U和第二
面10D上形成有磁性层40，因此可将位于这些第一面10U和第二面10D的部分的磁性层40研
磨。位于通孔14之外的部分的磁性层40通常是在最终制品中不需要的剩余部分。通过所述
研磨，如图7所示，可去除该剩余部分。另外，通过研磨，可使作为磁性层40的表面的研磨面
40U和40D变得平坦。

[0253] 作为研磨方法，可采用能够去除磁性层40的不需要部分的方法。作为这样的研磨方法，例如可举出：抛光研磨、砂带研磨、陶瓷研磨等。作为市售的抛光研磨装置，例如可举出：石井表记公司制造的“NT‑700IM”等。

[0254] 作为磁性层40的研磨面40U和40D的算术平均粗糙度(Ra)，从提高与导体层(在图7中未图示)之间的密合性的观点出发，优选为300nm以上、更优选为350nm以上、进一步优选
为400nm以上。上限优选为1000nm以下、更优选为900nm以下、进一步优选为800nm以下。表面粗糙度(Ra)例如可使用非接触型表面粗糙度计来测定。

[0255] 在工序(2)之后且工序(3)之前，为了进一步提高磁性层40的固化度，还可对磁性层40施行热处理。所述热处理中的温度可基于上述的固化温度。具体的热处理温度优选为
120℃以上、更优选为130℃以上、进一步优选为150℃以上，优选为245℃以下、更优选为220℃以下、进一步优选为200℃以下。热处理时间优选为5分钟以上、更优选为10分钟以上、进
一步优选为15分钟以上，优选为150分钟以下、更优选为120分钟以下、进一步优选为100分
钟以下。

[0256] 通过进行上述的工序(1)～(2)、进一步根据需要进行工序(3)，可得到具备芯基材10和填充该芯基材10的通孔14的磁性层40的电路基板100。在如此得到的电路基板100上，
根据需要，也可进行工序(4)和工序(5)来形成导体层。

[0257] ＜工序(4)＞

[0258] 工序(4)包括对磁性层施行粗化处理。通常，对磁性层的研磨面施行粗化处理。另外，在工序(4)中，不仅磁性层的研磨面，而且还可对芯基材10的表面10U和10D施行粗化处
理。

[0259] 对粗化处理的步骤和条件没有特别限定，例如，可采用在多层印刷布线板的制造方法时使用的步骤和条件。作为具体例，可通过依次包括基于溶胀液的溶胀处理、基于氧化
剂的粗化处理、基于中和液的中和处理的方法，进行粗化处理。

[0260] 作为用于溶胀处理的溶胀液，例如可举出：碱溶液、表面活性剂溶液等，优选为碱溶液。关于作为溶胀液的碱溶液，更优选氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液。作为市售的溶胀液，例如可举出：Atotech Japan公司制造的“Swelling Dip Securiganth P”、“Swelling Dip Securiganth SBU”等。

[0261] 基于溶胀液的溶胀处理例如可通过将磁性层在30℃～90℃的溶胀液中浸渍1分钟～20分钟来进行。从将磁性层中所含的树脂的溶胀抑制在适度的水平的观点出发，优选将
磁性层在40℃～80℃的溶胀液中浸渍5分钟～15分钟。

[0262] 作为用于粗化处理的氧化剂，例如可举出：在氢氧化钠的水溶液中溶解高锰酸钾或高锰酸钠而得的碱性高锰酸溶液。基于碱性高锰酸溶液等氧化剂的粗化处理优选通过将
磁性层在加热至60℃～80℃的氧化剂溶液中浸渍10分钟～30分钟来进行。另外，碱性高锰
酸溶液中的高锰酸盐的浓度优选为5质量％～10质量％。作为市售的氧化剂，例如可举出：
Atotech Japan公司制造的“Concentrate Compact CP”、“Dosing Solution Securiganth P”等碱性高锰酸溶液。

[0263] 作为可用于中和处理的中和液，优选酸性的水溶液。作为中和液的市售品，例如可举出：Atotech Japan公司制造的“Reduction Solution Securiganth P”。基于中和液的中和处理可通过使进行了基于氧化剂溶液的粗化处理的处理面在30℃～80℃的中和液中浸
渍5分钟～30分钟来进行。从操作性等方面考虑，优选将进行了基于氧化剂溶液的粗化处理
的磁性层在40℃～70℃的中和液中浸渍5分钟～20分钟的方法。

[0264] 从提高与导体层之间的密合性的观点出发，磁性层的表面的粗化处理后的算术平均粗糙度(Ra)优选为300nm以上、更优选为350nm以上、进一步优选为400nm以上。上限优选
为1500nm以下、更优选为1200nm以下、进一步优选为1000nm以下。表面粗糙度(Ra)例如可使
用非接触型表面粗糙度计来测定。

[0265] ＜工序(5)＞

[0266] 图8是用于说明本发明的第1实施方式所涉及的电路基板100的制造方法的工序(5)的示意性截面图。如图8所示，工序(5)包括：在磁性层40的研磨面40U和40D上形成导体
层50。在本实施方式中，示出不仅在磁性层40的研磨面40U和40D上，而且在其周围的面(例
如，芯基材10的第一面10U和第二面10D)上也形成有导体层50的例子。另外，在图8中，示出
在芯基材10的两侧形成有导体层50的例子，但导体层50也可以仅形成于芯基材10的单侧
上。

[0267] 图9是用于说明本发明的第1实施方式所涉及的电路基板100的制造方法的工序(5)的示意性截面图。如图9所示，工序(5)还可包括：在形成导体层50之后，通过蚀刻等处
理，去除导体层50、金属层12和13、以及电镀层20的一部分，而形成图案导体层51。

[0268] 导体层50的形成方法例如可举出：电镀法、溅射法、蒸镀法等，其中，优选电镀法。在适宜的实施方式中，可通过半加成法、全加成法等适当的方法在磁性层40(和根据需要，
在芯基板10)的表面进行电镀，形成具有所期望的布线图案的图案导体层51。作为导体层50
的材料，例如可举出：金、白金、钯、银、铜、铝、钴、铬、锌、镍、钛、钨、铁、锡、铟等单金属；选自金、白金、钯、银、铜、铝、钴、铬、锌、镍、钛、钨、铁、锡和铟中的2种以上金属的合金。其中，从通用性、成本、图案化的容易性等观点出发，优选使用铬、镍、钛、铝、锌、金、钯、银或铜、或者镍铬合金、铜镍合金、铜钛合金，更优选使用铬、镍、钛、铝、锌、金、钯、银或铜、或者镍铬合金，进一步优选使用铜。

[0269] 在此，对形成图案导体层51的方法的例子进行详细说明。通过无电解电镀，在磁性层40的研磨面40U和40D上形成电镀籽晶层。接着，在所形成的电镀籽晶层上，根据需要，在
形成掩模图案之后，通过电解电镀形成电解电镀层。之后，根据需要，去除掩模图案，进一步通过蚀刻等处理去除不需要的电镀籽晶层，可形成具有所期望的布线图案的图案导体层
51。在形成图案导体层51之后，为了提高图案导体层51的密合强度，还可根据需要进行退火
处理。退火处理例如可通过在150℃～200℃下加热20分钟～90分钟来进行。

[0270] 图案导体层51的厚度优选为1μm以上、更优选为3μm以上、进一步优选为5μm以上，优选为70μm以下、更优选为50μm以下、进一步优选为40μm以下、特别优选为10μm以下。

[0271] 通过以上的方法，得到具备磁性层40的电路基板100。磁性层40是将树脂组合物层31固化而得到的，因此包含树脂组合物的固化物。因此，磁性层40可大量包含磁性粉体(未
图示)，故可具有优异的磁性特性。

[0272] ＜第2实施方式＞

[0273] 第2实施方式的电路基板包含由树脂片的树脂组合物层的固化物形成的磁性层。该电路基板例如包括下述工序：

[0274] 工序(A)，将树脂片以树脂组合物层与内层基板接合的方式层叠于内层基板上而形成磁性层。

[0275] 另外，第2实施方式的电路基板的制造方法除了工序(A)之外还可包括任选的工序。例如，电路基板的制造方法可包括下述工序：

[0276] 工序(B)，在磁性层上进行开孔加工；

[0277] 工序(C)，对磁性层施行粗化处理；和

[0278] 工序(D)，在磁性层上形成导体层。

[0279] 该制造方法优选依次包括工序(A)～(D)。

[0280] ＜工序(A)＞

[0281] 工序(A)是将树脂片以树脂组合物层与内层基板接合的方式层叠于内层基板上而形成磁性层的工序。作为工序(A)的一个实施方式，将树脂片以树脂组合物层与内层基板接
合的方式层叠于内层基板上，将树脂组合物层热固化而形成磁性层。

[0282] 图10是用于说明本发明的第2实施方式所涉及的电路基板的制造方法的工序(A)的示意性截面图。工序(A)中，将树脂片310以树脂组合物层320a与内层基板200接合的方式
层叠于内层基板200上，所述树脂片310包含：支撑体330和设置于该支撑体330上的树脂组
合物层320a。

[0283] 内层基板200是绝缘性的基板。作为内层基板200的材料，例如可举出：玻璃环氧基板、金属基板、聚酯基板、聚酰亚胺基板、BT树脂基板、热固化型聚苯醚基板等绝缘性基材。
内层基板200可以是在其厚度内置入有布线等的内层电路基板。

[0284] 如图10中示出的一个例子那样，内层基板200具有：设置于第1主表面200a上的第1导体层420和设置于第2主表面200b上的外部端子240。第1导体层420可包含多个布线。在图
示例中，仅示出了构成感应器元件的线圈状导电性结构体400的布线。外部端子240是用于
与未图示的外部的装置等电连接的端子。外部端子240可作为设置于第2主表面200b的导体
层的一部分而构成。

[0285] 作为可构成第1导体层420和外部端子240的导体材料，与在第1实施方式的“＜工序(5)＞”栏中说明的导体层的材料同样。

[0286] 第1导体层420和外部端子240可以是单层结构，也可以是由不同种类的金属或合金构成的单金属层或合金层层叠2层以上而得的多层结构。另外，第1导体层420、外部端子
240的厚度与后述的第2导体层440同样。

[0287] 对第1导体层420和外部端子240的线宽(L)/线距(S)比没有特别限定，从减少表面凹凸并得到平滑性优异的磁性层的观点出发，通常为900/900μm以下、优选为700/700μm以
下、更优选为500/500μm以下、进一步优选为300/300μm以下、更进一步优选为200/200μm以下。对线宽/线距比的下限没有特别限定，从使树脂组合物层在线距中的埋入良好的观点出
发，优选为1/1μm以上。

[0288] 内层基板200可具有以从第1主表面200a到达第2主表面200b的方式贯穿内层基板200的多个通孔220。通孔220中设置有通孔内布线220a。通孔内布线220a将第1导体层420和
外部端子240电连接。

[0289] 关于树脂组合物层320a与内层基板200的接合，与在第1实施方式的“＜工序(1)＞”栏中说明的芯基材与树脂片的层叠方法同样。

[0290] 在将树脂片层叠于内层基板之后，将树脂组合物层热固化而形成磁性层。如图11中示出的一个例子那样，将接合于内层基板200的树脂组合物层320a热固化而形成第1磁性
层320。

[0291] 树脂组合物层320a的热固化条件与在第1实施方式的“＜工序(2)＞”栏中说明的树脂组合物层的热固化条件同样。

[0292] 支撑体330可在工序(A)的热固化后与工序(B)之间除去，也可在工序(B)之后剥离。

[0293] ＜工序(B)＞

[0294] 图12是用于说明本发明的第2实施方式所涉及的电路基板的制造方法的工序(B)的示意性截面图。工序(B)中，在第1磁性层320上进行开孔加工，形成过孔360。

[0295] 过孔360成为用于将第1导体层420和后述的第2导体层440电连接的通路。过孔360的形成可根据用于形成磁性层的树脂组合物的组成等，例如使用钻头、激光、等离子体等来
实施。过孔的尺寸或形状可根据电路基板的设计而适宜确定。

[0296] ＜工序(C)＞

[0297] 工序(C)包括对形成有过孔的磁性层施行粗化处理。作为工序(C)中的粗化处理的方法，可通过与在第1实施方式的“＜工序(4)＞”栏中说明的方法同样的方法来进行。

[0298] 工序(C)中的粗化处理可以是研磨绝缘层表面的处理。作为研磨方法，可通过与在第1实施方式的“＜工序(3)＞”栏中说明的研磨方法同样的研磨来进行。

[0299] 作为磁性层的施行了粗化处理的面的算术平均粗糙度(Ra)，从提高电镀密合性的观点出发，优选为300nm以上、更优选为350nm以上、进一步优选为400nm以上。上限优选为
1000nm以下、更优选为900nm以下、进一步优选为800nm以下。表面粗糙度(Ra)例如可使用非
接触型表面粗糙度计来测定。

[0300] ＜工序(D)＞

[0301] 图13是用于说明本发明的第2实施方式所涉及的电路基板的制造方法的工序(D)的示意性截面图。如图13中示出的一个例子那样，在工序(D)中包括：在第1磁性层320上形
成第2导体层440。

[0302] 作为可构成第2导体层440的导体材料，与在第1实施方式的“＜工序(5)＞”栏中说明的导体层的材料同样。

[0303] 从薄型化的观点出发，第2导体层440的厚度优选为70μm以下、更优选为60μm以下、进一步优选为50μm以下、更进一步优选为40μm以下、特别优选为30μm以下、20μm以下、15μm以下或10μm以下。下限优选为1μm以上、更优选为3μm以上、进一步优选为5μm以上。

[0304] 第2导体层440可通过电镀形成。第2导体层440例如优选通过包括无电解电镀工序、掩模图案形成工序、电解电镀工序、快速蚀刻工序的半加成法、全加成法等湿式电镀法
来形成。通过使用湿式电镀法形成第2导体层440，可形成为包含所期望的布线图案的第2导
体层440。需要说明的是，通过该工序，在过孔360内一并形成过孔内布线360a。

[0305] 例如，如后述的图14～16中示出的一个例子那样，第1导体层420和第2导体层440可设置为螺旋形。在一个例子中，第2导体层440的螺旋形布线部中的中心侧的一端通过过
孔内布线360a而与第1导体层420的螺旋形布线部中的中心侧的一端电连接。第2导体层440
的螺旋形布线部中的外周侧的另一端通过过孔内布线360a而与第1导体层42的焊盘420a电
连接。因此，第2导体层440的螺旋形布线部中的外周侧的另一端经由过孔内布线360a、焊盘
420a、通孔内布线220a而与外部端子240电连接。

[0306] 线圈状导电性结构体400由作为第1导体层420的一部分的螺旋形布线部、作为第2导体层440的一部分的螺旋形布线部、将第1导体层420的螺旋形布线部与第2导体层440的
螺旋形布线部电连接的过孔内布线360a构成。

[0307] 在工序(D)之后，可进一步进行在导体层上形成磁性层的工序。详细而言，如图15中示出的一个例子那样，在第2导体层440和形成有过孔内布线360a的第1磁性层320上形成
第2磁性层340。第2磁性层可通过与已经说明的工序同样的工序来形成。

[0308] [感应器基板]

[0309] 感应器基板包含本发明的电路基板。关于这样的感应器部件，在包含通过第1实施方式的电路基板的制造方法得到的电路基板的情况下，在所述树脂组合物层的固化物周围
的至少一部分具有由导体形成的感应器图案。这样的感应器基板可应用例如日本特开
2016‑197624号公报中记载的基板。

[0310] 另外，在包含通过第2实施方式的电路基板的制造方法得到的电路基板的情况下，感应器基板具有磁性层、以及至少一部分被埋入至该磁性层中的导电性结构体，并包含由
该导电性结构体、和沿磁性层的厚度方向延伸且被导电性结构体包围的磁性层中的一部分
构成的感应器元件。在此，图14是从厚度方向的一侧观察内置有感应器元件的感应器基板
的示意性俯视图。图15是表示在图14所示的II‑II点划线示出的位置切割的感应器基板的
切割端面的示意图。图16是用于说明感应器基板中的第1导体层的构成的示意性俯视图。

[0311] 如图14和图15中作为一个例子所示的那样，电路基板100是具有多层磁性层(第1磁性层320、第2磁性层340)和多层导体层(第1导体层420、第2导体层440)的、即具有积层磁
性层和积层导体层的积层布线板。另外，感应器基板100具备内层基板200。

[0312] 根据图15，第1磁性层320和第2磁性层340构成可视为一体的磁性层的磁性部300。因此，线圈状导电性结构体400以至少一部分埋入至磁性部300中的方式设置。即，在本实施
方式的感应器基板100中，感应器元件由线圈状导电性结构体400、和沿磁性部300的厚度方
向延伸且被线圈状导电性结构体400包围的磁性部300中的一部分即芯部构成。

[0313] 如图16中作为一个例子所示的那样，第1导体层420包含：用于构成线圈状导电性结构体400的螺旋形布线部、以及与通孔内布线220a电连接的矩形焊盘420a。在图示例中，
螺旋形布线部包含：直线状部、弯曲成直角的弯曲部和向焊盘420a迂回的迂回部。在图示例
中，第1导体层420的螺旋形布线部具有整体轮廓为大致矩形、且从中心侧向其外侧以逆时
针方向卷绕的形状。

[0314] 同样地，在第1磁性层320上设置有第2导体层440。第2导体层440包含用于构成线圈状导电性结构体400的螺旋形布线部。在图14或图15中，螺旋形布线部包含直线状部和弯
曲成直角的弯曲部。在图14或图15中，第2导体层440的螺旋形布线部具有整体轮廓为大致
矩形、且从中心侧向其外侧以顺时针方向卷绕的形状。

[0315] 这样的感应器基板可用作用于搭载半导体芯片等电子部件的布线板，也可用作将所述布线板作为内层基板使用的(多层)印刷布线板。另外，还可用作将所述布线板单片化
而得的芯片感应器基板，也可用作表面安装了该芯片感应器基板的印刷布线板。

[0316] 另外，使用所述布线板，可制造各种方式的半导体装置。包含所述布线板的半导体装置可适宜地用于电气制品(例如，计算机、移动电话、数码相机和电视等)和交通工具(例
如，摩托车、汽车、电车、船舶和飞机等)等。

[0317] 实施例

[0318] 以下，通过实施例对本发明进行具体的说明，但本发明不限定于这些实施例。需要说明的是，在以下的记载中，只要没有另外明示，则表示量的“份”和“％”分别是指“质量份”和“质量％”。

[0319] ＜实施例1＞

[0320] 将0.29份重均分子量为600以上且小于8000的低聚物树脂(三菱化学公司制造的“jER1001”、双酚A型环氧树脂、环氧当量(EPW)475g/eq.、软化点64℃、二官能(2B)、重均分子量900)、0.91份环氧树脂(日铁化学材料公司制造的“ZX‑1059”、双酚A型环氧树脂与双酚F型环氧树脂的混合品)、1.17份酚醛树脂(DIC公司制造的“LA‑7054”、羟基当量约125g/eq.的固体成分60％的MEK溶液)、40.50份磁性粉体(Epson Atmix公司制造的“ATFINE‑NC1 
PF10FA”、平均粒径(D50)6.0μm)、16.20份磁性粉体(JFE Mineral公司制造的“CVD铁粉(0.7μm)”)、5.10份磁性粉体(Powdertech公司制造的“M001”、平均粒径(D50)0.12μm)、0.25份分散剂(日油公司制造的“SC‑1015F”、聚氧化烯系分散剂)和3.48份溶剂(东京化成工业公司制
造的“丁基卡必醇乙酸酯”)混合，用高速旋转混合器均匀地分散，调制了树脂组合物。

[0321] ＜实施例2＞

[0322] 在实施例1中，将0.29份重均分子量为600以上且小于8000的低聚物树脂(三菱化学公司制造的“jER1001”)变更为0.29份重均分子量为600以上且小于8000的低聚物树脂
(三菱化学公司制造的“jER1004AF”、由双酚类制造的聚醚型的环氧树脂、重均分子量
1650)。除了以上的事项以外，与实施例1同样地进行操作，调制了树脂组合物。

[0323] ＜实施例3＞

[0324] 在实施例1中，将0.29份重均分子量为600以上且小于8000的低聚物树脂(三菱化学公司制造的“jER1001”)变更为0.29份重均分子量为600以上且小于8000的低聚物树脂
(三菱化学公司制造的“jER1010”、双酚A型环氧树脂、重均分子量5500)。除了以上的事项以外，与实施例1同样地进行操作，调制了树脂组合物。

[0325] ＜实施例4＞

[0326] 在实施例1中，将0.29份重均分子量为600以上且小于8000的低聚物树脂(三菱化学公司制造的“jER1001”)变更为0.29份重均分子量为600以上且小于8000的低聚物树脂
(三菱化学公司制造的“jER4005P”、双酚F型环氧、重均分子量6200)。除了以上的事项以外，与实施例1同样地进行操作，调制了树脂组合物。

[0327] ＜实施例5＞

[0328] 在实施例1中，将0.29份重均分子量为600以上且小于8000的低聚物树脂(三菱化学公司制造的“jER1001”)变更为0.13份，且加入了0.52份重均分子量为8000以上的树脂
(三菱化学公司制造的“YX7553H30”、特殊骨架苯氧树脂、MEK：环己酮＝1：1的30％溶液、重均分子量：35000)。除了以上的事项以外，与实施例1同样地进行操作，调制了树脂组合物。

[0329] ＜比较例1＞

[0330] 将0.91份环氧树脂(日铁化学材料公司制造的“ZX‑1059”)、1.17份酚醛树脂(DIC公司制造的“LA‑7054”)、35.00份磁性粉体(Epson Atmix公司制造的“ATFINE‑NC1 
PF10FA”)、14.08份磁性粉体(JFE Mineral公司制造的“CVD铁粉(0.7μm)”)、4.43份磁性粉体(Powdertech公司制造的“M001”)、0.25份分散剂(日油公司制造的“SC‑1015F”)和3.48份溶剂(东京化成工业公司制造的“丁基卡必醇乙酸酯”)混合，用高速旋转混合器均匀地分
散，调制了树脂组合物。

[0331] ＜比较例2＞

[0332] 在实施例1中，

[0333] 1)将0.29份重均分子量为600以上且小于8000的低聚物树脂(三菱化学公司制造的“jER1001”)变更为0.73份重均分子量为8000以上的树脂(三菱化学公司制造的
“YL9101H40”、重均分子量：9050)，

[0334] 2)将溶剂(东京化成工业公司制造的“丁基卡必醇乙酸酯”)的量从3.48份变更为3.04份。

[0335] 除了以上的事项以外，与实施例1同样地进行操作，调制了树脂组合物。

[0336] ＜比较例3＞

[0337] 在实施例1中，

[0338] 1)将0.29份重均分子量为600以上且小于8000的低聚物树脂(三菱化学公司制造的“jER1001”)变更为0.96份重均分子量为8000以上的树脂(三菱化学公司制造的
“YX7553H30”)，

[0339] 2)将溶剂(东京化成工业公司制造的“丁基卡必醇乙酸酯”)的量从3.48份变更为2.81份。

[0340] 除了以上的事项以外，与实施例1同样地进行操作，调制了树脂组合物。

[0341] ＜树脂片A的制作＞

[0342] 作为支撑体，准备了施行了有机硅系脱模剂处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(LINTEC公司制造的“PET501010”、厚度50μm)。将各树脂组合物用刮刀均匀地涂布于上述PET膜的脱模面上，使干燥后的树脂组合物层的厚度为100μm，得到了树脂片A。

[0343] ＜熔融粘度的评价＞

[0344] 在将树脂片的支撑体剥离之后，通过用模具压缩树脂组合物层，制作了测定用颗粒(直径18mm、1.2g～1.3g)。之后，使用动态粘弹性测定装置(UBM公司制造的“Rheosol‑
G3000”)，对于该测定用颗粒进行了最低熔融粘度的测定。具体而言，对于1g测定用颗粒，使用直径18mm的平行板，在起始温度60℃至200℃的温度范围内升温，测定动态粘弹性模量，
计算出最低熔融粘度(泊)。测定条件设为升温速度5℃/分钟、测定温度间隔2.5℃、振动频
率1Hz、应变1deg。

[0345] ＜剥离性的评价＞

[0346] 确认能否用手从树脂片A的PET膜上剥离树脂组合物层，通过以下的评价基准评价了有无剥离性。

[0347] ○：树脂组合物层的全部均可从PET膜上剥离；

[0348] ×：树脂组合物层的全部不能从PET膜上剥离。

[0349] ＜相对磁导率和损耗系数的测定＞

[0350] 通过将树脂片A在190℃下加热90分钟，将树脂组合物层热固化，剥离支撑体，由此得到了片状的固化物。将所得的片状固化物切割，得到了外径19.2mm、内径8.2mm的环状的
评价样品。使用Keysight公司制造的磁性材料测试夹具“16454A”和Keysight公司制造的阻
抗分析仪“E4991B”，在测定频率10MHz、室温23℃下测定了该评价样品的相对磁导率(μ’)、复数磁导率的虚数成分(μ”)和损耗系数(tanδ)。通过以下的式“tanδ＝μ”/μ’”计算出损耗系数tanδ。

[0351] ○：相对磁导率为29以上；

[0352] ×：相对磁导率小于29。

[0353] [表1]

[0354] (表1)

[0355]

[0356]

[0357] *表中，(C)成分的含量(体积％)表示将树脂组合物中的非挥发成分设为100体积％的情况下的含量。

[0358] 标记说明

[0359] 10 芯基材；

[0360] 10U 第一面；

[0361] 10D 第二面；

[0362] 11 支撑基板；

[0363] 12 金属层；

[0364] 13 金属层；

[0365] 14 通孔；

[0366] 20 电镀层；

[0367] 30 树脂片；

[0368] 31 树脂组合物层；

[0369] 32 支撑体；

[0370] 40 磁性层；

[0371] 40U 研磨面；

[0372] 40D 研磨面；

[0373] 50 导体层；

[0374] 51 图案导体层；

[0375] 100 电路基板；

[0376] 200 内层基板；

[0377] 200a第1主表面；

[0378] 200b第2主表面；

[0379] 220 通孔；

[0380] 220a 通孔内布线；

[0381] 240 外部端子；

[0382] 300 磁性部；

[0383] 310 树脂片；

[0384] 320a 树脂组合物层；

[0385] 320第1绝缘层；

[0386] 330支撑体；

[0387] 340第2绝缘层；

[0388] 360 过孔；

[0389] 360a 过孔内布线；

[0390] 400 线圈状导电性结构体；

[0391] 420第1导体层；

[0392] 420a焊盘；

[0393] 440第2导体层。