涉及权利要求数量10：其中独权1项，从权-1项
1.一种能应用多种方法制备类金刚石薄膜的装置，包括真空腔室(100)，其特征在于，还包括磁控溅射源(1)、电弧离子源(2)和多弧离子源(3)，
所述真空腔室(100)的两侧分别设置有电弧离子磁过滤弯管对接孔和多弧离子磁过滤弯管对接孔，所述电弧离子磁过滤弯管对接孔和所述多弧离子磁过滤弯管对接孔上分别连通有电弧离子磁过滤弯管(41)和多弧离子磁过滤弯管(42)，所述电弧离子源(2)和所述多弧离子源(3)分别设置于所述电弧离子磁过滤弯管(41)和所述多弧离子磁过滤弯管(42)上；所述真空腔室(100)开设有磁控溅射源孔，磁控溅射源(1)设置于磁控溅射源孔上；
所述真空腔室(100)内部设置有磁控溅射样品室(61)、电弧样品室(62)和多弧样品室(63)，所述磁控溅射样品室(61)、所述电弧样品室(62)和所述多弧样品室(63)分别与磁控溅射源孔、电弧离子磁过滤弯管对接孔和多弧离子磁过滤弯管对接孔相对应；
所述磁控溅射样品室(61)、所述电弧样品室(62)和所述多弧样品室(63)分别配置有磁控溅射旋转架(51)、电弧旋转架(52)和多弧旋转架(53)。
2.如权利要求1所述的能应用多种方法制备类金刚石薄膜的装置，其特征在于，所述真空腔室(100)的外表面上开设有三个穿孔，所述磁控溅射旋转架(51)、所述电弧旋转架(52)和所述多弧旋转架(53)分别穿过三个穿孔进入真空腔室(100)与所述磁控溅射样品室(61)、所述电弧样品室(62)和所述多弧样品室(63)对接。
3.如权利要求1所述的能应用多种方法制备类金刚石薄膜的装置，其特征在于，所述电弧离子磁过滤弯管(41)和所述多弧离子磁过滤弯管(42)的外端端口上分别设置有电弧离子源连接口(410)和多弧离子源连接口(420)；
所述电弧离子源(2)和所述多弧离子源(3)的外端口分别设置有电弧连接法兰(20)和多弧离子源连接法兰(30)，
所述电弧离子源连接口(410)与所述电弧连接法兰(20)以及所述多弧离子源连接口(420)与所述多弧离子源连接法兰(30)均通过法兰连接。
4.如权利要求1所述的能应用多种方法制备类金刚石薄膜的装置，其特征在于，所述真空腔室(100)的磁控溅射源孔上设置有法兰盘，所述磁控溅射源(1)的外端口设置有磁控溅射离子源连接法兰(10)，所述磁控溅射源(1)与所述真空腔室(100)通过法兰连接。
5.如权利要求1所述的能应用多种方法制备类金刚石薄膜的装置，其特征在于，所述真空腔室(100)的外表面设置有若干个观察窗(7)。
6.如权利要求1所述的能应用多种方法制备类金刚石薄膜的装置，其特征在于，所述真空腔室(100)连通有抽真空管(300)。
7.如权利要求1所述的能应用多种方法制备类金刚石薄膜的装置，其特征在于，所述磁控溅射源(1)内置有磁控溅射石墨靶材(11)，该磁控溅射石墨靶材(11)的直径为100mm。
8.如权利要求1所述的能应用多种方法制备类金刚石薄膜的装置，其特征在于，所述电弧离子源(2)内部的两侧分别设置有两个电弧石墨棒(21)，电弧离子源(2)外侧的两端分别设置有两个电弧铜电极(23)，两个电弧铜电极(23)分别与两个所述电弧石墨棒(21)相连通，所述电弧石墨棒(21)的直径为8mm。
9.如权利要求8所述的能应用多种方法制备类金刚石薄膜的装置，其特征在于，每个所述电弧石墨棒(21)上套设有电弧保护套(22)。
10.如权利要求1所述的能应用多种方法制备类金刚石薄膜的装置，其特征在于，所述多弧离子源(3)内置有多弧石墨靶材(31)，所述多弧石墨靶材(31)的直径为100mm。