[0001] 本发明的技术涉及一种磁带、磁带盒、伺服图案记录装置、磁带驱动器、磁带系统、检测装置、检查装置、伺服图案记录方法、磁带的制造方法、检测方法及检查方法。

[0002] 在美国专利第8094402号中举出了在磁带设备中，当磁带未以适当的张力和/或偏斜角度通过磁头时，出现读取和/或写入错误这一问题。为了解决该问题，美国专利第8094402号中所记载的系统包含具有阅读器及写入器中的至少一个阵列的磁头、用于在磁头上使磁记录带通过的驱动机构以及与磁头耦合的偏斜感应机构，并且调整阵列的纵轴相对于与磁带在磁头上移动的方向垂直的方向的偏斜角度及与磁头进行通信的控制器。并且，美国专利第8094402号中所记载的系统确定磁带的磁带尺寸稳定状态，向相对于磁带的移动方向从法线分开的方向调整偏斜角度，当磁带尺寸稳定状态处于收缩状态时，降低磁头整体的磁带的张力。

[0003] 在美国专利第6781784号中公开有通过对产生有横向变形的磁带的数据磁道选择性地使用纵向偏移的读取元件来进行读取的方法。读取元件为相对于磁带具有方位角的磁头的一部分，在读取元件之间产生横向偏移。该横向偏移为了将横向的磁带的变形的影响抑制为最小限度而利用。

[0004] 在日本特开2009‑123288号公报中公开有磁头装置，其具备：磁头部，在第1直线上以等间隔并列设置有分别进行记录于设置于磁带的多个数据磁道的数据的播放及对该各数据磁道的数据的记录中的至少一者的多个磁性元件；移动机构，使该磁头部移动；及控制部，执行通过使所述磁头部相对于所述移动机构移动而对所述各数据磁道分别使所述各磁性元件正对磁道(Ontrack)的跟踪控制。在日本特开2009‑123288号公报中所记载的磁头装置中，移动机构构成为能够进行以增减沿着磁带宽度的第2直线与第1直线所成的角度的朝向使磁头部转动的转动驱动，控制部在执行跟踪控制时，以与各数据磁道的间隔的变化相对应的角度的增减量来使移动机构转动驱动磁头部而对各数据磁道使各磁性元件正对磁道。

[0005] 在日本特开2000‑260014号公报中记载了一种方法，其为形成伺服磁道结构的方法，其包括如下步骤：形成具有宽度的至少一个伺服磁道；及在伺服磁道内反复记录伺服图案的记录步骤，记录步骤包括如下步骤：在伺服磁道内反复进行第1基准图案线及第2基准图案线和磁道图案线的同时记录。第1基准图案线及第2基准图案线分别具有相同的规定形状，且遍及伺服磁道的宽度延伸，而且，磁道图案线具有与第1基准图案线及第2基准图案线的规定形状不同的规定形状，且遍及伺服磁道的宽度延伸。

[0006] 在日本特开2020‑140744号公报中记载了一种磁带读取装置，其具备：获取部，从磁带盒获取与磁带盒所具有的磁带的伺服带中所记录的伺服图案的直线性相关的信息；读取元件单元，以靠近的状态配置有至少两个读取元件，该至少两个读取元件分别以线性扫描方式从磁带中所包含的磁道区域中的包括读取对象磁道的特定磁道区域读取数据；伺服读取元件，读取伺服图案；控制部，进行如下控制，即，使用伺服读取元件所读取的伺服图案的读取信号和获取部所获取的与直线性相关的信息，对读取元件单元进行定位；导出部，在由控制部进行控制的状态下，使用伺服图案的读取信号来导出磁带与读取元件单元的位置的偏离量；及提取部，通过对每个读取元件的读取结果分别实施与由导出部导出的偏离量相对应的波形等化处理，从读取结果提取记录于读取对象磁道中的数据。

[0091] 以下，按照附图对本发明的技术所涉及的磁带、磁带盒、伺服图案记录装置、磁带驱动器、磁带系统、检测装置、检查装置、伺服图案记录方法、磁带的制造方法、检测方法及检查方法的实施方式的一例进行说明。

[0092] 首先，对以下说明中所使用词句进行说明。

[0093] NVM是指“Non‑volatile memory：非易失性存储器”的简称。CPU是指“Central Processing Unit：中央处理器”的简称。RAM是指“Random Access Memory：随机存取存储器”的简称。EEPROM是指“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory：电可擦可编程只读存储器”的简称。SSD是指“Solid State Drive：固态硬盘”的简称。HDD是指“Hard Disk Drive：硬盘驱动器”的简称。ASIC是指“Application Specific Integrated Circui t：专用集成电路”的简称。FPGA是指“Field‑Programmable Gate Array：现场可编程门阵列”的简称。PLC是指“Programmable Logic Controller：可编程逻辑控制器”的简称。IC是指“Integrated Circuit：集成电路”的简称。RFID是指“Radio Frequency Identifier：无线射频识别”的简称。BOT是指“Beginning Of Tape：磁带始端”的简称。EOT是指“End Of Tape：磁带尾端”的简称。UI是指“User Interface：用户接口”的简称。WAN是指“WideArea Network：广域网”的简称。LAN是指“Local Area Network：局域网”的简称。

[0094] 作为一例，如图1所示，磁带系统10具备磁带盒12及磁带驱动器14。在磁带驱动器14中装填有磁带盒12。磁带盒12容纳有磁带MT。磁带驱动器14从所装填的磁带盒12抽出磁带MT，一边使所抽出的磁带MT行进，一边对磁带MT记录数据，或从磁带MT读取数据。

[0095] 在本实施方式中，磁带MT为本发明的技术所涉及的“磁带”的一例。并且，在本实施方式中，磁带系统10为本发明的技术所涉及的“磁带系统”的一例。并且，在本实施方式中，磁带驱动器14为本发明的技术所涉及的“磁带驱动器”及“检测装置”的一例。并且，在本实施方式中，磁带盒12为本发明的技术所涉及的“磁带盒”的一例。

[0096] 接着，参考图2～图4对磁带盒12的结构的一例进行说明。另外，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，以箭头A来表示磁带盒12向磁带驱动器14的装填方向，将箭头A方向设为磁带盒12的前方向，将磁带盒12的前方向侧设为磁带盒12的前侧。在以下所示的结构的说明中，“前”是指磁带盒12的前侧。

[0097] 并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与箭头A方向正交的箭头B方向设为右方向，将磁带盒12的右方向侧设为磁带盒12的右侧。在以下所示的结构的说明中，“右”是指磁带盒12的右侧。

[0098] 并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与箭头B方向相反的方向设为左方向，将磁带盒12的左方向侧设为磁带盒12的左侧。在以下所示的结构的说明中，“左”是指磁带盒12的左侧。

[0099] 并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，以箭头C来表示与箭头A方向及箭头B方向正交的方向，将箭头C方向设为磁带盒12的上方向，将磁带盒12的上方向侧设为磁带盒12的上侧。在以下所示的结构的说明中，“上”是指磁带盒12的上侧。

[0100] 并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与磁带盒12的前方向相反的方向设为磁带盒12的后方向，将磁带盒12的后方向侧设为磁带盒12的后侧。在以下所示的结构的说明中，“后”是指磁带盒12的后侧。

[0101] 并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与磁带盒12的上方向相反的方向设为磁带盒12的下方向，将磁带盒12的下方向侧设为磁带盒12的下侧。在以下所示的结构的说明中，“下”是指磁带盒12的下侧。

[0102] 作为一例，如图2所示，磁带盒12在俯视观察下大致呈矩形形状，且具备箱状的壳体16。壳体16为本发明的技术所涉及的“壳体”的一例。壳体16中容纳有磁带MT。壳体16由聚碳酸酯等树脂制成，且具备上壳体18及下壳体20。上壳体18及下壳体20在使上壳体18的下周缘面与下壳体20的上周缘面接触的状态下，通过焊接(例如，超声波焊接)及螺钉固定而接合。接合方法并不限于焊接及螺钉固定，可以是其他接合方法。

[0103] 在壳体16的内部可旋转地容纳有送出卷轴22。送出卷轴22具备卷轴毂22A、上凸缘22B1及下凸缘22B2。卷轴毂22A形成为圆筒状。卷轴毂22A为送出卷轴22的轴心部，轴心方向沿着壳体16的上下方向，且配置于壳体16的中央部。上凸缘22B1及下凸缘22B2分别形成为圆环状。在卷轴毂22A的上端部固定有上凸缘22B1的俯视中央部，在卷轴毂22A的下端部固定有下凸缘22B2的俯视中央部。另外，卷轴毂22A与下凸缘22B2可以一体成型。

[0104] 在卷轴毂22A的外周面卷绕有磁带MT，磁带MT的宽度方向的端部由上凸缘22B1及下凸缘22B2保持。

[0105] 在壳体16的右壁16A的前侧形成有开口16B。磁带MT从开口16B抽出。

[0106] 下壳体20中设置有盒式存储器24。具体而言，在下壳体20的右后端部容纳有盒式存储器24。在盒式存储器24中搭载有具有NVM的IC芯片。在本实施方式中，所谓的无源RFID标签用作盒式存储器24，并且对盒式存储器24以非接触方式进行各种信息的读写。

[0107] 在盒式存储器24中存储有管理磁带盒12的管理信息。管理信息中例如包含与盒式存储器24相关的信息(例如，能够确定磁带盒12的信息)、与磁带MT相关的信息(例如，表示磁带MT的记录容量的信息、表示记录于磁带MT的数据的概要的信息、表示记录于磁带MT的数据的项目的信息及表示记录于磁带MT的数据的记录格式的信息等)及与磁带驱动器14相关的信息(例如，表示磁带驱动器14的规格的信息及磁带驱动器14中所使用的信号)等。

[0108] 作为一例，如图3所示，磁带驱动器14具备输送装置26、磁头28、控制装置30、存储器32、UI系统装置34及通信接口35。在磁带驱动器14中沿着箭头A方向装填磁带盒12。在磁带驱动器14中，磁带MT从磁带盒12抽出后使用。

[0109] 磁带MT具有磁性层29A、基膜29B及背涂层29C。磁性层29A形成于基膜29B的一面侧，背涂层29C形成于基膜29B的另一面侧。对磁性层29A记录数据。磁性层29A包含铁磁性粉末。作为铁磁性粉末，例如可以使用在各种磁记录介质的磁性层中通常使用的铁磁性粉末。作为铁磁性粉末的优选具体例，可举出六方晶铁氧体粉末。作为六方晶铁氧体粉末，例如可举出六方晶锶铁氧体粉末或六方晶钡铁氧体粉末等。背涂层29C例如为包含炭黑等非磁性粉末的层。基膜29B也被称为支承体，例如由聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰胺等形成。另外，可以在基膜29B与磁性层29A之间形成有非磁性层。在磁带MT中，形成有磁性层29A的面为磁带MT的表面31，形成有背涂层29C的面为磁带MT的背面33。

[0110] 磁带驱动器14使用磁头28对磁带MT的表面31进行磁处理。在此，磁处理是指，对磁带MT的表面31记录数据及从磁带MT的表面31读取数据(即，数据的播放)。在本实施方式中，磁带驱动器14使用磁头28选择性地进行对磁带MT的表面31记录数据及从磁带MT的表面31读取数据。即，磁带驱动器14从磁带盒12抽出磁带MT，使用磁头28对所抽出的磁带MT的表面31记录数据，或使用磁头28从所抽出的磁带MT的表面31读取数据。

[0111] 控制装置30控制磁带驱动器14的整体。在本实施方式中，控制装置30通过ASIC来实现，但本发明的技术并不限定于此。例如，控制装置30可以通过FPGA和/或PLC来实现。并且，控制装置30也可以通过包含CPU、闪存(例如，EEPROM和/或SSD等)及RAM的计算机来实现。并且，也可以通过ASIC、FPGA、PLC及计算机中的两个以上的组合来实现。即，控制装置30也可以通过硬件结构与软件结构的组合来实现。另外，控制装置30为本发明的技术所涉及的“处理器”的一例。

[0112] 存储器32与控制装置30连接，控制装置30对存储器32写入各种信息及从存储器32读出各种信息。作为存储器32的一例，可举出闪存和/或HDD。闪存及HDD只不过是一例，只要是能够搭载于磁带驱动器14的非易失性存储器，则可以是任意存储器。

[0113] UI系统装置34为具有接收表示来自用户的指示的指示信号的接收功能及对用户提示信息的提示功能的装置。接收功能例如通过触摸面板，硬键(例如，键盘)和/或鼠标等来实现。提示功能例如通过显示器、打印机和/或扬声器等来实现。UI系统装置34与控制装置30连接。控制装置30获取通过UI系统装置34接收的指示信号。UI系统装置34在控制装置30的控制下，对用户提示各种信息。

[0114] 通信接口35与控制装置30连接。并且，通信接口35经由WAN和/或LAN等通信网(省略图示)与外部装置37连接。通信接口35管理控制装置30与外部装置37之间的各种信息(例如，对磁带MT的记录用数据、从磁带MT读取的数据和/或对控制装置30提供的指示信号等)的收发。另外，作为外部装置37，例如可举出个人计算机或主机等。

[0115] 输送装置26为选择性地沿着既定路径向正向及反向输送磁带MT的装置，具备送出马达36、卷取卷轴38、卷取马达40及多个导辊GR。另外，在此，正向是指磁带MT的送出方向，反向是指磁带MT的倒带方向。在本实施方式中，输送装置26为本发明的技术所涉及的“行进机构”的一例。

[0116] 送出马达36在控制装置30的控制下，使磁带盒12内的送出卷轴22旋转。控制装置30通过控制送出马达36，控制送出卷轴22的旋转方向、转速及转矩等。

[0117] 卷取马达40在控制装置30的控制下，使卷取卷轴38旋转。控制装置30通过控制卷取马达40，控制卷取卷轴38的旋转方向、转速及转矩等。

[0118] 当通过卷取卷轴38卷取磁带MT时，控制装置30使送出马达36及卷取马达40旋转，以使磁带MT沿着既定路径向正向行进。送出马达36及卷取马达40的转速及转矩等根据使卷取卷轴38卷取磁带MT的速度来调整。并且，送出马达36及卷取马达40各自的转速及转矩等由控制装置30调整，由此对磁带MT赋予张力。并且，通过控制装置30调整送出马达36及卷取马达40各自的转速及转矩等，由此控制对磁带MT赋予的张力。

[0119] 另外，当将磁带MT倒带到送出卷轴22时，控制装置30使送出马达36及卷取马达40旋转，以使磁带MT沿着既定路径向反向行进。

[0120] 在本实施方式中，通过控制送出马达36及卷取马达40的转速及转矩等，控制施加于磁带MT的张力，但本发明的技术并不限定于此。例如，施加于磁带MT的张力可以使用张力调节辊来控制，也可以通过将磁带MT引入真空腔室来控制。

[0121] 多个导辊GR分别为引导磁带MT的辊。既定路径即磁带MT的行进路径根据多个导辊GR在磁带盒12与卷取卷轴38之间分开配置于横跨磁头28的位置而设定。

[0122] 磁头28具备磁性元件单元42及托架44。磁性元件单元42以使其与行进中的磁带MT接触的方式由托架44保持。磁性元件单元42具有多个磁性元件。

[0123] 磁性元件单元42对由输送装置26输送的磁带MT记录数据，或从由输送装置26输送的磁带MT读取数据。在此，数据例如是指，伺服图案58(参考图9)及除伺服图案58以外的数据，即记录于数据带DB(参考图9)的数据。

[0124] 磁带驱动器14具备非接触式读写装置46。非接触式读写装置46配置成在装填有磁带盒12的状态的磁带盒12的下侧与盒式存储器24的背面24A正对，并且以非接触的方式对盒式存储器24读写信息。

[0125] 作为一例，如图4所示，非接触式读写装置46从磁带盒12的下侧朝向盒式存储器24释放磁场MF。磁场MF贯穿盒式存储器24。

[0126] 非接触式读写装置46与控制装置30连接。控制装置30将控制信号输出至非接触式读写装置46。控制信号为控制盒式存储器24的信号。非接触式读写装置46按照从控制装置30输入的控制信号生成磁场MF，朝向盒式存储器24释放所生成的磁场MF。

[0127] 非接触式读写装置46经由磁场MF在与盒式存储器24之间进行非接触通信，由此对盒式存储器24进行与控制信号相对应的处理。例如，非接触式读写装置46在控制装置30的控制下，选择性地进行从盒式存储器24读取信息的处理及使盒式存储器24存储信息的处理(即，对盒式存储器24写入信息的处理)。

[0128] 作为一例，如图5所示，磁带驱动器14具备移动机构48。移动机构48具有移动致动器48A。作为移动致动器48A，例如可举出音圈马达和/或压电致动器。移动致动器48A与控制装置30连接，控制装置30控制移动致动器48A。移动致动器48A在控制装置30的控制下，生成动力。移动机构48接收由移动致动器48A生成的动力，由此使磁头28沿着磁带MT的宽度方向移动。

[0129] 磁带驱动器14具备倾斜机构49。倾斜机构49具有倾斜致动器49A。作为倾斜致动器49A，例如可举出音圈马达和/或压电致动器。倾斜致动器49A与控制装置30连接，控制装置
30控制倾斜致动器49A。倾斜致动器49A在控制装置30的控制下，生成动力。倾斜机构49接收由倾斜致动器49A生成的动力，由此使磁头28相对于磁带MT的宽度方向WD向磁带MT的长边方向LD侧倾斜(参考图8)。即，磁头28在控制装置30的控制下在磁带MT上偏斜。

[0130] 在此，作为相对于磁带MT的比较例，参考图6～图8对代替磁带MT而使用以往已知的磁带MT0的情况进行说明。另外，若对磁带MT0与磁带MT进行比较，则不同点在于，在磁带MT0中适用伺服图案52(参考图6)，相对于此，在磁带MT中适用伺服图案58(参考图9)。

[0131] 作为一例，如图6所示，在磁带MT0的表面31形成有伺服带SB1、SB2及SB3以及数据带DB1及DB2。另外，以下，为了便于说明，当无需特别区分时，将伺服带SB1～SB3称为伺服带SB，将数据带DB1及DB2称为数据带DB。

[0132] 伺服带SB1～SB3以及数据带DB1及DB2沿着磁带MT0的长边方向LD(即，全长方向)形成。在此，换言之，磁带MT0的全长方向是指，磁带MT0的行进方向。磁带MT0的行进方向以磁带MT0从送出卷轴22侧向卷取卷轴38侧行进的方向即正向(以下，也简称为“正向”)及磁带MT0从卷取卷轴38侧向送出卷轴22侧行进的方向即反向(以下，也简称为“反向”)这两个方向来规定。

[0133] 伺服带SB1～SB3在磁带MT0的宽度方向WD(以下，也简称为“宽度方向WD”)上分开的位置上排列。例如，伺服带SB1～SB3沿着宽度方向WD以等间隔排列。另外，在本实施方式中，“等间隔”除了指完全等间隔以外，还指在本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且包括不脱离本发明的技术宗旨程度的误差在内的含义下的等间隔。

[0134] 数据带DB1配设于伺服带SB1与伺服带SB2之间，数据带DB2配设于伺服带SB2与伺服带SB3之间。即，伺服带SB与数据带DB沿着宽度方向WD交替排列。

[0135] 另外，在图6所示的例子中，为了便于说明，示出了3根伺服带SB及2根数据带DB，但这只不过是一例，可以是2根伺服带SB及1根数据带DB，即便是4根以上的伺服带SB及3根以上的数据带DB，本发明的技术也成立。

[0136] 在伺服带SB中沿着磁带MT0的长边方向LD记录有多个伺服图案52。伺服图案52分类为伺服图案52A及伺服图案52B。多个伺服图案52沿着磁带MT0的长边方向LD以恒定的间隔配置。另外，在本实施方式中，“恒定”除了指完全恒定以外，还指包括在本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且不脱离本发明的技术宗旨程度的误差在内的含义下的恒定。

[0137] 伺服带SB沿着磁带MT0的长边方向LD由多个帧50划分。帧50由一组伺服图案52规定。在图6所示的例子中，作为一组伺服图案52的一例，示出了伺服图案52A及52B。伺服图案52A及52B沿着磁带MT0的长边方向LD相邻，在帧50内，伺服图案52A位于正向的上游侧，伺服图案52B位于正向的下游侧。

[0138] 伺服图案52由线状磁化区域对54构成。线状磁化区域对54分类为线状磁化区域对54A及线状磁化区域对54B。

[0139] 伺服图案52A由线状磁化区域对54A构成。在图6所示的例子中，作为线状磁化区域对54A的一例，示出了线状磁化区域54A1及54A2。线状磁化区域54A1及54A2分别为以线状磁化的区域。

[0140] 线状磁化区域54A1及54A2相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C1向相反的方向倾斜。在图6所示的例子中，线状磁化区域54A1及54A2相对于假想直线C1以线对称倾斜。更具体而言，线状磁化区域54A1及54A2互不平行，且形成为以假想直线C1为对称轴向磁带MT0的长边方向LD侧的相反的方向以既定角度(例如，5度)倾斜的状态。在本实施方式中，假想直线C1为本发明的技术所涉及的“第1假想直线”及“第2假想直线”的一例。

[0141] 线状磁化区域54A1为得到磁化的5根直线即磁化直线54A1a的集合。线状磁化区域54A2为得到磁化的5根直线即磁化直线54A2a的集合。

[0142] 伺服图案52B由线状磁化区域对54B构成。在图6所示的例子中，作为线状磁化区域对54B的一例，示出了线状磁化区域54B1及54B2。线状磁化区域54B1及54B2分别为以线状磁化的区域。

[0143] 线状磁化区域54B1及54B2相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C2向相反的方向倾斜。在图6所示的例子中，线状磁化区域54B1及54B2相对于假想直线C2以线对称倾斜。更具体而言，线状磁化区域54B1及54B2互不平行，且形成为以假想直线C2为对称轴向磁带MT0的长边方向LD侧的相反的方向以既定角度(例如，5度)倾斜的状态。在本实施方式中，假想直线C2为本发明的技术所涉及的“第1假想直线”的一例。

[0144] 线状磁化区域54B1为得到磁化的4根直线即磁化直线54B1a的集合。线状磁化区域54B2为得到磁化的4根直线即磁化直线54B2a的集合。

[0145] 在如此构成的磁带MT0的表面31侧配置有磁头28。托架44形成为长方体状，且配置成沿着宽度方向WD横贯在磁带MT0的表面31上。磁性元件单元42的多个磁性元件沿着托架44的长边方向以直线状排列。磁性元件单元42作为多个磁性元件，具有一对伺服读取元件SR及多个数据读写元件DRW。托架44的长边方向的长度相对于磁带MT0的宽度足够长。例如，托架44的长边方向的长度设为磁性元件单元42在磁带MT上配置于任意位置也超过磁带MT0的宽度的长度。

[0146] 一对伺服读取元件SR由伺服读取元件SR1及SR2构成。伺服读取元件SR1配置于磁性元件单元42的一端，伺服读取元件SR2配置于磁性元件单元42的另一端。在图6所示的例子中，伺服读取元件SR1设置于与伺服带SB2对应的位置，伺服读取元件SR2设置于与伺服带SB3对应的位置。

[0147] 多个数据读写元件DRW在伺服读取元件SR1与伺服读取元件SR2之间以直线状配置。多个数据读写元件DRW沿着磁头28的长边方向隔着间隔配置(例如，沿着磁头28的长边方向以等间隔配置)。在图6所示的例子中，多个数据读写元件DRW设置于与数据带DB2对应的位置。

[0148] 控制装置30获取通过伺服读取元件SR读取了伺服图案52的结果即伺服信号，并且按照所获取的伺服信号进行伺服控制。在此，伺服控制是指，通过按照由伺服读取元件SR读取的伺服图案52使移动机构48进行动作而使磁头28沿着磁带MT0的宽度方向WD移动的控制。

[0149] 通过进行伺服控制，多个数据读写元件DRW位于数据带DB内的所指定的区域上，并且对数据带DB内的所指定的区域进行磁处理。在图6所示的例子中，通过多个数据读写元件DRW对数据带DB2内的所指定的区域进行磁处理。

[0150] 并且，当设为由磁性元件单元42读取数据的读取对象的数据带DB变更时(在图6所示的例子中，设为由磁性元件单元42读取数据的读取对象的数据带DB从数据带DB2变更为DB1时)，移动机构48在控制装置30的控制下，使磁头28沿着宽度方向WD移动，由此变更一对伺服读取元件SR的位置。即，移动机构48通过使磁头28沿着宽度方向WD移动，使伺服读取元件SR1移动至与伺服带SB1对应的位置，使伺服读取元件SR2移动至与伺服带SB2对应的位置。由此，多个数据读写元件DRW的位置从数据带DB2上变更为数据带DB1上，通过多个数据读写元件DRW对数据带DB1进行磁处理。

[0151] 近年来，推进与减少TDS(Transverse Dimensional Stability：横向尺寸稳定性)的影响的技术相关的研究。已知有TDS取决于温度、湿度、磁带卷绕于卷轴的压力及经时劣化等，当未采取任何措施时，TDS变大，并且对数据带DB进行磁处理的情况下会产生偏离磁道(即，数据读写元件DRW相对于数据带DB内的磁道的位置偏离)。

[0152] 在图7所示的例子中，示出了磁带MT0的宽度随着时间的经过而收缩的方式。在该情况下，会产生偏离磁道。磁带MT0的宽度有时变宽，在该情况下也会产生偏离磁道。即，若磁带MT0的宽度随着时间的经过而变窄或变宽，则伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置会从设计上设定的既定位置(例如，线状磁化区域54A1、54A2、54B1及54B2各自的中心位置)向宽度方向WD偏离。若伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置从设计上设定的既定位置向宽度方向WD偏离，则伺服控制的精度降低，从而会导致数据带DB内的磁道与数据读写元件DRW的位置发生偏离。如此一来，无法对当初预定的磁道进行磁处理。

[0153] 作为减少TDS的影响的方法，作为一例如图8所示，已知有通过使磁头28在磁带MT0上偏斜，将伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置保持在设计上设定的既定位置的方法。

[0154] 磁头28具备旋转轴RA。旋转轴RA设置于磁头28中所包含的磁性元件单元42的相当于俯视中央部的位置。磁头28经由旋转轴RA可旋转地保持于倾斜机构49。在磁头28中设置有假想中心线即假想直线C3。假想直线C3为通过旋转轴RA且沿着磁头28的俯视观察长边方向(即，多个数据读写元件DRW排列的方向)延伸的直线。磁头28以成为假想直线C3相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C4向磁带MT0的长边方向LD侧倾斜的姿态的方式由倾斜机构49保持。在图8所示的例子中，磁头28以将假想直线C3相对于假想直线C4向送出卷轴22侧倾斜的姿态(即，以从图8的纸面表面侧观察时的逆时针方向倾斜的姿态)由倾斜机构
49保持。在本实施方式中，假想直线C3为本发明的技术所涉及的“第3假想直线”、“第4假想直线”、“第5假想直线”及“第6假想直线”的一例。

[0155] 倾斜机构49通过接收倾斜致动器49A(参考图5)的动力，使磁头28在磁带MT0的表面31上以旋转轴RA为中心旋转。倾斜机构49在控制装置30的控制下，使磁头28在磁带MT0的表面31上以旋转轴RA为中心旋转，由此变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度。

[0156] 假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜的方向及倾斜的角度根据温度、湿度、磁带MT0卷绕于卷轴的压力及经时劣化等或由它们引起的磁带MT的宽度方向WD的伸缩而发生变更。由此伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置保持于设计上设定的既定位置。

[0157] 伺服读取元件SR沿着假想直线C3以直线状形成。因此，当通过伺服读取元件SR读取伺服图案52A时，在线状磁化区域对54A中，由线状磁化区域54A1与伺服读取元件SR所成的角度和由线状磁化区域54A2与伺服读取元件SR所成的角度不同。如此，若角度不同，则在来源于线状磁化区域54A1的伺服信号(即，通过由伺服读取元件SR读取线状磁化区域54A1而获得的伺服信号)与来源于线状磁化区域54A2的伺服信号(即，通过由伺服读取元件SR读取线状磁化区域54A2而获得的伺服信号)之间产生由方位角损失引起的偏差(例如，信号电平的偏差及波形的变形等)。在图8所示的例子中，由伺服读取元件SR与线状磁化区域54A1所成的角度大于由伺服读取元件SR与线状磁化区域54A2所成的角度，因此伺服信号的输出小，且波形也扩展，从而在磁带MT行进的状态下伺服读取元件SR横切伺服带SB而读取的伺服信号中产生偏差。并且，当通过伺服读取元件SR读取伺服图案52B时，也在来源于线状磁化区域54B1的伺服信号与来源于线状磁化区域54B2的伺服信号之间产生由方位角损失引起的偏差。这种伺服信号的偏差可能会成为降低伺服控制的精度的一个原因。

[0158] 并且，例如，作为以往已知的伺服图案52A的其他例，考虑线状磁化区域54A1与假想直线C1并行，线状磁化区域54A2相对于假想直线C1倾斜的方式(即，仅线状磁化区域54A2倾斜的方式)。关于该以往已知的方式，当通过伺服读取元件SR读取伺服图案52A时，在线状磁化区域对54A中，由线状磁化区域54A1与伺服读取元件SR所成的角度和由线状磁化区域54A2与伺服读取元件SR所成的角度不同。如此，若角度不同，则在来源于线状磁化区域54A1的伺服信号与来源于线状磁化区域54A2的伺服信号之间产生由方位角损失引起的偏差。这种伺服信号的偏差可能会成为降低伺服控制的精度的一个原因。

[0159] 因此，鉴于这种情况，在本实施方式中，作为一例，如图9所示，采用了磁带MT。磁带MT与磁带MT0相比，不同点在于代替帧50而具有帧56。帧56由一组伺服图案58规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案58。与记录于磁带MT0的多个伺服图案52同样地，多个伺服图案58沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

[0160] 在图9所示的例子中，作为帧56中所包含的一组伺服图案58的一例，示出了伺服图案58A及58B。伺服图案58A及58B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧56内，伺服图案58A位于正向的上游侧，伺服图案58B位于正向的下游侧。

[0161] 伺服图案58由线状磁化区域对60构成。线状磁化区域对60分类为线状磁化区域对60A及线状磁化区域对60B。在本实施方式中，线状磁化区域对60为本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例。

[0162] 伺服图案58A由线状磁化区域对60A构成。在图9所示的例子中，作为线状磁化区域对60A的一例，示出了线状磁化区域60A1及60A2。线状磁化区域60A1及60A2分别为以线状磁化的区域。

[0163] 在本实施方式中，线状磁化区域60A1为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域60A2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。

[0164] 线状磁化区域60A1及60A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。换言之，线状磁化区域60A1相对于假想直线C1向一个方向(例如，从图9的纸面表面侧观察时顺时针方向)倾斜。另一方面，线状磁化区域60A2相对于假想直线C1向另一方向(例如，从图9的纸面表面侧观察时逆时针方向)倾斜。线状磁化区域60A1及60A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域60A1与线状磁化区域60A2相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域60A1相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域60A2相对于假想直线C1的角度。并且，线状磁化区域60A1的总长度短于线状磁化区域60A2的总长度。

[0165] 在伺服图案58A中，在线状磁化区域60A1包含多个磁化直线60A1a，在线状磁化区域60A2包含多个磁化直线60A2a。线状磁化区域60A1中所包含的磁化直线60A1a的根数与线状磁化区域60A2中所包含的磁化直线60A2a的根数相同。

[0166] 线状磁化区域60A1为得到磁化的5根直线即磁化直线60A1a的集合，线状磁化区域60A2为得到磁化的5根直线即磁化直线60A2a的集合。在伺服带SB内，在宽度方向WD上，线状磁化区域60A1的两端的位置(即、5根磁化直线60A1a各自的两端的位置)与线状磁化区域
60A2的两端的位置(即、5根磁化直线60A2a各自的两端的位置)对齐。另外，在此，举出了5根磁化直线60A1a各自的两端的位置与5根磁化直线60A2a各自的两端的位置对齐的例子，但这只不过是一例，只要5根磁化直线60A1a中的1根以上的磁化直线60A1a的两端的位置与5根磁化直线60A2a中的1根以上的磁化直线60A2a的两端的位置对齐即可。并且，在本实施方式中，“对齐”这一概念中除了包含完全对齐的含义以外，还包含包括本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且不脱离本发明的技术的宗旨程度的误差在内的“对齐”这一含义。

[0167] 伺服图案58B由线状磁化区域对60B构成。在图9所示的例子中，作为线状磁化区域对60B的一例，示出了线状磁化区域60B1及60B2。线状磁化区域60B1及60B2分别为以线状磁化的区域。

[0168] 在本实施方式中，线状磁化区域60B1为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域60B2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。

[0169] 线状磁化区域60B1及60B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。换言之，线状磁化区域60B1相对于假想直线C2向一个方向(例如，从图9的纸面表面侧观察时顺时针方向)倾斜。另一方面，线状磁化区域60B2相对于假想直线C2向另一方向(例如，从图9的纸面表面侧观察时逆时针方向)倾斜。线状磁化区域60B1及60B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域60B1与线状磁化区域60B2相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域60B1相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域60B2相对于假想直线C2的角度。并且，线状磁化区域60B1的总长度短于线状磁化区域60B2的总长度。

[0170] 在伺服图案58B中，在线状磁化区域60B1包含多个磁化直线60B1a，在线状磁化区域60B2包含多个磁化直线60B2a。线状磁化区域60B1中所包含的磁化直线60B1a的根数与线状磁化区域60B2中所包含的磁化直线60B2a的根数相同。

[0171] 伺服图案58B中所包含的磁化直线60B1a及60B2a的总根数与伺服图案58A中所包含的磁化直线60A1a及60A2a的总根数不同。在图9所示的例子中，伺服图案58A中所包含的磁化直线60A1a及60A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案58B中所包含的磁化直线60B1a及60B2a的总根数为8根。

[0172] 线状磁化区域60B1为得到磁化的4根直线即磁化直线60B1a的集合，线状磁化区域60B2为得到磁化的4根直线即磁化直线60B2a的集合。在伺服带SB内，在宽度方向WD上，线状磁化区域60B1的两端的位置(即，4根磁化直线60B1a各自的两端的位置)与线状磁化区域
60B2的两端的位置(即，4根磁化直线60B2a各自的两端的位置)对齐。

[0173] 另外，在此，举出了4根磁化直线60B1a各自的两端的位置与4根磁化直线60B2a各自的两端的位置对齐的例子，但这只不过是一例。例如，若4根磁化直线60B1a中的1根以上的磁化直线60B1a的两端的位置与4根磁化直线60B2a中的1根以上的磁化直线60B2a的两端的位置对齐，则本发明的技术成立。

[0174] 并且，在此，作为线状磁化区域60A1的一例，举出得到磁化的5根直线即磁化直线60A1a的集合，作为线状磁化区域60A2的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线60A2a的集合，但本发明的技术并不限定于此。并且，作为线状磁化区域60B1的一例，举出得到磁化的4根直线即磁化直线60B1a的集合，作为线状磁化区域60B2的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线60B2a的集合，但本发明的技术并不限定于此。例如，若线状磁化区域
60A1为有助于确定磁头28在磁带MT上的位置的根数的磁化直线60A1a，线状磁化区域60A2为有助于确定磁头28在磁带MT上的位置的根数的磁化直线60A2a，则本发明的技术成立。并且，若线状磁化区域60B1为有助于确定磁头28在磁带MT上的位置的根数的磁化直线60B1a，线状磁化区域60B2为有助于确定磁头28在磁带MT上的位置的根数的磁化直线60B2a，则本发明的技术成立。

[0175] 在此，参考图10对线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性进行说明。另外，在本实施方式中，几何特性是指，长度、形状、朝向和/或位置等通常公认的几何学上的特性。

[0176] 作为一例，如图10所示，线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性能够使用假想线状区域对62来表现。假想线状区域对62由假想线状区域62A及假想线状区域62B构成。线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性相当于如下几何特性：当通过使相对于假想直线C1以线对称倾斜的假想线状区域62A及假想线状区域62B的对称轴SA1相对于假想直线C1倾斜而使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，基于假想线状区域对62的几何特性。

[0177] 在本实施方式中，假想线状区域对62为本发明的技术所涉及的“一对假想线状区域”的一例，假想线状区域62A为本发明的技术所涉及的“一个假想线状区域”的一例，假想线状区域62B为本发明的技术所涉及的“另一个假想线状区域”的一例。

[0178] 假想线状区域对62为具有与图6所示的线状磁化区域对54A相同的几何特性的假想线状磁化区域对。假想线状区域对62是为了便于说明线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性而使用的假想磁化区域，并不是实际存在的磁化区域。

[0179] 假想线状区域62A具有与图6所示的线状磁化区域54A1相同的几何特性，且由与图6所示的5根磁化直线54A1a对应的5根假想直线62A1构成。假想线状区域62B具有与图6所示的线状磁化区域54B1相同的几何特性，且由与图6所示的5根磁化直线54A2a对应的5根假想直线62B1构成。

[0180] 在假想线状区域对62中设置有中心O1。例如，中心O1为连结5根直线62A1中的位于正向的最上游侧的直线62A1的中心与5根直线62B1中的位于正向的最下游侧的直线62B1的中心的线段L0的中心。

[0181] 假想线状区域对62具有与图6所示的线状磁化区域对54A相同的几何特性，因此假想线状区域62A及假想线状区域62B相对于假想直线C1以线对称倾斜。在此，考虑如下情况：当通过以中心O1为旋转轴相对于假想直线C1使假想线状区域62A及62B的对称轴SA1以角度a(例如，10度)倾斜，使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，假如对该假想线状区域对62进行基于伺服读取元件SR的读取。在该情况下，在假想线状区域对62中，在宽度方向WD上，会产生可读取假想线状区域62A但无法读取假想线状区域62B，或无法读取假想线状区域62A但可读取假想线状区域62B的部位。即，分别在假想线状区域62A及62B中，当进行基于伺服读取元件SR的读取时，会产生不足的部分及不需要的部分。

[0182] 因此，在假想线状区域62A及62B中，分别补充不足的部分，并且去除不需要的部分。由此，在宽度方向WD上，使假想线状区域62A的两端的位置(即、5根直线62A1各自的两端的位置)与假想线状区域62B的两端的位置(即、5根直线62B1各自的两端的位置)对齐。

[0183] 如此获得的假想线状区域对62的几何特性(即，假想伺服图案的几何特性)相当于实际伺服图案58A的几何特性。即，在宽度方向WD上，通过使假想线状区域62A的两端的位置与假想线状区域62B的两端的位置对齐而获得的相当于假想线状区域对62的几何特性的几何特性的线状磁化区域对60A记录于伺服带SB。

[0184] 另外，线状磁化区域对60B与线状磁化区域对60A相比，不同点仅在于，代替5根磁化直线60A1a而具有4根磁化直线60B1a及代替5根磁化直线60A2a而具有4根磁化直线60B2a。因此，在宽度方向WD上，通过使4根直线62A1各自的两端的位置与4根直线62B1各自的两端的位置对齐而获得的相当于假想线状区域对(省略图示)的几何特性的几何特性的线状磁化区域对60B记录于伺服带SB。

[0185] 作为一例，如图11所示，在磁带MT中，在宽度方向WD上形成有多个伺服带SB。在伺服带SB之间处于对应关系的帧56在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。这表示伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案58在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。

[0186] 既定间隔根据角度α、在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间的间距(以下，也称为“伺服带间距”)及帧长来规定。在图11所示的例子中，为了便于视觉掌握角度α，夸大示出了角度α，但实际上，角度α例如为15度左右。角度α为由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间不处于对应关系的帧56之间与假想直线C1所成的角度。在图11所示的例子中，作为角度α的一例，示出了由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧56中的一个帧56(在图11所示的例子中，为伺服带SB3的一个帧56)与相邻于一对帧56中的另一个帧56(在图11所示的例子中，为伺服带SB2内的多个帧56中的与伺服带SB3的一个帧56处于对应关系的帧56)的帧56之间(图11所示的例子中，线段L1)和假想直线C1所成的角度。在该情况下，帧长是指，磁带MT的长边方向LD上的帧56的总长度。既定间隔由以下数式(1)规定。另外，Mod(A/B)表示“A”除以“B”时产生的余数。

[0187] (既定间隔)＝Mod{(伺服带间距×tanα)/(帧长)}……(1)

[0188] 另外，在图11所示的例子中，作为角度α，例示了由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧56中的一个帧56(以下，也称为“第1帧”)与相邻于一对帧56中的另一个帧56(以下，也称为“第2帧”)的帧56之间和假想直线C1所成的角度，但本发明的技术并不限定于此。例如，角度α可以是第1对应帧与在与第2帧相同的伺服带SB内从第2帧分开2帧以上的帧56(以下，也称为“第3帧”)之间和假想直线C1所成的角度。在该情况下，数式(1)中所使用的“帧长”为磁带MT的长边方向LD上的第2帧与第3帧之间的间距(例如，从第2帧的前端至第3帧的前端的距离)。

[0189] 作为一例，如图12所示，若以假想直线C1的方向与假想直线C3的方向一致的状态(即，磁头28的长边方向与宽度方向WD一致的状态)通过伺服读取元件SR读取伺服图案58A(即，线状磁化区域对60A)，则在来源于线状磁化区域60A1的伺服信号与来源于线状磁化区域60A2的伺服信号之间产生由方位角损失引起的偏差。并且，在以假想直线C1的方向与假想直线C3的方向一致的状态(即，磁头28的长边方向与宽度方向WD一致的状态)通过伺服读取元件SR读取伺服图案58B(即，线状磁化区域对60B)的情况下，也产生相同的现象。

[0190] 因此，作为一例，如图13所示，倾斜机构49(参考图8)以使假想直线C3相对于假想直线C1向正向的上游侧以角度β(即，从图13的纸面表面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜的方式使磁头28以旋转轴RA为中心在磁带MT上偏斜。如此，在磁带MT上磁头28向正向的上游侧以角度β倾斜，因此与图12所示的例子相比，在来源于线状磁化区域60A1的伺服信号与来源于线状磁化区域60A2的伺服信号之间由方位角损失引起的偏差变小。并且，在通过伺服读取元件SR读取了伺服图案58B(即，线状磁化区域对60B)的情况下，也同样地，在来源于线状磁化区域60B1的伺服信号与来源于线状磁化区域60B2的伺服信号之间由方位角损失引起的偏差变小。

[0191] 在此，角度β例如被设定为与以中心O1(参考图10)为旋转轴使假想线状区域62A及62B(参考图10)的对称轴SA1(参考图10)相对于假想直线C1旋转的角度即角度a(参考图10)一致。另外，在本实施方式中，“一致”除了指完全一致以外，还指包括在本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且不脱离本发明的技术宗旨程度的误差在内的含义下的一致。假想线状区域62A及62B的几何特性与线状磁化区域60A1及60A2的几何特性相同。因此，线状磁化区域60A1及60A2也相对于假想直线C1倾斜角度a。在该情况下，若在磁带MT上磁头
28向正向的上游侧以角度β(即，角度a)倾斜，则磁头28的倾斜角度与线状磁化区域60A1及
60A2的倾斜角度一致。其结果，在来源于线状磁化区域60A1的伺服信号与来源于线状磁化区域60A2的伺服信号之间由方位角损失引起的偏差变小。并且，在通过伺服读取元件SR读取了伺服图案58B(即，线状磁化区域对60B)的情况下，也同样地，在来源于线状磁化区域
60B1的伺服信号与来源于线状磁化区域60B2的伺服信号之间由方位角损失引起的偏差变小。

[0192] 作为一例，如图14所示，控制装置30具有控制部30A及位置检测部30B。位置检测部30B具有第1位置检测部30B1及第2位置检测部30B2。位置检测部30B获取通过伺服读取元件SR读取了伺服图案58的结果即伺服信号，并根据所获取的伺服信号检测磁带MT上的磁头28的位置。

[0193] 伺服信号分类为第1伺服信号及第2伺服信号。第1伺服信号为通过伺服读取元件SR1读取了伺服图案58的结果即伺服信号，第2伺服信号为通过伺服读取元件SR2读取了伺服图案58的结果即伺服信号。

[0194] 第1位置检测部30B1获取第1伺服信号，第2位置检测部30B2获取第2伺服信号。在图14所示的例子中，第1位置检测部30B1获取通过由伺服读取元件SR1读取伺服带SB2内的伺服图案58而获得的第1伺服信号，第2位置检测部30B2获取通过由伺服读取元件SR2读取伺服带SB3内的伺服图案58而获得的第2伺服信号。第1位置检测部30B1根据第1伺服信号检测伺服读取元件SR1相对于伺服带SB2的位置，第2位置检测部30B2根据第2伺服信号检测伺服读取元件SR2相对于伺服带SB3的位置。

[0195] 控制部30A根据第1位置检测部30B1中的位置检测结果(即，通过第1位置检测部30B1检测到位置的结果)及第2位置检测部30B2中的位置检测结果(即，通过第2位置检测部
30B2检测到位置的结果)进行各种控制。在此，各种控制例如是指，伺服控制、偏斜角度控制和/或张力控制等。张力控制是指，对磁带MT赋予的张力(例如，用于减少TDS的影响的张力)的控制。

[0196] 作为一例，如图15所示，位置检测部30B使用自相关系数检测通过伺服读取元件SR从磁带MT读取了伺服图案58的结果即伺服信号。

[0197] 在存储器32中存储有理想波形信号66。理想波形信号66为表示伺服信号中所包含的单个理想波形的信号(例如，伺服图案58中所包含的1根理想磁化直线由伺服读取元件SR读取的结果即理想信号)。理想波形信号66可以说是与伺服信号进行比较的样本信号。另外，在此，举出在存储器32中存储有理想波形信号66的方式例，但这只不过是一例，例如，代替存储器32，理想波形信号66存储于盒式存储器24，或同时存储于存储器32及盒式存储器24。并且，可以在设置于磁带MT前头的BOT区域(省略图示)和/或设置于磁带MT末尾的EOT区域(省略图示)记录有理想波形信号66。

[0198] 由位置检测部30B使用的自相关系数为表示伺服信号与理想波形信号66之间的相关程度的系数。位置检测部30B从存储器32获取理想波形信号66，对所获取的理想波形信号66与伺服信号进行比较。然后，位置检测部30B根据比较结果计算自相关系数。位置检测部
30B在伺服带SB上按照自相关系数检测伺服信号与理想波形信号66之间的相关高的位置(例如，伺服信号与理想波形信号66一致的位置)。

[0199] 伺服读取元件SR相对于伺服带SB的位置例如根据伺服图案58A及58B的长边方向LD的间隔来检测。例如，伺服图案58A及58B的长边方向LD的间隔按照自相关系数检测。当伺服读取元件SR位于伺服图案58的上侧(即，图14中的纸面正面观察下的上侧)时，线状磁化区域60A1与线状磁化区域60A2之间的间隔变窄，且线状磁化区域60B1与线状磁化区域60B2之间的间隔也变窄。相对于此，当伺服读取元件SR位于伺服图案58的下侧(即，图14中的纸面正面观察下的下侧)时，线状磁化区域60A1与线状磁化区域60A2之间的间隔变宽，且线状磁化区域60B1与线状磁化区域60B2之间的间隔也变宽。如此，位置检测部30B使用按照自相关系数检测到的线状磁化区域60A1与线状磁化区域60A2之间的间隔及线状磁化区域60B1与线状磁化区域60B2之间的间隔，进行伺服读取元件SR相对于伺服带SB的位置的检测。

[0200] 控制部30A通过根据位置检测部30B中的位置检测结果(即，通过位置检测部30B检测到位置的结果)使移动机构48进行动作来调整磁头28的位置。并且，控制部30A使磁性元件单元42对磁带MT的数据带DB进行磁处理。即，控制部30A从磁性元件单元42获取读取信号(即，通过磁性元件单元42从磁带MT的数据带DB读取的数据)，或通过对磁性元件单元42供给记录信号而将与记录信号相对应的数据记录于磁带MT的数据带DB。

[0201] 并且，为了减少TDS的影响，控制部30A根据位置检测部30B中的位置检测结果计算伺服带间距，按照计算出的伺服带间距进行张力控制，或使磁头28在磁带MT上偏斜。张力控制通过调整送出马达36及卷取马达40各自的转速及转矩等来实现。磁头28的偏斜通过使倾斜机构49进行工作来实现。

[0202] 接着，对磁带MT的制造工序中所包括的多个工序中的对磁带MT的伺服带SB记录伺服图案58的伺服图案记录工序及卷取磁带MT的卷取工序的一例进行说明。

[0203] 作为一例，如图16所示，在伺服图案记录工序中，使用伺服写入器SW。伺服写入器SW具备送出卷轴SW1、卷取卷轴SW2、驱动装置SW3、脉冲信号发生器SW4、控制装置SW5、多个引导件SW6、输送路径SW7、伺服图案记录头WH及验证头VH。

[0204] 在本实施方式中，伺服写入器SW为本发明的技术所涉及的“伺服图案记录装置”及“检查装置”的一例。并且，在本实施方式中，脉冲信号发生器SW4为本发明的技术所涉及的“脉冲信号发生器”的一例。并且，在本实施方式中，伺服图案记录头WH为本发明的技术所涉及的“伺服图案记录头”的一例。并且，在本实施方式中，控制装置SW5为本发明的技术所涉及的“检查处理器”的一例。

[0205] 控制装置SW5控制伺服写入器SW的整体。在本实施方式中，控制装置SW5通过ASIC来实现，但本发明的技术并不限定于此。例如，控制装置SW5可以通过FPGA和/或PLC来实现。并且，控制装置SW5也可以通过包含CPU、闪存(例如，EEPROM和/或SSD等)及RAM的计算机来实现。并且，也可以通过ASIC、FPGA、PLC及计算机中的两个以上的组合来实现。即，控制装置SW5也可以通过硬件结构与软件结构的组合来实现。

[0206] 在送出卷轴SW1中设置有盘形卷。盘形卷是指，在写入伺服图案58之前从宽度宽的卷材以产品宽度来剪切的磁带MT卷绕于轮毂的大直径卷。

[0207] 驱动装置SW3具有马达(省略图示)及齿轮(省略图示)，并且与送出卷轴SW1及卷取卷轴SW2机械连接。当通过卷取卷轴SW2卷取磁带MT时，驱动装置SW3按照来自控制装置SW5的指示生成动力，并将所生成的动力传递至送出卷轴SW1及卷取卷轴SW2，由此使送出卷轴SW1及卷取卷轴SW2旋转。即，送出卷轴SW1从驱动装置SW3接收动力而进行旋转，由此将磁带MT送出至既定的输送路径SW7。卷取卷轴SW2从驱动装置SW3接收动力而进行旋转，由此卷取从送出卷轴SW1送出的磁带MT。送出卷轴SW1及卷取卷轴SW2的转速及转矩等根据使卷取卷轴SW2卷取磁带MT的速度来调整。

[0208] 在输送路径SW7上配置有多个引导件SW6及伺服图案记录头WH。伺服图案记录头WH在多个引导件SW6之间配置于磁带MT的表面31侧。从送出卷轴SW1送出至输送路径SW7的磁带MT被多个引导件SW6引导而经由伺服图案记录头WH上而由卷取卷轴SW2卷取。

[0209] 磁带MT的制造工序中除了伺服图案记录工序以外还包括多个工序。多个工序中包括检查工序及卷取工序。

[0210] 例如，检查工序为检查通过伺服图案记录头WH形成于磁带MT的表面31的伺服带SB的工序。伺服带SB的检查例如是指，判定记录于伺服带SB的伺服图案58是否正确的处理。伺服图案58是否正确的判定例如是指，伺服图案58A及58B相对于表面31内的事先确定的部位，磁化直线60A1a、60A2a、60B1a及60B2a是否适当且以允许误差内来记录的判定(即，伺服图案58的验证)。

[0211] 检查工序通过使用控制装置SW5及验证头VH来进行。验证头VH配置于比伺服图案记录头WH更靠磁带MT的输送方向的下游侧的位置。并且，与磁头28同样地，在验证头VH设置有多个伺服读取元件(省略图示)，通过多个伺服读取元件对多个伺服带SB进行读取。而且，与磁头28同样地，验证头VH在磁带MT的表面31上偏斜。

[0212] 验证头VH与控制装置SW5连接。验证头VH配置于从磁带MT的表面31侧(即，验证头VH的背面侧)观察相对于伺服带SB正对的位置，读取记录于伺服带SB的伺服图案58，并将所读取的结果(以下，称为“伺服图案读取结果”)输出至控制装置SW5。控制装置SW5根据从验证头VH输入的伺服图案读取结果(例如，伺服信号)进行伺服带SB的检查(例如，伺服图案58是否正确的判定)。例如，控制装置SW5通过作为图14所示的位置检测部30B而进行动作来从伺服图案读取结果获取位置检测结果，通过使用位置检测结果判定伺服图案58是否正确来进行伺服带SB的检查。

[0213] 控制装置SW5将表示检查了伺服带SB的结果(例如，判定伺服图案58是否正确的结果)的信息输出至既定输出目的地(例如，存储器32(参考图3)、UI系统装置34(参考图3)和/或外部装置37(参考图3)等)。

[0214] 例如，若检查工序结束，则接下来进行卷取工序。卷取工序为在分别对多个磁带盒12(参考图1～图4)使用的送出卷轴22(即，容纳于磁带盒12(参考图1～图4)的送出卷轴22(参考图2～图4))中卷绕磁带MT的工序。卷取工序中使用卷取马达M。卷取马达M经由齿轮等与送出卷轴22机械连接。卷取马达M在控制装置(省略图示)的控制下，通过对送出卷轴22赋予旋转力而使送出卷轴22旋转。卷绕于卷取卷轴SW2的磁带MT通过送出卷轴22的旋转卷绕于送出卷轴22。在卷取工序中使用裁剪装置(省略图示)。若分别对多个送出卷轴22通过送出卷轴22卷取所需量的磁带MT，则从卷取卷轴SW2送出至送出卷轴22的磁带MT被裁剪装置裁剪。

[0215] 脉冲信号发生器SW4在控制装置SW5的控制下，生成脉冲信号，将所生成的脉冲信号供给至伺服图案记录头WH。在磁带MT以恒定的速度在输送路径SW7上行进的状态下，伺服图案记录头WH按照从脉冲信号发生器SW4供给的脉冲信号将伺服图案58记录于伺服带SB。

[0216] 在图17中示出了从在输送路径SW7(参考图16)上行进的磁带MT的表面31侧(即，伺服图案记录头WH的背面侧)观察伺服图案记录头WH时的伺服图案记录头WH的结构的一例及脉冲信号发生器SW4的结构的一例。

[0217] 作为一例，如图17所示，伺服图案记录头WH具有基体WH1及多个磁头铁芯WH2。基体WH1形成为长方体状，且配置成沿着宽度方向WD横贯在输送路径SW7上行进的磁带MT的表面31上。基体WH1的表面WH1A为具有长边WH1Aa及短边WH1Ab的长方形，且长边WH1Aa沿着宽度方向WD横贯在磁带MT的表面31上。

[0218] 表面WH1A具有滑动面WH1Ax。滑动面WH1Ax为基体WH1沿着宽度方向WD横贯在磁带MT的表面31上的状况下的表面WH1A中的与磁带MT的表面31重叠的面(例如，图17所示的点状的阴影线区域)。滑动面WH1Ax相对于行进状态的磁带MT滑动。图17所示的滑动面WH1Ax的宽度(即，与长边方向LD对应的方向LD1(例如，与长边方向LD相同的方向)的长度)只不过是一例，滑动面WH 1Ax的宽度可以数倍宽于图17所示的例子。

[0219] 基体WH1的长边方向即方向WD1(即，沿着长边WH1Aa的方向)为与宽度方向WD对应的方向(例如，与宽度方向WD相同的方向)。在基体WH1中沿着方向WD1组装有多个磁头铁芯WH2。在磁头铁芯WH2中形成有间隙图案G。间隙图案G形成于表面WH1A(即，基体WH1中的与磁带MT的表面31对峙的一侧的面)。并且，间隙图案G由不平行的一对直线区域构成。不平行的一对直线区域例如是指，与图9所示的线状磁化区域60A1中所包含的5根磁化直线60A1a中的位于正向的最上游侧的磁化直线60A1a的几何特性相同的几何特性的直线区域及与图9所示的线状磁化区域60A2中所包含的5根磁化直线60A2a中的位于正向的最上游侧的磁化直线60A2a的几何特性相同的几何特性的直线区域。

[0220] 在表面WH1A沿着方向WD1形成有多个间隙图案G。在表面WH1A上，在方向WD1上相邻的间隙图案G之间的关于方向WD1的间隔相当于磁带MT的伺服带SB之间的关于宽度方向WD的间隔(即，伺服带间距)。

[0221] 在磁头铁芯WH2中卷绕有线圈(省略图示)，对线圈供给脉冲信号。对线圈供给的脉冲信号为伺服图案58A用脉冲信号及伺服图案58B用脉冲信号。

[0222] 若在间隙图案G相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB正对的状态下，对磁头铁芯WH2的线圈供给伺服图案58A用脉冲信号，则按照脉冲信号从间隙图案G对磁带MT的伺服带SB赋予磁场。由此，对伺服带SB记录伺服图案58A。并且，通过在间隙图案G相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB正对的状态下，对磁头铁芯WH2的线圈供给伺服图案58B用脉冲信号，从间隙图案G对磁带MT的伺服带SB赋予磁场。由此，对伺服带SB记录伺服图案58B。

[0223] 与各伺服图案58(即，每个帧56(参考图9)的伺服图案58)对应的脉冲信号得到调制。通过脉冲信号得到调制，各种信息嵌入于脉冲信号。在该情况下，例如，通过伺服图案58A用脉冲信号得到调制，能够按每个伺服图案58A改变5根磁化直线60A1a(参考图9)中的第3根磁化直线60A1a与第2根磁化直线60A1a的间隔(以下，称为“第1间隔”)及第3根磁化直线60A1a与第4根磁化直线60A1a的间隔(以下，称为“第2间隔”)。通过按每个伺服图案58A使第1间隔及第2间隔不同，能够对每个伺服图案58A嵌入至少1比特的信息。由此，通过组合多个伺服图案58能够嵌入各种信息。

[0224] 各种信息例如是指与磁带MT的长边方向LD的位置相关的信息、识别伺服带SB的信息和/或确定磁带MT等的制造商的信息等。

[0225] 在图17所示的例子中，作为多个磁头铁芯WH2的一例，示出了磁头铁芯WH2A、WH2B及WH2C，作为多个间隙图案G的一例，示出了间隙图案G1、G2及G3。间隙图案G1形成于磁头铁芯WH2A。间隙图案G2形成于磁头铁芯WH2B。间隙图案G3形成于磁头铁芯WH2C。

[0226] 间隙图案G1～G3分别具有彼此相同的几何特性。在本实施方式中，例如，间隙图案G1用于对伺服带SB3(参考图9)的伺服图案58(参考图9)的记录，间隙图案G2用于对伺服带SB2(参考图9)的伺服图案58(参考图9)的记录，间隙图案G3用于对伺服带SB1(参考图9)的伺服图案58(参考图9)的记录。

[0227] 间隙图案G1为由直线区域G1A及G1B构成的直线区域对。并且，间隙图案G2为由直线区域G2A及G2B构成的直线区域对。并且，间隙图案G3为由直线区域G3A及G3B构成的直线区域对。

[0228] 在本实施方式中，由直线区域G1A及G1B构成的直线区域对、由直线区域G2A及G2B构成的直线区域对及由直线区域G3A及G3B构成的直线区域对为本发明的技术所涉及的“直线区域对”的一例。并且，在本实施方式中，直线区域G1A、G2A及G3A为本发明的技术所涉及的“第1直线区域”的一例。并且，在本实施方式中，直线区域G1B、G2B及G3B为本发明的技术所涉及的“第2直线区域”的一例。

[0229] 脉冲信号发生器SW4具有第1脉冲信号发生器SW4A、第2脉冲信号发生器SW4B及第3脉冲信号发生器SW4C。第1脉冲信号发生器SW4A与磁头铁芯WH2A连接。第2脉冲信号发生器SW4B与磁头铁芯WH2B连接。第3脉冲信号发生器SW4C与磁头铁芯WH2C连接。

[0230] 当对伺服带SB3(参考图9)使用间隙图案G1时，若第1脉冲信号发生器SW4A将脉冲信号供给至磁头铁芯WH2A，则按照脉冲信号从间隙图案G1对伺服带SB3赋予磁场，对伺服带SB3记录伺服图案58(参考图9)。

[0231] 例如，若在间隙图案G1相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB3正对的状态下，对磁头铁芯WH2A供给伺服图案58A用脉冲信号，则对伺服带SB3记录伺服图案58A(参考图9)。即，通过直线区域G1A对伺服带SB3记录线状磁化区域60A1(参考图9)，且通过直线区域G1B对伺服带SB3记录线状磁化区域60A2(参考图9)。

[0232] 并且，例如，若在间隙图案G1相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB3正对的状态下，对磁头铁芯WH2A供给伺服图案58B用脉冲信号，则对伺服带SB3记录伺服图案58B(参考图9)。即，通过直线区域G1A对伺服带SB3记录线状磁化区域60B1(参考图9)，且通过直线区域G1B对伺服带SB3记录线状磁化区域60B2(参考图9)。

[0233] 当对伺服带SB2(参考图9)使用间隙图案G2时，若第2脉冲信号发生器SW4B将脉冲信号供给至磁头铁芯WH2B，则按照脉冲信号从间隙图案G2对伺服带SB2赋予磁场，对伺服带SB2记录伺服图案58。

[0234] 例如，若在间隙图案G2相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB2正对的状态下，对磁头铁芯WH2B供给伺服图案58A用脉冲信号，则对伺服带SB2记录伺服图案58A(参考图9)。即，通过直线区域G2A对伺服带SB2记录线状磁化区域60A1，且通过直线区域G2B对伺服带SB2记录线状磁化区域60A2。

[0235] 并且，例如，若在间隙图案G2相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB2正对的状态下，对磁头铁芯WH2B供给伺服图案58B用脉冲信号，则对伺服带SB2记录伺服图案58B。即，通过直线区域G2A对伺服带SB2记录线状磁化区域60B1，且通过直线区域G2B对伺服带SB2记录线状磁化区域60B2。

[0236] 当对伺服带SB1(参考图9)使用间隙图案G3时，若第3脉冲信号发生器SW4C将脉冲信号供给至磁头铁芯WH2C，则按照脉冲信号从间隙图案G3对伺服带SB1赋予磁场，对伺服带SB1记录伺服图案58。

[0237] 例如，若在间隙图案G3相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB1正对的状态下，对磁头铁芯WH2C供给伺服图案58A用脉冲信号，则对伺服带SB1记录伺服图案58A。即，通过直线区域G3A对伺服带SB1记录线状磁化区域60A1，且通过直线区域G3B对伺服带SB1记录线状磁化区域60A2。

[0238] 并且，例如，若在间隙图案G3相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB1正对的状态下，对磁头铁芯WH2C供给伺服图案58B用脉冲信号，则对伺服带SB1记录伺服图案58B。即，通过直线区域G3A对伺服带SB1记录线状磁化区域60B1，且通过直线区域G3B对伺服带SB1记录线状磁化区域60B2。

[0239] 作为一例，如图18所示，在间隙图案G1中，直线区域G1A及G1B相对于沿着方向WD1的直线即假想直线C1向相反的方向倾斜。换言之，直线区域G1A相对于假想直线C1向一个方向(例如，从图18的纸面表面侧观察时顺时针方向)倾斜。另一方面，直线区域G1B相对于假想直线C1向另一方向(例如，从图18的纸面表面侧观察时逆时针方向)倾斜。并且，直线区域G1A与直线区域G1B相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。在此“陡”例如是指，直线区域G1A相对于假想直线C1的角度小于直线区域G1B相对于假想直线C1的角度。并且，直线区域G1A两端的位置与直线区域G1B两端的位置在方向WD1上对齐。并且，直线区域G1A的总长度短于直线区域G1B的总长度。

[0240] 在间隙图案G2中，直线区域G2A及G2B相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。换言之，直线区域G2A相对于假想直线C1向一个方向(例如，从图18的纸面表面侧观察时顺时针方向)倾斜。另一方面，直线区域G2B相对于假想直线C1向另一方向(例如，从图18的纸面表面侧观察时逆时针方向)倾斜。并且，直线区域G2A与直线区域G2B相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。在此“陡”例如是指，直线区域G2A相对于假想直线C1的角度小于直线区域G2B相对于假想直线C1的角度。并且，直线区域G2A两端的位置与直线区域G2B两端的位置在方向WD1上对齐。并且，直线区域G2A的总长度短于直线区域G2B的总长度。

[0241] 在间隙图案G3中，直线区域G3A及G3B相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。换言之，直线区域G3A相对于假想直线C1向一个方向(例如，从图18的纸面表面侧观察时顺时针方向)倾斜。另一方面，直线区域G3B相对于假想直线C1向另一方向(例如，从图18的纸面表面侧观察时逆时针方向)倾斜。并且，直线区域G3A与直线区域G3B相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。在此“陡”例如是指，直线区域G3A相对于假想直线C1的角度小于直线区域G3B相对于假想直线C1的角度。并且，直线区域G3A两端的位置与直线区域G3B两端的位置在方向WD1上对齐。并且，直线区域G3A的总长度短于直线区域G3B的总长度。

[0242] 间隙图案G1、G2及G3在沿着方向WD1相邻的间隙图案G之间在方向LD1上以上述的既定间隔(即，由数式(1)计算的既定间隔)偏离。

[0243] 在表面WH1A上，长边WH1Aa长于磁带MT的宽度。短边WH1Ab为容纳所有间隙图案G1、G2及G3的长度。换言之，容纳所有间隙图案G1、G2及G3的长度是指，沿着磁带MT的长边方向LD容纳从直线区域G1A到直线区域G3B的长度。长边WH1Aa的方向与宽度方向WD一致，短边WH1Ab的方向与磁带MT的长边方向LD一致。基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使多个间隙图案G与表面31相对的状态且以沿着宽度方向WD横贯磁带MT的状态配置。

[0244] 间隙图案G1、G2及G3之间所使用的脉冲信号(即，如图17所示，从第1脉冲信号发生器SW4A供给至磁头铁芯WH2A的脉冲信号、从第2脉冲信号发生器SW4B供给至磁头铁芯WH2B的脉冲信号及从第3脉冲信号发生器SW4C供给至磁头铁芯WH2C的脉冲信号)为同相位的信号。

[0245] 在伺服图案记录工序中，在将间隙图案G1的位置对应于伺服带SB3的位置、将间隙图案G2的位置对应于伺服带SB2的位置且将间隙图案G3的位置对应于伺服带SB1的位置的状态下，磁带MT在输送路径SW7上以恒定的速度行进。然后，在该状态下，对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C交替供给伺服图案58A用脉冲信号及伺服图案58B用脉冲信号。

[0246] 若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案58A用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案58A。并且，若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案58B用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案58B。

[0247] 在此，参考图19对间隙图案G的表面WH1A上的几何特性进行说明。

[0248] 作为一例，如图19所示，间隙图案G的表面WH1A上的几何特性能够使用假想直线区域对68来表现。假想直线区域对68由假想直线区域68A及假想直线区域68B构成。在本实施方式中，假想直线区域对68为本发明的技术所涉及的“一对假想直线区域”的一例，假想直线区域68A为本发明的技术所涉及的“一个假想直线区域”的一例，假想直线区域68B为本发明的技术所涉及的“另一个假想直线区域”的一例。

[0249] 假想直线区域对68为具有与图18所示的间隙图案G相同的几何特性的假想直线区域对。假想直线区域对68是为了便于说明间隙图案G的表面WH1A上的几何特性而使用的假想直线区域对，并不是实际存在的直线区域对。

[0250] 在本实施方式中，例如，假想直线区域68A具有与图18所示的直线区域G1A相同的几何特性，假想直线区域68B具有与图18所示的直线区域G1B相同的几何特性。

[0251] 在假想直线区域对68中设置有中心O2。例如，中心O2为连结假想直线区域68A的中心与假想直线区域68B的中心的线段L2的中心。

[0252] 假想直线区域68A及假想直线区域68B相对于假想直线C1以线对称倾斜。在此，当以中心O2为旋转轴，相对于假想直线C1使假想直线区域68A及假想直线区域68B的对称轴SA2以角度b(例如，10度)倾斜，由此使假想直线区域对68的整体相对于假想直线C1倾斜时，若对假想直线区域对68与图10所示的假想线状区域对62进行比较，则在假想直线区域对68中产生不足的部分及不需要的部分。在此，不足的部分是指，伺服图案记录头WH在对磁带MT记录伺服图案58时不足的部分，不需要的部分是指，伺服图案记录头WH在对磁带MT记录伺服图案58时不需要的部分。在图19所示的例子中，示出了在假想直线区域68B中产生不足的部分及不需要的部分的方式。

[0253] 因此，在假想直线区域68A及假想直线区域68B中，分别补充不足的部分，并且去除不需要的部分。由此，关于方向WD1，使假想直线区域68A两端的位置与假想直线区域68B两端的位置对齐。

[0254] 如此获得的假想直线区域对68的几何特性(即，假想间隙图案的几何特性)相当于实际间隙图案G的几何特性。即，在表面WH1A(参考图18)形成有相当于关于方向WD1通过使假想直线区域68A两端的位置与假想直线区域68B两端的位置对齐而获得的假想直线区域对68的几何特性的几何特性的间隙图案G。

[0255] 接着，对磁带系统10的作用进行说明。

[0256] 在磁带盒12中容纳有图9所示的磁带MT。在磁带盒12中装填有磁带驱动器14。在磁带驱动器14中，当对磁带MT进行基于磁性元件单元42(参考图3及图15)的磁处理时，从磁带盒12抽出磁带MT，通过磁头28的伺服读取元件SR读取伺服带SB内的伺服图案58。

[0257] 如图9及图10所示，记录于磁带MT的伺服带SB的伺服图案58A中所包含的线状磁化区域60A1及60A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。另一方面，如图13所示，在磁带MT上磁头28也向正向的上游侧以角度β(即，从图13的纸面表面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜。在该状态下，若通过伺服读取元件SR读取伺服图案58A，则由线状磁化区域60A1与伺服读取元件SR所成的角度和由线状磁化区域60A2与伺服读取元件SR所成的角度变得接近，因此由方位角损失引起的伺服信号的偏差和以往已知的伺服图案52A中所包含的来源于线状磁化区域54A1的伺服信号与以往已知的伺服图案52A中所包含的来源于线状磁化区域54A2的伺服信号之间产生的偏差相比变少。

[0258] 其结果，和以往已知的伺服图案52A中所包含的来源于线状磁化区域54A1的伺服信号与以往已知的伺服图案52A中所包含的来源于线状磁化区域54A2的伺服信号之间的偏差相比，来源于线状磁化区域60A1的伺服信号与来源于线状磁化区域60A2的伺服信号之间的偏差变小，从而能够获得与由以往已知的伺服图案52A获得的伺服信号相比可靠性高的伺服信号(以下，将该效果也称为“第1效果”)。另外，如图13所示，在磁带MT上以磁头28向正向的上游侧以角度β(即，从图13的纸面表面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜的状态通过伺服读取元件SR读取伺服图案58B的情况下，也获得与第1效果相同的效果(以下，将该效果也称为“第2效果”)。

[0259] 在宽度方向WD上，若线状磁化区域60A1的两端的位置与线状磁化区域60A2的两端的位置未对齐，则通过伺服读取元件SR可读取线状磁化区域60A1的一端部但无法读取线状磁化区域60A2的一端部，或通过伺服读取元件SR可读取线状磁化区域60A1的另一端部但无法读取线状磁化区域60A2的另一端部。

[0260] 因此，在本实施方式所涉及的磁带MT中，在伺服带SB内，关于宽度方向WD，使线状磁化区域60A1两端的位置(即，5根磁化直线60A1a各自的两端的位置)与线状磁化区域60A2两端的位置(即，5根磁化直线60A2a各自的两端的位置)对齐。因此，当对伺服图案58A进行基于伺服读取元件SR的读取时，与在宽度方向WD上，线状磁化区域60A1的两端的位置与线状磁化区域60A2的两端的位置未对齐的情况相比，能够适当地使伺服读取元件SR读取线状磁化区域60A1及60A2。其结果，与关于宽度方向WD，线状磁化区域60A1两端的位置与线状磁化区域60A2两端的位置未对齐的情况相比，能够获得可靠性高的伺服信号(以下，将该效果称为“第3效果”)。另外，当对伺服图案58B进行基于伺服读取元件SR的读取时，也可获得与第3效果相同的效果(以下，将该效果也称为“第4效果”)。

[0261] 如图9及图10所示，尽管线状磁化区域60A1相对于假想直线C1的梯度与线状磁化区域60A2相对于假想直线C1的梯度陡，但若使线状磁化区域60A1的总长度长于线状磁化区域60A2的总长度，则在线状磁化区域60A1与线状磁化区域60A2之间产生通过伺服读取元件SR可读取的部分及无法读取的部分。并且，即使在使线状磁化区域60B1的总长度长于线状磁化区域60B2的总长度的情况下，在线状磁化区域60B1与线状磁化区域60B2之间也产生通过伺服读取元件SR可读取的部分及无法读取的部分。因此，在本实施方式所涉及的磁带MT中，使线状磁化区域60A1的总长度短于线状磁化区域60A2的总长度，且使线状磁化区域60B1的总长度长于线状磁化区域60B2的总长度。由此，能够适当地进行伺服读取元件SR对线状磁化区域60A1及60A2的读取及伺服读取元件SR对线状磁化区域60B1及60B2的读取(以下，将该效果称为“第5效果”)。

[0262] 并且，在本实施方式所涉及的磁带MT中，线状磁化区域60A1为5根磁化直线60A1a的集合，线状磁化区域60A2为5根磁化直线60A2a的集合。并且，线状磁化区域60B1为4根磁化直线60B1a的集合，线状磁化区域60B2为4根磁化直线60B2a的集合。因此，与各线状磁化区域由1根磁化直线构成的情况相比，能够使从伺服图案58获得的信息量变多，其结果，能够实现高精度的伺服控制(以下，将该效果称为“第6效果”)。

[0263] 并且，在本实施方式所涉及的磁带MT中，线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性相当于如下几何特性：当通过使假想线状区域对62的对称轴SA1相对于假想直线C1倾斜，使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，使假想线状区域62A两端的位置与假想线状区域62B两端的位置在宽度方向WD上对齐。因此，与对具有以往已知的几何特性的伺服图案52A进行基于伺服读取元件SR的读取的情况相比，能够减小来源于线状磁化区域60A1的伺服信号与来源于线状磁化区域60A2的伺服信号之间的偏差。其结果，与从具有以往已知的几何特性的伺服图案52A获得的伺服信号相比，能够获取可靠性高的伺服信号(以下，将该效果称为“第7效果”)。

[0264] 另外，线状磁化区域对60B与线状磁化区域对60A相比，不同点仅在于，代替线状磁化区域60A1而具有线状磁化区域60B1的点及代替线状磁化区域60A2而具有线状磁化区域60B2的点。与线状磁化区域对60A同样地，对如此构成的线状磁化区域对60B也进行基于伺服读取元件SR的读取。因此，与对具有以往已知的几何特性的伺服图案52B进行基于伺服读取元件SR的读取的情况相比，能够减小来源于线状磁化区域60B1的伺服信号与来源于线状磁化区域60B2的伺服信号之间的偏差。其结果，与从具有以往已知的几何特性的伺服图案
52B获得的伺服信号相比，能够获得可靠性高的伺服信号(以下，将该效果也称为“第8效果”)。

[0265] 在本实施方式中，在伺服带SB之间对应的一对伺服图案58由磁头28中所包含的伺服读取元件SR1及SR2读取。并且，在本实施方式中，磁头28以在磁带MT上偏斜的状态来使用(参考图13～图15)。在此，若在伺服带SB之间对应的一对伺服图案58在磁带MT的长边方向LD上未以既定间隔偏离配置，则对在伺服带SB之间对应的一对伺服图案58中的一个伺服图案58进行读取的定时与对另一个伺服图案58进行读取的定时之间产生时间差。因此，在本实施方式所涉及的磁带MT中，在伺服带SB之间对应的伺服图案58在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。由此，与在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间对应的一对伺服图案58未以既定间隔偏离配置的情况相比，能够缩小对在伺服带SB之间对应的一对伺服图案58中的一个伺服图案58进行读取的定时与对另一个伺服图案58进行读取的定时之间产生的时间差(以下，将该效果称为“第9效果”)。

[0266] 在本实施方式中，伺服带SB由多个帧56(参考图9及图11)划分。帧56根据一对伺服图案58(即，伺服图案58A及58B)来规定。并且，在本实施方式中，在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧56中所包含的一对伺服图案58由磁头28中所包含的伺服读取元件SR1及SR2读取。并且，在本实施方式中，磁头28以在磁带MT上偏斜的状态来使用(参考图13～图15)。在此，若在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧56中所包含的一对伺服图案58在磁带MT的长边方向LD上未以既定间隔偏离配置，则在对一对伺服图案58中的一个伺服图案58进行读取的定时与对另一个伺服图案58进行读取的定时之间产生时间差。因此，在本实施方式所涉及的磁带MT中，在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧56中所包含的一对伺服图案58在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。由此，与在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间对应的一对帧56未以既定间隔偏离配置的情况相比，能够缩小对在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧56中所包含的一对伺服图案58中的一个伺服图案58进行读取的定时与对另一个伺服图案58进行读取的定时之间产生的时间差(以下，将该效果称为“第10效果”)。

[0267] 在本实施方式中，如图11所示，既定间隔根据由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间不处于对应关系的帧56之间与假想直线C1所成的角度α、伺服带间距及帧56的长边方向的总长度来规定。即，既定间隔由数式(1)规定，并且根据数式(1)计算。因此，与均不使用角度α、伺服带间距及帧56的长边方向的总长度而规定既定间隔的情况相比，能够轻松地获得既定间隔(以下，将该效果称为“第11效果”)。

[0268] 在本实施方式中，使用自相关系数来检测通过伺服读取元件SR读取了伺服图案58的结果即伺服信号(参考图15)。由此，与仅使用判定信号电平是否超过了阈值的方法来检测伺服信号的情况相比，能够以高精度检测伺服信号(以下，将该效果称为“第12效果”)。

[0269] 接着，对伺服写入器SW的作用进行说明。

[0270] 在伺服写入器SW中，当使伺服图案记录头WH对磁带MT记录伺服图案58时，将磁带MT送出至输送路径SW7，并且使磁带MT以恒定的速度行进。此时，在将间隙图案G1的位置对应于伺服带SB3的位置、将间隙图案G2的位置对应于伺服带SB2的位置且将间隙图案G3的位置对应于伺服带SB1的位置的状态下，使磁带MT行进。在该状态下，对伺服图案记录头WH的磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C交替供给伺服图案58A用脉冲信号及伺服图案58B用脉冲信号。

[0271] 间隙图案G由不平行的一对直线区域构成。不平行的一对直线区域为与图9所示的线状磁化区域60A1中所包含的5根磁化直线60A1a中的位于正向的最上游侧的磁化直线60A1a的几何特性相同的几何特性的直线区域及与图9所示的线状磁化区域60A2中所包含的5根磁化直线60A2a中的位于正向的最上游侧的磁化直线60A2a的几何特性相同的几何特性的直线区域。并且，间隙图案G1、G2及G3沿着方向LD1每隔既定间隔偏离。

[0272] 因此，若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案58A用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案58A。并且，若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案58B用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案58B。

[0273] 若记录于如此获得的磁带MT的伺服带SB的伺服图案58由在磁带MT上偏斜的状态的磁头28中所包含的伺服读取元件SR读取，则获得第1～第12效果。

[0274] 并且，在伺服写入器SW中，表面WH1A的长边WH1Aa长于磁带MT的宽度。并且，表面WH1A的短边WH1Ab为容纳所有间隙图案G1、G2及G3的长度。表面WH1A的长边WH1Aa的方向与宽度方向WD一致，表面WH1A的短边WH1Ab的方向与磁带MT的长边方向LD一致。基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使多个间隙图案G与表面31相对的状态且以沿着宽度方向WD横贯磁带MT的状态配置。因此，与基体WH1以表面WH1A的长边WH1Aa相对于假想直线C1倾斜的姿态配置于磁带MT上的情况相比，能够抑制行进中的磁带MT偏向宽度方向WD。

[0275] 并且，在伺服写入器SW中，作为多个间隙图案G之间所使用的脉冲信号使用同相位的信号。对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C交替供给伺服图案58A用脉冲信号及伺服图案58B用脉冲信号。在伺服写入器SW中，间隙图案G1、G2及G3在方向LD1上以既定间隔偏离。

[0276] 因此，伺服写入器SW通过以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案58A用脉冲信号，能够在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离来对伺服带SB1～SB3记录伺服图案58A。并且，伺服写入器SW通过以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案58B用脉冲信号，能够在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离来对伺服带SB1～SB3记录伺服图案58B。

[0277] 并且，在伺服写入器SW中，控制装置SW5通过作为图14所示的位置检测部30B而进行动作来从伺服图案读取结果获取位置检测结果，通过使用位置检测结果判定伺服图案58是否正确来进行伺服带SB的检查。作为位置检测部30B进行动作的控制装置SW5与仅使用判定信号电平是否超过了阈值的方法来检测伺服信号的情况相比，能够以高精度检测伺服信号，因此伺服写入器SW也能够以高精度进行伺服带SB的检查。

[0278] [第1变形例]

[0279] 在上述实施方式中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧56划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图20所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧70划分。帧70由一组伺服图案72规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案72。与多个伺服图案58同样地，多个伺服图案72沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

[0280] 在图20所示的例子中，作为一组伺服图案72的一例，示出了伺服图案72A及72B。伺服图案72A及72B分别为以M字状磁化的伺服图案。伺服图案72A及72B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧70内，伺服图案72A位于正向的上游侧，伺服图案72B位于正向的下游侧。

[0281] 作为一例，如图21所示，伺服图案72由线状磁化区域对74构成。线状磁化区域对74分类为线状磁化区域对74A及线状磁化区域对74B。

[0282] 伺服图案72A由一组线状磁化区域对74A构成。一组线状磁化区域对74A以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

[0283] 在图21所示的例子中，作为线状磁化区域对74A的一例，示出了线状磁化区域74A1及74A2。线状磁化区域对74A以与在上述实施方式中说明的线状磁化区域对60A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对60A相同的几何特性。即，线状磁化区域74A1以与在上述实施方式中说明的线状磁化区域60A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60A1相同的几何特性，线状磁化区域74A2以与在上述实施方式中说明的线状磁化区域60A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60A2相同的几何特性。

[0284] 在图21所示的例子中，线状磁化区域对74A为本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例，线状磁化区域74A1为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域74A2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。

[0285] 伺服图案72B由一组线状磁化区域对74B构成。一组线状磁化区域对74B以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

[0286] 在图21所示的例子中，作为线状磁化区域对74B的一例，示出了线状磁化区域74B1及74B2。线状磁化区域对74B以与在上述实施方式中说明的线状磁化区域对60B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对60B相同的几何特性。即，线状磁化区域74B1以与在上述实施方式中说明的线状磁化区域60B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60B1相同的几何特性，线状磁化区域74B2以与在上述实施方式中说明的线状磁化区域60B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60B2相同的几何特性。

[0287] 在图21所示的例子中，线状磁化区域对74B为本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例，线状磁化区域74B1为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域74B2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。

[0288] 作为一例，如图22所示，用于记录伺服图案72的伺服图案记录头WH与在上述实施方式中说明的伺服图案记录头WH(即，用于记录伺服图案58的伺服图案记录头WH)相比，不同点在于，代替间隙图案G1而具有间隙图案G4的点、代替间隙图案G2而具有间隙图案G5的点及代替间隙图案G3而具有间隙图案G6的点。

[0289] 间隙图案G4由直线区域G4A、G4B、G4C及G4D构成。直线区域G4A及G4B用于图21所示的一组线状磁化区域对74A中的一个线状磁化区域对74A(例如，正向的上游侧的线状磁化区域对74A)的记录。直线区域G4C及G4D用于图21所示的一组线状磁化区域对74A中的另一个线状磁化区域对74A(例如，正向的下游侧的线状磁化区域对74A)的记录。并且，直线区域G4A及G4B用于图21所示的一组线状磁化区域对74B中的一个线状磁化区域对74B(例如，正向的上游侧的线状磁化区域对74B)的记录。直线区域G4C及G4D用于图21所示的一组线状磁化区域对74B中的另一个线状磁化区域对74B(例如，正向的下游侧的线状磁化区域对74B)的记录。

[0290] 直线区域G4A及G4B的结构与直线区域G1A及G1B的结构相同。即，直线区域G4A及G4B具有与直线区域G1A及G1B相同的几何特性。直线区域G4C及G4D的结构与直线区域G4A及G4B的结构相同。即，直线区域G4C及G4D具有与直线区域G4A及G4B相同的几何特性。

[0291] 间隙图案G5由直线区域G5A、G5B、G5C及G5D构成。直线区域G5A、G5B、G5C及G5D的结构与直线区域G4A、G4B、G4C及G4D的结构相同。即，直线区域G5A、G5B、G5C及G5D具有与直线区域G4A、G4B、G4C及G4D相同的几何特性。

[0292] 间隙图案G6由直线区域G6A、G6B、G6C及G6D构成。直线区域G6A、G6B、G6C及G6D的结构与直线区域G4A、G4B、G4C及G4D的结构相同。即，直线区域G6A、G6B、G6C及G6D具有与直线区域G4A、G4B、G4C及G4D相同的几何特性。

[0293] 如此构成的间隙图案G4、G5及G6在沿着方向WD1相邻的间隙图案G之间在方向LD1上以上述的既定间隔(即，由数式(1)计算的既定间隔)偏离。

[0294] 表面WH1A的长边WH1Aa长于磁带MT的宽度。表面WH1A的短边WH1Ab为容纳所有间隙图案G4、G5及G6的长度。表面WH1A的长边WH1Aa的方向与宽度方向WD一致，表面WH1A的短边WH1Ab的方向与磁带MT的长边方向LD一致。基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使多个间隙图案G与表面31相对的状态且以沿着宽度方向WD横贯磁带MT的状态配置。

[0295] 在间隙图案G4、G5及G6之间所使用的脉冲信号(即，如图22所示，从第1脉冲信号发生器SW4A供给至磁头铁芯WH2A的脉冲信号、从第2脉冲信号发生器SW4B供给至磁头铁芯WH2B的脉冲信号及从第3脉冲信号发生器SW4C供给至磁头铁芯WH2C的脉冲信号)为同相位的信号。

[0296] 在伺服图案记录工序中，在将间隙图案G4的位置对应于伺服带SB3的位置、将间隙图案G5的位置对应于伺服带SB2的位置且将间隙图案G6的位置对应于伺服带SB1的位置的状态下，磁带MT沿着输送路径SW7以恒定的速度行进。然后，在该状态下，对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C交替供给伺服图案72A用脉冲信号及伺服图案72B用脉冲信号。

[0297] 在此，若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案72A用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案72A。并且，若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案72B用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案72B。

[0298] [第2变形例]

[0299] 在图20所示的例子中，举出了伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧70划分的方式例，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图23所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧76划分。帧76由一组伺服图案78规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案78。与多个伺服图案72(参考图20)同样地，多个伺服图案78沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

[0300] 在图23所示的例子中，作为一组伺服图案78的一例，示出了伺服图案78A及78B。伺服图案78A及78B分别为以N字状磁化的伺服图案。伺服图案78A及78B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧76内，伺服图案78A位于正向的上游侧，伺服图案78B位于正向的下游侧。

[0301] 作为一例，如图24所示，伺服图案78由线状磁化区域组80构成。线状磁化区域组80分类为线状磁化区域组80A及线状磁化区域组80B。

[0302] 伺服图案78A由线状磁化区域组80A构成。线状磁化区域组80A由线状磁化区域80A1、80A2及80A3构成。线状磁化区域80A1、80A2及80A3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域80A1、80A2及80A3从正向的上游侧以线状磁化区域80A1、80A2及
80A3的顺序配置。

[0303] 线状磁化区域80A1及80A2以与图21所示的线状磁化区域对74A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对74A相同的几何特性。即，线状磁化区域80A1以与图21所示的线状磁化区域74A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74A1相同的几何特性，线状磁化区域80A2以与图21所示的线状磁化区域74A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74A2相同的几何特性。并且，线状磁化区域80A3以与线状磁化区域80A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域80A1相同的几何特性。

[0304] 在图24所示的例子中，线状磁化区域80A1及80A2为本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例，在该情况下，线状磁化区域80A1为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域80A2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。并且，线状磁化区域80A2及80A3也是本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例，在该情况下，线状磁化区域80A3为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域80A2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。

[0305] 伺服图案78B由线状磁化区域组80B构成。线状磁化区域组80B由线状磁化区域80B1、80B2及80B3构成。线状磁化区域80B1、80B2及80B3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域80B1、80B2及80B3从正向的上游侧以线状磁化区域80B1、80B2及
80B3的顺序配置。

[0306] 线状磁化区域80B1及80B2以与图21所示的线状磁化区域对74B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对74B相同的几何特性。即，线状磁化区域80B1以与图21所示的线状磁化区域74B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74B1相同的几何特性，线状磁化区域80B2以与图21所示的线状磁化区域74B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74B2相同的几何特性。并且，线状磁化区域80B3以与线状磁化区域80B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域80B1相同的几何特性。

[0307] 在图24所示的例子中，线状磁化区域80B1及80B2为本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例，在该情况下，线状磁化区域80B1为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域80B2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。并且，线状磁化区域80B2及80B3也是本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例，在该情况下，线状磁化区域80B3为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域80B2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。

[0308] 作为一例，如图25所示，用于记录伺服图案78的伺服图案记录头WH与图22所示的伺服图案记录头WH(即，用于记录伺服图案72的伺服图案记录头WH)相比，不同点在于，代替间隙图案G4而具有间隙图案G7的点、代替间隙图案G5而具有间隙图案G8的点及代替间隙图案G6而具有间隙图案G9的点。

[0309] 间隙图案G7由直线区域G7A、G7B及G7C构成。直线区域G7A用于伺服带SB3内(参考图23)的线状磁化区域80A1及80B1(参考图24)的记录，直线区域G7B用于伺服带SB3内(参考图23)的线状磁化区域80A2及80B2(参考图24)的记录，直线区域G7C用于伺服带SB3内(参考图23)的线状磁化区域80A3及80B3(参考图24)的记录。

[0310] 直线区域G7A、G7B及G7C的结构与图22所示的直线区域G4A、G4B及G4C的结构相同。即，直线区域G7A、G7B及G7C具有与直线区域G4A、G4B及G4C相同的几何特性。

[0311] 间隙图案G8由直线区域G8A、G8B及G8C构成。直线区域G8A用于伺服带SB2内(参考图23)的线状磁化区域80A1及80B1(参考图24)的记录。直线区域G8B用于伺服带SB2内(参考图23)的线状磁化区域80A2及80B2(参考图24)的记录。直线区域G8C用于伺服带SB2内(参考图23)的线状磁化区域80A3及80B3(参考图24)的记录。

[0312] 直线区域G8A、G8B及G8C的结构与图22所示的直线区域G5A、G5B及G5C的结构相同。即，直线区域G8A、G8B及G8C具有与直线区域G5A、G5B及G5C相同的几何特性。

[0313] 间隙图案G9由直线区域G9A、G9B及G9C构成。直线区域G9A用于伺服带SB1内(参考图23)的线状磁化区域80A1及80B1(参考图24)的记录。直线区域G9B用于伺服带SB1内(参考图23)的线状磁化区域80A2及80B2(参考图24)的记录。直线区域G9C用于伺服带SB1内(参考图23)的线状磁化区域80A3及80B3(参考图24)的记录。

[0314] 直线区域G9A、G9B及G9C的结构与图22所示的直线区域G6A、G6B及G6C的结构相同。即，直线区域G9A、G9B及G9C具有与直线区域G6A、G6B及G6C相同的几何特性。

[0315] 如此构成的间隙图案G7、G8及G9在沿着方向WD1相邻的间隙图案G之间在方向LD1上以上述的既定间隔(即，由数式(1)计算的既定间隔)偏离。

[0316] 表面WH1A的长边WH1Aa长于磁带MT的宽度。表面WH1A的短边WH1Ab为容纳所有间隙图案G7、G8及G9的长度。表面WH1A的长边WH1Aa的方向与宽度方向WD一致，表面WH1A的短边WH1Ab方向与磁带MT的长边方向LD一致。基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使多个间隙图案G与表面31相对的状态且以沿着宽度方向WD横贯磁带MT的状态配置。

[0317] 在间隙图案G7、G8及G9之间所使用的脉冲信号(即，如图22所示，从第1脉冲信号发生器SW4A供给至磁头铁芯WH2A的脉冲信号、从第2脉冲信号发生器SW4B供给至磁头铁芯WH2B的脉冲信号及从第3脉冲信号发生器SW4C供给至磁头铁芯WH2C的脉冲信号)为同相位的信号。

[0318] 在伺服图案记录工序中，在将间隙图案G7的位置对应于伺服带SB3的位置、将间隙图案G8的位置对应于伺服带SB2的位置且将间隙图案G9的位置对应于伺服带SB1的位置的状态下，磁带MT沿着输送路径SW7以恒定的速度行进。然后，在该状态下，对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C交替供给伺服图案80A用脉冲信号及伺服图案80B用脉冲信号。

[0319] 在此，若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案80A用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案80A。并且，若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案80B用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案80B。

[0320] [第3变形例]

[0321] 在上述实施方式中，举出既定间隔根据角度α、伺服带间距及帧长来规定的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此，也可以不使用帧长来规定既定间隔。例如，如图26所示，既定间隔根据由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的帧56之间(在图26所示的例子中，为线段L3)与假想直线C1所成的角度α及在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间的间距(即，伺服带间距)来规定。在该情况下，例如，既定间隔由以下数式(2)计算。

[0322] (既定间隔)＝(伺服带间距)×tanα……(2)

[0323] 如此，数式(2)中不包含帧长。这表示即使不考虑帧长也计算出既定间隔。因此，根据本结构，与由数式(1)计算既定间隔的情况相比，能够简单地计算既定间隔。

[0324] [第4变形例]

[0325] 在上述实施方式中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧56划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图27所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧82划分。

[0326] 帧82由一组伺服图案84规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案84。与记录于磁带MT0(参考图6)的多个伺服图案52(参考图6)同样地，多个伺服图案84沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

[0327] 在图27所示的例子中，作为帧82中所包含的一组伺服图案84的一例，示出了伺服图案84A及84B。伺服图案84A及84B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧82内，伺服图案84A位于正向的上游侧，伺服图案84B位于正向的下游侧。

[0328] 伺服图案84由线状磁化区域对86构成。线状磁化区域对86分类为线状磁化区域对86A及线状磁化区域对86B。在本第4变形例中，线状磁化区域对86为本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例。

[0329] 伺服图案84A由线状磁化区域对86A构成。在图27所示的例子中，作为线状磁化区域对86A的一例，示出了线状磁化区域86A1及86A2。线状磁化区域86A1及86A2分别为以线状磁化的区域。

[0330] 在本第4变形例中，线状磁化区域86A1为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域86A2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。

[0331] 线状磁化区域86A1及86A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。换言之，线状磁化区域86A1相对于假想直线C1向一个方向(例如，从图27的纸面表面侧观察时顺时针方向)倾斜。另一方面，线状磁化区域86A2相对于假想直线C1向另一方向(例如，从图27的纸面表面侧观察时逆时针方向)倾斜。线状磁化区域86A1及86A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域86A1与线状磁化区域86A2相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域86A1相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域86A2相对于假想直线C1的角度。

[0332] 并且，线状磁化区域86A1整体的位置与线状磁化区域86A2整体的位置在宽度方向WD上偏离。即，线状磁化区域86A1一端的位置与线状磁化区域86A2一端的位置在宽度方向WD上未对齐，线状磁化区域86A1另一端的位置与线状磁化区域86A2另一端的位置在宽度方向WD上未对齐。

[0333] 在伺服图案84A中，在线状磁化区域86A1包含多个磁化直线86A1a，在线状磁化区域86A2包含多个磁化直线86A2a。线状磁化区域86A1中所包含的磁化直线86A1a的根数与线状磁化区域86A2中所包含的磁化直线86A2a的根数相同。

[0334] 线状磁化区域86A1为得到磁化的5根直线即磁化直线86A1a的集合，线状磁化区域86A2为得到磁化的5根直线即磁化直线86A2a的集合。

[0335] 在伺服带SB内，线状磁化区域86A1中所包含的所有磁化直线86A1a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86A1中所包含的所有磁化直线86A1a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，在伺服带SB内，线状磁化区域86A2中所包含的所有磁化直线86A2a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86A2中所包含的所有磁化直线86A2a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。

[0336] 伺服图案84B由线状磁化区域对86B构成。在图27所示的例子中，作为线状磁化区域对86B的一例，示出了线状磁化区域86B1及86B2。线状磁化区域86B1及86B2分别为以线状磁化的区域。

[0337] 在本第4变形例中，线状磁化区域86B1为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域86B2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。

[0338] 线状磁化区域86B1及86B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。换言之，线状磁化区域86B1相对于假想直线C2向一个方向(例如，从图27的纸面表面侧观察时顺时针方向)倾斜。另一方面，线状磁化区域86B2相对于假想直线C2向另一方向(例如，从图27的纸面表面侧观察时逆时针方向)倾斜。线状磁化区域86B1及86B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域86B1与线状磁化区域86B2相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域86B1相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域86B2相对于假想直线C2的角度。

[0339] 并且，线状磁化区域86B1整体的位置与线状磁化区域86B2整体的位置在宽度方向WD上偏离。即，线状磁化区域86B1一端的位置与线状磁化区域86B2一端的位置在宽度方向WD上未对齐，线状磁化区域86B1另一端的位置与线状磁化区域86B2另一端的位置在宽度方向WD上未对齐。

[0340] 在伺服图案84B中，在线状磁化区域86B1包含多个磁化直线86B1a，在线状磁化区域86B2包含多个磁化直线86B2a。线状磁化区域86B1中所包含的磁化直线86B1a的根数与线状磁化区域86B2中所包含的磁化直线86B2a的根数相同。

[0341] 伺服图案84B中所包含的磁化直线86B1a及86B2a的总根数与伺服图案84A中所包含的磁化直线86A1a及86A2a的总根数不同。在图27所示的例子中，伺服图案84A中所包含的磁化直线86A1a及86A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案84B中所包含的磁化直线86B1a及86B2a的总根数为8根。

[0342] 线状磁化区域86B1为得到磁化的4根直线即磁化直线86B1a的集合，线状磁化区域86B2为得到磁化的4根直线即磁化直线86B2a的集合。

[0343] 在伺服带SB内，线状磁化区域86B1中所包含的所有磁化直线86B1a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86B1中所包含的所有磁化直线86B1a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，在伺服带SB内，线状磁化区域86B2中所包含的所有磁化直线86B2a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86B2中所包含的所有磁化直线86B2a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。

[0344] 另外，在此，作为线状磁化区域86A1的一例，举出得到磁化的5根直线即磁化直线86A1a的集合，作为线状磁化区域86A2的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线86A2a的集合，但本发明的技术并不限定于此。并且，作为线状磁化区域86B1的一例，举出得到磁化的4根直线即磁化直线86B1a的集合，作为线状磁化区域86B2的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线86B2a的集合，但本发明的技术并不限定于此。例如，若线状磁化区域
86A1为有助于确定磁头28在磁带MT上的位置的根数的磁化直线86A1a，线状磁化区域86A2为有助于确定磁头28在磁带MT上的位置的根数的磁化直线86A2a，则本发明的技术成立。并且，若线状磁化区域86B1为有助于确定磁头28在磁带MT上的位置的根数的磁化直线86B1a，线状磁化区域86B2为有助于确定磁头28在磁带MT上的位置的根数的磁化直线86B2a，则本发明的技术成立。

[0345] 在此，参考图28对线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性进行说明。

[0346] 作为一例，如图28所示，线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性能够使用假想线状区域对62来表现。在此，通过以中心O1为旋转轴使假想线状区域62A及62B的对称轴SA1相对于假想直线C1以角度a(例如，10度)倾斜，使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜。然后，使该状态下的假想线状区域对62的假想线状区域62A中所包含的所有直线62A1的一端的宽度方向WD的位置对齐，且使假想线状区域62A中所包含的所有直线62A1的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，同样地，使假想线状区域对62的假想线状区域
62B中所包含的所有直线62B1的一端的宽度方向WD的位置对齐，且使假想线状区域62B中所包含的所有直线62B1的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。由此，假想线状区域62A及假想线状区域62B在宽度方向WD上偏离。

[0347] 即，假想线状区域62A的一端与假想线状区域62B的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离，假想线状区域62A的另一端与假想线状区域62B的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离。

[0348] 如此获得的假想线状区域对62的几何特性(即，假想伺服图案的几何特性)相当于实际伺服图案84A的几何特性。即，线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性相当于如下几何特性：当通过使相对于假想直线C1以线对称倾斜的假想线状区域62A及假想线状区域62B的对称轴SA1相对于假想直线C1倾斜而使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，基于假想线状区域对62的几何特性。

[0349] 假想线状区域62A与伺服图案84A的线状磁化区域86A1对应，假想线状区域62B与伺服图案84A的线状磁化区域86A2对应。因此，对伺服带SB记录伺服图案84A，该伺服图案84A由线状磁化区域86A1的一端与线状磁化区域86A2的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离且线状磁化区域86A1的另一端与线状磁化区域86A2的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离的线状磁化区域对86A构成(参考图27)。

[0350] 另外，线状磁化区域对86B与线状磁化区域对86A相比，不同点仅在于，代替5根磁化直线86A1a而具有4根磁化直线86B1a及代替5根磁化直线86A2a而具有4根磁化直线86B2a(参考图27)。因此，对伺服带SB记录伺服图案84B，该伺服图案84B由线状磁化区域86B1的一端与线状磁化区域86B2的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离且线状磁化区域86B1的另一端与线状磁化区域86B2的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离的线状磁化区域对86B构成(参考图27)。

[0351] 作为一例，如图29所示，在磁带MT中沿着宽度方向WD形成有多个伺服带SB，在伺服带SB之间处于对应关系的帧82在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。这表示在伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案84在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间沿磁带MT的长边方向LD以在上述实施方式中说明的既定间隔偏离。既定间隔由在上述实施方式中说明的数式(1)规定。

[0352] 与上述实施方式同样地，在本第4变形例中，作为一例，如图30所示，倾斜机构49以使假想直线C3相对于假想直线C1向正向的上游侧以角度β(即，从图30的纸面表面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜的方式以旋转轴RA为中心使磁头28在磁带MT上偏斜。即，在磁带MT上磁头28向正向的上游侧以角度β倾斜。在该状态下，当通过读取元件SR在宽度方向WD上重叠的范围R内沿着长边方向LD对线状磁化区域86A1及86A2读取了伺服图案84A时，与图12所示的例子相比，在来源于线状磁化区域86A1的伺服信号与来源于线状磁化区域86A2的伺服信号之间由方位角损失引起的偏差变小。并且，在通过伺服读取元件SR读取了伺服图案84B(即，线状磁化区域对86B)的情况下，也同样地，在来源于线状磁化区域86B1的伺服信号与来源于线状磁化区域86B2的伺服信号之间由方位角损失引起的偏差变小。

[0353] 在此，角度β例如被设定为与以中心O1(参考图28)为旋转轴使假想线状区域62A及62B(参考图28)的对称轴SA1(参考图28)相对于假想直线C1旋转的角度即角度a(参考图28)一致。另外，在本实施方式中，“一致”除了指完全一致以外，还指包括在本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且不脱离本发明的技术宗旨程度的误差在内的含义下的一致。假想线状区域62A及62B的几何特性与线状磁化区域86A1及86A2的几何特性相同。因此，线状磁化区域86A1及86A2也相对于假想直线C1倾斜角度a。在该情况下，若在磁带MT上磁头
28向正向的上游侧以角度β(即，角度a)倾斜，则磁头28的倾斜角度与线状磁化区域86A1及
86A2的倾斜角度一致。其结果，在来源于线状磁化区域86A1的伺服信号与来源于线状磁化区域86A2的伺服信号之间由方位角损失引起的偏差变小。并且，在通过伺服读取元件SR读取了伺服图案84B(即，线状磁化区域对86B)的情况下，也同样地，在来源于线状磁化区域
86B1的伺服信号与来源于线状磁化区域86B2的伺服信号之间由方位角损失引起的偏差变小。

[0354] 在图31中示出本第4变形例所涉及的伺服图案记录头WH的结构的一例及脉冲信号发生器SW4的结构的一例。图31所示的伺服图案记录头WH的方式例为从在输送路径SW7(参考图16)上行进的本第4变形例所涉及的磁带MT的表面31侧(即，伺服图案记录头WH的背面侧)观察伺服图案记录头WH时的伺服图案记录头WH的方式例。

[0355] 图31所示的伺服图案记录头WH(即，本第4变形例所涉及的伺服图案记录头WH)与图17所示的伺服图案记录头WH相比，不同点在于，作为多个间隙图案G的一例，代替间隙图案G1、G2及G3而具有间隙图案G10、G11及G12的点。即，图31所示的伺服图案记录头WH与图17所示的伺服图案记录头WH相比，不同点在于，将间隙图案G1、G2及G3置换为间隙图案G10、G11及G12的点。在此，关于图31所示的伺服图案记录头WH，主要对与图17所示的伺服图案记录头WH的不同点进行说明。

[0356] 间隙图案G由不平行的一对直线区域构成。不平行的一对直线区域例如是指，与图27所示的线状磁化区域86A1中所包含的5根磁化直线86A1a中的位于正向的最上游侧的磁化直线86A1a的几何特性相同的几何特性的直线区域及与图27所示的线状磁化区域86A2中所包含的5根磁化直线86A2a中的位于正向的最上游侧的磁化直线86A2a的几何特性相同的几何特性的直线区域。

[0357] 在磁头铁芯WH2中卷绕有线圈(省略图示)，对线圈供给脉冲信号。对线圈供给的脉冲信号为伺服图案84A用脉冲信号及伺服图案84B用脉冲信号。

[0358] 若在间隙图案G相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB正对的状态下，对磁头铁芯WH2的线圈供给伺服图案84A用脉冲信号，则按照脉冲信号从间隙图案G对磁带MT的伺服带SB赋予磁场。由此，对伺服带SB记录伺服图案84A。

[0359] 并且，通过在间隙图案G相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB正对的状态下，对磁头铁芯WH2的线圈供给伺服图案84B用脉冲信号，从间隙图案G对磁带MT的伺服带SB赋予磁场。由此，对伺服带SB记录伺服图案84B。

[0360] 与各伺服图案84(即，每个帧82(参考图27)的伺服图案84)对应的脉冲信号和与伺服图案58对应的脉冲信号同样地得到调制，由此各种信息嵌入于脉冲信号。

[0361] 在图31所示的例子中，间隙图案G10形成于磁头铁芯WH2A。并且，间隙图案G11形成于磁头铁芯WH2B。而且，间隙图案G12形成于磁头铁芯WH2C。

[0362] 间隙图案G10～G12分别具有彼此相同的几何特性。在本实施方式中，例如，间隙图案G10用于对伺服带SB3(参考图27)的伺服图案84(参考图27)的记录。间隙图案G11用于对伺服带SB2(参考图27)的伺服图案84(参考图27)的记录。间隙图案G12用于对伺服带SB3(参考图27)的伺服图案84(参考图27)的记录。

[0363] 间隙图案G10为由直线区域G10A及G10B构成的直线区域对。并且，间隙图案G11为由直线区域G11A及G11B构成的直线区域对。并且，间隙图案G12为由直线区域G12A及G12B构成的直线区域对。

[0364] 在本第4变形例中，由直线区域G10A及G10B构成的直线区域对、由直线区域G11A及G11B构成的直线区域对及由直线区域G12A及G12B构成的直线区域对为本发明的技术所涉及的“直线区域对”的一例。并且，在本第4变形例中，直线区域G10A、G11A及G12A为本发明的技术所涉及的“第1直线区域”的一例。并且，在本第4变形例中，直线区域G10B、G11B及G12B为本发明的技术所涉及的“第2直线区域”的一例。

[0365] 当对伺服带SB3(参考图27)使用间隙图案G10时，若第1脉冲信号发生器SW4A将脉冲信号供给至磁头铁芯WH2A，则按照脉冲信号从间隙图案G10对伺服带SB3赋予磁场，对伺服带SB3记录伺服图案84(参考图27)。

[0366] 例如，若在间隙图案G10相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB3正对的状态下，对磁头铁芯WH2A供给伺服图案84A用脉冲信号，则对伺服带SB3记录伺服图案84A(参考图27)。即，通过直线区域G10A对伺服带SB3记录线状磁化区域86A1(参考图27)，且通过直线区域G10B对伺服带SB3记录线状磁化区域86A2(参考图27)。

[0367] 并且，例如，若在间隙图案G10相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB3正对的状态下，对磁头铁芯WH2A供给伺服图案84B用脉冲信号，则对伺服带SB3记录伺服图案84B(参考图27)。即，通过直线区域G10A对伺服带SB3记录线状磁化区域86B1(参考图27)，且通过直线区域G10B对伺服带SB3记录线状磁化区域86B2(参考图27)。

[0368] 当对伺服带SB2(参考图27)使用间隙图案G11时，若第2脉冲信号发生器SW4B将脉冲信号供给至磁头铁芯WH2B，则按照脉冲信号从间隙图案G11对伺服带SB2赋予磁场，对伺服带SB2记录伺服图案84。

[0369] 例如，若在间隙图案G11相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB2正对的状态下，对磁头铁芯WH2B供给伺服图案84A用脉冲信号，则对伺服带SB2记录伺服图案84A(参考图27)。即，通过直线区域G11A对伺服带SB2记录线状磁化区域86A1，且通过直线区域G11B对伺服带SB2记录线状磁化区域86A2。

[0370] 并且，例如，若在间隙图案G11相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB2正对的状态下，对磁头铁芯WH2B供给伺服图案84B用脉冲信号，则对伺服带SB2记录伺服图案84B(参考图27)。即，通过直线区域G11A对伺服带SB2记录线状磁化区域86B1，且通过直线区域G11B对伺服带SB2记录线状磁化区域86B2。

[0371] 当对伺服带SB1(参考图27)使用间隙图案G12时，若第3脉冲信号发生器SW4C将脉冲信号供给至磁头铁芯WH2C，则按照脉冲信号从间隙图案G12对伺服带SB1赋予磁场，对伺服带SB1记录伺服图案84。

[0372] 例如，若在间隙图案G12相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB1正对的状态下，对磁头铁芯WH2C供给伺服图案84A用脉冲信号，则对伺服带SB1记录伺服图案84A。即，通过直线区域G12A对伺服带SB1记录线状磁化区域86A1，且通过直线区域G12B对伺服带SB1记录线状磁化区域86A2。

[0373] 并且，例如，若在间隙图案G12相对于在输送路径SW7上行进的磁带MT的伺服带SB1正对的状态下，对磁头铁芯WH2C供给伺服图案84B用脉冲信号，则对伺服带SB1记录伺服图案84B。即，通过直线区域G12A对伺服带SB1记录线状磁化区域86B1，且通过直线区域G12B对伺服带SB1记录线状磁化区域86B2。

[0374] 作为一例，如图32所示，在间隙图案G10中，直线区域G10A及G10B相对于沿着方向WD1的直线即假想直线C1向相反的方向倾斜。换言之，直线区域G10A相对于假想直线C1向一个方向(例如，从图32的纸面表面侧观察时顺时针方向)倾斜。另一方面，直线区域G10B相对于假想直线C1向另一方向(例如，从图32的纸面表面侧观察时逆时针方向)倾斜。并且，直线区域G10A与直线区域G10B相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。在此“陡”例如是指，直线区域G10A相对于假想直线C1的角度小于直线区域G10B相对于假想直线C1的角度。并且，直线区域G10A的一端及直线区域G10B的一端在方向WD1上的位置在方向WD1上偏离间隔Int1(参考图28)。并且，直线区域G10A的另一端及直线区域G10B的另一端在方向WD1上的位置在方向WD1上偏离间隔Int2(参考图28)。

[0375] 在间隙图案G11中，直线区域G11A及G11B相对于沿着方向WD1的直线即假想直线C1向相反的方向倾斜。换言之，直线区域G11A相对于假想直线C1向一个方向(例如，从图32的纸面表面侧观察时顺时针方向)倾斜。另一方面，直线区域G11B相对于假想直线C1向另一方向(例如，从图32的纸面表面侧观察时逆时针方向)倾斜。并且，直线区域G11A与直线区域G11B相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。在此“陡”例如是指，直线区域G11A相对于假想直线C1的角度小于直线区域G11B相对于假想直线C1的角度。并且，直线区域G11A的一端及直线区域G11B的一端在方向WD1上的位置在方向WD1上偏离间隔Int1(参考图28)。并且，直线区域G11A的另一端及直线区域G11B的另一端在方向WD1上的位置在方向WD1上偏离间隔Int2(参考图28)。

[0376] 在间隙图案G12中，直线区域G12A及G12B相对于沿着方向WD1的直线即假想直线C1向相反的方向倾斜。换言之，直线区域G12A相对于假想直线C1向一个方向(例如，从图32的纸面表面侧观察时顺时针方向)倾斜。另一方面，直线区域G12B相对于假想直线C1向另一方向(例如，从图32的纸面表面侧观察时逆时针方向)倾斜。并且，直线区域G12A与直线区域G12B相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。在此“陡”例如是指，直线区域G12A相对于假想直线C1的角度小于直线区域G12B相对于假想直线C1的角度。并且，直线区域G12A的一端及直线区域G12B的一端在方向WD1上的位置在方向WD1上偏离间隔Int1(参考图28)。并且，直线区域G12A的另一端及直线区域G12B的另一端在方向WD1上的位置在方向WD1上偏离间隔Int2(参考图28)。

[0377] 间隙图案G10、G11及G12在沿着方向WD1相邻的间隙图案G之间在方向LD1上以上述的既定间隔(即，由数式(1)计算的既定间隔)偏离。

[0378] 在表面WH1A上，长边WH1Aa长于磁带MT的宽度。短边WH1Ab为容纳所有间隙图案G10、G11及G12的长度。换言之，容纳所有间隙图案G10、G11及G12的长度是指，沿着磁带MT的长边方向LD容纳从直线区域G10A到直线区域G12B的长度。

[0379] 在间隙图案G10、G11及G12之间所使用的脉冲信号(即，如图31所示，从第1脉冲信号发生器SW4A供给至磁头铁芯WH2A的脉冲信号、从第2脉冲信号发生器SW4B供给至磁头铁芯WH2B的脉冲信号及从第3脉冲信号发生器SW4C供给至磁头铁芯WH2C的脉冲信号)为同相位的信号。

[0380] 在伺服图案记录工序中，在将间隙图案G10的位置对应于伺服带SB3的位置、将间隙图案G11的位置对应于伺服带SB2的位置且将间隙图案G12的位置对应于伺服带SB1的位置的状态下，磁带MT在输送路径SW7上以恒定的速度行进。然后，在该状态下，对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C交替供给伺服图案84A用脉冲信号及伺服图案84B用脉冲信号。

[0381] 若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案84A用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案84A。并且，若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案84B用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案84B。

[0382] 在此，参考图33对本第4变形例所涉及的间隙图案G的表面WH1A上的几何特性进行说明。

[0383] 作为一例，如图33所示，间隙图案G的表面WH1A上的几何特性能够使用假想直线区域对68来表现。假想直线区域对68由假想直线区域68A及假想直线区域68B构成。假想直线区域对68为具有与图32所示的间隙图案G相同的几何特性的假想直线区域对。假想直线区域对68是为了便于说明间隙图案G的表面WH1A上的几何特性而使用的假想直线区域对，并不是实际存在的直线区域对。

[0384] 假想直线区域68A及假想直线区域68B相对于假想直线C1以线对称倾斜。在此，以中心O2为旋转轴，相对于假想直线C1使假想直线区域68A及假想直线区域68B的对称轴SA2以角度b(例如，10度)倾斜，由此使假想直线区域对68的整体相对于假想直线C1倾斜。由此，假想直线区域68A及假想直线区域68B在宽度方向WD上偏离。即，假想直线区域68A的一端与假想直线区域68B的一端在宽度方向WD上以间隔Int1偏离，假想直线区域68A的另一端与假想直线区域68B的另一端在宽度方向WD上以间隔Int2偏离。

[0385] 如此获得的假想直线区域对68的几何特性(即，假想间隙图案的几何特性)相当于实际间隙图案G的几何特性。即，图32所示的间隙图案G的表面WH1A上的几何特性相当于如下几何特性：当通过使相对于假想直线C1以线对称倾斜的假想直线区域68A及假想直线区域68B的对称轴SA2相对于假想直线C1倾斜而使假想直线区域对68的整体相对于假想直线C1倾斜时，基于假想直线区域对68的几何特性。

[0386] 在表面WH1A(参考图32)形成相当于如下几何特性的几何特性的间隙图案G，即，当通过使相对于假想直线C1以线对称倾斜的假想直线区域68A及假想直线区域68B的对称轴SA2相对于假想直线C1倾斜而使假想直线区域对68的整体相对于假想直线C1倾斜时的假想直线区域对68的几何特性。

[0387] 接着，以与上述实施方式不同的部位为中心对本第4变形例所涉及的磁带系统10的作用进行说明。

[0388] 在本第4变形例所涉及的磁带驱动器14中，当对磁带MT进行基于磁性元件单元42(参考图3及图15)的磁处理时，从磁带盒12抽出磁带MT，通过磁头28的伺服读取元件SR读取伺服带SB内的伺服图案84。

[0389] 如图27及图28所示，记录于磁带MT的伺服带SB的伺服图案84A中所包含的线状磁化区域86A1及86A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。另一方面，如图30所示，在磁带MT上磁头28也向正向的上游侧以角度β(即，从图30的纸面表面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜。在该状态下，若通过伺服读取元件SR在范围R(参考图30)内沿着长边方向LD读取伺服图案84A，则由线状磁化区域86A1与伺服读取元件SR所成的角度和由线状磁化区域86A2与伺服读取元件SR所成的角度变得接近，因此由方位角损失引起的伺服信号的偏差和以往已知的伺服图案52A中所包含的来源于线状磁化区域54A1的伺服信号与以往已知的伺服图案52A中所包含的来源于线状磁化区域54A2的伺服信号之间产生的偏差相比变少。

[0390] 其结果，和以往已知的伺服图案52A中所包含的来源于线状磁化区域54A1的伺服信号与以往已知的伺服图案52A中所包含的来源于线状磁化区域54A2的伺服信号之间的偏差相比，来源于线状磁化区域86A1的伺服信号与来源于线状磁化区域86A2的伺服信号之间的偏差变小，从而能够获得与由以往已知的伺服图案52A获得的伺服信号相比可靠性高的伺服信号。即，可获得与在上述实施方式中说明的第1效果相同的效果。另外，如图30所示，在磁带MT上以磁头28向正向的上游侧以角度β(即，从图30的纸面表面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜的状态通过伺服读取元件SR读取伺服图案84B的情况下，也获得与在上述实施方式中说明的第2效果相同的效果。

[0391] 并且，在本第4变形例所涉及的磁带MT中，线状磁化区域86A1为5根磁化直线86A1a的集合，线状磁化区域86A2为5根磁化直线86A2a的集合。并且，线状磁化区域86B1为4根磁化直线86B1a的集合，线状磁化区域86B2为4根磁化直线86B2a的集合。因此，与各线状磁化区域由1根磁化直线构成的情况相比，能够使从伺服图案84获得的信息量变多，其结果，能够实现高精度的伺服控制。即，可获得与在上述实施方式中说明的第6效果相同的效果。

[0392] 并且，在本第4变形例所涉及的磁带MT中，线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性相当于如下几何特性：当通过使假想线状区域对62的对称轴SA 1相对于假想直线C1倾斜使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时的假想线状区域62的几何特性。因此，与对具有以往已知的几何特性的伺服图案52A进行基于伺服读取元件SR的读取的情况相比，能够减小来源于线状磁化区域86A1的伺服信号与来源于线状磁化区域86A2的伺服信号之间的偏差。其结果，与从具有以往已知的几何特性的伺服图案52A获得的伺服信号相比，能够获得可靠性高的伺服信号。即，可获得与在上述实施方式中说明的第7效果相同的效果。

[0393] 另外，线状磁化区域对86B与线状磁化区域对86A相比，不同点仅在于，代替线状磁化区域86A1而具有线状磁化区域86B1的点及代替线状磁化区域86A2而具有线状磁化区域86B2的点。与线状磁化区域对86A同样地，在范围R(参考图30)内沿着长边方向LD也对如此构成的线状磁化区域对86B进行基于伺服读取元件SR的读取。因此，与对具有以往已知的几何特性的伺服图案52B进行基于伺服读取元件SR的读取的情况相比，能够减小来源于线状磁化区域86B1的伺服信号与来源于线状磁化区域86B2的伺服信号之间的偏差。其结果，与从具有以往已知的几何特性的伺服图案52B获得的伺服信号相比，能够获得可靠性高的伺服信号。即，可获得与在上述实施方式中说明的第8效果相同的效果。

[0394] 在本第4变形例中，在伺服带SB之间对应的一对伺服图案84由磁头28中所包含的伺服读取元件SR1及SR2读取。并且，在本实施方式中，磁头28以在磁带MT上偏斜的状态来使用(参考图30)。在此，若在伺服带SB之间对应的一对伺服图案84在磁带MT的长边方向LD上未以既定间隔偏离配置，则对在伺服带SB之间对应的一对伺服图案84中的一个伺服图案84进行读取的定时与对另一个伺服图案84进行读取的定时之间产生时间差。因此，在本实施方式所涉及的磁带MT中，在伺服带SB之间对应的伺服图案84在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。由此，与在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间对应的一对伺服图案84未以既定间隔偏离配置的情况相比，能够缩小对在伺服带SB之间对应的一对伺服图案84中的一个伺服图案84进行读取的定时与对另一个伺服图案84进行读取的定时之间产生的时间差。即，可获得与在上述实施方式中说明的第9效果相同的效果。

[0395] 在本第4变形例中，伺服带SB由多个帧82(参考图27及图29)划分。帧82根据一对伺服图案84(即，伺服图案84A及84B)来规定。并且，在本实施方式中，在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧82中所包含的一对伺服图案84由磁头28中所包含的伺服读取元件SR1及SR2读取。并且，在本第4变形例中，磁头28以在磁带MT上偏斜的状态来使用(参考图30)。在此，若在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧82中所包含的一对伺服图案84在磁带MT的长边方向LD上未以既定间隔偏离配置，则在对一对伺服图案84中的一个伺服图案84进行读取的定时与对另一个伺服图案84进行读取的定时之间产生时间差。因此，在本第4变形例所涉及的磁带MT中，在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧82中所包含的一对伺服图案84在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。由此，与在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间对应的一对帧82未以既定间隔偏离配置的情况相比，能够缩小对在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧82中所包含的一对伺服图案84中的一个伺服图案84进行读取的定时与对另一个伺服图案84进行读取的定时之间产生的时间差。即，可获得与在上述实施方式中说明的第9效果相同的效果。

[0396] 接着，以与上述实施方式不同的部位为中心对本第4变形例所涉及的伺服写入器SW的作用进行说明。

[0397] 在本第4变形例所涉及的伺服写入器SW中，当使伺服图案记录头WH对磁带MT记录伺服图案84时，将磁带MT送出至输送路径SW7，并且使磁带MT以恒定的速度行进。此时，在将间隙图案G10的位置对应于伺服带SB3的位置、将间隙图案G11的位置对应于伺服带SB2的位置且将间隙图案G12的位置对应于伺服带SB1的位置的状态下，使磁带MT行进。在该状态下，对伺服图案记录头WH的磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C交替供给伺服图案84A用脉冲信号及伺服图案84B用脉冲信号。

[0398] 图31所示的间隙图案G由不平行的一对直线区域构成。不平行的一对直线区域为与图27所示的线状磁化区域86A1中所包含的5根磁化直线86A1a中的位于正向的最上游侧的磁化直线86A1a的几何特性相同的几何特性的直线区域及与图27所示的线状磁化区域86A2中所包含的5根磁化直线86A2a中的位于正向的最上游侧的磁化直线86A2a的几何特性相同的几何特性的直线区域。并且，间隙图案G10、G11及G12沿着方向LD1每隔既定间隔偏离。

[0399] 因此，若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案84A用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案84A。并且，若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案84B用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案84B。

[0400] 若记录于如此获得的磁带MT的伺服带SB的伺服图案84由在磁带MT上偏斜的状态的磁头28中所包含的伺服读取元件SR读取，则获得与本第4变形例所涉及的磁带系统10有关的上述的各效果。

[0401] 并且，在本第4变形例所涉及的伺服写入器SW中，表面WH1A的长边WH1Aa长于磁带MT的宽度。并且，表面WH1A的短边WH1Ab为容纳所有间隙图案G10、G11及G12的长度。表面WH1A的长边WH1Aa的方向与宽度方向WD一致，表面WH1A的短边WH1Ab的方向与磁带MT的长边方向LD一致。基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使多个间隙图案G与表面31相对的状态且以沿着宽度方向WD横贯磁带MT的状态配置。因此，与基体WH1以表面WH1A的长边WH1Aa相对于假想直线C1倾斜的姿态配置于磁带MT上的情况相比，能够抑制行进中的磁带MT偏向宽度方向WD。

[0402] 并且，在本第4变形例所涉及的伺服写入器SW中，作为多个间隙图案G之间所使用的脉冲信号使用同相位的信号。对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C交替供给伺服图案84A用脉冲信号及伺服图案84B用脉冲信号。在本第4变形例所涉及的伺服写入器SW中，间隙图案G10、G11及G12在方向LD1上以既定间隔偏离。因此，伺服写入器SW通过以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案84A用脉冲信号，能够在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离来对伺服带SB1～SB3记录伺服图案84A。并且，本第4变形例所涉及的伺服写入器SW通过以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案84B用脉冲信号，能够在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离来对伺服带SB1～SB3记录伺服图案84B。

[0403] [第5变形例]

[0404] 另外，在上述第4变形例中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧82划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图34所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧88划分。帧88由一组伺服图案90规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案90。与多个伺服图案84(参考图27)同样地，多个伺服图案90沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

[0405] 在图34所示的例子中，作为一组伺服图案90的一例，示出了伺服图案90A及90B。伺服图案90A及90B分别为以M字状磁化的伺服图案。伺服图案90A及90B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧88内，伺服图案90A位于正向的上游侧，伺服图案90B位于正向的下游侧。

[0406] 作为一例，如图35所示，伺服图案90由线状磁化区域对92构成。线状磁化区域对92分类为线状磁化区域对92A及线状磁化区域对92B。

[0407] 伺服图案90A由一组线状磁化区域对92A构成。一组线状磁化区域对92A以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

[0408] 在图35所示的例子中，作为线状磁化区域对92A的一例，示出了线状磁化区域92A1及92A2。线状磁化区域对92A以与在上述第4变形例中说明的线状磁化区域对86A(参考图27)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对86A相同的几何特性。即，线状磁化区域92A1以与在上述第4变形例中说明的线状磁化区域86A1(参考图27)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86A1相同的几何特性，线状磁化区域92A2以与在上述第4变形例中说明的线状磁化区域86A2(参考图27)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86A2相同的几何特性。

[0409] 在图35所示的例子中，线状磁化区域对92A为本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例，线状磁化区域92A1为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域92A2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。

[0410] 伺服图案90B由一组线状磁化区域对92B构成。一组线状磁化区域对92B以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

[0411] 在图35所示的例子中，作为线状磁化区域对92B的一例，示出了线状磁化区域92B1及92B2。线状磁化区域对92B以与在上述第4变形例中说明的线状磁化区域对86B(参考图27)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对86B相同的几何特性。即，线状磁化区域92B1以与在上述第4变形例中说明的线状磁化区域86B1(参考图27)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86B1相同的几何特性，线状磁化区域92B2以与在上述第4变形例中说明的线状磁化区域86B2(参考图27)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86B2相同的几何特性。

[0412] 在图35所示的例子中，线状磁化区域对92B为本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例，线状磁化区域92B1为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域92B2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。

[0413] 作为一例，如图36所示，用于记录伺服图案90的伺服图案记录头WH与在上述第4变形例中说明的伺服图案记录头WH(即，用于记录伺服图案84的伺服图案记录头WH)相比，不同点在于，代替间隙图案G10而具有间隙图案G13的点、代替间隙图案G11而具有间隙图案G14的点及代替间隙图案G12而具有间隙图案G15的点。

[0414] 间隙图案G13由直线区域G13A、G13B、G13C及G13D构成。直线区域G13A及G13B用于图35所示的一组线状磁化区域对92A中的一个线状磁化区域对92A(例如，正向的上游侧的线状磁化区域对92A)的记录。直线区域G4C及G4D用于图35所示的一组线状磁化区域对92A中的另一个线状磁化区域对92A(例如，正向的下游侧的线状磁化区域对92A)的记录。并且，直线区域G13A及G13B用于图35所示的一组线状磁化区域对92B中的一个线状磁化区域对92B(例如，正向的上游侧的线状磁化区域对92B)的记录。直线区域G13C及G13D用于图35所示的一组线状磁化区域对92B中的另一个线状磁化区域对92B(例如，正向的下游侧的线状磁化区域对92B)的记录。

[0415] 直线区域G13A及G13B的结构与直线区域G10A及G10B的结构相同。即，直线区域G13A及G13B具有与直线区域G10A及G10B相同的几何特性。直线区域G13C及G13D的结构与直线区域G10A及G10B的结构相同。即，直线区域G13C及G13D具有与直线区域G10A及G10B相同的几何特性。

[0416] 间隙图案G14由直线区域G14A、G14B、G14C及G14D构成。直线区域G14A、G14B、G14C及G14D的结构与直线区域G13A、G13B、G13C及G13D的结构相同。即，直线区域G14A、G14B、G14C及G14D具有与直线区域G13A、G13B、G13C及G13D相同的几何特性。

[0417] 间隙图案G15由直线区域G15A、G15B、G15C及G15D构成。直线区域G15A、G15B、G15C及G15D的结构与直线区域G13A、G13B、G13C及G13D的结构相同。即，直线区域G15A、G15B、G15C及G15D具有与直线区域G13A、G13B、G13C及G13D相同的几何特性。

[0418] 如此构成的间隙图案G13、G14及G15在沿着方向WD1相邻的间隙图案G之间在方向LD1上以上述的既定间隔(即，由数式(1)计算的既定间隔)偏离。

[0419] 表面WH1A的长边WH1Aa长于磁带MT的宽度。表面WH1A的短边WH1Ab为容纳所有间隙图案G13、G14及G15的长度。表面WH1A的长边WH1Aa的方向与宽度方向WD一致，表面WH1A的短边WH1Ab的方向与磁带MT的长边方向LD一致。基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使多个间隙图案G与表面31相对的状态且以沿着宽度方向WD横贯磁带MT的状态配置。

[0420] 在间隙图案G13、G14及G15之间所使用的脉冲信号(即，如图36所示，从第1脉冲信号发生器SW4A供给至磁头铁芯WH2A的脉冲信号、从第2脉冲信号发生器SW4B供给至磁头铁芯WH2B的脉冲信号及从第3脉冲信号发生器SW4C供给至磁头铁芯WH2C的脉冲信号)为同相位的信号。

[0421] 在伺服图案记录工序中，在将间隙图案G13的位置对应于伺服带SB3的位置、将间隙图案G14的位置对应于伺服带SB2的位置且将间隙图案G15的位置对应于伺服带SB1的位置的状态下，磁带MT沿着输送路径SW7以恒定的速度行进。然后，在该状态下，对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C交替供给伺服图案90A用脉冲信号及伺服图案90B用脉冲信号。

[0422] 在此，若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案90A用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案90A。并且，若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案90B用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案90B。

[0423] [第6变形例]

[0424] 在图34所示的例子中，举出了伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧88划分的方式例，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图37所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧94划分。帧94由一组伺服图案96规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案96。与多个伺服图案90(参考图34)同样地，多个伺服图案96沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

[0425] 在图37所示的例子中，作为一组伺服图案96的一例，示出了伺服图案96A及96B。伺服图案96A及96B分别为以N字状磁化的伺服图案。伺服图案96A及96B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧94内，伺服图案96A位于正向的上游侧，伺服图案96B位于正向的下游侧。

[0426] 作为一例，如图38所示，伺服图案96由线状磁化区域组98构成。线状磁化区域组98分类为线状磁化区域组98A及线状磁化区域组98B。

[0427] 伺服图案96A由线状磁化区域组98A构成。线状磁化区域组98A由线状磁化区域98A1、98A2及98A3构成。线状磁化区域98A1、98A2及98A3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域98A1、98A2及98A3从正向的上游侧以线状磁化区域98A1、98A2及
98A3的顺序配置。

[0428] 线状磁化区域98A1及98A2以与图35所示的线状磁化区域对92A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对92A相同的几何特性。即，线状磁化区域98A1以与图35所示的线状磁化区域92A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A1相同的几何特性，线状磁化区域98A2以与图35所示的线状磁化区域92A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A2相同的几何特性。并且，线状磁化区域98A3以与线状磁化区域92A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A1相同的几何特性。

[0429] 在图38所示的例子中，线状磁化区域98A1及98A2为本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例，在该情况下，线状磁化区域98A1为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域98A2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。并且，线状磁化区域98A2及98A3也是本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例，在该情况下，线状磁化区域98A3为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域98A2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。

[0430] 伺服图案96B由线状磁化区域组98B构成。线状磁化区域组98B由线状磁化区域98B1、98B2及98B3构成。线状磁化区域98B1、98B2及98B3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域98B1、98B2及98B3从正向的上游侧以线状磁化区域98B1、98B2及
98B3的顺序配置。

[0431] 线状磁化区域98B1及98B2以与图35所示的线状磁化区域对92B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对92B相同的几何特性。即，线状磁化区域98B1以与图35所示的线状磁化区域92B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B1相同的几何特性，线状磁化区域98B2以与图35所示的线状磁化区域92B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B2相同的几何特性。并且，线状磁化区域98B3以与线状磁化区域92B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B1相同的几何特性。

[0432] 在图38所示的例子中，线状磁化区域98B1及98B2为本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例，在该情况下，线状磁化区域98B1为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域98B2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。并且，线状磁化区域98B2及98B3也是本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例，在该情况下，线状磁化区域98B3为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例，线状磁化区域98B2为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例。

[0433] 作为一例，如图39所示，用于记录伺服图案96的伺服图案记录头WH与图36所示的伺服图案记录头WH(即，用于记录伺服图案90的伺服图案记录头WH)相比，不同点在于，代替间隙图案G13而具有间隙图案G16的点、代替间隙图案G14而具有间隙图案G17的点及代替间隙图案G15而具有间隙图案G18的点。

[0434] 间隙图案G16由直线区域G16A、G16B及G16C构成。直线区域G16A用于伺服带SB3内(参考图37)的线状磁化区域98A1及98B1(参考图38)的记录。直线区域G16B用于伺服带SB3内(参考图37)的线状磁化区域98A2及98B2(参考图38)的记录。直线区域G16C用于伺服带SB3内(参考图37)的线状磁化区域98A3及98B3(参考图38)的记录。

[0435] 直线区域G16A、G16B及G16C的结构与图36所示的直线区域G13A、G13B及G13C的结构相同。即，直线区域G16A、G16B及G16C具有与直线区域G13A、G13B及G13C相同的几何特性。

[0436] 间隙图案G17由直线区域G17A、G17B及G17C构成。直线区域G17A用于伺服带SB2内(参考图37)的线状磁化区域98A1及98B1(参考图38)的记录。直线区域G17B用于伺服带SB2内(参考图37)的线状磁化区域98A2及98B2(参考图38)的记录。直线区域G17C用于伺服带SB2内(参考图37)的线状磁化区域98A3及98B3(参考图38)的记录。

[0437] 直线区域G17A、G17B及G17C的结构与图36所示的直线区域G14A、G14B及G14C的结构相同。即，直线区域G17A、G17B及G17C具有与直线区域G14A、G14B及G14C相同的几何特性。

[0438] 间隙图案G18由直线区域G18A、G18B及G18C构成。直线区域G18A用于伺服带SB1内(参考图37)的线状磁化区域98A1及98B1(参考图38)的记录，直线区域G18B用于伺服带SB1内(参考图37)的线状磁化区域98A2及98B2(参考图38)的记录，直线区域G17C用于伺服带SB1内(参考图37)的线状磁化区域98A3及98B3(参考图38)的记录。

[0439] 直线区域G18A、G18B及G18C的结构与图36所示的直线区域G15A、G15B及G15C的结构相同。即，直线区域G18A、G18B及G18C具有与直线区域G15A、G15B及G15C相同的几何特性。

[0440] 如此构成的间隙图案G16、G17及G18在沿着方向WD1相邻的间隙图案G之间在方向LD1上以上述的既定间隔(即，由数式(1)计算的既定间隔)偏离。

[0441] 表面WH1A的长边WH1Aa长于磁带MT的宽度。表面WH1A的短边WH1Ab为容纳所有间隙图案G16、G17及G18的长度。表面WH1A的长边WH1Aa的方向与宽度方向WD一致，表面WH1A的短边WH1Ab方向与磁带MT的长边方向LD一致。基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使多个间隙图案G与表面31相对的状态且以沿着宽度方向WD横贯磁带MT的状态配置。

[0442] 在间隙图案G16、G17及G18之间所使用的脉冲信号(即，如图31所示，从第1脉冲信号发生器SW4A供给至磁头铁芯WH2A的脉冲信号、从第2脉冲信号发生器SW4B供给至磁头铁芯WH2B的脉冲信号及从第3脉冲信号发生器SW4C供给至磁头铁芯WH2C的脉冲信号)为同相位的信号。

[0443] 在伺服图案记录工序中，在将间隙图案G16的位置对应于伺服带SB3的位置、将间隙图案G17的位置对应于伺服带SB2的位置且将间隙图案G18的位置对应于伺服带SB1的位置的状态下，磁带MT沿着输送路径SW7以恒定的速度行进。然后，在该状态下，对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C交替供给伺服图案96A用脉冲信号及伺服图案96B用脉冲信号。

[0444] 在此，若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案96A用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案96A。并且，若以同相位来对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C供给伺服图案96B用脉冲信号，则以在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案96B。

[0445] [第7变形例]

[0446] 在上述第4变形例中，作为一例，如图32所示，举出了在磁带MT的表面31上以长边WH1Aa与假想直线C1平行的方式配置基体WH1的方式例，但这只不过是一例。例如，如图40所示，也可以在磁带MT的表面31上，以长边WH1Aa相对于假想直线C1倾斜的方式配置基体WH1。

[0447] 在图40所示的例子中，在表面WH1A上，长边WH1Aa长于磁带MT的宽度。短边WH1Ab为容纳所有间隙图案G10、G11及G12的长度。基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使多个间隙图案G与表面31相对的状态且以吸收既定间隔的偏离的角度γ相对于假想直线C1沿着磁带MT倾斜。

[0448] 吸收偏离的角度γ例如是指，以与至少间隙图案G10～G12从间隙图案G10到间隙图案G12沿着方向LD1偏离的量相当的旋转量来使基体WH1以基体WH1的俯视观察中心点(即，从磁带MT的表面31侧观察了基体WH1时的基体WH的中心点)为旋转轴旋转的角度。在此，使基体WH1以基体WH1的俯视观察中心点为旋转轴旋转的方向为从磁带MT的表面31侧观察了基体WH1时的逆时针方向(即，从图40的纸面表面侧观察时的逆时针方向)。在图40所示的例子中，示出了长边WH1Aa的延长线C5相对于假想直线C1以角度γ倾斜的方式。

[0449] 另外，如图40所示，即使在磁带MT的表面31上以长边WH1Aa相对于假想直线C1倾斜的方式配置基体WH1的情况下，也与上述的第4变形例同样地，间隙图案G10、G11及G12之间所使用的脉冲信号(即，如图31所示，从第1脉冲信号发生器SW4A供给至磁头铁芯WH2A的脉冲信号、从第2脉冲信号发生器SW4B供给至磁头铁芯WH2B的脉冲信号及从第3脉冲信号发生器SW4C供给至磁头铁芯WH2C的脉冲信号)为同相位的信号。

[0450] 如此，在图40所示的伺服图案记录头WH中，基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使多个间隙图案G与表面31相对的状态且以吸收既定间隔的偏离的角度γ相对于假想直线C1沿着磁带MT的表面31倾斜。因此，在图40所示的伺服图案记录头WH中，将间隙图案G10～G12从间隙图案G10到间隙图案G12沿着方向LD1偏离的量考虑为多余的量，而能够使基体WH1的短边WH1Ab的长度短于图32所示的基体WH1的短边WH1Ab。即，能够使表面WH1A的面积小于图32所示的表面H1A的面积。其结果，能够使表面WH1A与磁带MT的表面31接触的面积小于图32所示的表面WH1A与磁带MT的表面31接触的面积(即，图31所示的滑动面WH1Ax的面积)，因此图40所示的伺服图案记录头WH与图32所示的伺服图案记录头WH相比，能够抑制在磁带MT与表面WH1A之间产生的摩擦。并且，摩擦的抑制有助于稳定磁带MT的行进。

[0451] [第8变形例]

[0452] 在上述第5变形例中，作为一例，如图36所示，举出了在磁带MT的表面31上以长边WH1Aa与假想直线C1平行的方式配置基体WH1的方式例，但这只不过是一例。例如，如图41所示，也可以在磁带MT的表面31上，以长边WH1Aa相对于假想直线C1倾斜的方式配置基体WH1。

[0453] 在图41所示的例子中，在表面WH1A上，长边WH1Aa长于磁带MT的宽度。表面WH1A的短边WH1Ab为容纳所有间隙图案G13、G14及G15的长度。与上述的第7变形例同样地，基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使多个间隙图案G与表面31相对的状态且以斜向横贯磁带MT的状态配置。

[0454] 另外，如图41所示，即使在磁带MT的表面31上以长边WH1Aa相对于假想直线C1倾斜的方式配置基体WH1的情况下，也与上述的第4变形例同样地，间隙图案G13、G14及G15之间所使用的脉冲信号(即，如图31所示，从第1脉冲信号发生器SW4A供给至磁头铁芯WH2A的脉冲信号、从第2脉冲信号发生器SW4B供给至磁头铁芯WH2B的脉冲信号及从第3脉冲信号发生器SW4C供给至磁头铁芯WH2C的脉冲信号)为同相位的信号。

[0455] 如此，在图41所示的伺服图案记录头WH中，基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使多个间隙图案G与表面31相对的状态且以吸收既定间隔的偏离的角度γ相对于假想直线C1沿着磁带MT的表面31倾斜。因此，在图41所示的伺服图案记录头WH中，将间隙图案G13～G15从间隙图案G13到间隙图案G15沿着方向LD1偏离的量考虑为多余的量，而能够使基体WH1的短边WH1Ab的长度短于图36所示的基体WH1的短边WH1Ab。即，能够使表面WH1A的面积小于图36所示的表面H1A的面积。其结果，能够使表面WH1A与磁带MT的表面31接触的面积小于图36所示的表面WH1A与磁带MT的表面31接触的面积，因此图41所示的伺服图案记录头WH与图36所示的伺服图案记录头WH相比，能够抑制在磁带MT与表面WH1A之间产生的摩擦。并且，摩擦的抑制有助于稳定磁带MT的行进。

[0456] [第9变形例]

[0457] 在上述第6变形例中，作为一例，如图39所示，举出了在磁带MT的表面31上以长边WH1Aa与假想直线C1平行的方式配置基体WH1的方式例，但这只不过是一例。例如，如图42所示，也可以在磁带MT的表面31上，以长边WH1Aa相对于假想直线C1倾斜的方式配置基体WH1。

[0458] 在图42所示的例子中，在表面WH1A上，长边WH1Aa长于磁带MT的宽度。表面WH1A的短边WH1Ab为容纳所有间隙图案G16、G17及G18的长度。与上述的第7变形例同样地，基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使多个间隙图案G与表面31相对的状态且以斜向横贯磁带MT的状态配置。

[0459] 另外，如图42所示，即使在磁带MT的表面31上以长边WH1Aa相对于假想直线C1倾斜的方式配置基体WH1的情况下，也与上述的第4变形例同样地，间隙图案G16、G17及G18之间所使用的脉冲信号(即，如图31所示，从第1脉冲信号发生器SW4A供给至磁头铁芯WH2A的脉冲信号、从第2脉冲信号发生器SW4B供给至磁头铁芯WH2B的脉冲信号及从第3脉冲信号发生器SW4C供给至磁头铁芯WH2C的脉冲信号)为同相位的信号。

[0460] 如此，在图42所示的伺服图案记录头WH中，基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使多个间隙图案G与表面31相对的状态且以吸收既定间隔的偏离的角度γ相对于假想直线C1沿着磁带MT的表面31倾斜。因此，在图42所示的伺服图案记录头WH中，将间隙图案G16～G18从间隙图案G16到间隙图案G18沿着方向LD1偏离的量考虑为多余的量，而能够使基体WH1的短边WH1Ab的长度短于图39所示的基体WH1的短边WH1Ab。即，能够使表面WH1A的面积小于图39所示的表面H1A的面积。其结果，能够使表面WH1A与磁带MT的表面31接触的面积小于图39所示的表面WH1A与磁带MT的表面31接触的面积，因此图42所示的伺服图案记录头WH与图39所示的伺服图案记录头WH相比，能够抑制在磁带MT与表面WH1A之间产生的摩擦。并且，摩擦的抑制有助于稳定磁带MT的行进。

[0461] [第10变形例]

[0462] 在上述第4变形例中，作为间隙图案G10、G11及G12之间所使用的脉冲信号，例示了同相位的信号，但这只不过是一例。例如，如图43及图44所示，可以使对与间隙图案G10对应的间隙图案G19、与间隙图案G11对应的间隙图案G20及与间隙图案G12对应的间隙图案G21供给的脉冲信号的供给定时偏离。

[0463] 作为一例，如图43所示，伺服图案记录头WH具有基体WH1及多个磁头铁芯WH2。基体WH1形成为长方体状，且配置成沿着宽度方向WD横贯在输送路径SW7上行进的磁带MT的表面31上。基体WH1的表面WH1A为具有长边WH1Aa及短边WH1Ab的长方形。基体WH1的长边方向即长边WH1Aa的朝向在与宽度方向WD对应的方向WD1(例如，与宽度方向WD相同的方向)上对齐。并且，在表面31上，基体WH1沿着与长边方向LD正交的方向横贯磁带MT。即，长边WH1Aa从磁带MT的宽度的一端侧到另一端侧沿着宽度方向WD横贯在磁带MT的表面31上。

[0464] 图43所示的伺服图案记录头WH与第4变形例所涉及的伺服图案记录头WH(即，图31所示的伺服图案记录头WH)相比，不同点在于，代替间隙图案G10而具有间隙图案G19的点、代替间隙图案G11而具有间隙图案G20的点及代替间隙图案G12而具有间隙图案G21的点。

[0465] 图43所示的间隙图案G19与图31所示的间隙图案G10相比，不同点在于，代替直线区域G10A而具有直线区域G19A的点及代替直线区域G10B而具有G19B的点。并且，图43所示的间隙图案G20与图31所示的间隙图案G11相比，不同点在于，代替直线区域G11A而具有直线区域G20A的点及代替直线区域G11B而具有直线区域G20B的点。并且，图43所示的间隙图案G21与图31所示的间隙图案G12相比，不同点在于，代替直线区域G12A而具有直线区域G21A的点及代替直线区域G12B而具有直线区域G21B的点。

[0466] 间隙图案G19的几何特性与间隙图案G10的几何特性相同，间隙图案G20的几何特性与间隙图案G11的几何特性相同，间隙图案G21的几何特性与间隙图案G12相同。但是，在伺服图案记录头WH上间隙图案G19、G20及G21排列的方向与在伺服图案记录头WH上间隙图案G10、G11及G12排列的方向(参考图31及图32)不同。

[0467] 在基体WH1中沿着方向WD1组装有多个磁头铁芯WH2。多个磁头铁芯WH2排列的方向与长边WH1Aa的朝向一致。即，长边方向LD上的多个磁头铁芯WH2的位置对齐。

[0468] 在表面WH1A沿着方向WD1形成有多个间隙图案G、即，间隙图案G19、G20及G21。在表面WH1A内间隙图案G19、G20及G21排列的方向与长边WH1Aa的朝向一致。换言之，在表面WH1A上间隙图案G19、G20及G21沿着长边WH1Aa以直线状排列。并且，在表面WH1A上，长边方向LD上的间隙图案G19、G20及G21的位置对齐。在表面WH1A上，在方向WD1上相邻的间隙图案G之间的关于方向WD1的间隔相当于磁带MT的伺服带SB之间的关于宽度方向WD的间隔(即，伺服带间距)。

[0469] 在磁头铁芯WH2中卷绕有线圈(省略图示)，对线圈供给脉冲信号。对线圈供给的脉冲信号为伺服图案84A用脉冲信号及伺服图案84B用脉冲信号。

[0470] 作为一例，如图44所示，在表面WH1A上，长边WH1Aa长于磁带MT的宽度。短边WH1Ab为容纳所有间隙图案G19、G20及G21的长度。基体WH1以长边WH1Aa的朝向与长边方向LD正交的姿态配置于磁带MT上。即，基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使间隙图案G19、G20及G21与表面31相对的状态且以长边WH1Aa的朝向与长边方向LD正交的姿态配置。

[0471] 间隙图案G19、G20及G21之间所使用的脉冲信号(即，如图43所示，从第1脉冲信号发生器SW4A(参考图43)供给至磁头铁芯WH2A的脉冲信号、从第2脉冲信号发生器SW4B(参考图43)供给至磁头铁芯WH2B的脉冲信号及从第3脉冲信号发生器SW4C(参考图43)供给至磁头铁芯WH2C的脉冲信号)的相位偏离。

[0472] 具体而言，脉冲信号发生器SW4(参考图43)分别对间隙图案G19、G20及G21从间隙图案G19、G20及G21排列的方向的一侧到另一侧按既定时间延迟供给脉冲信号。在此，一侧是指间隙图案G21的一侧，另一侧是指间隙图案G19的一侧。在图44所示的例子中，首先，对间隙图案G21供给脉冲信号，接着，延迟既定时间而对间隙图案G20供给脉冲信号，接着，延迟既定时间而对间隙图案G19供给脉冲信号。

[0473] 既定时间为上述的既定间隔(即，由数式(1)计算的既定间隔)及根据在输送路径SW7上行进的磁带MT的行进速度事先设定的时间，例如是为了实现既定间隔而基于实机通过试验和/或模拟实验等事先导出的固定值。

[0474] 另外，既定时间可以是根据各种条件而变更的可变值。在该情况下，例如，将既定间隔设为第1自变量，将在输送路径SW7上行进的磁带MT的行进速度设为第2自变量，由将具有既定时间作为因变量的运算式计算既定时间。作为用作第1自变量的既定间隔，例如作为在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧82(参考图27)的长边方向LD的间隔，可举出由伺服写入器SW的用户等指定的间隔。作为用作第2自变量的行进速度，可举出由伺服写入器SW的用户等指定的行进速度或通过传感器(省略图示)实际测量的行进速度。

[0475] 在伺服图案记录工序中，在将间隙图案G19的位置对应于伺服带SB3的位置、将间隙图案G20的位置对应于伺服带SB2的位置且将间隙图案G21的位置对应于伺服带SB1的位置的状态下，磁带MT在输送路径SW7上以恒定的速度行进。然后，在该状态下，对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C交替供给伺服图案84A用脉冲信号及伺服图案84B用脉冲信号。

[0476] 若按磁头铁芯WH2C、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2A的顺序，延迟既定时间而供给伺服图案84A用脉冲信号，则以在长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案84A(参考图29)。并且，若按磁头铁芯WH2C、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2A的顺序，延迟既定时间而供给伺服图案84B用脉冲信号，则以在长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB1、伺服带SB2及伺服带SB3记录伺服图案84B(参考图29)。

[0477] 在如此构成的第10变形例所涉及的伺服图案记录头WH中，通过间隙图案G19、G20及G21沿着相对于方向LD1正交的方向以直线状排列且按既定时间延迟脉冲信号，无需沿着方向LD1偏离间隙图案G19、G20及G21，而能够实现图27所示的多个伺服图案84的排列。无需使间隙图案G19、G20及G21沿着方向LD1偏离，与其相应的量能够使短边WH1Ab短于图31所示的短边WH1Ab。短边WH1Ab短于图31所示的短边WH1Ab是指，表面WH1A的面积小于图31所示的表面WH1A的面积。其结果，能够使表面WH1A与磁带MT的表面31接触的面积(即，图43所示的滑动面WH1Ax的面积)小于图31所示的表面WH1A与磁带MT的表面31接触的面积(即，图31所示的滑动面WH1Ax的面积)，因此图43所示的伺服图案记录头WH与图31所示的伺服图案记录头WH相比，能够抑制在磁带MT与表面WH1A之间产生的摩擦。并且，摩擦的抑制有助于稳定磁带MT的行进。

[0478] 并且，在图43所示的伺服图案记录头WH中，如图41所示，在磁带MT的表面31上无需使基体WH1倾斜。在磁带MT的表面31上无需使基体WH1倾斜是指，不需要使基体WH1倾斜的工作。并且，不易发生因基体WH1倾斜引起而导致磁带MT偏向宽度方向WD这一现象。

[0479] [第11变形例]

[0480] 在上述第5变形例中，作为间隙图案G13、G14及G15之间所使用的脉冲信号，例示了同相位的信号，但这只不过是一例。例如，如图45所示，可以使对与间隙图案G13对应的间隙图案G22、与间隙图案G14对应的间隙图案G23及与间隙图案G15对应的间隙图案G24供给的脉冲信号的供给定时偏离。

[0481] 图45所示的伺服图案记录头WH与图44所示的伺服图案记录头WH相比，不同点在于，代替间隙图案G19而具有间隙图案G22的点、代替间隙图案G20而具有间隙图案G23的点及代替间隙图案G21而具有间隙图案G24的点。

[0482] 图45所示的间隙图案G22由直线区域G22A、G22B、G22C及G22D构成。直线区域G22A、G22B、G22C及G22D相当于图36所示的间隙图案G13的直线区域G13A、G13B、G13C及G13D。即，直线区域G22A、G22B、G22C及G22D的几何特性与图36所示的间隙图案G13的直线区域G13A、G13B、G13C及G13D的几何特性相同。

[0483] 图45所示的间隙图案G23由直线区域G23A、G23B、G23C及G23D构成。直线区域G23A、G23B、G23C及G23D相当于图36所示的间隙图案G14的直线区域G14A、G14B、G14C及G14D。即，直线区域G23A、G23B、G23C及G23D的几何特性与图36所示的间隙图案G14的直线区域G14A、G14B、G14C及G14D的几何特性相同。

[0484] 图45所示的间隙图案G24由直线区域G24A、G24B、G24C及G24D构成。直线区域G24A、G24B、G24C及G24D相当于图36所示的间隙图案G15的直线区域G15A、G15B、G15C及G15D。即，直线区域G24A、G24B、G24C及G24D的几何特性与图36所示的间隙图案G15的直线区域G15A、G15B、G15C及G15D的几何特性相同。

[0485] 但是，在伺服图案记录头WH上间隙图案G22、G23及G24排列的方向与在伺服图案记录头WH上间隙图案G13、G14及G15排列的方向(参考图36)不同。

[0486] 在表面WH1A沿着方向WD1形成有多个间隙图案G、即，间隙图案G22、G23及G24。在表面WH1A内间隙图案G22、G23及G24排列的方向与长边WH1Aa的朝向一致。换言之，在表面WH1A上间隙图案G22、G23及G24沿着长边WH1Aa以直线状排列。并且，在表面WH1A上，长边方向LD上的间隙图案G22、G23及G24的位置对齐。在表面WH1A上，在方向WD1上相邻的间隙图案G之间的关于方向WD1的间隔相当于磁带MT的伺服带SB之间的关于宽度方向WD的间隔(即，伺服带间距)。

[0487] 在表面WH1A上，长边WH1Aa长于磁带MT的宽度。短边WH1Ab为容纳所有间隙图案G22、G23及G24的长度。基体WH1以长边WH1Aa的朝向与长边方向LD正交的姿态配置于磁带MT上。即，基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使间隙图案G22、G23及G24与表面31相对的状态且以长边WH1Aa的朝向与长边方向LD正交的姿态配置。

[0488] 间隙图案G22、G23及G24之间所使用的脉冲信号(即，如图43所示，从第1脉冲信号发生器SW4A(参考图43)供给至磁头铁芯WH2A的脉冲信号、从第2脉冲信号发生器SW4B(参考图43)供给至磁头铁芯WH2B的脉冲信号及从第3脉冲信号发生器SW4C(参考图43)供给至磁头铁芯WH2C的脉冲信号)的相位偏离。

[0489] 具体而言，脉冲信号发生器SW4(参考图43)分别对间隙图案G22、G23及G24从间隙图案G22、G23及G24排列的方向的一侧到另一侧按既定时间延迟供给脉冲信号。在此，一侧是指间隙图案G24的一侧，另一侧是指间隙图案G22的一侧。在图45所示的例子中，首先，对间隙图案G24供给脉冲信号，接着，延迟既定时间而对间隙图案G23供给脉冲信号，接着，延迟既定时间而对间隙图案G22供给脉冲信号。

[0490] 在伺服图案记录工序中，在将间隙图案G22的位置对应于伺服带SB3的位置、将间隙图案G23的位置对应于伺服带SB2的位置且将间隙图案G24的位置对应于伺服带SB1的位置的状态下，磁带MT在输送路径SW7上以恒定的速度行进。然后，在该状态下，对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C交替供给伺服图案90A用脉冲信号及伺服图案90B用脉冲信号。

[0491] 若按磁头铁芯WH2C、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2A的顺序，延迟既定时间而供给伺服图案90A用脉冲信号，则以在长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB1、伺服带SB2及伺服带SB3记录伺服图案90A(参考图34)。并且，若按磁头铁芯WH2C、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2A的顺序，延迟既定时间而供给伺服图案90B用脉冲信号，则以在长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案90B(参考图34)。

[0492] 在如此构成的第11变形例所涉及的伺服图案记录头WH中，通过间隙图案G22、G23及G24沿着相对于方向LD1正交的方向以直线状排列且按既定时间延迟脉冲信号，无需沿着方向LD1偏离间隙图案G22、G23及G24，而能够实现图34所示的多个伺服图案90的排列。无需使间隙图案G22、G23及G24沿着方向LD1偏离，与其相应的量能够使短边WH1Ab短于图36所示的短边WH1Ab。短边WH1Ab短于图36所示的短边WH1Ab是指，表面WH1A的面积小于图36所示的表面WH1A的面积。其结果，能够使表面WH1A与磁带MT的表面31接触的面积小于图36所示的表面WH1A与磁带MT的表面31接触的面积，因此图45所示的伺服图案记录头WH与图36所示的伺服图案记录头WH相比，能够抑制在磁带MT与表面WH1A之间产生的摩擦。并且，摩擦的抑制有助于稳定磁带MT的行进。

[0493] 并且，在图45所示的伺服图案记录头WH中，如图42所示，在磁带MT的表面31上无需使基体WH1倾斜。在磁带MT的表面31上无需使基体WH1倾斜是指，不需要使基体WH1倾斜的工作。并且，不易发生因基体WH1倾斜引起而导致磁带MT偏向宽度方向WD这一现象。

[0494] [第12变形例]

[0495] 在上述第6变形例中，作为间隙图案G16、G17及G18之间所使用的脉冲信号，例示了同相位的信号，但这只不过是一例。例如，如图46所示，可以使对与间隙图案G16对应的间隙图案G25、与间隙图案G17对应的间隙图案G26及与间隙图案G18对应的间隙图案G27供给的脉冲信号的供给定时偏离。

[0496] 图46所示的伺服图案记录头WH与图45所示的伺服图案记录头WH相比，不同点在于，代替间隙图案G22而具有间隙图案G25的点、代替间隙图案G23而具有间隙图案G26的点及代替间隙图案G24而具有间隙图案G27的点。

[0497] 图46所示的间隙图案G25由直线区域G25A、G25B及G25C构成。直线区域G25A、G25B及G25C相当于图39所示的间隙图案G16的直线区域G16A、G16B及G16C。即，直线区域G25A、G25B及G25C的几何特性与图39所示的间隙图案G16的直线区域G16A、G16B及G16C的几何特性相同。

[0498] 图46所示的间隙图案G26由直线区域G26A、G26B及G26C构成。直线区域G26A、G26B及G26C相当于图39所示的间隙图案G17的直线区域G17A、G17B及G17C。即，直线区域G26A、G26B及G26C的几何特性与图39所示的间隙图案G17的直线区域G17A、G17B及G17C的几何特性相同。

[0499] 图46所示的间隙图案G27由直线区域G27A、G27B及G27C构成。直线区域G27A、G27B及G27C相当于图39所示的间隙图案G18的直线区域G18A、G18B及G18C。即，直线区域G27A、G27B及G27C的几何特性与图39所示的间隙图案G18的直线区域G18A、G18B及G18C的几何特性相同。

[0500] 但是，在伺服图案记录头WH上间隙图案G25、G26及G27排列的方向与在伺服图案记录头WH上间隙图案G16、G17及G18排列的方向(参考图39)不同。

[0501] 在表面WH1A沿着方向WD1形成有多个间隙图案G、即，间隙图案G25、G26及G27。在表面WH1A内间隙图案G25、G26及G27排列的方向与长边WH1Aa的朝向一致。换言之，在表面WH1A上间隙图案G25、G26及G27沿着长边WH1Aa以直线状排列。并且，在表面WH1A上，长边方向LD上的间隙图案G25、G26及G27的位置对齐。在表面WH1A上，在方向WD1上相邻的间隙图案G之间的关于方向WD1的间隔相当于磁带MT的伺服带SB之间的关于宽度方向WD的间隔(即，伺服带间距)。

[0502] 在表面WH1A上，长边WH1Aa长于磁带MT的宽度。短边WH1Ab为容纳所有间隙图案G25、G26及G27的长度。基体WH1以长边WH1Aa的朝向与长边方向LD正交的姿态配置于磁带MT上。即，基体WH1在磁带MT的表面31侧，以使间隙图案G25、G26及G27与表面31相对的状态且以长边WH1Aa的朝向与长边方向LD正交的姿态配置。

[0503] 间隙图案G25、G26及G27之间所使用的脉冲信号(即，如图43所示，从第1脉冲信号发生器SW4A(参考图43)供给至磁头铁芯WH2A的脉冲信号、从第2脉冲信号发生器SW4B(参考图43)供给至磁头铁芯WH2B的脉冲信号及从第3脉冲信号发生器SW4C(参考图43)供给至磁头铁芯WH2C的脉冲信号)的相位偏离。

[0504] 具体而言，脉冲信号发生器SW4(参考图43)分别对间隙图案G25、G26及G27从间隙图案G25、G26及G27排列的方向的一侧到另一侧按既定时间延迟供给脉冲信号。在此，一侧是指间隙图案G27的一侧，另一侧是指间隙图案G25的一侧。在图46所示的例子中，首先，对间隙图案G27供给脉冲信号，接着，延迟既定时间而对间隙图案G26供给脉冲信号，接着，延迟既定时间而对间隙图案G25供给脉冲信号。

[0505] 在伺服图案记录工序中，在将间隙图案G25的位置对应于伺服带SB3的位置、将间隙图案G26的位置对应于伺服带SB2的位置且将间隙图案G27的位置对应于伺服带SB1的位置的状态下，磁带MT在输送路径SW7上以恒定的速度行进。然后，在该状态下，对磁头铁芯WH2A、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2C交替供给伺服图案96A用脉冲信号及伺服图案96B用脉冲信号。

[0506] 若按磁头铁芯WH2C、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2A的顺序，延迟既定时间而供给伺服图案96A用脉冲信号，则以在长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案96A(参考图37)。并且，若按磁头铁芯WH2C、磁头铁芯WH2B及磁头铁芯WH2A的顺序，延迟既定时间而供给伺服图案96B用脉冲信号，则以在长边方向LD上以既定间隔偏离的状态对伺服带SB3、伺服带SB2及伺服带SB1记录伺服图案96B(参考图37)。

[0507] 在如此构成的第12变形例所涉及的伺服图案记录头WH中，通过间隙图案G25、G26及G27沿着相对于方向LD1正交的方向以直线状排列且按既定时间延迟脉冲信号，无需沿着方向LD1偏离间隙图案G25、G26及G27，而能够实现图37所示的多个伺服图案96的排列。无需使间隙图案G25、G26及G27沿着方向LD1偏离，与其相应的量能够使短边WH1Ab短于图39所示的短边WH1Ab。短边WH1Ab短于图39所示的短边WH1Ab是指，表面WH1A的面积小于图39所示的表面WH1A的面积。其结果，能够使表面WH1A与磁带MT的表面31接触的面积小于图39所示的表面WH1A与磁带MT的表面31接触的面积，因此图46所示的伺服图案记录头WH与图39所示的伺服图案记录头WH相比，能够抑制在磁带MT与表面WH1A之间产生的摩擦。并且，摩擦的抑制有助于稳定磁带MT的行进。

[0508] 并且，在图46所示的伺服图案记录头WH中，如图42所示，在磁带MT的表面31上无需使基体WH1倾斜。在磁带MT的表面31上无需使基体WH1倾斜是指，不需要使基体WH1倾斜的工作。并且，不易发生因基体WH1倾斜引起而导致磁带MT偏向宽度方向WD这一现象。

[0509] [第13变形例]

[0510] 在上述第1实施方式中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧56划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图47所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧560划分。帧560由一组伺服图案580规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案580。与多个伺服图案58同样地，多个伺服图案580沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

[0511] 伺服图案580由线状磁化区域对600构成。在本第13变形例中，线状磁化区域对600为本发明的技术所涉及的“线状磁化区域对”的一例。

[0512] 线状磁化区域对600分类为线状磁化区域对600A及线状磁化区域对600B。即，线状磁化区域对600与线状磁化区域对60相比，不同点在于，代替线状磁化区域对60A而具有线状磁化区域600A的点及代替线状磁化区域60B而具有线状磁化区域600B的点。

[0513] 伺服图案580A由线状磁化区域对600A构成。另外，线状磁化区域对600A与线状磁化区域对60A相比，不同点在于，代替线状磁化区域60A1而具有线状磁化区域600A1的点及代替线状磁化区域60A2而具有线状磁化区域600A2的点。线状磁化区域600A1及600A2分别为以线状磁化的区域。在本第13变形例中，线状磁化区域600A1为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例，线状磁化区域600A2为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例。

[0514] 线状磁化区域600A1及600A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。换言之，线状磁化区域600A1相对于假想直线C1向一个方向(例如，从图47的纸面表面侧观察时顺时针方向)倾斜。另一方面，线状磁化区域600A2相对于假想直线C1向另一方向(例如，从图47的纸面表面侧观察时逆时针方向)倾斜。线状磁化区域600A1及600A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域600A2与线状磁化区域600A1相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域600A2相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域600A2相对于假想直线C1的角度。并且，线状磁化区域600A2的总长度短于线状磁化区域600A2的总长度。

[0515] 线状磁化区域600A1与线状磁化区域60A1相比，不同点在于，代替多个磁化直线60A1a而具有多个磁化直线600A1a的点。线状磁化区域600A2与线状磁化区域60A2相比，不同点在于，代替多个磁化直线60A2a而具有多个磁化直线600A2a的点。

[0516] 在线状磁化区域600A1包含多个磁化直线600A1a，在线状磁化区域600A2包含多个磁化直线600A2a。线状磁化区域600A1中所包含的磁化直线600A1a的根数与线状磁化区域600A2中所包含的磁化直线600A2a的根数相同。

[0517] 线状磁化区域600A1为相当于第1线对称区域的线状磁化区域。第1线对称区域是指，形成为在上述第1实施方式中说明的线状磁化区域60A2(参考图9)相对于假想直线C1线对称的区域。即，线状磁化区域600A1也可以说是由线状磁化区域60A2(参考图9)的镜像的几何特性(即，通过以假想直线C1为线对称轴进行相对于线状磁化区域60A2(参考图9)的镜像而获得的几何特性)形成的线状磁化区域。

[0518] 线状磁化区域600A2为相当于第2线对称区域的线状磁化区域。第2线对称区域是指，形成为在上述第1实施方式中说明的线状磁化区域60A1(参考图9)相对于假想直线C1线对称的区域。即，线状磁化区域600A2也可以说是由线状磁化区域60A1(参考图9)的镜像的几何特性(即，通过以假想直线C1为线对称轴进行相对于线状磁化区域60A1(参考图9)的镜像而获得的几何特性)形成的线状磁化区域。

[0519] 即，在图10所示的例子中，当通过使假想线状区域62A及62B的对称轴SA1相对于假想直线C1以中心O1为旋转轴向从图10的纸面表面侧观察时的顺时针方向以角度a倾斜而使假想线状区域对62整体相对于假想直线C1倾斜时，通过假想线状区域62A的两端的位置与假想线状区域62B的两端的位置对齐而获得的假想线状区域对62的几何特性相当于伺服图案580A的几何特性。

[0520] 伺服图案580B由线状磁化区域对600B构成。线状磁化区域对600B与线状磁化区域对60B相比，不同点在于，代替线状磁化区域60B1而具有线状磁化区域600B1的点及代替线状磁化区域60B2而具有线状磁化区域600B2的点。线状磁化区域600B1及600B2分别为以线状磁化的区域。在本第13变形例中，线状磁化区域600B1为本发明的技术所涉及的“第2线状磁化区域”的一例，线状磁化区域600B2为本发明的技术所涉及的“第1线状磁化区域”的一例。

[0521] 线状磁化区域600B1及600B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。换言之，线状磁化区域600B1相对于假想直线C2向一个方向(例如，从图47的纸面表面侧观察时顺时针方向)倾斜。另一方面，线状磁化区域600B2相对于假想直线C2向另一方向(例如，从图47的纸面表面侧观察时逆时针方向)倾斜。线状磁化区域600B1及600B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域600B2与线状磁化区域600B1相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域600B2相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域600B2相对于假想直线C2的角度。

[0522] 在线状磁化区域600B1包含多个磁化直线600B1a，在线状磁化区域600B2包含多个磁化直线600B2a。线状磁化区域600B1中所包含的磁化直线600B1a的根数与线状磁化区域600B2中所包含的磁化直线600B2a的根数相同。

[0523] 伺服图案580B中所包含的磁化直线600B1a及600B2a的总根数与伺服图案580A中所包含的磁化直线600A1a及600A2a的总根数不同。在图47所示的例子中，伺服图案580A中所包含的磁化直线600A1a及600A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案580B中所包含的磁化直线600B1a及600B2a的总根数为8根。

[0524] 线状磁化区域600B1为得到磁化的4根直线即磁化直线600B1a的集合，线状磁化区域600B2为得到磁化的4根直线即磁化直线600B2a的集合。在伺服带SB内，在宽度方向WD上，线状磁化区域600B1的两端的位置(即，4根磁化直线600B1a各自的两端的位置)与线状磁化区域600B2的两端的位置(即，4根磁化直线600B2a各自的两端的位置)对齐。

[0525] 如此，伺服图案580A的几何特性相当于线状磁化区域60A2(参考图9)的镜像的几何特性及线状磁化区域60A2(参考图9)的镜像的几何特性(即，图9所示的伺服图案58A的镜像的几何特性)，伺服图案580B的几何特性相当于线状磁化区域60B2(参考图9)的镜像的几何特性及线状磁化区域60B2(参考图9)的镜像的几何特性(即，图9所示的伺服图案58B的镜像的几何特性)。但是，这只不过是一例，代替伺服图案580，可以适用由图20所示的伺服图案72的镜像的几何特性、图23所示的伺服图案78的镜像的几何特性、图27所示的伺服图案84的镜像的几何特性、图34所示的伺服图案90的镜像的几何特性或图37所示的伺服图案96的镜像的几何特性形成的伺服图案。

[0526] 另外，如此，即使在改变了伺服图案的几何特性的情况下，倾斜机构49根据伺服图案的几何特性变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度(例如，图13所示的角度β)。即，即使在改变了伺服图案的几何特性的情况下，也与上述第1实施方式同样地，倾斜机构49在控制装置30的控制下，通过使磁头28在磁带MT的表面31上以旋转轴RA为中心旋转，以减小伺服信号的偏差的方式变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度(例如，图13所示的角度β)。

[0527] [其他变形例]

[0528] 在上述实施方式中，例示了磁带盒12相对于磁带驱动器14插拔自如的磁带系统10，但本发明的技术并不限定于此。例如，即便是对磁带驱动器14事先装填有至少一个磁带盒12的磁带系统(即，至少一个磁带盒12与磁带驱动器14事先一体化的磁带系统)，本发明的技术也成立。

[0529] 在上述实施方式中，例示了单一磁头28，但本发明的技术并不限定于此。例如，多个磁头28可以配置于磁带MT上。例如，可以使读取用磁头28及至少一个写入用磁头28配置于磁带MT上。读取用磁头28可以用于通过写入用磁头28记录于数据带DB的数据的验证。并且，搭载有读取用磁性元件单元42及至少一个写入用磁性元件单元42的一个磁头可以配置于磁带MT上。

[0530] 以上示出的记载内容及图示内容为对本发明的技术所涉及的部分的详细说明，只不过是本发明的技术的一例。例如，与上述的结构、功能、作用及效果相关的说明为与本发明的技术所涉及的部分的结构、功能、作用及效果的一例相关的说明。因此，在不脱离本发明的技术的主旨的范围内，可以对以上示出的记载内容及图示内容删除不需要的部分，或追加新的要素，或进行置换是不言而喻的。并且，为了避免错综复杂，并且便于理解本发明的技术所涉及的部分，在以上示出的记载内容及图示内容中，在能够实施本发明的技术的基础上，省略了与无需特别说明的技术常识等相关的说明。

[0531] 在本说明书中，“A和/或B”与“A及B中的至少一个”含义相同。即，“A和/或B”表示可以仅是A，也可以仅是B，还可以是A及B的组合。并且，在本说明书中，当三个以上的事体用“和/或”来连结而表现时，也适用与“A和/或B”相同的思考方式。

[0532] 于2021年9月29日申请的日本专利申请2021‑160001号的发明其整体通过参考而被编入本说明书中。并且，2021年10月29日申请的日本专利申请2021‑178339号的发明其整体通过参考而被编入本说明书中。

[0533] 本说明书中所记载的所有的文献、专利申请及技术标准，通过参考而编入于此的每个文献、专利申请及技术标准与具体且个别记载时相同程度地通过参考编入于本说明书中。

[0534] 关于以上实施方式，还公开以下附录。

[0535] (附记1)

[0536] 一种伺服图案记录头，其具备：

[0537] 基体；及

[0538] 多个间隙图案，形成于上述基体的表面，

[0539] 上述伺服图案记录头中，

[0540] 上述多个间隙图案沿着与磁带的宽度方向对应的方向形成于上述表面，[0541] 通过按照所供给的脉冲信号对上述磁带赋予磁场，沿着上述宽度方向记录多个伺服图案，

[0542] 上述间隙图案为至少一个直线区域对，

[0543] 上述直线区域对中的一个直线区域即第1直线区域及上述直线区域对中的另一个直线区域即第2直线区域相对于上述表面上的沿着与上述宽度方向对应的方向的第2假想直线向相反的方向倾斜，

[0544] 上述第1直线区域与上述第2直线区域相比，相对于上述第2假想直线的倾斜角度陡。

[0545] (附记2)

[0546] 根据附记1所述的伺服图案记录头，其中，

[0547] 上述第1直线区域两端的位置与上述第2直线区域两端的位置在与上述磁带的宽度方向对应的方向上对齐。

[0548] (附记3)

[0549] 一种磁带，其沿着长边方向记录有多个伺服图案，上述磁带中，

[0550] 上述伺服图案为至少一个线状磁化区域对，

[0551] 上述线状磁化区域对为以线状磁化的第1线状磁化区域及以线状磁化的第2线状磁化区域，

[0552] 上述第1线状磁化区域及上述第2线状磁化区域相对于沿着磁带的宽度方向的第1假想直线向相反的方向倾斜，

[0553] 上述第1线状磁化区域与上述第2线状磁化区域相比，相对于所述第1假想直线的倾斜角度陡，

[0554] 上述第1线状磁化区域及上述第2线状磁化区域在上述宽度方向上的位置偏离。

[0555] (附记4)

[0556] 根据附记3所述的磁带，其中，

[0557] 上述第1线状磁化区域为多个第1磁化直线的集合，

[0558] 上述第2线状磁化区域为多个第2磁化直线的集合，

[0559] 上述多个第1磁化直线的一端的位置在上述宽度方向上对齐，

[0560] 上述多个第1磁化直线的另一端的位置在上述宽度方向上对齐，

[0561] 上述多个第2磁化直线的一端的位置在上述宽度方向上对齐，

[0562] 上述多个第2磁化直线的另一端的位置在上述宽度方向上对齐。

[0563] (附记5)

[0564] 一种伺服图案记录装置，其具备：

[0565] 脉冲信号发生器；及

[0566] 伺服图案记录头，

[0567] 上述伺服图案记录装置中，

[0568] 上述脉冲信号发生器生成脉冲信号，

[0569] 上述伺服图案记录头具有基体及形成于上述基体的表面的多个间隙图案，并且通过按照上述脉冲信号从上述多个间隙图案对磁带赋予磁场，沿着上述磁带的宽度方向记录多个伺服图案，

[0570] 上述多个间隙图案沿着与上述宽度方向对应的方向形成于所述表面，[0571] 上述间隙图案为至少一个直线区域对，

[0572] 上述直线区域对中的一个直线区域即第1直线区域及上述直线区域对中的另一个直线区域即第2直线区域相对于上述表面上的沿着与上述宽度方向对应的方向的第1假想直线向相反的方向倾斜，

[0573] 上述第1直线区域与上述第2直线区域相比，相对于上述第1假想直线的倾斜角度陡，

[0574] 上述第1直线区域及上述第2直线区域在与上述宽度方向对应的方向上的位置偏离，

[0575] 上述多个间隙图案在沿着与上述宽度方向对应的方向相邻的上述间隙图案之间，在与上述磁带的长边方向对应的方向上以既定间隔偏离，

[0576] 上述基体以吸收上述既定间隔的偏离的角度相对于上述第1假想直线沿着上述磁带倾斜。

[0577] (附记6)

[0578] 一种伺服图案记录装置，其具备：

[0579] 脉冲信号发生器；及

[0580] 伺服图案记录头，

[0581] 上述伺服图案记录装置中，

[0582] 上述脉冲信号发生器生成脉冲信号，

[0583] 上述伺服图案记录头具有基体及形成于上述基体的表面的多个间隙图案，并且通过按照上述脉冲信号从上述多个间隙图案对磁带赋予磁场，沿着上述磁带的宽度方向记录多个伺服图案，

[0584] 上述多个间隙图案沿着与上述宽度方向对应的方向形成于上述表面，[0585] 上述间隙图案为至少一个直线区域对，

[0586] 上述直线区域对中的一个直线区域即第1直线区域及上述直线区域对中的另一个直线区域即第2直线区域相对于上述表面上的沿着与上述宽度方向对应的方向的第1假想直线向相反的方向倾斜，

[0587] 上述第1直线区域与上述第2直线区域相比，相对于上述第1假想直线的倾斜角度陡，

[0588] 上述第1直线区域及上述第2直线区域在与上述宽度方向对应的方向上的位置偏离，

[0589] 在上述表面中，上述多个间隙图案的上述磁带在长边方向上的位置对齐，[0590] 上述脉冲信号发生器分别对上述多个间隙图案从上述多个间隙图案排列的方向的一侧到另一侧按既定时间延迟供给上述脉冲信号。

[0591] (附记7)

[0592] 一种磁带，其通过附记5或附记6所述的伺服图案记录装置记录有多个伺服图案。

[0593] (附记8)

[0594] 一种磁带盒，其具备：

[0595] 附记7所述的磁带；及

[0596] 壳体，容纳有上述磁带。

[0597] (附记9)

[0598] 一种磁带驱动器，其具备：

[0599] 行进机构，使附记3、附记4及附记7中任一项所述的磁带沿着既定路径行进；及[0600] 磁头，具有以通过上述行进机构使上述磁带行进的状态在上述既定路径上读取上述伺服图案的多个伺服读取元件，

[0601] 上述磁带驱动器中，

[0602] 上述多个伺服读取元件沿着上述磁头的长边方向排列，

[0603] 上述磁头以使沿着上述磁头的长边方向的第2假想直线相对于上述磁带的行进方向倾斜的姿态配置。

[0604] (附记10)

[0605] 一种磁带系统，其具备：

[0606] 附记3、附记4及附记7中任一项所述的磁带；及

[0607] 磁带驱动器，其搭载有磁头，上述磁头具有以使上述磁带沿着既定路径行进的状态在上述既定路径上读取上述伺服图案的多个伺服读取元件，

[0608] 上述磁带系统中，

[0609] 上述多个伺服读取元件沿着上述磁头的长边方向排列，

[0610] 上述磁头以使沿着上述磁头的长边方向的第3假想直线相对于上述磁带的行进方向倾斜的姿态配置。

[0611] (附记11)

[0612] 一种检测装置，其具备处理器，上述检测装置中，

[0613] 上述处理器使用自相关系数检测通过伺服读取元件从附记3、附记4及附记7中任一项所述的磁带读取了上述伺服图案的结果即伺服信号。

[0614] (附记12)

[0615] 一种检查装置，其具备：

[0616] 附记11所述的检测装置；及

[0617] 检查处理器，根据通过上述检测装置检测到的伺服信号，在上述磁带中进行记录上述伺服图案的伺服带的检查。

[0618] (附记13)

[0619] 一种伺服图案记录头，其具备：

[0620] 基体；及

[0621] 多个间隙图案，形成于上述基体的表面，

[0622] 上述伺服图案记录头中，

[0623] 上述多个间隙图案沿着与磁带的宽度方向对应的方向形成于上述表面，[0624] 通过按照所供给的脉冲信号对上述磁带赋予磁场，沿着上述宽度方向记录多个伺服图案，

[0625] 上述间隙图案为至少一个直线区域对，

[0626] 上述直线区域对中的一个直线区域即第1直线区域及上述直线区域对中的另一个直线区域即第2直线区域相对于上述表面上的沿着与上述宽度方向对应的方向的第1假想直线向相反的方向倾斜，

[0627] 上述第1直线区域与上述第2直线区域相比，相对于上述第1假想直线的倾斜角度陡，

[0628] 上述多个间隙图案在沿着与上述宽度方向对应的方向相邻的上述间隙图案之间，在与上述磁带的长边方向对应的方向上以既定间隔偏离，

[0629] 上述基体以吸收上述既定间隔的偏离的角度相对于上述第1假想直线沿着上述磁带倾斜。

[0630] (附记14)

[0631] 一种伺服图案记录头，其具备：

[0632] 基体；及

[0633] 多个间隙图案，形成于上述基体的表面，

[0634] 上述伺服图案记录头中，

[0635] 上述多个间隙图案沿着与磁带的宽度方向对应的方向形成于上述表面，[0636] 通过按照所供给的脉冲信号对上述磁带赋予磁场，沿着上述宽度方向记录多个伺服图案，

[0637] 上述间隙图案为至少一个直线区域对，

[0638] 上述直线区域对中的一个直线区域即第1直线区域及上述直线区域对中的另一个直线区域即第2直线区域相对于上述表面上的沿着与上述宽度方向对应的方向的第1假想直线向相反的方向倾斜，

[0639] 上述第1直线区域与上述第2直线区域相比，相对于上述第1假想直线的倾斜角度陡，

[0640] 上述第1直线区域两端的位置与上述第2直线区域两端的位置在与上述磁带的宽度方向对应的方向上对齐，

[0641] 在上述表面中，上述多个间隙图案在上述磁带的长边方向上的位置对齐，[0642] 分别对上述多个间隙图案从上述多个间隙图案排列的方向的一侧到另一侧按既定时间延迟供给上述脉冲信号。