技术领域
[0001] 本实用新型涉及显示屏驱动电路技术领域，尤其涉及一种新型GIP级传电路。
相关背景技术
[0002] 随着人们对触控精度需求的提升，主动笔应运而生，为了配合主动笔，屏幕驱动方式需使用Long H mode(一帧时间内显示/触控分时复用)如图1。而触控时间内，由于部分GIP电路T4器件的栅极长时间维持High准位(30行左右时间)，导致T4的开启电压Vth偏移(高温信赖性验证时加剧T4 Vth偏移)，从而导致GIP输出准位异常而出现水平暗纹。下列结合图2‑图4具体说明GIP输出准位异常的理由：
[0003] 图2中由Gn‑4级GIP的输出Gn‑4传给Gn级的T1的栅级，此时T1开启，FW讯号(high准位)给Qn点充电至一倍high，然后等CK8波形到来，通过电容C2的耦合效应将Qn点升至2倍High从而输出Gn,当Gn+4级GIP输出Gn+4，控制Gn级GIP的T7开启，BW讯号(Low准位)给Qn点放电至Low准位。
[0004] 而在图3显示区间与触控区间中可以看到触控时间内CK为Low准位，因此Qn需要在T1～T4时间内一直维持一倍High的准位，直到下一个显示时间到来，相应CK8波形到来，输出Gn波形，由于Qn节点在T1～T4时间内一直维持High准位，GIP电路的T4器件栅极电压Vg与源级电压Vs存在压差，(栅极电压Vg与源级电压Vs的压差称为Vgs)，而当Vgs‑Vth>0时TFT器件导通(理想Vth原始值为0)。所以需要在触控区间内维持一倍High的GIP电路的T4器件在T1～T4时间内一直处于导通状态(长时间导通会使TFT Vth发生偏移且不可逆)，而随着屏幕使用时间的增长或高温炉内动作类的验证GIP电路的T4器件的开启电压Vth会发生偏移(假设偏移后的Vth1＝2V)，如图4为TFT器件Vth偏移前后对比图，Ids为漏极与源级之间的电流(Ids越高代表TFT导通程度越好)，我们可以看到在相同Vg电压驱动下原始电性的Ids高于Vth偏移后的Ids，因此对应到图三的GIP输出Gn，开启电压Vth偏移后Gn为虚线部分(输出准位比原始Gn输出更低)，从而导致水平暗纹的显示异常，严重甚至导致GIP级传失效。实用新型内容
[0005] 本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种新型GIP级传电路，以解决Long H mode下传统GIP级传在触控时间内T4的栅极长时间维持High准位导致T4器件开启电压Vth偏移的问题，达到增长屏幕使用寿命以及改善显示效果的目的。
[0006] 本实用新型是这样实现的：
[0007] 第一方面，本实用新型提供了一种新型GIP级传电路，包括有交替输出的第一级传电路单元和第二级传电路单元；
[0008] 所述第一级传电路单元包括有晶体管T1、晶体管T4、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T18、第一稳压电路和电容C1；
[0009] 所述晶体管T18的栅极连接有V1讯号，所述晶体管T18的漏极连接有G(n‑4)讯号，所述晶体管T18的源极与晶体管T1的栅极连接；
[0010] 所述晶体管T1的漏极连接有FW讯号，所述晶体管T7的栅极连接有G(n+4)讯号，所述晶体管T7的漏极连接BW讯号；
[0011] 所述晶体管T1的源级和晶体管T7的源级连结于Q1节点；且所述晶体管T1的源级和晶体管T7的源级还与第一稳压电路连接；
[0012] 所述晶体管T4的栅极、第一稳压电路以及电容C1的一端共同与Q1节点连接，所述晶体管T4的漏极连接CK讯号；
[0013] 所述晶体管T4的栅极、电容C1的另一端以及晶体管T6的漏极共同连接G(n)讯号；
[0014] 所述晶体管T6的栅极与第一稳压电路连接，所述晶体管T6的源级连接有VGL讯号；
[0015] 所述第一稳压电路与VGL讯号连接；
[0016] 所述第二级传电路包括有晶体管T17、晶体管T15、晶体管T16、晶体管T14、晶体管T5、第二稳压电路和电容C2；
[0017] 所述晶体管T17的栅极连接有V2讯号，所述晶体管T17的漏极连接有G(n‑4)讯号，所述晶体管T17的源极与晶体管T15的栅极连接；
[0018] 所述晶体管T15的漏极与FW讯号连接，所述晶体管T16的栅极与有G(n+4)讯号连接，所述晶体管T16的漏极连接BW讯号；
[0019] 所述晶体管T15的源级和晶体管T16的源级连结于Q2节点；且所述晶体管T15的源级和晶体管T16的源级还与第二稳压电路连接；
[0020] 所述晶体管T14的栅极、第二稳压电路以及电容C2的一端共同与Q2节点连接，所述晶体管T14的漏极连接CK讯号；
[0021] 所述晶体管T14的栅极、电容C2的另一端以及晶体管T5的漏极共同连接G(n)讯号；
[0022] 所述晶体管T5的栅极与第二稳压电路连接，所述晶体管T5的源级连接有VGL讯号；
[0023] 所述第二稳压电路与VGL讯号连接。
[0024] 进一步的，所述GIP级传电路还包括有晶体管T19和晶体管T20，所述晶体管T19的栅极与Q1点连接，所述晶体管T19的漏极与VGL连接，所述晶体管T19的源级与Q2点连接，所述晶体管T20的栅极与Q2点连接，所述晶体管T20的漏极与Q1点连接，所述晶体管T20的源级与VGL讯号连接。
[0025] 第二方面，本实用新型提供了一种新型GIP级传电路的驱动方法，基于上述的一种新型GIP级传电路，包括有如下步骤：
[0026] S1、在第n帧时，V1讯号和Q1节点维持低准位，V2维持高准位，晶体管T1、T4、T6、T18和T19持续关闭，晶体管T17持续打开，当Gn‑4级GIP输出G(n‑4)时，T15打开，此时FW讯号将Q2节点充至1倍的高准位，晶体管T14打开，在CK5脉冲到来时，通过C2电容耦合效应将Q2节点拉至2倍的高准位，从而输出G(n)，G(n)输出结束后，晶体管T5打开将G(n)讯号拉低，第二稳压电路和晶体管T16打开将Q2节点拉低；
[0027] S2、在第n+1帧时，V2讯号和Q2节点维持低准位，V1维持高准位，晶体管T5、T14、T15、T17和T20持续关闭，晶体管T18持续打开，当Gn‑4级GIP输出G(n‑4)时，晶体管T1打开，FW讯号将Q1节点充至1倍的高准位，晶体管T4打开，在CK5脉冲到来时，通过C1电容耦合效应将Q1节点拉至2倍高准位，从而输出G(n)，G(n)输出结束后，晶体管T6打开将G(n)讯号拉低，第一稳压电路和晶体管T7打开将Q1节点拉低；
[0028] S3、步骤S1和S2往复循环，使晶体管T4和晶体管T14交替输出G(n)讯号。
[0029] 进一步的，在所述步骤S1中，Q2节点拉高至1倍高准位或2倍高准位时，晶体管T20均打开，将Q1节点维持在低准位。
[0030] 进一步的，在所述步骤S2中，Q1节点拉高至1倍高准位或2倍高准位时，晶体管T19均打开，将Q2节点维持在低准位。
[0031] 本实用新型的优点在于：
[0032] 本实用新型通过晶体管T4与晶体管T14交替输出，且晶体管T4与晶体管T14每一帧切换一次，以改善传统GIP电路在Long H Mode下T4器件长时间导通而导致开启电压Vth偏移问题，达到延长屏幕使用寿命以及改善显示效果的目的。
具体实施方式
[0040] 实施例一
[0041] 请参阅图5，本实用新型提供了一种新型GIP级传电路，包括有交替输出的第一级传电路单元和第二级传电路单元；
[0042] 所述第一级传电路单元包括有晶体管T1、晶体管T4、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T18、第一稳压电路和电容C1；
[0043] 所述晶体管T18的栅极连接有V1讯号，所述晶体管T18的漏极连接有G(n‑4)讯号，所述晶体管T18的源极与晶体管T1的栅极连接；
[0044] 所述晶体管T1的漏极连接有FW讯号，所述晶体管T7的栅极连接有G(n+4)讯号，所述晶体管T7的漏极连接BW讯号；FW讯号为高准位讯号，BW讯号为低准位讯号；
[0045] 所述晶体管T1的源级和晶体管T7的源级连结于Q1节点；且所述晶体管T1的源级和晶体管T7的源级还与第一稳压电路连接；
[0046] 所述晶体管T4的栅极、第一稳压电路以及电容C1的一端共同与Q1节点连接，所述晶体管T4的漏极连接CK讯号；
[0047] 所述晶体管T4的栅极、电容C1的另一端以及晶体管T6的漏极共同连接G(n)讯号；
[0048] 所述晶体管T6的栅极与第一稳压电路连接，所述晶体管T6的源级连接有VGL讯号；
[0049] 所述第一稳压电路与VGL讯号连接；
[0050] 所述第二级传电路包括有晶体管T17、晶体管T15、晶体管T16、晶体管T14、晶体管T5、第二稳压电路和电容C2；
[0051] 所述晶体管T17的栅极连接有V2讯号，所述晶体管T17的漏极连接有G(n‑4)讯号，所述晶体管T17的源极与晶体管T15的栅极连接,；
[0052] 所述晶体管T15的漏极与FW讯号连接，所述晶体管T16的栅极与有G(n+4)讯号连接，所述晶体管T16的漏极连接BW讯号；
[0053] 所述晶体管T15的源级和晶体管T16的源级连结于Q2节点；且所述晶体管T15的源级和晶体管T16的源级还与第二稳压电路连接；
[0054] 所述晶体管T14的栅极、第二稳压电路以及电容C2的一端共同与Q2节点连接，所述晶体管T14的漏极连接CK讯号；
[0055] 所述晶体管T14的栅极、电容C2的另一端以及晶体管T5的漏极共同连接G(n)讯号；
[0056] 所述晶体管T5的栅极与第二稳压电路连接，所述晶体管T5的源级连接有VGL讯号；
[0057] 所述第二稳压电路与VGL讯号连接。
[0058] 具体的，所述GIP级传电路还包括有晶体管T19和晶体管T20，所述晶体管T19的栅极与Q1点连接，所述晶体管T19的漏极与VGL连接，所述晶体管T19的源级与Q2点连接，所述晶体管T20的栅极与Q2点连接，所述晶体管T20的漏极与Q1点连接，所述晶体管T20的源级与VGL讯号连接。
[0059] 实施例二
[0060] 请参阅图6，本实用新型提供了一种新型GIP级传电路的驱动方法，基于实施例一所述的一种新型GIP级传电路，包括有如下步骤：
[0061] S1、在第n帧时，V1讯号和Q1节点维持低准位，V2维持高准位，晶体管T1、T4、T6、T18和T19持续关闭，晶体管T17持续打开，当Gn‑4级GIP输出G(n‑4)时，T15打开，此时FW讯号(高准位)将Q2节点充至1倍的高准位，晶体管T14打开，在CK5脉冲到来时，通过C2电容耦合效应将Q2节点拉至2倍的高准位，从而输出G(n)，G(n)输出结束后，晶体管T5打开将G(n)讯号拉低，第二稳压电路和晶体管T16打开将Q2节点拉低；
[0062] S2、在第n+1帧时，V2讯号和Q2节点维持低准位，V1维持高准位，晶体管T5、T14、T15、T17和T20持续关闭，晶体管T18持续打开，当Gn‑4级GIP输出G(n‑4)时，晶体管T1打开，FW讯号将Q1节点充至1倍的高准位，晶体管T4打开，在CK5脉冲到来时，通过C1电容耦合效应将Q1节点拉至2倍高准位，从而输出G(n)，G(n)输出结束后，晶体管T6打开将G(n)讯号拉低，第一稳压电路和晶体管T7打开将Q1节点拉低；
[0063] S3、步骤S1和S2往复循环，使晶体管T4和晶体管T14交替输出G(n)讯号。
[0064] 例如，在第一帧晶体管T4输出G(n)，第二帧晶体管T14输出G(n)，第三帧晶体管T4输出G(n)，并依此往复循环。
[0065] 具体的，在所述步骤S1中，Q2节点拉高至1倍高准位或2倍高准位时，晶体管T20均打开，将Q1节点维持在低准位。
[0066] 具体的，在所述步骤S2中，Q1节点拉高至1倍高准位或2倍高准位时，晶体管T19均打开，将Q2节点维持在低准位。
[0067] 本实用新型通过GIP电路的晶体管T4与晶体管T14，交替输出，改善Long H mode下传统GIP电路T4栅极在触控区间内长时间维持High准位导致T4开启电压Vth偏移问题，从而达到延长屏幕使用寿命以及改善显示效果的目的。
[0068] 虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本实用新型的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本实用新型的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本实用新型的权利要求所保护的范围内。
