技术领域
[0001] 本发明涉及FLASH（闪存）领域，特别是涉及一种小文件管理电路。
相关背景技术
[0002] 在多媒体以及存储领域，数据访问速度越来越成为产品的关键指标之一。处理小文件的速度是大部分产品的弱点。参见图1所示，现有的小文件管理电路，包括一缓冲器，一FLASH控制电路，一FLASH。所述FLASH控制电路，先把FLASH中的小文件读出到缓冲器,并与即将写入FLASH的小文件拼接到一起；擦除FLASH对应的区间；把已拼接到一起的小文件写入到FALSH；对所述FLASH编程。这当中擦除以及编程的时间相对读写来说非常长，严重影响了FLASH的读写速度。
具体实施方式
[0015] 参见图2所示，在下面的实施例中，本发明所述的小文件管理电路，包括：一缓冲器，一FLASH控制电路，一FLASH，一状态机。
[0016] 在现有的小文件管理电路基础上增加的所述状态机，使得所述FLASH控制电路具有一定的智能性。
[0017] 所述状态机根据软件的配置和指示，对所述缓冲器中小文件的位置和大小进行记录；即在FLASH控制电路增加标志位，以标识小文件所占用的缓冲器的空间和位置，为以后的拼接做准备。
[0018] 在所述FLASH被使用之前，已经有一些小文件存在于FLASH中，利用空闲时间，所述状态机指示FLASH控制电路把已有小文件(未拼接好的)从FLASH读到缓冲器中。所谓的空闲时间，意思是系统没有对FLASH进行操作的时间。
[0019] 所述状态机根据当前小文件（即系统新加进来的小文件）的大小，计算出已有小文件（FLASH中已有且未拼接的小文件）中哪个和当前小文件拼接比较合适。指示FLASH控制电路控制缓冲器把当前小文件和与之匹配的小文件存在一起，并通知软件，以便文件管理。
[0020] 所述状态机指示FLASH控制电路，将拼接完成后的数据（即拼接后的小文件），从缓冲器写入到FLASH。对FLASH编程。
[0021] 利用空闲时间，所述状态机指示FLASH控制电路将拼接完成后且已写入FLASH的小文件所占有的在拼接之前的FLASH空间擦除。一般来说，FLASH控制电路控制FLASH读写操作的命令直接来自于系统，上述提到的读写/擦除命令是所述状态机根据当前状态自行增加的。
[0022] 这样，本发明所述小文件管理电路每次写小文件所用的时间只有原有小文件管理电路所用时间的一半。所述小文件是指文件大小小于FLASH最小存储单位，即小于FLASH一页(Page)的空间。
[0023] 本发明所述小文件管理电路还具有以下特点：不影响原有的电路结构，增加用于优化管理的状态机；据当前小文件的大小或者其他软件需求，决定是否启动该状态机；所述状态机可以根据系统的空闲，插入非即时任务。
[0024] 本发明适用于FLASH相关的存储产品。
[0025] 以上通过具体实施方式对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
