涉及权利要求数量10：其中独权2项，从权-2项
1.一种存储器元件，包括：
基底；
内连线结构，位于所述基底之上；
导体层，位于所述内连线结构上；
停止层，位于所述导体层上；
栅极叠层结构，位于所述停止层上，所述栅极叠层结构包括相互交替的多个绝缘层以及多个栅极导体层，其中所述栅极叠层结构的最底层的绝缘层的厚度与所述停止层的厚度的比为1∶1～1∶2；
通道柱，延伸穿过所述栅极叠层结构与所述停止层并且与所述导体层连接；以及电荷储存结构，位于所述通道柱的外侧壁与所述多个栅极导体层之间。
2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述停止层的材料与所述导体层的材料不同。
3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述停止层的掺质与所述导体层的掺质不同。
4.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述停止层的材料的成分包含碳、铝或其组合。
5.根据权利要求4所述的存储器元件，其中所述停止层包括碳掺杂的多晶硅、碳硼掺杂的多晶硅、碳磷掺杂的多晶硅、氧化铝或其组合。
6.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述导体层包括：
下层导体层，位于所述内连线结构上；以及
上层导体层，位于所述下层导体层与所述停止层之间，且与所述通道柱电性连接。
7.一种存储器元件，包括：
基底；
内连线结构，位于所述基底之上；
导体层，位于所述内连线结构上；
停止层，位于所述导体层上；
栅极叠层结构，位于所述停止层上，所述栅极叠层结构包括相互交替的多个绝缘层以及多个栅极导体层，其中所述停止层的材料不同于所述多个栅极导体层的材料以及所述多个绝缘层的材料；
通道柱，延伸穿过所述栅极叠层结构与所述停止层并且与所述导体层连接；以及电荷储存结构，位于所述通道柱的外侧壁与所述多个栅极导体层之间。
8.根据权利要求7所述的存储器元件，其中所述停止层的材料的成分包含碳、铝或其组合。
9.根据权利要求7所述的存储器元件，其中所述停止层包括碳掺杂的多晶硅、碳硼掺杂的多晶硅、碳磷掺杂的多晶硅、氧化铝或其组合。
10.根据权利要求7所述的存储器元件，其中所述栅极叠层结构的最底层的绝缘层的厚度与所述停止层的厚度的比为1∶1～1∶2。