[0003] 本公开涉及一种压力检测方法、使用该压力检测方法的结合装置的压力检测方法以及包括该压力检测方法的结合系统。

[0004] 随着信息技术的发展，作为用户和信息之间的连接介质的显示装置的重要性增加。因此，越来越多地使用诸如液晶显示装置、有机发光显示装置、无机发光显示装置等的显示装置。

[0005] 例如，通过将发光元件转移到衬底(具有形成在衬底上的薄膜晶体管)上来形成显示面板，并且使用包括该显示面板的显示装置。

[0006] 可以执行结合发光元件的工艺，以减小在制造显示面板的工艺中其中薄膜晶体管和发光元件彼此连接的区域中的电阻。实用新型内容

[0007] 本公开提供了压力检测方法、使用该压力检测方法的结合装置的压力检测方法以及包括该压力检测方法的结合系统，其可以检查是否对压力检测片施加了均匀的压力。

[0008] 根据实施方式，结合装置的压力检测方法可以包括：形成包括发光元件的背板衬底；将压力检测片设置在背板衬底上；将背板衬底和压力检测片转移到腔室中；通过对压力检测片加压来结合发光元件；拍摄压力检测片；以及检测压力检测片的显色区域。

[0009] 拍摄压力检测片可以包括：在一方向上向压力检测片施加力以增大压力检测片的面积，以及拍摄具有增大的面积的压力检测片。

[0010] 在向压力检测片施加力时，力可以均匀地施加到压力检测片的彼此面对的侧部。

[0011] 拍摄压力检测片可以包括：设定压力检测片的区域，并且通过使用其分辨能力被设定为小于或等于约2μm的显微镜来拍摄该区域。

[0012] 在通过使用其分辨率被设定为小于或等于约2μm的显微镜拍摄该区域时，显微镜的放大率可以被设定为约500倍，并且拍摄分辨率可以等于或大于约300,000像素。

[0013] 检测显色区域可以包括：获取压力检测片的区域的图像；在图像中检测由彩色成分显色的显色区域和未显色的周边区域；通过分割图像来设定多个检测像素；以及检测多个检测像素之中具有显色区域的比率等于或大于预定比率的彩色像素。

[0014] 预定比率可以等于或大于约10％。

[0015] 压力检测片可以包括包含彩色胶囊舱的第一片以及包含显色剂的第二片。在通过对压力检测片加压来结合发光元件时，彩色胶囊舱的彩色成分可以与显色剂混合。

[0016] 拍摄压力检测片可以包括：将第一片和第二片彼此分开，并拍摄第二片的表面。

[0017] 形成背板衬底可以包括：设置薄膜晶体管衬底，以及将发光元件转移到薄膜晶体管衬底上。

[0018] 形成背板衬底还可以包括在薄膜晶体管衬底上设置导电材料。

[0019] 转移发光元件可以包括：提供包括发光元件的载体衬底，以及将包括发光元件的载体衬底接近背板衬底。

[0020] 发光元件可以是微型发光二极管。

[0021] 根据实施方式，结合系统可以包括：腔室，具有空间；台，位于腔室中，台上安装有包括发光元件的背板衬底，压力检测片设置在背板衬底的发光元件上；加压构件，位于腔室中并对压力检测片加压；加压源，将气体供应到腔室中并向加压构件提供空气压力；以及图像捕获装置，拍摄压力检测片并检测压力检测片的显色区域。

[0022] 结合系统还可以包括朝向台照射光的热源。

[0023] 图像捕获装置可以包括分辨率设定为小于或等于约2μm的显微镜。

[0024] 图像捕获装置可以：获取压力检测片的区域的图像；在图像中检测由彩色成分显色的显色区域和未显色的周边区域；通过分割图像来设定多个检测像素；以及检测多个检测像素之中具有显色区域的比率等于或大于预定比率的彩色像素。

[0025] 背板衬底还可以包括：薄膜晶体管衬底，包括发光元件和至少一个晶体管；以及导电材料，插置在薄膜晶体管衬底和发光元件之间。

[0026] 根据实施方式，压力检测方法包括：对压力检测片加压；拍摄压力检测片；获取压力检测片的区域的图像；在图像中检测由彩色成分显色的显色区域和未显色的周边区域；通过分割图像来设定多个检测像素；检测多个检测像素之中具有显色区域的比率等于或大于预定比率的彩色像素的数量；以及基于彩色像素的数量检测压力检测片的区域。

[0027] 拍摄压力检测片可以包括：在一方向上向压力检测片施加力以增大压力检测片的面积，以及拍摄具有增大的面积的压力检测片。

[0051] 在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对本公开的各种实施方式或实施例的透彻理解。如本文中所用，“实施方式”和“实施例”是可互换的词，它们是本文中公开的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等效布置的情况下实践各种实施方式。这里，各种实施方式不必是排他性的，也不限制本公开。例如，实施方式的特定形状、配置和特性可以在另一实施方式中可以使用或实现。

[0052] 在下文中，参考附图详细描述实施方式，使得本领域中技术人员可以容易地实践本公开。本公开可以以各种不同的形式实现，并且不限于在说明书中描述的实施方式。

[0053] 本文中使用的术语是用于描述特定实施方式的目的，而不是旨在进行限制。与说明书无关的部分将被省略以清楚地描述本公开，并且相同或相似的组成元件将在整个说明书中用相同的附图标记表示。因此，在不同的附图中可以使用相同的附图标记来标识相同或相似的元件。

[0054] 如本文中所用，单数形式“一个”、“一种”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包括有”、“包含”、“包含有”、“具有(has)”和/或“具有(having)”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。

[0055] 尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。

[0056] 当元件或层被称为在另一元件或层“上”或“连接到”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上或直接连接到所述另一元件或层，或者可以存在居间的元件或层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”或“直接连接到”另一元件或层时，不存在居间的元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3不限于直角坐标系的诸如x轴、y轴和z轴的三个轴，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。

[0057] 在说明书中，表述“等于”可以表示“基本上等于”。即，这可以意指一定程度的均等性，本领域中技术人员可以理解该均等性。其它表述可以是其中省略了“基本上”的表述。还要注意的是，如本文中所用，术语“基本上”、“约”和其它类似术语用作近似术语，而不用作程度术语，并且因此，用于解释本领域中普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供的值的固有偏差。

[0058] 出于描述的目的，本文中可以使用诸如“下方”、“之下”、“下部”、“上方”、“上部”、“较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，并且用于描述如附图中所示的一个元件与另一(多个)元件的关系。除了附图中描述的定向之外，空间相对术语旨在还包括装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之定向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括上方和下方的定向两者。此外，装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或处于其它定向)，并且因而，本文中使用的空间相对描述语应被相应地解释。

[0059] 在整个说明书中，当元件被称为“连接”到另一元件时，该元件可以“直接连接”到另一元件，或者“电连接”到另一元件，并且一个或多个居间元件插置在它们之间。此外，当元件被称为与另一元件“接触”或“接触”另一元件等时，该元件可以与另一元件“电接触”或“物理接触”；或者与另一元件“间接接触”或“直接接触”。

[0060] 在说明书和权利要求书中，术语“和/或”旨在包括术语“和”以及“或”的任何组合，以用于其含义和解释的目的。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B、或A和B”。术语“和”以及“或”可以以结合或分开的意义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。

[0061] 如本领域中的惯例，在附图中根据功能块、单元和/或模块来描述和说明一些实施方式。本领域中的技术人员将理解，这些功能块、单元和/或模块由诸如逻辑电路、离散组件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、布线连接等的电子(或光学)电路物理地实现，所述电子(或光学)电路可以使用基于半导体的制造技术或其它制造技术来形成。在功能块、单元和/或模块由微处理器或其它类似硬件实现的情况下，可以使用软件(例如，微代码)对它们进行编程和控制，以执行本文中所讨论的各种功能，并且可以可选地由固件和/或软件来驱动。还可以设想，每个功能块、单元和/或模块可以由专用硬件来实现，或者实现为执行一些功能的专用硬件和执行其它功能的处理器(例如，一个或多个编程的微处理器和相关联的电路)的组合。此外，一些示例性实施方式的每个功能块、单元和/或模块可以被物理地分成两个或更多个交互和离散的功能块、单元和/或模块，而不背离本公开的范围。此外，一些示例性实施方式的功能块、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的功能块、单元和/或模块，而不背离本公开的范围。

[0062] 除非另外说明，否则所示实施方式将被理解为提供本公开的示例性特征。因此，除非另外说明，否则各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文中单独或统称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置，而不背离本公开。

[0063] 在附图中通常提供交叉影线和/或阴影的使用来澄清相邻元件之间的边界。因此，存在或不存在交叉影线或阴影都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求，除非有说明。此外，为了更好地理解和易于描述，附图中所示的每个组件的尺寸和厚度被任意地示出，但是本公开不限于此。为了清楚的表达，夸大了几个部分和区域的厚度。当实施方式可以不同地实现时，特定的工艺顺序可以与所述顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所述顺序相反的顺序执行。

[0064] 本文中参考作为实施方式和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种实施方式。因此，将预期到例如由于制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变型。因此，本文中公开的实施方式不是必然地解释为限于具体示出的区域的形状，而是将包括由例如制造导致的形状的偏差。以这种方式，在附图中所示的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，并且因此，不是必然地旨在进行限制。

[0065] 显示表面可以平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面。显示表面的法线方向，即显示装置的厚度方向，可以指示第三方向DR3。在本说明书中，“当从顶部、在第三方向DR3上、或在平面图中观察时”的表述可以表示当在第三方向DR3上观察时的情况。在下文中，层或单元中的每个的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)可以由第三方向DR3来区分。然而，由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向可以是相对概念，并且彼此相对转换，例如转换为相反的方向。

[0066] 除非本文中另外限定或暗示，否则使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中限定的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的含义来解释，除非在本说明书中清楚地限定。

[0067] 在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施方式。

[0068] 图1是示出根据本公开的实施方式的显示装置10的示意性平面图。图2是示出图1的像素PX的实施方式的示意性平面图。图3是示出图1的像素PX的另一实施方式的示意性平面图。

[0069] 参考图1，显示装置10可以是显示移动图像或静止图像的装置，并且可以不仅用作诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航系统、超移动PC(UMPC)等的便携式电子装置的显示屏，而且还用作诸如电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IOT)装置等各种产品的显示屏。

[0070] 显示面板100可以形成为矩形形状，其在平面图中在第一方向DR1上具有长边并且在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上具有短边。在第一方向DR1上的长边和第二方向DR2上的短边相交的位置处的拐角可以形成为圆化的并且具有曲率，或者形成为直角。在平面图中，显示面板100可以形成为多边形形状、圆形形状、椭圆形形状等。例如，在平面图中，显示面板100的形状可以是四边形。然而，显示面板100的形状不限于此。显示面板100可以形成为平坦的，但本公开不限于此。例如，显示面板100可以包括形成在端部(例如，左端部和/或右端部)处并且具有曲率(例如，恒定的曲率或变化的曲率)的曲化部分。显示面板100可以形成为柔性的，并且可以是可翘曲的、可曲化的、可弯曲的、可折叠的、可卷曲的等。

[0071] 显示面板100还可以包括用于显示图像的像素PX、在一方向(例如，第一方向DR1)上延伸的多个扫描线(未示出)、以及在另一方向(例如，第二方向DR2)上延伸的多个数据线(未示出)。像素PX可以在第一方向DR1和第二方向DR2上以矩阵形式布置。第一方向DR1和第二方向DR2可以是彼此正交的方向(例如，水平方向上的x轴和竖直方向上的y轴)，但是本公开不限于此。

[0072] 像素PX中的每个可以包括多个子像素SPX1、SPX2和SPX3，如图2和图3中所示。图2和图3示出了像素PX包括三个子像素SPX1、SPX2和SPX3，即第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。然而，本公开不限于此。

[0073] 第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个可以电连接到数据线中的至少一个，并且电连接到扫描线中的至少一个。

[0074] 在平面图中，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个可以具有矩形形状、正方形形状、菱形形状等。例如，如图2中所示，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个在平面图中可以具有矩形形状，其在第一方向DR1上具有短边，并且在第二方向DR2上具有长边。在另一实施方式中，如图3中所示，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个可以具有正方形形状或菱形形状，其包括在第一方向DR1和第二方向DR2上具有相同长度的边。

[0075] 如图2中所示，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可以在第一方向DR1上布置。在另一实施方式中，第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的一个以及第一子像素SPX1可以在第一方向DR1上布置，并且第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的另一个以及第一子像素SPX1可以在第二方向DR2上布置。例如，如图3中所示，第一子像素SPX1和第二子像素SPX2可以在第一方向DR1上布置，并且第一子像素SPX1和第三子像素SPX3可以在第二方向DR2上布置。

[0076] 在另一实施方式中，第一子像素SPX1和第三子像素SPX3中的一个以及第二子像素SPX2可以在第一方向DR1上布置，并且第一子像素SPX1和第三子像素SPX3中的另一个以及第二子像素SPX2可以在第二方向DR2上布置。在另一实施方式中，第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的一个以及第三子像素SPX3可以在第一方向DR1上布置，并且第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的另一个以及第三子像素SPX3可以在第二方向DR2上布置。

[0077] 第一子像素SPX1可以发射第一光，第二子像素SPX2可以发射第二光，并且第三子像素SPX3可以发射第三光。第一光可以是红色波长带中的光，第二光可以是绿色波长带中的光，并且第三光可以是蓝色波长带中的光。红色波长带可以是在约600nm(纳米)至约750nm的范围内的波长带，绿色波长带可以是在约480nm至约560nm的范围内的波长带，并且蓝色波长带可以是在约370nm至约460nm的范围内的波长带。然而，本公开不限于此。

[0078] 第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个可以包括无机发光元件，该无机发光元件具有无机半导体作为发射光的发光元件。例如，无机发光元件可以是倒装芯片式微型发光二极管(LED)(以下也称为微型LED)，但是本公开不限于此。

[0079] 如图2和图3中所示，第一子像素SPX1的面积、第二子像素SPX2的面积和第三子像素SPX3的面积可以基本上相同，但是本公开不限于此。第一子像素SPX1的面积、第二子像素SPX2的面积和第三子像素SPX3的面积中的至少一个以及第一子像素SPX1的面积、第二子像素SPX2的面积和第三子像素SPX3的面积中的另一个可以彼此不同。在另一实施方式中，第一子像素SPX1的面积、第二子像素SPX2的面积和第三子像素SPX3的面积中的至少两个可以基本上相同，并且第一子像素SPX1的面积、第二子像素SPX2的面积和第三子像素SPX3的面积中的另一个以及第一子像素SPX1的面积、第二子像素SPX2的面积和第三子像素SPX3的面积中的所述至少两个可以彼此不同。在另一实施方式中，第一子像素SPX1的面积、第二子像素SPX2的面积和第三子像素SPX3的面积可以彼此不同。

[0080] 图4是示出根据本公开的实施方式的沿着图3的线A‑A’截取的显示装置10的示意性剖视图。

[0081] 参考图4，薄膜晶体管层TFTL可以设置在衬底SUB上。薄膜晶体管层TFTL可以是其中形成有薄膜晶体管TFT的层。薄膜晶体管层TFTL可以包括至少一个晶体管(例如，薄膜晶体管TFT)。

[0082] 薄膜晶体管层TFTL可以包括有源层ACT、第一栅极层GTL1、第二栅极层GTL2、第一数据金属层DTL1和第二数据金属层DTL2。此外，薄膜晶体管层TFTL可以包括缓冲层BF、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、层间绝缘层140、第一平坦化层160、第一绝缘层161、第二平坦化层170、第二绝缘层171等。

[0083] 衬底SUB可以是支承显示装置10(参见例如图1)的基础衬底、基础构件等。衬底SUB可以是由玻璃等制成的刚性衬底。在另一实施方式中，衬底SUB可以是可翘曲、可曲化、可弯曲、可折叠、可卷曲等的柔性衬底。衬底SUB可以包括诸如聚合物树脂(包括聚酰亚胺(PI)等)的绝缘材料。

[0084] 缓冲层BF可以设置在衬底SUB的表面上。缓冲层BF可以是用于防止空气、湿气等渗入的层。缓冲层BF可以包括彼此交替堆叠的多个无机层。例如，缓冲层BF可以形成为包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的多层无机层。在实施方式中，可以省略缓冲层BF。

[0085] 有源层ACT可以设置在缓冲层BF上。有源层ACT可以包括诸如多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅等或其组合的硅半导体，或者包括氧化物半导体等。

[0086] 有源层ACT可以包括薄膜晶体管TFT的沟道TCH、第一电极TS和第二电极TD。薄膜晶体管TFT的沟道TCH可以是在作为衬底SUB的厚度方向的第三方向DR3上与薄膜晶体管TFT的栅电极TG重叠的区域。第三方向DR3可以与第一方向DR1和第二方向DR2相交。薄膜晶体管TFT的第一电极TS可以设置在沟道TCH的一侧处(或与其相邻)，并且薄膜晶体管TFT的第二电极TD可以设置在沟道TCH的另一侧处(或与其相邻)。薄膜晶体管TFT的第一电极TS和第二电极TD可以是在第三方向DR3上不与栅电极TG重叠的区域。薄膜晶体管TFT的第一电极TS和第二电极TD可以是具有导电性的区域，因为离子被掺杂到半导体(例如，硅半导体、氧化物半导体等)中。

[0087] 第一栅极绝缘层131可以设置在有源层ACT上。第一栅极绝缘层131可以由例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层等或其组合的无机层形成。

[0088] 第一栅极层GTL1可以设置在第一栅极绝缘层131上。第一栅极层GTL1可以包括薄膜晶体管TFT的栅电极TG以及第一电容器电极CAE1。第一栅极层GTL1可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的至少一种制成的单层或多层。

[0089] 第二栅极绝缘层132可以设置在第一栅极层GTL1上。第二栅极绝缘层132可以由例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层等或其组合的无机层形成。

[0090] 第二栅极层GTL2可以设置在第二栅极绝缘层132上。第二栅极层GTL2可以包括第二电容器电极CAE2。第二栅极层GTL2可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的至少一种制成的单层或多层。第一电容器电极CAE1和第二电容器电极CAE2可以构成电容器Cst。

[0091] 层间绝缘层140可以设置在第二栅极层GTL2上。层间绝缘层140可以由例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层等或其组合的无机层形成。

[0092] 第一数据金属层DTL1可以设置在层间绝缘层140上。第一数据金属层DTL1可以包括第一连接电极CE1。第一数据金属层DTL1可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的至少一种制成的单层或多层。

[0093] 第一连接电极CE1可以通过穿透层间绝缘层140、第二栅极绝缘层132和第一栅极绝缘层131的第一接触孔CT1连接(例如，电连接)到薄膜晶体管TFT的第一电极TS或第二电极TD。

[0094] 用于平坦化由于有源层ACT、第一栅极层GTL1、第二栅极层GTL2和第一数据金属层DTL1引起的台阶差的第一平坦化层160可以形成在第一数据金属层DTL1上。第一平坦化层160可以由包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等或其组合的有机层形成。

[0095] 第一绝缘层161可以设置在第一平坦化层160上。第一绝缘层161可以由例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层等或其组合的无机层形成。

[0096] 第二数据金属层DTL2可以形成在第一绝缘层161上。第二数据金属层DTL2可以包括第二连接电极CE2和第一电力线VSL。第二连接电极CE2可以通过穿透第一绝缘层161和第一平坦化层160的第二接触孔CT2连接到第一连接电极CE1。第二数据金属层DTL2可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)等及其合金中的至少一种制成的单层或多层。

[0097] 用于平坦化台阶差的第二平坦化层170可以形成在第二数据金属层DTL2上。第二平坦化层170可以由包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等或其组合的有机层形成。

[0098] 第二绝缘层171可以设置在第二平坦化层170上。第二绝缘层171可以由例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层等或其组合的无机层形成。

[0099] 发光元件层EML可以设置在薄膜晶体管层TFTL上。例如，发光元件层EML可以设置在第二绝缘层171上。发光元件层EML可以包括像素电极PXE、公共电极CE和发光元件LE。此外，发光元件层EML可以包括堤部190、堤部绝缘层191等。第三数据金属层DTL3可以包括像素电极PXE和公共电极CE。上述的第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个可以包括连接到像素电极PXE和公共电极CE的发光元件LE。像素电极PXE可以是发光元件LE的阳极电极和阴极电极中的一个。例如，像素电极PXE可以是阳极电极。公共电极CE可以是发光元件LE的阳极电极和阴极电极中的另一个。例如，公共电极CE可以是阴极电极。

[0100] 像素电极PXE和公共电极CE可以设置在第二绝缘层171上。像素电极PXE可以通过穿透第二绝缘层171和第二平坦化层170的第三接触孔CT3连接(例如，电连接)到第二连接电极CE2。因此，像素电极PXE可以通过第一连接电极CE1和第二连接电极CE2电连接到薄膜晶体管TFT的第一电极TS或第二电极TD。因此，可以将由薄膜晶体管TFT控制的像素电压或阳极电压施加到像素电极PXE。

[0101] 公共电极CE可以通过穿透第二绝缘层171和第二平坦化层170的第四接触孔CT4连接到第一电力线VSL。因此，可以将第一电力线VSL的第一电力电压施加到公共电极CE。

[0102] 像素电极PXE和公共电极CE可以包括具有高反射率的金属，诸如铝(Al)和钛(Ti)的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、Al和氧化铟锡(ITO)的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)等。APC合金可以是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。

[0103] 发光元件LE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。图4示出了发光元件LE是倒装芯片式微型LED，其中第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2设置成在第三方向DR3上面对像素电极PXE和公共电极CE。发光元件LE可以包括诸如氮化镓(GaN)等的无机材料。发光元件LE在第一方向DR1上的长度、发光元件LE在第二方向DR2上的长度和发光元件LE在第三方向DR3上的长度中的每个可以在几μm(微米)至几百μm(微米)的范围内。例如，发光元件LE在第一方向DR1上的长度、发光元件LE在第二方向DR2上的长度和发光元件LE在第三方向DR3上的长度中的每个可以小于或等于约100μm。

[0104] 发光元件LE可以生长并形成在诸如硅晶片等的半导体衬底上。发光元件LE可以从硅晶片直接转移到衬底SUB的像素电极PXE和公共电极CE上。在另一实施方式中，发光元件LE可以通过使用静电头的静电方法或使用具有弹性的聚合物材料(诸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)、硅树脂等)作为载体衬底的压印方法而移动(或转移)到衬底SUB的像素电极PXE和公共电极CE上。

[0105] 参考图4，发光元件LE中的每个可以是包括基础衬底SPUB、n型半导体NSEM、有源层MQW、p型半导体PSEM、第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2的发光结构。

[0106] 基础衬底SPUB可以是例如蓝宝石衬底，但本公开不限于此。

[0107] n型半导体NSEM可以设置在基础衬底SPUB的表面上。例如，n型半导体NSEM可以设置在基础衬底SPUB的底表面(例如，位于第三方向DR3的相反方向上的表面)上。n型半导体NSEM可以由例如掺杂有诸如硅(Si)、锗(Ge)、硒(Se)、碲(Te)、锡(Sn)等的n型导电掺杂剂的氮化镓(GaN)制成。

[0108] 有源层MQW可以设置在n型半导体NSEM的表面的一部分上。有源层MQW可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。在有源层MQW包括具有多量子阱结构的材料的情况下，有源层MQW可以具有其中多个阱层和多个势垒层彼此交替堆叠的结构。阱层可以由InGaN等形成，并且势垒层可以由GaN、AlGaN等形成。然而，本公开不限于此。在另一实施方式中，有源层MQW可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料彼此交替堆叠的结构，或者根据所发射的光的波长带包括III族至V族半导体材料。

[0109] p型半导体PSEM可以设置在有源层MQW的表面(例如，位于第三方向DR3的相反方向上的表面)上。p型半导体PSEM可以由例如掺杂有诸如镁(Mg)、锌(Zn)、钙(Ca)、钡(Ba)等的p型导电掺杂剂的氮化镓(GaN)制成。

[0110] 第一接触电极CTE1可以设置在p型半导体PSEM上(例如，在第三方向DR3的相反方向上)，并且第二接触电极CTE2可以设置在n型半导体NSEM的表面的另一部分上(例如，在第三方向DR3的相反方向上)。n型半导体NSEM的表面的其上设置有第二接触电极CTE2的另一部分可以与n型半导体NSEM的表面的其上设置有有源层MQW的所述一部分隔开。

[0111] 第一接触电极CTE1和像素电极PXE可以通过诸如各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏(ACP)等的导电粘合构件(未示出)彼此结合。在另一实施方式中，第一接触电极CTE1和像素电极PXE可以通过焊接工艺等彼此结合。

[0112] 覆盖像素电极PXE的边缘和公共电极CE的边缘的堤部190可以设置(例如，部分地设置)在第二绝缘层171上。堤部190可以由包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等或其组合的有机层形成。

[0113] 堤部绝缘层191可以设置在堤部190上。堤部绝缘层191可以覆盖像素电极PXE的边缘和公共电极CE的边缘。堤部绝缘层191可以由例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层等或其组合的无机层形成。

[0114] 图5是示出根据本公开的实施方式的包括多个显示装置11、12、13和14的拼接显示装置TLD的示意性平面图。

[0115] 参考图5，拼接显示装置TLD可以包括多个显示装置11、12、13和14、以及接合部分SM。例如，拼接显示装置TLD可以包括第一显示装置11、第二显示装置12、第三显示装置13和第四显示装置14。

[0116] 显示装置11、12、13和14可以以网格形式布置。显示装置11、12、13和14可以以M(M是正整数)行和N(N是正整数)列的矩阵形式布置。例如，第一显示装置11和第二显示装置12可以设置成在第一方向DR1上彼此相邻。第一显示装置11和第三显示装置13可以设置成在第二方向DR2上彼此相邻。第三显示装置13和第四显示装置14可以设置成在第一方向DR1上彼此相邻。第二显示装置12和第四显示装置14可以设置成在第二方向DR2上彼此相邻。

[0117] 然而，包括在拼接显示装置TLD中的显示装置11、12、13和14的数量和布置不限于图5中所示的数量和布置。包括在拼接显示装置TLD中的显示装置11、12、13和14的数量和布置可以根据显示装置11、12、13和14以及拼接显示装置TLD中的每个的尺寸、拼接显示装置TLD的形状等或其组合来不同地设定。

[0118] 图5示出了显示装置11、12、13和14具有相同的尺寸。然而，本公开不限于此。例如，在实施方式中，显示装置11、12、13和14中的至少一个可以具有与其它显示装置的尺寸不同的尺寸。

[0119] 在平面图中，显示装置11、12、13和14中的每个可以具有包括长边和短边的矩形形状。显示装置11、12、13和14可以布置成使得长边或短边彼此连接。显示装置11、12、13和14中的一些或全部可以设置在拼接显示装置TLD的边缘处，并且形成拼接显示装置TLD的一侧。显示装置11、12、13和14中的至少一个可以设置在拼接显示装置TLD的拐角处，并且形成拼接显示装置TLD的两个相邻侧。显示装置11、12、13和14中的至少一个可以被显示装置11、12、13和14中的另一个围绕。

[0120] 显示装置11、12、13和14中的每个可以基本上与结合图1至图4描述的显示装置10(参见例如图1)相同。因此，将省略对显示装置11、12、13和14中的每个的描述。

[0121] 接合部分SM可以包括联接构件、粘合构件等或其组合。显示装置11、12、13和14可以通过接合部分SM的联接构件或粘合构件彼此连接。接合部分SM可以设置在第一显示装置11和第二显示装置12之间、第一显示装置11和第三显示装置13之间、第二显示装置12和第四显示装置14之间、以及第三显示装置13和第四显示装置14之间。

[0122] 图6是示出图5的区域AR1的示意性放大平面图。

[0123] 参考图6，在平面图中，接合部分SM在拼接显示装置TLD的中心区域中可以具有十字瞄准线、十字形或加号的形状，在拼接显示装置TLD的中心区域中，第一显示装置11、第二显示装置12、第三显示装置13和第四显示装置14设置成彼此相邻。

[0124] 第一显示装置11可以包括在第一方向DR1和第二方向DR2上以矩阵形式布置的第一像素PX1，并显示图像。第二显示装置12可以包括在第一方向DR1和第二方向DR2上以矩阵形式布置的第二像素PX2，并显示图像。第三显示装置13可以包括在第一方向DR1和第二方向DR2上以矩阵形式布置的第三像素PX3，并显示图像。第四显示装置14可以包括在第一方向DR1和第二方向DR2上以矩阵形式布置的第四像素PX4，并显示图像。

[0125] 设置成在第一方向DR1上彼此相邻的第一像素PX1之间的最小距离可以是第一水平间隔距离GH1，并且设置成在第一方向DR1上彼此相邻的第二像素PX2之间的最小距离可以是第二水平间隔距离GH2。第一水平间隔距离GH1和第二水平间隔距离GH2可以基本上相同。

[0126] 接合部分SM可以设置于在第一方向DR1上彼此相邻地设置的第一像素PX1和第二像素PX2之间。设置成在第一方向DR1上彼此相邻的第一像素PX1和第二像素PX2之间的最小距离G12可以是第一像素PX1和接合部分SM之间在第一方向DR1上的最小距离GHS1、第二像素PX2和接合部分SM之间在第一方向DR1上的最小距离GHS2以及接合部分SM在第一方向DR1上的宽度GSM1之和。

[0127] 设置成在第一方向DR1上彼此相邻的第一像素PX1和第二像素PX2之间的最小距离G12、第一水平间隔距离GH1和第二水平间隔距离GH2可以基本上相同。为此，第一像素PX1和接合部分SM之间在第一方向DR1上的最小距离GHS1可以小于第一水平间隔距离GH1，并且第二像素PX2和接合部分SM之间在第一方向DR1上的最小距离GHS2可以小于第二水平间隔距离GH2。接合部分SM在第一方向DR1上的宽度GSM1可以小于第一水平间隔距离GH1或第二水平间隔距离GH2。

[0128] 设置成在第一方向DR1上彼此相邻的第三像素PX3之间的最小距离可以是第三水平间隔距离GH3，并且设置成在第一方向DR1上彼此相邻的第四像素PX4之间的最小距离可以是第四水平间隔距离GH4。第三水平间隔距离GH3和第四水平间隔距离GH4可以基本上相同。

[0129] 接合部分SM可以设置于在第一方向DR1上彼此相邻地设置的第三像素PX3和第四像素PX4之间。设置成在第一方向DR1上彼此相邻的第三像素PX3和第四像素PX4之间的最小距离G34可以是第三像素PX3和接合部分SM之间在第一方向DR1上的最小距离GHS3、第四像素PX4和接合部分SM之间在第一方向DR1上的最小距离GHS4以及接合部分SM在第一方向DR1上的宽度GSM1之和。

[0130] 设置成在第一方向DR1上彼此相邻的第三像素PX3和第四像素PX4之间的最小距离G34、第三水平间隔距离GH3和第四水平间隔距离GH4可以基本上相同。为此，第三像素PX3和接合部分SM之间在第一方向DR1上的最小距离GHS3可以小于第三水平间隔距离GH3，并且第四像素PX4和接合部分SM之间在第一方向DR1上的最小距离GHS4可以小于第四水平间隔距离GH4。接合部分SM在第一方向DR1上的宽度GSM1可以小于第三水平间隔距离GH3或第四水平间隔距离GH4。

[0131] 设置成在第二方向DR2上彼此相邻的第一像素PX1之间的最小距离可以是第一竖直间隔距离GV1，并且设置成在第二方向DR2上彼此相邻的第三像素PX3之间的最小距离可以是第三竖直间隔距离GV3。第一竖直间隔距离GV1和第三竖直间隔距离GV3可以基本上相同。

[0132] 接合部分SM可以设置于在第二方向DR2上彼此相邻设置的第一像素PX1和第三像素PX3之间。设置成在第二方向DR2上彼此相邻的第一像素PX1和第三像素PX3之间的最小距离G13可以是第一像素PX1和接合部分SM之间在第二方向DR2上的最小距离GVS1、第三像素PX3和接合部分SM之间在第二方向DR2上的最小距离GVS3以及接合部分SM在第二方向DR2上的宽度GSM2之和。

[0133] 设置成在第二方向DR2上彼此相邻的第一像素PX1和第三像素PX3之间的最小距离G13、第一竖直间隔距离GV1和第三竖直间隔距离GV3可以基本上相同。为此，第一像素PX1和接合部分SM之间在第二方向DR2上的最小距离GVS1可以小于第一竖直间隔距离GV1，并且第三像素PX3和接合部分SM之间在第二方向DR2上的最小距离GVS3可以小于第三竖直间隔距离GV3。接合部分SM在第二方向DR2上的宽度GSM2可以小于第一竖直间隔距离GV1或第三竖直间隔距离GV3。

[0134] 设置成在第二方向DR2上彼此相邻的第二像素PX2之间的最小距离可以是第二竖直间隔距离GV2，并且设置成在第二方向DR2上彼此相邻的第四像素PX4之间的最小距离可以是第四竖直间隔距离GV4。第二竖直间隔距离GV2和第四竖直间隔距离GV4可以基本上相同。

[0135] 接合部分SM可以设置于在第二方向DR2上彼此相邻设置的第二像素PX2和第四像素PX4之间。设置成在第二方向DR2上彼此相邻的第二像素PX2和第四像素PX4之间的最小距离G24可以是第二像素PX2和接合部分SM之间在第二方向DR2上的最小距离GVS2、第四像素PX4和接合部分SM之间在第二方向DR2上的最小距离GVS4以及接合部分SM在第二方向DR2上的宽度GSM2之和。

[0136] 设置成在第二方向DR2上彼此相邻的第二像素PX2和第四像素PX4之间的最小距离G24、第二竖直间隔距离GV2和第四竖直间隔距离GV4可以基本上相同。为此，第二像素PX2和接合部分SM之间在第二方向DR2上的最小距离GVS2可以小于第二竖直间隔距离GV2，并且第四像素PX4和接合部分SM之间在第二方向DR2上的最小距离GVS4可以小于第四竖直间隔距离GV4。接合部分SM在第二方向DR2上的宽度GSM2可以小于第二竖直间隔距离GV2或第四竖直间隔距离GV4。

[0137] 如图6中所示，为了防止在由显示装置11、12、13和14显示的图像之间观察到接合部分SM，显示装置11、12、13和14中的相邻显示装置的像素之间的最小距离和显示装置11、12、13和14中的每个的像素之间的最小距离可以基本上相同。

[0138] 图7是示出根据本公开的实施方式的沿着图6的线B‑B’截取的拼接显示装置TLD的示意性剖视图。

[0139] 参考图7，第一显示装置11(参见例如图6)可以包括第一显示面板101和第一前盖(或第一顶盖)COV1。第二显示装置12(参见例如图6)可以包括第二显示面板102和第二前盖(或第二顶盖)COV2。

[0140] 第一显示面板101和第二显示面板102中的每个可以包括衬底SUB、薄膜晶体管层TFTL和发光元件层EML。已经结合图4详细描述了薄膜晶体管层TFTL和发光元件层EML。在图7中，将省略与图4中的描述重叠的描述。

[0141] 衬底SUB可以包括其上设置有薄膜晶体管层TFTL的第一表面41、在第三方向DR3上面对第一表面41的第二表面42、以及设置在第一表面41和第二表面42之间的第一侧表面43。第一表面41可以是衬底SUB的前表面(或顶表面)，并且第二表面42可以是衬底SUB的后表面(或底表面)。

[0142] 此外，衬底SUB还可以包括设置在第一表面41和第一侧表面43之间以及第二表面42和第一侧表面43之间的斜切表面44。薄膜晶体管层TFTL和发光元件层EML可以不设置在斜切表面44上。由于斜切表面44，所以可以防止第一显示装置11的衬底SUB和第二显示装置
12的衬底SUB彼此碰撞并被损坏。

[0143] 斜切表面44可以设置在除第一侧表面43之外的其它侧表面(例如，第二侧表面、第三侧表面和第四侧表面)和第一表面41之间，并且设置在除第一侧表面43之外的其它侧表面和第二表面42之间。例如，如图5中所示，在第一显示装置11和第二显示装置12在平面图中具有矩形形状的情况下，斜切表面44可以设置在第一表面41与第二侧表面、第三侧表面和第四侧表面中的每个之间以及第二表面42与第二侧表面、第三侧表面和第四侧表面中的每个之间。

[0144] 第一前盖COV1可以设置在衬底SUB的斜切表面44上。例如，第一前盖COV1可以在第一方向DR1和第二方向DR2上在衬底SUB之上突出。因此，第一显示装置11的衬底SUB与第二显示装置12的衬底SUB之间在第一方向DR1和第二方向DR2上的距离GSUB可以大于第一前盖COV1和第二前盖COV2之间在第一方向DR1和第二方向DR2上的距离GCOV。

[0145] 第一前盖COV1和第二前盖COV2中的每个可以包括粘合构件51、设置在粘合构件51上的透光率调节层52、以及设置在透光率调节层52上的防眩光层53。

[0146] 下面的描述将集中于第一前盖COV1的组件，但是对相应组件的描述也可以应用于第二前盖COV2的粘合构件51、透光率调节层52和防眩光层53。

[0147] 粘合构件51可以将第一前盖COV1附接到第一显示面板101的发光元件层EML。粘合构件51可以是使光透射通过的透明粘合构件。例如，粘合构件51可以是光学透明粘合膜、光学透明树脂等。

[0148] 透光率调节层52可以降低从外部入射的外部光的透光率，或者降低当透射通过透光率调节层52的外部光从第一显示面板101和第二显示面板102反射并重新入射时获得的反射光的透光率。由于第一前盖COV1包括透光率调节层52，所以第一前盖COV1可以防止接合部分SM(参见例如图6)被从外部观察到。因此，可以实施无缝拼接显示装置TLD(参见例如图5)。

[0149] 防眩光层53可以防止通过显示装置10(参见例如图1)中的金属线等的反射光被从外部观察到。例如，显示装置10可以包括薄膜晶体管层TFTL的金属线或薄膜晶体管层TFTL上的金属电极(例如，像素电极PXE)。由于从外部入射的外部光可以被金属线等反射，因此可能从外部观察到反射光。过量的反射光可能降低图像的可见度，因此防眩光层53可以设计成漫反射外部光和/或反射光并防止图像的可见度劣化。由于第一前盖COV1包括防眩光层53，因此可以提高显示装置10(参见例如图1)显示的图像的对比度。

[0150] 透光率调节层52可以是例如相位延迟层。防眩光层53可以是例如偏振板。然而，本公开不限于此。

[0151] 沿着图6的线C‑C’、线D‑D’和线E‑E’截取的拼接显示装置TLD(参见例如图5)的实施方式可以与结合图7描述的沿着线B‑B’截取的拼接显示装置的实施方式类似或基本上相同。

[0152] 图8是示出图5的区域AR2的示意性放大平面图。

[0153] 在图8中，示出了第一像素PX1和设置在第一显示装置11的上侧处的焊盘PAD。

[0154] 参考图8，至少一个焊盘PAD可以设置在第一显示装置11的上边缘处(或与其相邻)。在第一显示装置11的数据线(未示出)在第二方向DR2上延伸的情况下，焊盘PAD可以设置在第一显示装置11的上边缘和/或下边缘处(或与其相邻)。在另一实施方式中，在第一显示装置11的数据线在第一方向DR1上延伸的情况下，焊盘PAD可以设置在第一显示装置11的左边缘和/或右边缘处(或与其相邻)。

[0155] 焊盘PAD可以电连接到数据线。此外，焊盘PAD可以电连接到侧线(未示出)。

[0156] 侧线可以设置在衬底SUB(参见例如图7)的侧表面上。侧线可以从衬底SUB的侧表面延伸到衬底SUB的底表面(或后表面)。侧线可以连接到衬底SUB的底表面上的连接线(未示出)。将参考图9更详细地描述侧线和连接线。

[0157] 图9是示出根据本公开的实施方式的沿着图8的线F‑F’截取的拼接显示装置TLD的示意性剖视图。

[0158] 在图9中，如虚线框X中所示，与图4中所示的剖视图中所示的组件相同的组件用相同的附图标记表示。将省略与图4中所示的部分重叠的部分的描述。

[0159] 参考图9，焊盘PAD可以设置在第一绝缘层161上。焊盘PAD可以不被堤部绝缘层191覆盖，而是可以被暴露。焊盘PAD和像素电极PXE以及公共电极CE可以包括相同的材料。例如，焊盘PAD可以包括Al和Ti的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)等。焊盘PAD可以包括具有高反射率的金属。

[0160] 第一数据金属层DTL1可以包括数据线DL。数据线DL可以设置在层间绝缘层140上。例如，数据线DL和第一连接电极CE1可以设置在相同的层中，并且包括相同的材料。

[0161] 焊盘PAD可以通过穿透第一绝缘层161的第五接触孔CT5电连接到数据线DL。在实施方式中，链接线(未示出)可以进一步位于焊盘PAD和数据线DL之间。焊盘PAD和数据线DL可以不直接彼此连接，而是可以通过链接线彼此电连接。

[0162] 连接线CCL可以设置在衬底SUB的底表面(或后表面)上。连接线CCL可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的至少一种制成的单层或多层。

[0163] 底部平坦化层(或后平坦化层)BVIA可以设置在连接线CCL的一部分上并覆盖连接线CCL的所述一部分。底部平坦化层BVIA可以由包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等或其组合的有机层形成。

[0164] 底部绝缘层(或后绝缘层)BPVX可以设置在底部平坦化层BVIA的底表面(或后表面)上(例如，同时覆盖底部平坦化层BVIA)。底部绝缘层BPVX可以包括无机层。例如，该无机层可以形成为氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层等或其组合。

[0165] 侧线SCL可以设置在衬底SUB的底表面上，并且从衬底SUB的底表面延伸到侧表面和顶表面(或前表面)。

[0166] 侧线SCL的一端可以电连接到连接线CCL。例如，侧线SCL的一端可以连接到连接线CCL的侧表面和底表面。侧线SCL的另一端可以电连接到焊盘PAD。例如，侧线SCL的另一端可以通过穿透堤部绝缘层191和第二绝缘层171的第六接触孔CT6连接到焊盘PAD。

[0167] 侧线SCL可以设置在衬底SUB的侧表面、缓冲层BF的侧表面、第一栅极绝缘层131的侧表面、第二栅极绝缘层132的侧表面、层间绝缘层140的侧表面、第一绝缘层161的侧表面、第二绝缘层171的侧表面和堤部绝缘层191的侧表面上。

[0168] 柔性膜FPCB可以设置在底部绝缘层BPVX之下(即，朝向衬底SUB的底表面)。柔性膜FPCB可以通过导电粘合构件CAM电连接到连接线CCL。

[0169] 柔性膜FPCB可以通过第七接触孔CT7连接到连接线CCL。

[0170] 第七接触孔CT7可以是穿透底部平坦化层BVIA和底部绝缘层BPVX的孔，并且可以是形成在其中底部平坦化层BVIA和底部绝缘层BPVX被去除的区域中的孔。

[0171] 用于向数据线DL供应数据电压的数据驱动电路(未示出)可以安装在柔性膜FPCB的表面上。数据驱动电路可以是例如源驱动器集成电路(SDIC)。

[0172] 电连接柔性膜FPCB和连接线CCL的导电粘合构件CAM可以是例如各向异性导电膜(ACF)或各向异性导电膏(ACP)，但本公开不限于此。

[0173] 参考图9，柔性膜FPCB可以设置在衬底SUB的底表面(或后表面)上，并且可以通过连接线CCL、侧线SCL等连接到焊盘PAD。因此，像素PX甚至可以设置在显示面板100(参见例如图1)的边缘区域中，并且可以增加其中显示图像的显示区域的比率。

[0174] 图10是示出根据本公开的实施方式的拼接显示装置TLD的示意性框图。

[0175] 参考图10，根据本公开的实施方式的拼接显示装置TLD可以包括主机系统HOST以及多个显示装置11、12、13和14。

[0176] 在图10中，为了便于描述，示出了主机系统HOST控制第一显示装置11。然而，本公开不限于此，并且主机系统HOST可以控制显示装置11、12、13和14。

[0177] 主机系统HOST可以是例如机顶盒、应用处理器(AP)等或其组合。

[0178] 用户的命令可以以各种形式输入到主机系统HOST。例如，通过用户的触摸输入的命令可以被输入到主机系统HOST。在另一实施方式中，来自外部输入装置的用户命令(例如，键盘输入、遥控器的按钮输入等)可以被输入到主机系统HOST。

[0179] 主机系统HOST可以接收与从外部输入的原始图像对应的原始视频数据。主机系统HOST可以将原始视频数据划分为视频数据，该视频数据的数量对应于显示装置11、12、13和14的数量。例如，主机系统HOST可以将与第一显示装置11、第二显示装置12、第三显示装置
13和第四显示装置14对应的原始视频数据划分为对应于第一图像的第一视频数据、对应于第二图像的第二视频数据、对应于第三图像的第三视频数据和对应于第四图像的第四视频数据。主机系统HOST可以将第一视频数据发送到第一显示装置11，将第二视频数据发送到第二显示装置12，将第三视频数据发送到第三显示装置13，并且将第四视频数据发送到第四显示装置14。

[0180] 第一显示装置11可以根据第一视频数据显示第一图像，第二显示装置12可以根据第二视频数据显示第二图像，第三显示装置13可以根据第三视频数据显示第三图像，并且第四显示装置14可以根据第四视频数据显示第四图像。因此，用户可以观看通过组合在第一显示装置11、第二显示装置12、第三显示装置13和第四显示装置14中显示的第一图像至第四图像而获得的原始图像。

[0181] 参考图10，第一显示装置11可以包括广播调谐器210、信号处理器220、显示部分(或显示单元)230、扬声器240、用户输入部分(或用户输入单元)250、硬盘驱动器(HDD)260、网络通信部分(或网络通信单元)270、用户接口(UI)生成器280、以及控制器290。

[0182] 广播调谐器210可以通过在控制器290的控制下调谐信道频率(例如，预定的或可选择的信道频率)而经由天线接收相应信道的广播信号。广播调谐器210可以包括信道检测模块、射频(RF)解调模块等或其组合。

[0183] 由广播调谐器210解调的广播信号可以由信号处理器220处理并输出到显示部分230和扬声器240。信号处理器220可以包括解复用器221、视频解码器222、视频处理器223、音频解码器224和附加数据处理器225。

[0184] 解复用器221可以将解调的广播信号分离成视频信号、音频信号和附加数据。分离的视频信号、音频信号和附加数据可以分别由视频解码器222、音频解码器224和附加数据处理器225恢复。在发送广播信号的情况下，视频解码器222、音频解码器224和附加数据处理器225可以以与编码格式对应的解码格式恢复视频信号、音频信号和附加数据。

[0185] 解码的视频信号可以由视频处理器223转换，并且适配适合于显示部分230的输出标准的竖直频率、分辨率、图像速率等或其组合，并且解码的音频信号可以被输出到扬声器240。

[0186] 显示部分230可以包括用于显示图像的显示面板100(参见例如图1)和用于控制显示面板100的驱动的面板驱动器。

[0187] 用户输入部分250可以接收从主机系统HOST发送的信号。用户输入部分250不仅可以输入关于从主机系统HOST发送的信道的选择和UI菜单的选择和操作的数据，而且可以输入关于用户选择和输入用于与另一显示装置通信的命令的数据。

[0188] HDD 260可以存储包括操作系统(OS)程序的各种软件程序、记录的广播程序、移动图像、图片、其它数据等或其组合，并且可以是诸如硬盘、非易失性存储器等或其组合的存储介质。HDD 260可以是存储部分(或存储单元)。

[0189] 网络通信部分270可以执行与主机系统HOST和另一显示装置的近场通信，并且可以是包括实现移动通信、数据通信、蓝牙、RF、以太网等或其组合的天线图案的通信模块。网络通信单元270可以通过将描述的天线图案在根据用于移动通信的技术标准或通信方案(例如，全球移动通信系统(GSM)、码分多址(CDMA)、码分多址2000(CDMA2000)、增强型语音数据优化或仅增强型语音数据(EV‑DO)、宽带CDMA(WCDMA)、高速下行链路分组接入(HSDPA)、高速上行链路分组接入(HSUPA)、长期演进(LTE)、高级长期演进(LTE‑A)、5G等)构建的移动通信网络上与基站、外部终端和服务器中的至少一个传送和/或接收无线信号。

[0190] 网络通信单元270可以通过下面将描述的天线图案在根据无线因特网技术的通信网络中发送或接收无线信号。无线因特网技术可以包括例如无线局域网(无线LAN、WLAN)、无线保真(Wi‑Fi)、Wi‑Fi直连、数字生活网络联盟(DLNA)、无线宽带(WiBro)、全球微波接入互操作性(WiMAX)、高速下行链路分组接入(HSDPA)、高速上行链路分组接入(HSUPA)、长期演进(LTE)、高级长期演进(LTE‑A)等或其组合。天线图案可以根据包括上面未列出的因特网技术的范围内的至少一种无线因特网技术来发送或接收数据。

[0191] UI生成器280可以生成用于与主机系统HOST和另一显示装置通信的UI菜单，并且可以通过算法代码、屏幕上显示集成电路(OSD IC)等或其组合来实现。用于与主机系统HOST和另一显示装置通信的UI菜单可以是用于指定对方数字电视(TV)(例如，期望的对方数字TV)和选择功能(例如，期望的功能)的菜单。

[0192] 控制器290可以负责第一显示装置11的总体控制，并且负责主机系统HOST和第二显示装置12、第三显示装置13和第四显示装置14的通信控制。控制器290可以由其中存储和执行用于控制的相应算法代码的微控制单元(MCU)来实现。

[0193] 控制器290可以根据用户输入部分250的输入和选择来控制要通过网络通信部分270发送到主机系统HOST以及第二显示装置12、第三显示装置13和第四显示装置14的相应控制命令和相应数据。在从主机系统HOST以及第二显示装置12、第三显示装置13和第四显示装置14输入控制命令(例如，预定的或可选择的控制命令)和数据(例如，预定的或可选择的数据)的情况下，可以根据相应的控制命令执行操作。

[0194] 第二显示装置12的框图、第三显示装置13的框图和第四显示装置14的框图以及结合图10描述的第一显示装置11的框图可以基本上彼此相同，并且将省略对第二显示装置12、第三显示装置13和第四显示装置14的框图的描述。

[0195] 图11是示出发光元件LE的转移工艺的示意图。

[0196] 参考图11，示出了薄膜晶体管衬底1110和转移到薄膜晶体管衬底1110的转移衬底1120。

[0197] 参考图11，薄膜晶体管衬底1110可以包括衬底SUB、形成在衬底SUB上的薄膜晶体管层TFTL、以及形成在薄膜晶体管层TFTL上的公共电极CE和像素电极PXE。

[0198] 转移衬底1120可以包括多个发光元件LE和将发光元件LE移置到薄膜晶体管衬底1110的载体衬底CAF。将发光元件LE移置到薄膜晶体管衬底1110的工艺被称为转移工艺。

[0199] 为了在一个转移工艺中将多个发光元件LE转移到薄膜晶体管衬底1110上，转移衬底1120还可以包括载体衬底CAF，发光元件LE附接到载体衬底CAF并可以与其分离。在实施方式中，载体衬底CAF可以是包括具有弹性的上述聚合物材料(诸如PDMS、硅树脂等)的载体衬底(或载体膜)，但本公开不限于此。

[0200] 载体衬底CAF可以附接到发光元件LE的基础衬底SPUB。载体衬底CAF可以从基础衬底SPUB分离，并且在完成转移工艺之后被去除。

[0201] 发光元件LE可以是无机发光元件。发光元件LE可以是微型发光二极管(LED)等。发光元件LE可以通过载体衬底CAF在一个转移工艺中被转移。

[0202] 为了实现发光元件LE与公共电极CE和像素电极PXE之间的电连接，可以在转移工艺之后执行结合工艺。通过结合工艺，可以减小发光元件LE和公共电极CE之间的电阻，或者可以减小发光元件LE和像素电极PXE之间的电阻。

[0203] 参考图11，薄膜晶体管衬底1110还可以包括设置在像素电极PXE和公共电极CE上的导电材料COND。

[0204] 导电材料COND可以是用于增加像素电极PXE和公共电极CE与发光元件LE之间的粘附的组件。导电材料COND可以是用于减小像素电极PXE和公共电极CE与发光元件LE之间的电阻的组件。然而，在实施方式中，导电材料COND可以根据结合方法而被省略。

[0205] 导电材料COND可以是例如各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏(ACP)等或其组合。导电材料COND可以包括例如具有导电性的金属导电球(未示出)等。导电材料COND可以施加压力、热量等，并具有导电性。然而，导电材料COND并不限于此。

[0206] 参考图11，示出了导电材料COND设置在像素电极PXE和公共电极CE两者上。然而，本公开不限于此，并且导电材料COND可以仅设置在像素电极PXE上或者仅设置在公共电极CE上。在实施方式中，设置在像素电极PXE和公共电极CE上的导电材料COND的厚度可以彼此不同。

[0207] 通过上述的转移工艺和结合工艺，可以将多个发光元件LE转移到薄膜晶体管衬底1110上。

[0208] 图12是示出发光元件LE被转移到其上的背板衬底1200的示意图。

[0209] 参考图12，背板衬底1200可以包括薄膜晶体管衬底1110和转移衬底1120。

[0210] 图12的背板衬底1200可以处于附接到载体衬底CAF的多个发光元件LE(参见例如图11)被转移到薄膜晶体管衬底1110上的状态。

[0211] 背板衬底1200还可以包括母衬底(未示出)。在执行转移工艺和结合工艺之后，可以将母衬底与衬底SUB(例如，衬底SUB的底表面)分离并去除。母衬底可以是例如包括玻璃等的刚性衬底，或者是例如包括塑料等的柔性衬底。

[0212] 背板衬底1200可以包括例如用于形成显示装置10(参见例如图1)的衬底SUB。

[0213] 背板衬底1200可以包括例如其上形成有两个或更多个显示装置10(参见例如图1)的衬底SUB。在背板衬底1200上的转移工艺和结合工艺完成之后，可以执行切割衬底SUB的划线工艺。两个或更多个显示装置10可以由划线工艺单独划分。可以在衬底SUB上物理地标记沿着其切割衬底SUB的划线，但是本公开不限于此。发光元件LE(参见例如图11)可以不被转移到沿着其切割衬底SUB的划线。此外，发光元件LE可以不结合到划线。

[0214] 背板衬底1200可以包括例如用于形成构成拼接显示装置TLD(参见例如图5)的多个显示装置11、12、13和14(参见例如图5)的衬底SUB。其中多个焊盘PAD(参见例如图9)设置在衬底SUB上的区域或者其中设置有侧线SCL(参见例如图9)的区域可以是其中发光元件LE不被转移的区域或者其中发光元件LE不被结合的区域。

[0215] 图13是示出根据本公开的实施方式的结合装置1300的示意图。

[0216] 参考图13，根据本公开的实施方式的结合装置1300可以包括腔室1310、台1320、加压源1330、加压构件1340、热源1350等。

[0217] 腔室1310可以提供在其中执行结合工艺的空间。腔室1310可以包括开口OPN。背板衬底1200可以通过开口OPN承载。开口OPN可以打开或关闭。所承载的背板衬底1200可以位于设置在腔室1310中的台1320上。腔室1310可以包括窗WD。窗WD可以具有透光率。从热源1350发射的光、热量或能量通过窗WD可以照射到背板衬底1200上。通过照射到背板衬底
1200上的光，可以将热量施加到背板衬底1200。因此，可以提供结合工艺所需的热量。

[0218] 背板衬底1200可以安装在台1320上。背板衬底1200可以通过开口OPN承载并安装在台1320上。台1320可以具有平板形状，但本公开不限于此。

[0219] 加压源1330可以向加压构件1340施加压力。在实施方式中，加压源1330可以将气体(例如，空气)注入到腔室1310中，并且加压构件1340可以因注入到腔室1310中的气体而膨胀。

[0220] 由加压源1330注入的气体可以包括例如具有低反应性的惰性气体，但本公开不限于此。当加压源1330将气体注入到腔室1310中时，被加压构件1340围绕的腔室1310中的空气压力可以变得高于大气压力。在实施方式中，注入到腔室1310中的气体可以通过设置在腔室1310中的排气孔(未示出)排出。在实施方式中，窗WD的至少一部分可以打开，使得注入到腔室1310中的空气被排出。加压源1330可以包括阀VAL。当阀VAL打开或关闭时，气体可以被注入到腔室1310中，或者可以不被注入到腔室1310中。

[0221] 加压构件1340可以向设置在台1320上的背板衬底1200(例如，台1320和设置在台1320上的背板衬底1200)施加压力。加压构件1340可以由具有弹性的材料形成。例如，加压构件1340可以包括具有柔性的塑料材料(例如，聚酰亚胺)、橡胶材料等，但本公开不限于此。加压构件1340可以因由加压源1330注入的气体而膨胀。加压构件1340可以接触背板衬底1200的顶表面(或前表面)S1。背板衬底1200的顶表面S1可以通过加压构件1340被施加有压力，并且压力可以施加到设置在背板衬底1200的顶表面S1上的发光元件LE(参见例如图
11)。因此，可以在结合工艺中将压力施加到发光元件LE。加压构件1340可以具有透光率(例如，针对从热源1350照射的波长带中的光的透光率)。因此，从热源1350照射的光的至少一部分可以在穿过加压构件1340的同时被提供到背板衬底1200。

[0222] 热源1350可以照射光。从热源1350照射的光可以通过腔室1310的窗WD入射到腔室1310中。从热源1350照射的光可以入射到背板衬底1200的顶表面S1上，并且热量可以在结合工艺中施加到发光元件LE(参见例如图11)。热源1350可以照射波长带比可见光的波长带高的红外光，但是本公开不限于此。

[0223] 图14是示出其中图13的结合装置1300对背板衬底1200加压的状态的示意图。

[0224] 图14示出了当加压源1330的阀VAL打开时空气AIR被注入到腔室1310中。膨胀的加压构件1340可以向背板衬底1200的顶表面S1施加压力。热源1350可以向背板衬底1200的顶表面S1提供热量。

[0225] 膨胀的加压构件1340可以向背板衬底1200的顶表面S1提供压力(例如，均匀的压力)。例如，可以向设置在背板衬底1200的顶表面S1上的多个发光元件LE(参见例如图11)提供均匀的压力。然而，由于发光元件LE的尺寸非常小，因此可能难以精确地识别施加到背板衬底1200的顶表面S1的压力。因此，需要解决此问题的计划。

[0226] 图15是示出根据本公开的实施方式的其中压力检测片1510设置在图13的结合装置1300中的状态的示意图。图16是示出其中图15的结合装置1300对压力检测片1510和背板衬底1200加压的状态的示意图。

[0227] 比较图15和图13，压力检测片1510可以设置在背板衬底1200上。

[0228] 压力检测片1510可以包括彩色胶囊舱(未示出)和显色剂(未示出)。彩色胶囊舱可以包括彩色成分。在施加压力的情况下，彩色胶囊舱可能破裂。在显色剂与彩色成分混合的情况下，显色剂可以呈现出彩色。

[0229] 压力检测片1510的面积(例如，压力检测片1510的底表面的面积)可以等于(例如，基本上等于)背板衬底1200的面积(例如，背板衬底1200的顶表面的面积)，但是本公开不限于此。

[0230] 压力检测片1510可以设置在载体衬底CAF上(参见例如图11)。例如，在从载体衬底CAF转移多个发光元件LE(参见例如图11)的情况下，压力检测片1510可以设置在载体衬底CAF上。在实施方式中，压力检测片1510可以在其中载体衬底CAF被移除的状态下设置(例如，直接设置)在发光元件LE上。在实施方式中，用于保护发光元件LE的保护膜(未示出)可以插置在发光元件LE和压力检测片1510之间。

[0231] 在实施方式中，在发光元件LE(参见例如图11)被转移(例如，直接转移)到薄膜晶体管衬底1110上而不使用载体衬底的情况下，压力检测片1510可以设置(例如，直接设置)在发光元件LE上。在实施方式中，用于保护发光元件LE的保护膜(未示出)可以插置在发光元件LE和压力检测片1510之间。

[0232] 将图16与图14相比较，压力检测片1510可以插置在背板衬底1200和加压构件1340之间。加压构件1340可以按压压力检测片1510的顶表面(或前表面)。

[0233] 由于结合装置1300的公差，由加压构件1340施加到背板衬底1200的区域上的压力可以彼此不同。例如，可以对背板衬底1200的一区域施加较高的压力，但是可以对背板衬底1200的另一区域施加较低的压力。由于两个区域之间的压力差，压力检测片1510的较多数量的彩色胶囊舱可能在施加有较高压力的区域中破裂，而压力检测片1510的较少数量的彩色胶囊舱可能在施加有较低压力的区域中破裂。可能在其中压力检测片1510的彩色胶囊舱破裂的区域中形成发色区域。由于上述原因(例如，不同区域之间的压力差)，可能在压力检测片1510中形成具有不同尺寸(或面积)的发色区域。

[0234] 由于上述原因(例如，不同区域之间的压力差)，可以在压力检测片1510中识别发色区域的尺寸(或面积)，从而检测背板衬底1200是否被结合装置1300施加有均匀的压力。例如，可以看出，在压力检测片1510中发色区域的尺寸均匀的情况下，背板衬底1200被结合装置1300施加有均匀的压力。例如，可以看出，在压力检测片1510的区域之间，发色区域的尺寸之间的差异大的情况下，背板衬底1200被结合装置1300施加有不均匀的压力。

[0235] 图17是示出根据本公开的实施方式的压力检测片1510的示意图。

[0236] 压力检测片1510可以包括第一片1710和第二片1720。第一片1710和第二片1720可以在竖直方向(例如，第三方向DR3)上彼此重叠。第一片1710和第二片1720的面积在平面图中可以彼此相等，但是本公开不限于此。

[0237] 第一片1710和第二片1720中的一个(例如，第一片1710)可以包括彩色胶囊舱(未示出)。第一片1710和第二片1720中的另一个(例如，第二片1720)可以包括显色剂(未示出)。在下文中，假定并描述了第一片1710包括彩色胶囊舱，并且第二片1720包括显色剂。然而，本公开不限于此。

[0238] 图18是示出压力检测片1510(参见例如17)的第一片1710的示意图。

[0239] 参考图18，第一片1710可以包括彩色胶囊舱CCP。彩色胶囊舱CCP的直径(例如，平均直径)(或尺寸(例如，平均尺寸))可以在约10μm至约40μm的范围内，但本公开不限于此。

[0240] 在第一片1710中，约5,000至约30,000的范围的数量的彩色胶囊舱CCP可以平均地设置在约2cm×2cm的区域内，但本公开不限于此。彩色胶囊舱CCP可以分散(例如，均匀地分散)在第一片1710中。

[0241] 在实施方式中，彩色胶囊舱CCP可以包括供电子无色染料前体(未示出)。(第二片1720的)显色剂可以包括用于对供电子无色染料前体显色的电子接受化合物(未示出)。因此，在彩色胶囊舱CCP释放供电子无色染料前体同时由于压力破裂的情况下，显色剂的电子接受化合物可以在与供电子无色染料前体结合的同时显色。

[0242] 参考图18，示出了力施加在第一片1710的表面的不同位置(例如，四个位置)处。这四个位置可以分别对应于第一压力pressure 1、第二压力pressure 2、第三压力pressure 3和第四压力pressure 4。第一压力pressure 1、第二压力pressure 2、第三压力pressure 
3和第四压力pressure 4可以对应于背板衬底1200被从结合装置1300(例如，加压构件
1340)加压的压力。

[0243] 图19是示出压力检测片1510(参见例如17)的第二片1720的示意图。

[0244] 第二片1720可以包括显色剂(未示出)，并且显色剂可以包括例如电子接受化合物。电子接受化合物可以与供电子无色染料前体结合并形成显色区域CMA。

[0245] 第二片1720可以形成显色区域CMA和在显色区域CMA的周边处的周边区域RSA。显色区域CMA可以包括第一显色区域CMA1、第二显色区域CMA2、第三显色区域CMA3和第四显色区域CMA4，它们对应于施加有第一压力pressure 1、第二压力pressure 2、第三压力pressure 3和第四压力pressure 4的区域。

[0246] 第一显色区域CMA1、第二显色区域CMA2、第三显色区域CMA3和第四显色区域CMA4中的每个可以对应于发光元件LE(参见例如图11)。第一显色区域CMA1、第二显色区域CMA2、第三显色区域CMA3和第四显色区域CMA4的尺寸(或宽度)可以对应于第一压力pressure 1、第二压力pressure 2、第三压力pressure 3和第四压力pressure4的大小。

[0247] 第二片1720可以由具有弹性的材料形成。例如，随着第二片1720的彼此面对的拐角被拉动，第二片1720的面积可以增大。因此，可以增大显色区域CMA的面积，并且可以容易地将第一显色区域CMA1、第二显色区域CMA2、第三显色区域CMA3和第四显色区域CMA4彼此区分开。

[0248] 图20是示出其中使用图像捕获装置2010拍摄压力检测片1510的状态的示意图。

[0249] 图像捕获装置2010和结合装置1300可以构成结合系统2000。

[0250] 参考图20，图像捕获装置2010可以拍摄(或捕获)压力检测片1510的表面(例如，压力检测片1510的顶表面)。例如，图像捕获装置2010可以拍摄第二片1720的表面(例如，第二片1720的顶表面)。

[0251] 参考图20，第一片1710可以附接到第二片1720的另一表面(例如，第二片1720的底表面)，同时第二片1720的所述表面由图像捕获装置2010拍摄。然而，本公开不限于此，并且在由图像捕获装置2010拍摄第二片1720的所述表面之前，第一片1710可以与第二片1720的另一表面分离。因此，其中图像捕获装置2010拍摄压力检测片1510的工艺可以包括将第一片1710和第二片1720彼此分离的工艺以及拍摄压力检测片1510的表面(例如，第二片1720的表面)的工艺。

[0252] 压力检测片1510可以在其中用于拉动压力检测片1510的力施加在压力检测片1510的彼此面对的两侧处的状态下由图像捕获装置2010拍摄。例如，压力检测片1510的位于第一方向DR1上的一侧可以在第一方向DR1上被拉动，并且压力检测片1510的位于第一方向DR1的相反方向上的一侧可以在第一方向DR1的相反方向上被拉动。图像捕获装置2010可以拍摄其中两侧被拉动的压力检测片1510。

[0253] 在实施方式中，压力检测片1510可以在用于拉动压力检测片1510的力施加在压力检测片1510的彼此面对的四个或更多个侧的状态下由图像捕获装置2010拍摄。例如，压力检测片1510的位于第一方向DR1上的一侧可以在第一方向DR1上被拉动，压力检测片1510的位于第一方向DR1的相反方向上的一侧可以在第一方向DR1的相反方向上被拉动，压力检测片1510的位于第二方向DR2上的一侧可以在第二方向DR2上被拉动，并且压力检测片1510的位于第二方向DR2的相反方向上的一侧可以在第二方向DR2的相反方向上被拉动。图像捕获装置2010可以拍摄其中四个或更多个侧被拉动的压力检测片1510。

[0254] 图像捕获装置2010可以获取区域(例如，单元区域)UA的图像(例如，区域UA的图像、或预定的或可选择的区域UA的图像)。图像捕获装置2010可以包括获取区域UA的放大图像的显微镜(未示出)。图像捕获装置2010(或显微镜)的分辨能力可以小于或等于约2μm。例如，在图像捕获装置2010(或显微镜)的放大率被设定为约500倍的情况下，图像捕获装置2010(或显微镜)的分辨率可以等于或大于约300,000像素。显微镜的种类不受限制。

[0255] 第一显色区域CMA1、第二显色区域CMA2、第三显色区域CMA3和第四显色区域CMA4可以基于由图像捕获装置2010获取的图像而彼此区分开。可以检测(或彼此比较)第一显色区域CMA1、第二显色区域CMA2、第三显色区域CMA3和第四显色区域CMA4的尺寸。基于第一显色区域CMA1、第二显色区域CMA2、第三显色区域CMA3和第四显色区域CMA4的尺寸，可以判定在执行结合工艺时施加到发光元件的压力是否在一定的范围(例如，适当的范围)内。

[0256] 图21至图25是示出检测拍摄的压力检测片1510(参见例如图17)中的显色区域CMA的面积的方法的示意图。

[0257] 图21至图25示意性地示出了基于通过拍摄压力检测片1510的顶表面(例如，第二片1720的顶表面)获得的图像来检测显色区域CMA的面积的方法。然而，本公开不限于此，并且在实施方式中，可以基于通过拍摄压力检测片1510的底表面(例如，第二片1720的底表面)获得的图像来检测显色区域CMA的面积。

[0258] 参考图21至图25，检测显色区域CMA的面积的方法可以包括：获取与区域UA对应的区域的图像的步骤S2100；检测显色区域CMA和周边区域RSA的步骤S2200；对显色区域CMA着色的步骤S2300；设定检测像素SSP的步骤S2400；以及检测彩色像素CMP的数量的步骤S2500等。

[0259] 参考图21，示出了获取与区域UA对应的区域的图像的步骤S2100。

[0260] 该图像可以是对应于图20中设定的区域UA的图像。对应于区域UA的图像可以是在其中通过向第二片1720的彼此面对的两个或更多个侧施加力而拉动第二片1720的状态下捕获的图像。

[0261] 在图21中所示的图像中示出为较亮的区域可以对应于周边区域RSA。然而，在图21的图像中，周边区域RSA和显色区域之间的区别可能稍微不清楚。

[0262] 参考图22，示出了检测由彩色成分显色的显色区域CMA和未显色的周边区域RSA的步骤S2200。

[0263] 在检测显色区域CMA和周边区域RSA的步骤S2200中，可以通过执行二值化将所获取的彩色图像转换为黑白图像。基于黑白图像中的灰度级值之间的差异，可以将显色区域CMA和周边区域RSA彼此区分开。例如，具有高灰度级值的区域可以对应于显色区域CMA，并且具有低灰度级值的区域可以对应于周边区域RSA。

[0264] 参考图23，示出了对显色区域CMA着色的步骤S2300。

[0265] 在对显色区域CMA着色的步骤S2300中，可以将颜色提供给被检测为显色区域CMA的区域。

[0266] 本领域中技术人员可以在一定范围内选择图18中上述的多个彩色胶囊舱，以区分显色区域和周边区域之间的边界。

[0267] 图24示出了设定检测像素SSP的步骤S2400。

[0268] 可以通过分割区域UA来设定检测像素SSP。可以根据检测像素SSP中的显色区域CMA的比率将检测像素SSP划分为彩色像素CMP(参见例如图25)和残余像素RSP(参见例如图25)。

[0269] 例如，在检测像素SSP中的显色区域CMA的比率高(例如，等于或大于一比率，或者等于或大于预定的或可选择的比率)的情况下，可以将相应的检测像素SSP视作为彩色像素CMP。例如，在检测像素SSP中的显色区域CMA的比率低(例如，小于所述一比率，或者小于预定比率)的情况下，可以将相应的检测像素SSP视作为残余像素RSP。

[0270] 作为用于将检测像素SSP划分为彩色像素CMP和残余像素RSP的阈值的比率(例如，预定的或可选择的比率)可以由本领域中技术人员选择。例如，该比率(例如，预定的或可选择的比率)可以被设定为约10％，但是本公开不限于此。

[0271] 参考图24，在实施方式中，区域UA可以包括总共352个检测像素SSP的16行和22列检测像素SSP。然而，本公开不限于此，并且检测像素SSP在区域UA中的数量和/或布置可以由本领域中技术人员自由设定。

[0272] 图25示出了检测彩色像素CMP的数量的步骤S2500。

[0273] 参考图25，其中显色区域CMA的比率高(例如，等于大于所述比率，或者等于或大于预定的或可选择的比率)的检测像素SSP(参见例如图24)可以是彩色像素CMP。其中显色区域CMA的比率低(例如，小于所述比率，或者小于预定的或可选择的比率)或为0的检测像素SSP可以是残余像素RSP。

[0274] 参考图25，在总共352个检测像素SSP中，232个像素可以是彩色像素CMP，而其它像素(即120个像素)可以是残余像素RSP。彩色像素CMP的比率，即作为彩色像素CMP的检测像素SSP的比率，可以被计算为约232/352，其可以是约66％。

[0275] 在本公开中，可以在压力检测片1510(参见例如图20)中设定两个或更多个区域UA，并且可以将单元区域UA之间的彩色像素CMP的比率彼此进行比较。因此，可以确定是否对压力检测片1510施加了均匀的压力。可以检测(例如，直接检测)背板衬底1200(参见例如图15)是否被结合装置1300(参见例如图15)(或加压构件1340)施加有均匀的压力。

[0276] 在根据本公开的压力检测方法、使用压力检测方法的结合装置1300的压力检测方法、以及包括压力检测方法的结合系统2000中，可以检查是否将均匀的压力施加到压力检测片1510。

[0277] 在根据本公开的压力检测方法、使用压力检测方法的结合装置的压力检测方法、以及包括压力检测方法的结合系统中，可以检查是否施加了均匀的压力以转移发光元件。

[0278] 以上描述是本公开的技术特征的示例，并且本公开所属领域中的技术人员将能够进行各种修改和变化。因此，上述公开的实施方式可以单独实现或彼此组合实现。

[0279] 因此，在本公开中公开的实施方式不旨在限制本公开的技术精神，而是描述本公开的技术精神，并且本公开的技术精神的范围不受这些实施方式的限制。本公开的保护范围应当由所附权利要求来解释，并且应当解释的是，等同范围内的所有技术精神都包括在本公开的范围内。