具体技术细节
[0005] 本发明的目的在于提供一种测量方法，能够降低测量时间，提高生产效率。
[0006] 为了实现上述目的，本发明提出了一种测量方法，包括步骤：
[0007] 定义半导体晶圆待检测点的个数；
[0008] 将所述待检测点均匀分布在晶圆同心圆上，所述晶圆同心圆与所述半导体晶圆共圆心；
[0009] 测量完一待检测点之后，所述半导体晶圆自转预定角度到达下一待检测点。
[0010] 进一步的，所述晶圆同心圆的个数大于等于1。
[0011] 进一步的，当所述晶圆同心圆的个数大于1且位于同一晶圆同心圆上的待检测点检测完时，所述半导体晶圆平移至下一晶圆同心圆上的待检测点进行检测。
[0012] 进一步的，所述半导体晶圆设置于一检测台上，所述检测台带动所述半导体晶圆进行自转或平移。
[0013] 进一步的，所述半导体晶圆的表面形成有薄膜，所述测量方法用于测量所述薄膜的厚度。
[0014] 进一步的，所述测量方法采用光学法测量薄膜的厚度。
[0015] 进一步的，所述光学法采用的光为椭圆偏正光。
[0016] 与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在：将待检测点平均分布于晶圆同心圆上，在对一待检测点检测完毕后，只需通过半导体晶圆自转一定角度便能够达到下一待检测点，并对其进行检测，无需半导体晶圆进行多次位移，因此能够降低测量时间，提高生产效率。
法律保护范围
涉及权利要求数量7：其中独权1项，从权-1项
1.一种测量方法，包括步骤：
定义半导体晶圆待检测点的个数；
将所述待检测点均匀分布在晶圆同心圆上，所述晶圆同心圆与所述半导体晶圆共圆心；
当测量同一晶圆同心圆上的待检测点时，测量完一待检测点之后，所述半导体晶圆自转预定角度到达下一待检测点。
2.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述晶圆同心圆的个数大于等于1。
3.如权利要求2所述的测量方法，其特征在于，当所述晶圆同心圆的个数大于1且位于同一晶圆同心圆上的待检测点检测完时，所述半导体晶圆平移至下一晶圆同心圆上的待检测点进行检测。
4.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述半导体晶圆设置于一检测台上，所述检测台带动所述半导体晶圆进行自转或平移。
5.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述半导体晶圆的表面形成有薄膜，所述测量方法用于测量所述薄膜的厚度。
6.如权利要求5所述的测量方法，其特征在于，所述测量方法采用光学法测量薄膜的厚度。
7.如权利要求6所述的测量方法，其特征在于，所述光学法采用的光为椭圆偏正光。
