本发明涉及一种晶圆预处理方法及晶圆、DSOI器件，所述方法包括：获取晶圆；在于所述晶圆中形成器件之前，在所述晶圆的背面形成掺N型离子的硅氧化物层；在于所述晶圆中形成器件之前，在所述硅氧化物层的表面形成保护层以避免所述硅氧化物层中的杂质外溢。本发明通过在晶圆背面形成掺N型离子的硅氧化物层作为静电吸附辅助层，N型离子可以在静电吸盘的影响下耦合出电子，与静电吸盘的正电荷之间形成吸附力，从而将晶圆稳定吸附于静电吸盘上，避免掉片。
