技术领域 本发明涉及以在制造电子线路图形时，洗涤在灰化(アッシング)、 刻蚀或CMP处理基板时产生的残渣为目的残渣洗涤液。 背景技术 半导体晶片上的IC或LSI或LCD等，一般是用光刻版技术在基板 上形成微细的电子线路图形来制造的。具体地说，在形成了氧化硅等 的绝缘膜和Al、Cu、Si、Ti等布线层或由SOG和氟系的树脂等组成的 低电介质膜的基板晶片上，涂布光致抗蚀剂，通过形成了所要求的图 形的掩模进行曝光、显像，在所要求的部位形成抗蚀剂图形。然后， 从该抗蚀剂图形上对上述绝缘膜及布线层、或低电介质膜进行刻蚀等 处理，其后除去抗蚀剂从而予以实施。在这样的电子电路图形的形成 中，光致抗蚀剂的除去是通过利用残渣洗涤液的洗涤或灰化处理来进 行的。后者的灰化处理是采用等离子体等的能量使抗蚀剂灰化而除去 的方法。在这样的灰化处理后的光致抗蚀剂除去面上，被称为光致抗 蚀剂灰化残渣的不完全灰化物和刻蚀时在图形的侧壁附近产生的侧壁 堆积膜在上述处理中不能被充分除去而残存了下来。 这里，所谓侧壁堆积膜，是在刻蚀工序中，在光致抗蚀剂掩模的 侧壁和图形的侧壁，刻蚀气体和光致抗蚀剂、其基底的绝缘膜、布线 层、低电介质膜、基板等进行复杂反应而形成的难溶性物。该侧壁堆 积膜有时是为了提高各向异性刻蚀的效果而故意生成，有时则是与意 图相反而生成的。这样的侧壁堆积膜和光致抗蚀剂不完全灰化物，在 进行作为刻蚀的反应性离子刻蚀(RIE)时，特别是溶解性低的物质明 显地产生。又，RIE是在作为基板的晶片上施加负电压，向含氟化碳、 氟化氢、氯化氢等的卤素化合物的反应性气体照射等离子体而进行的 方法。 另外，光致抗蚀剂在进行离子注入处理时，该抗蚀剂也变质，进 行难溶化。而且，在灰化处理后也明显产生上述光致抗蚀剂的不完全 灰化物。再者，所谓离子注入处理，是在绝缘的基板上为了在所要求 的地方形成导电性部位，从抗蚀剂的上方向抗蚀剂表面注入磷、硼、 锑、砷等离子的操作。此处，由于抗蚀剂作为掩模而起作用，所以可 在除去了抗蚀剂的部位选择性地注入离子。 包括显像后的光致抗蚀剂在内，在这样的灰化处理后的除去面上 残存的光致抗蚀剂不完全灰化物和侧壁堆积膜会使布线图形接触不 良，因此希望将其洗涤而除去。为此，由各种有机溶剂组成的液体作 为洗涤液被使用，试着除去含光致抗蚀剂的残渣，但施行了离子注入 处理等的光致抗蚀剂已经变质，还有，灰化后的光致抗蚀剂残渣是高 度的聚合物，或一部分无机化，故实际状况是用这些残渣洗涤液并不 能充分除去。 在这样的背景下，特开平11-67632号公报提出了由氟化合物、水 溶性有机溶剂及其余为水组成的残渣洗涤液来作为洗涤液。上述洗涤 液通过氟化合物与水的体系，对有机物较少的残渣可进行良好的剥 离，同时，通过含有50～80重量％的水溶性有机溶剂来谋求存在于被 洗涤面的布线材料的防腐蚀。 可是，上述洗涤液为了发挥除去残渣的性能，水是必需的，有关 只用上述有机溶剂带来的防腐效果还有改进的余地。即，被洗涤的残 渣的基底的防蚀不充分，尤其是铝和铝合金等金属布线材料及SOG等 低电介质膜中的腐蚀问题令人担心。 关于上述问题，在上述公报中，以更高度的防蚀为目的，提出了 添加表面活性剂的方案。 然而，由于添加表面活性剂而产生泡沫，泡沫附着在晶片上而防 碍了洗涤，在将泡沫移到体系外时，只把残渣洗涤液中的表面活性剂 成分选择性地减少，产生了防蚀效果发生变化的问题。 另一方面，使灰化条件严格等后，对进一步进行无机化的残渣而 言，存在用上述洗涤液很难完全除去的问题。这是因为，在该洗涤液 中作为防蚀剂混入了大量的有机溶剂，所以不能充分发挥作为洗涤成 分而添加的氟系化合物的洗涤性能的缘故。 因此，限制作为防蚀剂的有机溶剂的使用，作为以表面活性剂为 防蚀剂而添加的组成的洗涤液，在日本特申平10-373463号公报(特 开2000-194144)中提出了由氟化合物、两性表面活性剂及其余为水 构成的组合物。该洗涤液是能极好的除去变性化的光致抗蚀剂的不完 全灰化物和侧壁堆积膜等残渣、基板晶片上的绝缘膜和布线层的腐蚀 性也低的洗涤液。 然而，即使在该洗涤液中，通过添加两性离子表面活性剂，如前 所述，也存在洗涤残渣时产生泡沫的问题。 因此，希望开发在上述的洗涤液中，即使任意改变有机溶剂对水 的比例，也能发挥稳定且优异的防蚀能力、泡沫的发生更少的残渣洗 涤液。 另外，近年以Cu的雾状花纹加工(damascene process)的形式 而使用Cu布线，此时，通过使用化学、机械研磨(CMP)这些方法磨 削Cu布线来进行图形形成。在CMP处理后，在基板上残存氧化铝、氧 化硅等的研磨剂粉和作为基板的切削粉的氧化铜、钽、氮化钽、氮化 钛、其他低电介质膜、层间绝缘膜等的残渣。由于此时的残渣基本上 是无机物，所以对无机物必须进行强力洗涤。但由于基底等的布线也 是金属等的无机物，所以不能避免基底的腐蚀。 对上述腐蚀的问题，过去作为洗涤液中添加的防蚀剂，使用芳香 族羟基化合物、炔醇、三唑化合物等，虽然可考虑将它们作为前述洗 涤液的防蚀剂使用，但制得的洗涤液是防蚀性弱的产品。 发明内容 本发明人根据上述课题，不断进行潜心研究，其结果发现通过向含 溶解剂的水系溶液中添加水溶性高分子，可解决上述的课题，从而完 成了本发明。 即，本发明是由选自胺和氟化物盐的至少1种溶解剂和水溶性高分 子的水系溶液构成的对制造电子电路时所产生的残渣进行洗涤的残渣 洗涤液。 本发明使用的溶解剂通过与作为溶剂的水的协同作用可极好地溶 解上述难溶性的残渣。另外，水溶性高分子由于发挥高的防蚀能力故 是不可缺的，但其作用机理未必清楚。本发明人推测是水溶性高分子 吸附在金属表面从而形成保护膜。由于不怎么有疏水性基，所以起泡 也少。 发明的实施方案 本发明必须把从胺和氟化物盐中选出的至少1种溶解剂和水溶性 高分子合并起来使用。 这里所谓溶解剂，只要是具有能良好地除去电子电路制造时产生 的残渣的能力的物质就行，既可以是通过化学反应来除去的物质，也 可以是通过分子间力和静电的亲合力等来除去的物质。具有这种能力 的溶解剂从胺化合物和氟化物盐中选出。其中，从除去残渣能力最高 来说，以氟化物盐为最优选。 作为氟化物盐的代表例，可以举出用下述一般式(1)表示的氟化 铵化合物， 式中，4个R可以相同也可以不同，为氢原子、烷基或芳基。 作为一般式(1)中的烷基，优选甲基、乙基、丙基等C1～C3的低 级烷基，作为芳基，优选苯基等。 作为氟化铵化合物，除氟化铵外，可列举阴离子是氟根离子的伯、 仲、叔及季铵盐。作为用上述一般式(1)表示的氟化铵化合物的具体 例子，可以举出氟化铵(4个R全部为氢原子)；四甲基氟化铵、四乙 基氟化铵、四丙基氟化铵、三甲基乙基氟化铵、三乙基甲基氟化铵、 二甲基二乙基氟化铵、二甲基二丙基氟化铵、四苯基氟化铵、三甲基 苯基氟化铵等氟化季铵盐；三甲基氟化铵、三乙基氟化铵、三苯基氟 化铵等氟化叔铵盐；二甲基氟化铵、二乙基氟化铵、二苯基氟化铵等 氟化仲铵盐；单甲基氟化铵、单乙基氟化铵、单苯基氟化铵等氟化伯 铵盐等。最优异的是氟化铵。本发明中，可将2种以上这些氟化铵化 合物并用。 作为其他溶解剂的胺化合物，可列举甲基胺、苄基胺、1，3一丙二 胺、羟胺等。考虑残渣的洗涤性和基底布线的腐蚀，这些溶解剂在洗 涤液中的浓度，优选0.05～1重量％的范围，更优选0.1～0.5重量％ 的范围，添加量低于0.05重量％时，有时残渣的除去不完全，当多于 1重量％时，有时腐蚀基底的布线。 本发明中使用的水溶性高分子是亲水基在分子中统计性均匀分布 存在的合成或天然的高分子物质。具体地说，作为合成高分子，可列 举聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯亚胺、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇、 聚环氧乙烷、聚乙烯醚、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、甲基纤维素、乙基 纤维素、羟基乙基纤维素。天然存在的水溶性高分子物质可列举多磷 酸、直链淀粉、多糖类、明胶等。这些水溶性高分子中优选的是聚乙 烯吡咯烷酮、聚乙烯亚胺、聚丙烯酸。 这些水溶性高分子的分子量在3,000以上，优选10,000以上。分 子量小于3,000时，存在防蚀效果变弱的倾向。而分子量太大时，一 般对水的溶解度变小，或溶液的粘度增大，有可能产生防蚀斑，故分 子量优选在500,000以下，最优选是10,000～100,000的范围。 另外，本发明中的水溶性高分子，可以认为，通过分子中存在的 亲水基，与构成基底的金属电气性地吸附，或通过配位键等的亲合力 而吸附，在其表面形成保护被覆膜，发挥了防蚀效果。因此，水溶性 高分子用量优选为在该基底金属表面形成单分子层所需的量以上的 量。然而过多量地使用时，溶液的粘度增大，反而有时不能充分除去 残渣。因此，水溶性高分子在洗涤液中的浓度优选使用0.05～1重量％， 更优选0.1～0.5重量％的范围。 本发明中构成水系溶液的溶剂一般是超纯水和有机溶剂。所谓超 纯水通常是指用于半导体的超纯水，其Na离子、K离子等金属阳离子 的总计含量是5ppb以下，且卤素离子总含量也在5ppb以下。另外， 往往优选并用有机溶剂。这里所用的有机溶剂优选水溶性、且极性高 的溶剂。具体可列举二甲基亚砜等亚砜类、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲 基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺等酰胺类、N-甲基-乙-吡咯烷酮等内酰 胺类、二噁烷等醚类、异丙醇等醇类、二丙二醇单甲醚、二乙二醇单甲 醚、二乙二醇单乙醚等二醇醚类。 本发明中上述有机溶剂的混合比例未特别地限定。一般可根据作 为洗涤对象的残渣的无机化程度来适当选择。例如，用延长灰化时间 等的方法，使灰化条件严格，使残渣中基本上不残存有机物的场合， 优选使用有机溶剂的浓度是40重量％以下的洗涤液。另外，残渣是光 致抗蚀剂本身，或由于灰化处理弱等而残留较多有机物的残渣时，有 机溶剂的浓度可增加到超过前述40重量％，其比例可容许到85重量％， 优选到80重量％的范围，即，洗涤液中有机溶剂的浓度高于85重量％ 时，不论残的种类都有导致洗涤能力降低的趋势。 尤其是象后者那样，对于光致抗蚀剂或残留较多有机物的残渣， 使用的有机溶剂为单一的二醇醚类或含二醇醚类的水溶性有机溶剂。 这种情况下残渣除去性良好，同时腐蚀也少，故为最优选。 将二醇醚与其他的水溶性有机溶剂并用时，作为合适的有机溶剂 是从二甲基亚砜、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮中选出的至 少1种。另外，在上述并用中，二醇醚类的比例推荐为全部有机溶剂 的10重量％以上，优选在20重量％以上。 本发明的残渣洗涤液只按设定的比例混合各成分即可，对此时的 温度及搅拌条件等没有特别限制。 这里所使用的残渣洗涤液，优选是充分精制品，尤其是金属离子 的含有量各在50ppb以下，优选10ppb以下，更优选是1ppb以下。另 外，如果有不溶的微少固体物等，通过充分过滤等处理除去为好。优 选0.5微米以下的粒子在1毫升中是50个以内，更优选0.3微米以下 的粒子在1毫升中是50个以内。 本发明的上述残渣洗涤液中，根据需要，除上述水溶性高分子化 合物外，也可以添加表面活性剂等溶解助剂，羟基喹啉等还原剂、或 消泡剂等。 本发明的残渣洗涤液所适用的光致抗蚀剂没有特殊限制，可用于 公知的抗蚀剂。优选在电子线路图形制造中使用的g射线用、i射线 用、KrF受激准分子光线用、ArF受激准分子光线用、F2受激准分子光 线用、X射线用、电子射线用的光致抗蚀剂。作为树脂可列举酚醛清漆 系树脂和聚羟基苯乙烯系树脂，聚甲基丙烯酸系树脂等。 本发明的残渣洗涤液，通常是在除去在基板晶片上显像后再进行 刻蚀或注入离子等处理后的光致抗蚀剂和残渣、或在灰化处理该晶片 后产生的残渣时使用。 光致抗蚀剂的灰化处理可无限制地使用使产生氧自由基、使光致 抗蚀剂灰化的公知方法。例如，可使用分批式、单张处理方式，也可 没有限制地使用臭氧灰化方式、UV臭氧灰化方式等。作为刻蚀处理， 可以使用湿刻蚀及干刻蚀的任一种，通常在除去干刻蚀后的残渣时使 用。作为干刻蚀可无限制地使用等离子刻蚀、反应性离子刻蚀等。 用于CMP的浆液可以是三氧化二铝、二氧化硅等任一种。手法可 以是通过旋转等使晶片物理性地移动的方法，也可以是通过底座旋转 进行研磨的方法，也可以是驱动两方的方法。 另外，作为基板晶片并没有特别限制，但一般使用在表面形成了 SiO2层等绝缘层和SOG、氟系树脂等的低介电层间绝缘膜材料、Al、Cu、 Si及它们的合金等的布线的硅晶片、玻璃等。 使用了本发明残渣洗涤液的处理面的洗涤，可以通过将该处理表面 浸渍在残渣洗涤液中，或对该处理表面以雾状喷上残渣洗涤液等进 行，此时的残渣洗涤液的温度并不特别地被限制。一般加热使用提高 对残渣的除去能力，但随之存在基底的腐蚀也增大、洗涤时间可容许 的范围缩短的倾向。可以考虑所要求的洗涤性和防蚀性及操作性，适 当设定温度。通常在10～80℃，更理想的情况是从20～60℃的范围内 选择。 使用后的残渣洗涤液用泵等循环，也能尽可能地反复使用。另外， 也可只再生有效成分使用。 实施例 以下列举实施例，更详细地说明本发明，但本发明并不限定于这 些实施例。 实施例1～17和比较例1～2 在8英寸硅片上形成TiN薄膜后，使用溅射装置形成Al-Si-Cu皮 膜。在其上面再通过等离子体层积上氧化膜，其后，将市售的i射线 正型抗蚀剂涂布成约1微米厚，进行预烘烤。然后照射i射线，曝光 后烘烤，进行显像、冲洗，再进行后烘烤。利用RIE刻蚀该样品，使 用等离子反应器灰化用完的抗蚀剂。灰化条件为使用氧气、0.04mmHg、 温度是50℃、时间300秒钟。 用金刚石刀具从施行了以上处理的硅片上切取试验片，调制表1 和表2中记载的组成的洗涤液，在该各残渣洗涤液中在23℃下进行浸 渍。对各灰化残渣洗涤液，采用在从开始浸渍到经过40分的期间，以 每1分钟间隔划分浸渍时间的总计40个试验进行实施。在经过上述各 浸渍时间后用超纯水洗涤，用扫描电子显微镜在4万倍的倍率下观察 各洗涤面，示出了除去侧壁堆积膜、光致抗蚀剂不完全灰化物的最初 时间。该时间越短表示洗涤性能越高。 另外，对前述各试验片中的金属布线的防蚀性也用扫描电子显微 镜在4万倍的倍率下观察，将观察到试验部位即便是微小腐蚀的试验 片的试验时间作为防蚀性标准，记载于表1～3。可以说该防蚀时间越 长说明防蚀性越优异。 对各残渣洗涤液，以残渣除去后到可看到金属布线的腐蚀部位的 浸渍时间作为在23℃下的洗涤时间的容许范围进行评价。该容许范围 表示装置上的操作宽裕量，该值越大，表示从洗涤后到冲洗的时间的 变动容许度越高、或产率小。 此外，把各溶液装到带盖的玻璃瓶中激烈搅拌，将1小时后泡几 乎未消失的情况记为×，将良好消泡的情况记为○，并记载于表1～表 3。 表1 实 施 例 洗涤剂 性能 起 泡 名称 ( )内的数值表示分子量 添加量 [重量 ％] 残渣除 去性 防蚀性 洗涤时间的 容许范围 1 氟化铵 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.2 0.2 99.6 5分 ○ 在15分时 腐蚀 5～15分 ○ 2 氟化铵 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.4 0.2 99.4 3分 ○ 在10分时 腐蚀 3～10分 ○ 3 氟化铵 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.1 0.2 99.7 8分 ○ 在19分时 腐蚀 8～19分 ○ 4 氟化铵 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.3 0.4 99.3 7分 ○ 在18分时 腐蚀 7～18分 ○ 5 氟化铵 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.1 0.1 99.8 5分 ○ 在12分时 腐蚀 5～12分 ○ 6 氟化铵 聚乙烯吡咯烷酮(360000) 超纯水 0.2 0.2 99.6 8分 ○ 在16分时 腐蚀 8～16分 ○ 7 氟化铵 聚乙烯吡咯烷酮(8000) 超纯水 0.2 0.2 99.6 5分 ○ 在10分时 腐蚀 5～10分 ○ 8 氟化铵 聚乙烯亚胺(10000) 超纯水 0.1 0.2 99.7 4分 ○ 在13分时 腐蚀 4～13分 ○ 表1(续) 9 氟化铵 聚丙烯酸(250000) 超纯水 0.2 0.1 99.7 8分 ○ 在15分时 腐蚀 8～15分 ○ 10 四甲基氟化铵 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.1 0.8 99.1 3分 ○ 在5分时 腐蚀 3～5分 ○ 表2 实 施 例 洗涤剂 性能 起 泡 名称 ()内的数值表示分子量 添加量 [重量 ％] 残渣除 去性 防蚀性 洗涤时间的 容许范围 11 羟胺 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.2 0.2 99.6 3分 ○ 在5分时 腐蚀 3～5分 ○ 12 1，3-丙二胺 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.2 0.2 99.6 4分 ○ 在6分时 腐蚀 4～6分 ○ 13 氟化铵 聚乙二醇(40000) 超纯水 0.2 0.2 99.6 5分 ○ 在7分时 腐蚀 5～7分 ○ 14 氟化铵 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 二甲基亚砜 超纯水 0.2 0.2 9.6 90.0 30分 ○ 在35分时 腐蚀 30～35分 ○ 15 氟化铵 聚乙烯吡咯烷酮(40000) N，N-二甲基甲酰胺 超纯水 0.2 0.2 9.6 90.0 25分 ○ 在30分时 腐蚀 25～30分 ○ 16 氟化铵 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 二丙二醇单甲醚 超纯水 0.4 0.2 30.0 69.4 17分 ○ 在33分时 腐蚀 17～33分 ○ 表2(续) 17 氟化铵 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 二甲基亚砜 超纯水 0.4 0.2 25.0 74.4 20分 ○ 在30分时 腐蚀 20～30分 ○ 表3 比 较 例 洗涤剂 性能 起 泡 名称 ()内的数值表示分子量 添加量 [重量％] 残渣除 去性 防蚀性 洗涤时间的 容许范围 1 氟化铵 N，N-二甲基甲酰胺 超纯水 1.0 70.0 29.0 18分 ○ 在15分时 腐蚀 - ○ 2 氟化铵 两性表面活性剂* 超纯水 0.06 0.04 99.9 5分 ○ 在16分时 腐蚀 5～16分 × *松本油脂制药公司制ゾンデス TG-580 实施例18～38和比较例3～8 在8英寸的硅片上形成TiN薄膜后，用溅射装置形成Al-Si-Cu皮 膜。在其上面再层积上TiN薄膜。然后，将市售的i射线正型抗蚀剂 涂布成约1微米厚，进行预烘烤。然后照射i射线，曝光后烘烤、显 像、冲洗，再进行后烘烤。以该抗蚀剂作为掩模采用RIE进行刻蚀。 再使用等离子反应器灰化用完的抗蚀剂，制成样品A。 另外，在8英寸硅片上使用溅射装置形成Al-Si-Cu皮膜后，形成 TiN薄膜。在其上面层积上SOG和氧化膜。其后，涂布市售的i射线正 型抗蚀剂约1微米厚，进行预烘烤。 然后，照射i射线，曝光后烘烤、显像，形成了孔状的抗蚀剂图 形。接着，进行冲洗，再进行后烘烤。以该抗蚀剂为掩模使用RIE进 行刻蚀，制成样品B。再使用等离子反应器灰化用完的抗蚀剂，制成样 品C。用于制造上述样品A和样品C的灰化条件是使用氧气、0.04mmHg、 温度50℃、时间150秒钟。 用金刚石刀具从施行了以上处理的硅片切取试验片，调制表4～表 9所记载的组成，在23℃下浸渍于该各残渣洗涤除去剂中。对各灰化 残渣洗涤除去剂，采用在从开始浸渍到经过40分钟的期间，以1分钟 的间隔划分了浸渍时间的共计40个试验片进行实施。 在经过上述各浸渍时间后，用超纯水洗涤试验片，用扫描电子显 微镜在4万倍的倍率下观察各洗涤面，示出了除去侧壁堆积膜，光致 抗蚀剂不完全灰化物的最初时间。该时间越短表示洗涤性能越高。 另外，对前述各试验片中的金属布线的防蚀性也用扫描电子显微 镜在4万倍的倍率下进行观察，将观察到试验部位即便是微小腐蚀的 试验片的试验时间作为防蚀性标准，记载于表4～表9。该防蚀时间越 长，说明防蚀性越优异。 另外，把各溶液装到带盖的玻璃瓶中激烈搅拌，将1小时后泡几 乎没未消失的情况记为×，将良好消泡的情况记为○，并记载于表4～ 表9。 表4 实 施 例 洗涤剂 性能 起 泡 名称 ()内的数值表示分子量 添加量 [重量％] 残渣除 去性 防蚀性 洗涤时间的 容许范围 18 氟化铵 二乙二醇单乙醚 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.4 65 0.2 34.4 10分 ○ 在21分时 腐蚀 10～21分 ○ 19 氟化铵 二丙二醇单甲醚 二甲基亚砜 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.2 50 30 0.2 19.6 12分 ○ 在26分时 腐蚀 12～26分 ○ 20 氟化铵 二丙二醇单甲醚 异丙醇 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.2 50 30 0.2 19.6 12分 ○ 在25分时 腐蚀 12～25分 ○ 表4(续) 21 氟化铵 二丙二醇单甲醚 聚乙烯亚胺(10000) 超纯水 0.4 65 0.2 34.4 10分 ○ 在20分时 腐蚀 10～20分 ○ 22 1，3-丙二胺 二丙二醇单甲醚 二甲基亚砜 聚乙烯亚胺(10000) 超纯水 0.4 40 20 0.2 39.4 9分 ○ 在19分时 腐蚀 9～19分 ○ 23 氟化铵 二丙二醇单甲醚 聚丙烯酸(250000) 超纯水 0.6 45 0.2 54.2 7分 ○ 在17分时 腐蚀 7～17分 ○ 24 1，3-丙二胺 二丙二醇单甲醚 N，N-二甲基甲酰胺 聚乙烯亚胺(10000) 超纯水 0.4 30 20 0.4 49.2 8分 ○ 在19分时 腐蚀 8～19分 ○ 表5 实 施 例 洗涤剂 性能 起 泡 名称 ()内的数值表示分子量 添加量 [重量％] 残渣除 去性 防蚀性 洗涤时间的 容许范围 25 氟化铵 二乙二醇单乙醚 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.4 65 0.2 34.4 17分 ○ 在31分时 腐蚀 17～31分 ○ 表5(续) 26 氟化铵 二丙二醇单甲醚 二甲基亚砜 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.2 50 30 0.2 19.6 15分 ○ 在34分时 腐蚀 15～34分 ○ 27 氟化铵 二丙二醇单甲醚 异丙醇 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.2 50 30 0.2 19.6 15分 ○ 在33分时 腐蚀 15～33分 ○ 28 氟化铵 二丙二醇单甲醚 聚乙烯亚胺(10000) 超纯水 0.4 65 0.2 34.4 17分 ○ 在31分时 腐蚀 17～31分 ○ 29 1，3-丙二胺 二丙二醇单甲醚 二甲基亚砜 聚乙烯亚胺(10000) 超纯水 0.4 40 20 0.2 39.4 17分 ○ 在31分时 腐蚀 18～31分 ○ 30 氟化铵 二丙二醇单甲醚 聚丙烯酸(250000) 超纯水 0.6 45 0.2 54.2 19分 ○ 在29分时 腐蚀 19～29分 ○ 31 1，3-丙二胺 二丙二醇单甲醚 N，N-二甲基甲酰胺 聚乙烯亚胺(10000) 超纯水 0.4 30 20 0.4 49.2 18分 ○ 在32分时 腐蚀 18～32分 ○ 表6 实 施 例 洗涤剂 性能 起 泡 名称 ()内的数值表示分子量 添加量 [重量％] 残渣除 去性 防蚀性 洗涤时间的 容许范围 32 氟化铵 二乙二醇单乙醚 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.4 65 0.2 34.4 11分 ○ 在27分时 腐蚀 11～27分 ○ 33 氟化铵 二丙二醇单甲醚 二甲基亚砜 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.2 50 30 0.2 19.6 13分 ○ 在30分时 腐蚀 13～30分 ○ 34 氟化铵 二丙二醇单甲醚 异丙醇 聚乙烯吡咯烷酮(40000) 超纯水 0.2 50 30 0.2 19.6 14分 ○ 在30分时 腐蚀 14～30分 ○ 35 氟化铵 二丙二醇单甲醚 聚乙烯亚胺(10000) 超纯水 0.4 65 0.2 34.4 12分 ○ 在26分时 腐蚀 12～26分 ○ 36 1，3-丙二胺 二丙二醇单甲醚 二甲基亚砜 聚乙烯亚胺(10000) 超纯水 0.4 40 20 0.2 39.4 11分 ○ 在23分时 腐蚀 11～23分 ○ 37 氟化铵 二丙二醇单甲醚 聚丙烯酸(250000) 超纯水 0.6 45 0.2 54.2 8分 ○ 在20分时 腐蚀 8～20分 ○ 表6(续) 38 1，3-丙二胺 二丙二醇单甲醚 N，N-二甲基甲酰胺 聚乙烯亚胺(10000) 超纯水 0.4 30 20 0.4 49.2 10分 ○ 在22分时 腐蚀 10～22分 ○ 表7 比 较 例 洗涤剂 样品A 起 泡 名称 ()内的数值表示分子量 添加量 [重量％] 残渣除 去性 防蚀性 洗涤时间的 容许范围 3 氟化铵 二甲基亚砜 超纯水 1.0 49 50 7分 ○ 在5分时 腐蚀 - ○ 4 氟化铵 N-甲基-2-吡咯烷酮 邻苯二酚 超纯水 1.0 44 5 50 8分 ○ 在7分时 腐蚀 - ○ 5 氟化铵 乙二醇 二甲基亚砜 氟化氢 超纯水 1.0 34.45 34.45 0.1 30 9分 ○ 在7分时 腐蚀 - ○ 表8 比 较 例 洗涤剂 样品B 起 泡 名称 ()内的数值表示分子量 添加量 [重量％] 残渣除 去性 防蚀性 洗涤时间的 容许范围 6 氟化铵 二甲基亚砜 超纯水 1.0 49 50 18分 ○ 在10分时 腐蚀 - ○ 7 氟化铵 N-甲基-2-吡咯烷酮 邻苯二酚 超纯水 1.0 44 5 50 18分 ○ 在16分时 腐蚀 - ○ 8 氟化铵 乙二醇 二甲基亚砜 氟化氢 超纯水 1.0 34.45 34.45 0.1 30 16分 ○ 在14分时 腐蚀 - ○ 表9 比 较 例 洗涤剂 样品C 起 泡 名称 ()内的数值表示分子量 添加量 [重量％] 残渣除 去性 防蚀性 洗涤时间的 容许范围 9 氟化铵 二甲基亚砜 超纯水 1.0 49 50 8分 ○ 在6分时 腐蚀 - ○ 10 氟化铵 N-甲基-2-吡咯烷酮 邻苯二酚 超纯水 1.0 44 5 50 9分 ○ 在8分时 腐蚀 - ○ 11 氟化铵 乙二醇 二甲基亚砜 氟化氢 超纯水 1.0 34.45 34.45 0.1 30 10分 ○ 在9分时 腐蚀 - ○ 发明效果 本发明的残渣洗涤液，可良好地洗涤除去电子线路图形制造时基 板上的光致抗蚀剂及灰化、刻蚀、离子注入或CMP等处理时产生的残 渣。尤其是对多种多样化的各种残渣的除去能力高。而且，对基板晶 片上的绝缘膜和低电介质膜、布线的腐蚀性也极低，作为防蚀剂成分 由于不使用表面活性剂，所以由起泡引起的问题也少。 因此，在洗涤基板晶片时，可良好地除去各种残渣，且基底的腐 蚀被抑制得很低，而且使用时间的宽裕度极好。尤其是对无机性高的 残渣除去能力强。而且，对基板晶片上的绝缘膜和低电介质膜、布线 的腐蚀性也能低，作为防蚀剂成分由于不使用表面活性剂，所以由起 泡引起的问题也少。