技术领域
[0001] 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种测量方法。
相关背景技术
[0002] 半导体晶圆在制造过程中，需要形成不同薄膜层，每一层薄膜的厚度也不尽相同。为了精确的实现电路功能，需要精确控制形成在半导体晶圆表面的每一层薄膜的厚度，以防止形成的薄膜厚度太厚或太薄导致半导体晶圆不符合要求，影响半导体晶圆的良率。因此，为了能够监控形成薄膜的厚度，通常会在薄膜形成后对其进行厚度的测量，若发现厚度异常，则应立马做出相应的改进措施。
[0003] 现有技术中，测量厚度通常采用光发射器将椭圆偏正光射入半导体晶圆的待检测点，再由光接收器接收由待检测点反射回的椭圆偏正光，利用光的透射与反射计算出薄膜的厚度。为了能够检测出半导体晶圆表面整体的薄膜厚度，需要根据不同的工艺需求，在半导体晶圆上设定需要多个待检测点，例如9个、21个或者49个，从而能够更加准确的得出薄膜厚度的分布。
[0004] 请参考图1，所述半导体晶圆10的表面设有多个待检测点11，当其中一个待检测点11测量完毕时，则需要转移至下一个待检测点11，所述半导体晶圆10放置于检测台（图未示出）上，所述检测台仅能够沿水平线或者垂直于水平线方向移动，因此，为了到下一个检测点11，则所述检测台必须先沿水平方向移动一定位移，再沿垂直于水平线方向移动一定位移，然后才能到达下一检测点11进行厚度测量，以此类推，所述检测台均需要进行两次位移才能对后续检测点11进行测量。然而，该种测量方法十分耗时，主要测量时间均浪费在所述检测台的移动上，对半导体晶圆的每小时产量（WPH）有极大的影响。
具体实施方式
[0019] 下面将结合示意图对本发明的测量方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
[0020] 为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0021] 在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0022] 请参考图2，在本实施例中，提出了一种测量方法，包括步骤：
[0023] 定义半导体晶圆100上待检测点110的个数；
[0024] 根据不同的工艺要求，可以定义多个的待检测点110，例如6个、12个等，定义的待检测点110个数越多，测量出的数据越准确，相应的，测量时间也就越久，因此，待检测点110的个数可以由不同需求来定义。
[0025] 将所述待检测点110均匀分布在晶圆同心圆120上，所述晶圆同心圆120与所述半导体晶圆100共圆心；
[0026] 根据不同待检测点110的个数，可以将待检测点110平均分配至一个或者多个所述晶圆同心圆120上，这样所述半导体晶圆100的自转角度更大，方便设备实现，若自转过小，一方面设备不易于实现，另一方面可能会导致偏差较大。
[0027] 当测量同一晶圆同心圆上的待检测点110时，测量完一待检测点110之后，所述半导体晶圆100自转预定角度到达下一待检测点110。
[0028] 如图2所示，第一晶圆同心圆121上均与分别有6个待检测点110，两个待检测点110之间存在第一角度α1为60度，因此在测试完第一个待检测点110后，所述半导体晶圆只需按照圆心自转α1，即60度便能够到达下一个待检测点110进行检测。
[0029] 若待检测点110的个数较多，例如18个，如图3所示，此时可以在第一晶圆同心圆121上均匀设置6个待检测点110，在第二晶圆同心圆122上均匀设置12个待检测点110，当位于第一晶圆同心圆121上的待检测点110被检测完时，所述半导体晶圆100平移至第二晶圆同心圆122上的待检测点110再继续进行检测，此时也仅需多平移一次；在对所述第二晶圆同心圆122上的待检测点110进行检测时，检测完一个待检测点110之后，只需所述半导体晶圆100自转α2，即30度便能够到达下一个待检测点110上。
[0030] 在本实施例中，所述半导体晶圆100设置于一检测台（图未示出）上，所述检测台带动所述半导体晶圆100进行自转或平移；所述半导体晶圆100的表面形成有薄膜，所述测量方法用于测量所述薄膜的厚度；所述测量方法采用光学法测量薄膜的厚度；所述光学法采用的光为椭圆偏正光。
[0031] 综上，在本发明实施例提供的测量方法中，将待检测点平均分布于晶圆同心圆上，在对一待检测点检测完毕后，只需通过半导体晶圆自转一定角度便能够达到下一待检测点，并对其进行检测，无需半导体晶圆进行多次位移，因此能够降低测量时间，提高生产效率。
[0032] 上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。
