本发明涉及无线电通讯设备的谐振器结构。 移动通讯的发展使得手持装置更加趋于小型化和复杂化。最近这一 发展对手持装置提出了新的要求，即手持装置应当支持数种不同的标准 和电信系统。对数种不同的系统予以支持即意味着在手持装置的RF部 件中需要几套滤波器和其它RF组件。除此较为复杂以外，手持装置的 尺寸不应因如此广泛的支持而有所增加。 现有技术移动电话所采用的RF滤波器通常是分立的声表面波 (SAW)滤波器或陶瓷滤波器。这一方案对于单个标准电话来说已经足 够，但它不能在不增加移动电话的尺寸的基础上支持数种电信系统。 声表面波(SAW)谐振器的结构类似于图1所示结构。声表面波谐 振器利用固体表面的表面声学振动模式，在这些模式中振动局限在固体 的表面，离开表面则很快地衰减。SAW谐振器通常包括压电层100和两 个电极122、124。利用SAW谐振器可以产生诸如滤波器之类的各种谐 振器结构。SAW谐振器的优点是尺寸非常小，缺点是不能承受大功率。 在半导体晶片，比如硅(Si)或砷化镓(GaAs)晶片上制造薄膜体 声波谐振器的技术已经公知。例如，在K.M.Lakin和J.S.Wang于Feb. 1,1981发表于Applied Physics Letters,Vol.38,No.3，第125 -127页的题目为“Acoustic Bulk Wave Composite Resonators”的 文章中，披露了一种体声波谐振器，它包括溅射于硅(Si)薄膜片上的 氧化锌(ZnO)薄膜压电层。另外，在Hiroaki Satoh、Yasuo Ebata、 Hitoshi Suzuki和Choji Narahara于1985年发表于I5 Proc.39th Annual Symp.Freq.Control，第361-366页的题目为“An Air-Gap Type Composite Thin Film Resonators”的文章中，披露了具有桥结构的体 声波谐振器。 图2表示了具有桥结构的体声波谐振器的一个例子。该结构包括淀 积于基片200上的薄膜130。谐振器还包括位于该薄膜上的底电极110， 压电层100和顶电极120。刻蚀去牺牲层，可以在薄膜和基片之间产生 一个间隙210。该间隙起声学隔离器的作用，基本上将振动谐振器结构 与基片隔离开。 体声波谐振器还未得到广泛的应用，部分是由于目前还没有可行的 方法将这样的谐振器和其它电路组合在一起。但是，BAW谐振器与SAW 谐振器相比有一些优点。例如，BAW结构对大功率电平有较好的耐受力。 目前微型机械装置也在开发之中。微型机械装置通常是利用淀积、 构图和刻蚀技术在硅基片上产生所需要的结构而获得的。例如，图3示 意了一种微型机械开关的结构。微型机械开关包括悬臂400、位于基片 200上的接触焊盘430和接触条440，接触条440在接触焊盘430之间 产生接触用，以及两个电极410、420。悬臂电极410形成于悬臂上， 而基片电极420形成于基片上。接触条形成于悬臂的一端，而悬臂的另 一端固定到基片上，固定装置优选采用支撑件405，以便将悬臂从基片 表面上抬起。在微型机械开关工作的时候在悬臂和基片电极之间耦合有 DC电压。该DC电压在悬臂和开关的基片电极之间产生静电力。静电力 使悬臂弯曲，导致接触条与基片接触焊盘430接触。在D.L.Polla和 L.F.Francis于July 1996发表于MRS Bulletin，第59-65页的题目 为“Ferroelectric Thin Films in Microelctromechanical Systems Applications”的文章中，披露了其它几种微型机械结构，该文章在本 文引用为参考。 本发明的目的是提供开关式谐振器结构。本发明的另一个目的是提 供尺寸非常小的这类结构。本发明的一个目的还在于减少多系统移动通 讯装置所需要的滤波器结构的尺寸。 这些目的可以通过将谐振器元件和开关元件组合在同一结构中而达 到。 根据本发明的谐振器结构的特征在于，在独立权利要求的特征部分 针对谐振器结构所描述的内容。根据本发明的移动通讯装置的特征在 于，在独立权利要求的特征部分针对移动通讯装置所描述的内容。从属 权利要求描述了本发明的具有进一步优点的实施例。 根据本发明，微型机械开关和谐振器都是以单一组合结构的形式实 现的。将开关和谐振器结构组合在一起，能够制造出非常紧凑、为多系 统移动通讯装置所需的滤波器和谐振器结构。 下面结合附图对本发明作详细描述。附图中： 图1示意了根据现有技术的声表面波谐振器； 图2示意了根据现有技术的体声波谐振器； 图3示意了根据现有技术的微型机械开关结构； 图4是具有桥结构的体声波谐振器的剖面图； 图5是图4结构的顶视图； 图6是另一具有桥结构的体声波谐振器的剖面图； 图7示意了具有通孔结构的体声波谐振器； 图8示意了经声学镜面结构与基片隔离的体声波谐振器； 图9示意了具有堆叠结构的体声波谐振器； 图10示意了根据本发明的一个有利实施例的一个开关和谐振器组 合式结构。此处压电层是弯曲元件； 图11示意了图10结构在ON状态下的结构； 图12示意了根据本发明的一个有利实施例的另一开关和谐振器组 合式结构； 图13示意了根据本发明的一个有利实施例的另一开关和谐振器组 合式结构；此处谐振元件仅在一端固定到结构的其余部分； 图14示意了根据本发明的一个有利实施例的开关和谐振器组合式 结构，此处支撑层是弯曲元件； 图15示意了根据本发明的一个有利实施例的开关和谐振器组合式 结构，此处悬臂元件是弯曲元件； 图16示意了具有双开关结构的本发明实施例； 图17示意了根据本发明利用了谐振器和开关结构的滤波器组结 构； 图18示意了根据本发明利用了谐振器和开关结构的另一滤波器组 结构； 图19a、19b和19c示意了利用本发明的各种有利实施例可以获得 的各种滤波器结构； 图20示意了根据本发明的体声波谐振器和开关组合结构在振荡器 中的用途；以及 图21示意根据本发明开关式谐振器组在移动通讯装置中的应用。 附图中相同的参考标号指代相同的部件。 在下文将首先说明BAW谐振器的某些类型，这些BAW谐振器可以有 利地应用于根据本发明的结构中。 体声波谐振器通常制造在硅、砷化镓(GaAs)、玻璃或陶瓷基片上。 可以使用的另一类型的陶瓷基片是氧化铝。BAW装置通常利用各种薄膜 制造技术，例如溅射、真空蒸发或化学汽相淀积加以制造。BAW装置利 用压电薄膜层来产生体声波。典型BAW装置的谐振频率范围在0.5GHz 和5GHz之间，具体数值取决于装置的尺寸和材料。BAW谐振器呈现晶 体谐振器的典型串联和并联谐振特点。谐振频率主要由谐振器的材料和 谐振器的各层的尺度确定。 典型的BAW谐振器由三个基本元件组成： 声学方式工作的压电层， 压电层的相对端上的电极，以及 与基片的声学隔离。 压电层可以例如是ZnO、AlN、ZnS或其它任何可以按薄膜形状制造 的压电材料。进一步的例子是，铁电陶瓷也可以作为压电材料使用。例 如，PbTiO3和Pb(ZrxTi1-x)O3和所谓的锆钛酸镧铅家族的其它成员也可 以使用。 优选情况是，用来构成电极层的材料是具有高声学阻抗的导电材 料。这些电极可以由任何适当的材料构成，比如钨(W)，铝(Al)，铜 (Cu)，钼(Mo)，镍(Ni)，钛(Ti)，铌(Nb)，银(Ag)，金(Au)， 和钽(Ta)。 声学隔离可以利用下列技术完成：采用基片通孔，采用微型机械桥 结构，或采用声学镜面结构。 但是，本发明不限于这三种技术，因为任何其它的使谐振器和基片 隔离的手段都可以同样采用。 在通孔和桥结构中，声学反射表面是位于装置的上方和下方的空气 界面。桥结构通常是利用牺牲层制成的，该牺牲层被刻蚀掉，产生自由 立式的结构。利用牺牲层使得种类广泛的基片材料得以利用，因为基片 不必作非常大的改动，正如通孔结构那样。 桥结构可以例如利用蚀刻坑结构实现。图4和5示意了具有蚀刻坑 的一个BAW。图4和5给出了基片200、薄膜层130、底电极110、压电 层100和顶电极120。图4是这一结构的剖面图，而图5是结构的顶视 图。在该蚀刻坑结构中，蚀刻坑210是在淀积了至少薄膜层130之后在 BAW结构下面刻蚀得到的。 图6示意了另一种制造桥结构的方法。在淀积BAW结构的其它层之 前，首先淀积一个牺牲层135并加以构图。然后BAW结构的其余部分在 牺牲层135上方部分淀积和构图。在BAW结构的其余部分完成之后，刻 蚀去牺牲层135。图6还给出了基片200、薄膜层130、底电极110、压 电层100和顶电极120。 牺牲层优选利用金属或聚合物作为制造材料加以实现。例如，牺牲 层可以利用铜(Cu)作为材料制备。聚合物优选是这样的聚合物，它能 够抵抗在淀积其它各层之后可能达到的较高温度。例如，聚合物可以是 特氟隆或其衍生物，聚苯硫，聚醚醚酮(polyetheretherketone)，聚 (对亚苯基苯并二咪唑)，聚(对亚苯基苯并二噁唑)，聚(对亚苯基苯 并二咪唑)，聚(对亚苯基苯并二噻唑)，聚酰亚胺，聚酰亚胺硅氧烷， 乙烯醚，聚苯基，帕里纶N，帕里纶F，或苯环丁烯。 牺牲层可以用现有技术所采用的其它任何材料构成，比如氧化锌 (ZnO)。但是，如前所述优选使用金属或聚合物。 在通孔结构中，通过将基片在BAW谐振器结构的主要部位下的部分 蚀刻去，可以使谐振器和基片声学隔离。图7示意了BAW谐振器的通孔 结构。图7表示了基片200、薄膜层130、底电极110、压电层100、和 顶电极120。通孔211是贯穿整个基片刻蚀的。由于这种要求的蚀刻， 通孔结构通常仅用Si或GaAs基片实现。 将BAW谐振器和基片隔离的另一方法是利用声学镜面结构。声学镜 面结构通过使声波反射回谐振器结构而实现隔离功能。一个声学镜通常 包括厚度为中心频率处四分之一波长的数层，交替层具有不同的声学阻 抗。声学镜中的层数是奇数，通常范围是3到9。两个相继层的声学阻 抗的比值应当大到对于BAW谐振器呈现尽可能低的声学阻抗，而不是基 片材料的较高阻抗。高阻层材料可以例如是金(Au)，钼(Mo)或钨(W)， 低阻层材料可以例如是硅(Si)，多晶硅(poly-Si)，二氧化硅(SiO2)， 铝(Al)，或聚合物。因为在利用声学镜结构的结构中，谐振器与基片 是隔离的，并且基片未作非常大的改动，因此可以采用许多种材料作为 基片。 聚合物层可以由任何具有低损耗特性和低声学阻抗的聚合物材料构 成。优选采用的聚合物应能够抵抗至少350摄氏度高温，因为在淀积声 学镜结构的其它各层和其它结构期间可以获得较高温度。聚合物层可以 由聚酰亚胺，cyclotene，一种碳基材料，硅基材料或其它任何适当的 材料。 图8是处于声学镜结构上方的BAW谐振器的实例。图8给出了基片 200，底电极110，压电层100，和顶电极120。声学镜结构150在此例 中包括三层150a,150b。其中两层150a由第一材料构成，第三层150b 处于这两层之间并由第二种材料构成。第一和第二种材料的声学阻抗不 同，如前所述。这些材料的顺序在本发明的不同实施例中是不同的。在 本发明的某些实施例中，高声阻的材料可以处于中间，而低声阻的材料 处于该中间材料的两端。在本发明的其它实施例中，其顺序可以是相反 的。在本发明的一些实施例中底电极可以作为声学镜的一层。 图9给出可以用在本发明有利实施例中的另一BAW谐振器结构。图 9表示了具有两个压电层100的层叠谐振器结构。除了底电极110和顶 电极120外，层叠结构需要一个中间电极115，它和地电位相连。图9 还示意了薄膜层130、基片200和使结构和基片隔离的蚀刻坑210。 图10是本发明一个有利实施例处于OFF状态的剖面图，而图11是 同样结构处于ON状态的示意图。该实施例包括构成桥结构的一层压电 材料100，提供DC控制电压和向压电层100馈送RF信号的第一导体110 和第二导体120，接触导体112，基片200，将BAW结构100、120、112、 110和基片200隔离的声学镜结构150a,150b。图10是处于OFF状态 的开关结构和谐振器。当足够高的电压施加在顶120和底110导体之间 时，所产生的静电力导致压电层弯曲，如图11所示。压电层100的弯 曲带动接触导体112使之与底电极110接触，如图11所示。当接触导 体112与底电极110接触时，该结构能够起谐振器的作用。 图10和11以及说明书中表示各种结构的其它附图仅作示意用，可 以使在一或多个方向的尺度加以放大。 图12示意了本发明的另一个有利实施例。在该实施例中，开关和 谐振器结构100、110、112、120是与基片200声学隔离的，隔离措施 是由薄膜层130构成桥结构而不是声学镜结构150a,150b。图12实施 例的开关和谐振器结构100、110、112、120工作方式与图10和11实 施例相同，此处不再对其功能重复说明。 图13示意了本发明的另一有利实施例，该实施例中压电层构成悬 臂结构而不是图10、11和12所示的桥结构。悬臂100的一端固定到其 它层，另一端可以自由运动。图13所示的谐振器和开关结构处于OFF 状态。当在顶120和底110导体之间施加足够高的电压时，所产生的静 电力导致压电层弯曲，从而带动接触导体112与底电极110接触。当接 触导体112与底电极110接触时，该结构能够起谐振器的作用。图13 还给出了声学隔离结构150a,150b，它将谐振器和开关结构100、110、 112、120与基片200声学隔离。 图14示意了本发明的另一有利实施例，该实施例中设置了压电层 100之外的某一层用于弯曲。压电层淀积在支撑层130上，而支撑层又 由支撑结构102支持。图14所示的谐振器和开关结构处于OFF状态。 当在顶120和底110导体之间施加足够高的电压时，所产生的静电力导 致薄膜层130弯曲，从而带动接触导体112与底电极110接触。当接触 导体112与底电极110接触时，该结构能够起谐振器的作用。图13还 给出了声学隔离结构150a,150b，它将谐振器和开关结构100、110、112、 120与基片200声学隔离。图13表明支撑结构102和支撑层130是彼 此分开的。但是在本发明的其它实施例中，支撑结构102和支撑层130 可以是同一层的一部分。 在具有类似图14所示结构的本发明进一步有利实施例中，接触导 体112构成支撑和弯曲层，它载有压电层100。在这样的实施例中，隔 离层需要淀积在接触导体112和顶电极层120之间。 在本发明的一些实施例中，谐振器元件在激励组合结构的开关功能 时不会移动。这样的实施例在利用层叠谐振器结构，比如图9所示的结 构时特别有利。图15表示了这样一个实施例的一个实例。图15的实施 例包括压电层100，顶120和底110电极位于声学镜结构150a,150b 的上面。图15还给出一个包括悬臂支撑件145和开关悬臂140的开关 元件。该开关元件还包括接触导体122。当在接触导体122和底电极110 之间施加足够高的电压时，所产生的静电力导致悬臂140弯曲，从而带 动接触导体122与顶电极120接触。当接触导体122与顶电极120接触 时，该结构能够起谐振器的作用。 在本发明的进一步实施例中，可以采用一个开关元件使BAW元件变 为OFF状态。在这样的实施例中，当开关元件上没有施加电压，由此开 关元件未被弯曲以与BAW元件接触的时候，BAW元件能够自由工作，即 处于0N状态。当在开关元件上施加电压，使开关悬臂向下弯曲以接触 BAW元件的时候，悬臂衰减BAW元件的振荡，或者至少将BAW元件的谐 振频率远离工作频率，这有效地将BAW元件设置到不工作即OFF状态。 在这样的实施例中，顶电极120优选用钝化层覆盖，使BAW元件与开关 电极电压绝缘。在其余方面这样的实施例可以例如采用与图5所示相似 的结构。 图15的结构仅仅是具有例如如图15所示开关元件140、145的谐 振器结构的一个实例。在其它具有开关元件的发明性实施例中可以采用 其它类型的BAW谐振器。例如，在一些实施例中BAW谐振器可以由桥结 构而不是图15所示的声学镜结构与基片声学隔离。 图16示意了本发明的有利实施例，其中该结构在BAW元件的两个 端口都实现了开关。在图16的实施例中，单个开关元件在ON状态与顶 和底电极导体都保持接触，而在OFF状态与两者都不接触。图16表示 了这种结构的剖面图。该结构包括位于底电极110上面的压电层和声学 镜150a,150b层。结构还包括一个支撑结构102，它将底电极110延 伸到开关元件140、142、112、122能够接触底电极的地方。图16表示 了微型机械开关结构的悬臂元件140。微型机械开关结构可以例如采用 与图15所示相似的结构。开关结构包括将RF信号通路连接到BAW元件 100、110、120的导体112、122，和施加高DC电压以启动开关元件的 控制电压导体142。然后启动开关功能，在控制电压导体和底导体110 之间施加高DC电压，导致悬臂元件140向底导体弯曲，从而使底电极 110和相应的接触导体112接触以及使顶电极120和相应的接触导体122 接触。 支撑结构102可以有利地由与压电层100相同的压电材料构成，由 此它们可以采用在导电层上面形成底电极110的同样处理步骤制造。构 成底电极110的导体在支撑结构102上面延伸的部分可以有利地与顶电 极层120同时淀积。通过如此形成支撑结构102，支撑结构和压电层100 具有相同的高度，这简化了开关元件的构造。 图16仅仅是本发明具有双重开关结构的实施例的一个示例，而无 意对具有双重开关结构的各种实施例结构作出限制。 在先前的例子中，悬臂140、支撑层130或压电层100的弯曲运动 均是指向基片200的。但是，本发明不受向基片的弯曲运动的限制。在 本发明的进一步有利实施例中，弯曲运动可以是背离基片方向的。例如， 在本发明的一个有利实施例中，BAW谐振器实现为桥结构，而开关元件 的悬臂定位在BAW谐振器和基片之间，从该位置悬臂可以背离基片弯曲 以接触BAW谐振器的底导体。在本发明的另一有利实施例中，BAW谐振 器被设计成背离基片弯曲，以接触由BAW谐振器上方的桥结构所携带的 导体。 如前面实例所示，根据本发明结构的各种特征的实现可以作许多改 变。例如，谐振器可以从一或多个位置固定到结构的其余部分。弯曲元 件可以是谐振器自身，载有谐振器的部件，或单独的悬臂，并且弯曲可 以在许多不同的方向进行。另外，结构可以实现一或多个开关。 为清楚起见，说明书的各附图中没有绘出制造微型电子和微型机械 结构通常所需要的任何钝化层。 在基片由硅、砷化镓或适于用作为集成电路基片的一些其它材料制 成的此类实施例中，可以在同一基片上实现诸如晶体管的其它元件。例 如，在同一基片上可以集成诸如放大器之类的其它电路，这一做法使得 移动通讯装置的几乎所有RF元件都可以集成到单个基片上。 根据本发明的谐振器和开关结构可以用于例如实现开关式滤波器 组。根据本发明的开关式滤波器组的一个可能的应用如图17所示。图 17可以例如用于对传送或接收频段的一个窄段滤波。滤波器组包括通带 相对较窄的几个带通滤波器，由此通过将具有所需中心频率的滤波器切 换至使用状态可以选择频段的一部分进行工作。利用根据本发明的谐振 器和开关结构10可以实现这些带通滤波器。谐振器和开关结构10的开 关用于选择所采用的滤波器。由于相邻滤波器的通带在一定程度上重 叠，所以如果所有的其它滤波器即未用滤波器连接到另一端口由此引起 第二端口的加载那么在第二滤波器端口的滤波器匹配是非常困难的。未 使用的滤波器将呈现与频率有关的电抗，这在第二端口看来是短路电 抗。这一问题可以利用到每个滤波器的第二开关14加以解决，如图17 所示。在滤波器的通带相对隔开的此类应用中，在滤波器的第二端口即 输出端口处不需要开关。在本发明的进一步有利的实施例中，包含BAW 元件和双开关结构的结构可以使用在开关式滤波器组中，而不需要为每 个滤波器元件配置单独的开关14。这种具有双开关结构的结构可以例如 根据结合图16描述的本发明实施例而实现。 图17的滤波器组可以用于限制接收机从单个接收频段接收的噪声 和干扰信号。在发射端，这样的滤波器组可以清除发送电路在所需发射 频率之外产生的噪声。 在本发明的各种实施例中滤波器组可以包括一或多个滤波器。图17 仅表示了一个例子。为清楚起见，向开关和滤波器组合结构10施加控 制电压的DC信号线未在图17表示。 在本发明的另一有利实施例中，滤波器组可以用于在不同的工作频 段之间选择，比如用在经设计与具有不同工作频段的一个以上网络通讯 的移动通讯装置中。图18是根据这类实施例的结构。图18的结构包括 两个开关和滤波器结构10。在图18，开关仅仅用在滤波器的输入端口。 在该例子中，两个滤波器的通带充分分离，所以在使用中呈现给滤波器 输出端口的短路电抗不会过多影响使用中的滤波器的通带。在滤波器的 输入端口设置开关其目的是选择所需要的滤波器。图18所示的配置可 以用在接收机结构和发射机结构中。为清楚起见，图18未表示将控制 电压施加到开关和滤波器组合结构10的DC信号线。 利用体声波谐振器实现的滤波器可以包括一个以上的谐振器。图 19a,19b,19c表示了在滤波器两个端口均有开关的各种滤波器结构， 该滤波器结构可以用在本发明的各实施例中。图19a是谐振器和开关结 构的一个例子，它除了谐振器和开关组合结构之外还包括具有单个压电 层的常规BAW谐振器。将数个谐振器用在梯形拓扑结构中在大多数情况 下其滤波器性能比仅用单个谐振器要好，如图19a所示。图19b的滤波 器结构是利用堆叠体声波谐振器12’和具有堆叠谐振器结构的谐振器和 开关组合结构10共同构成的滤波器结构。该滤波器包括串联的谐振器 12’，在谐振器之间有短路电感307。图19c的滤波器结构是供窄通带工 作用的。该结构除了采用短路电容308代替短路电感以外，其余类似于 图9b结构。图19a,19b,19c的各种结构可以用于例如图17和18所 示的开关式滤波器组结构。为清楚起见，图19a,19b,19c未表示将控 制电压施加到开关和滤波器组合结构10的DC信号线。 图20是本发明的进一步有利实施例。图20示意了公知的Colpitts 类型的振荡器电路。采用由开关和体声波谐振器结构10构成的体声波 谐振器和开关组，为振荡器电路提供数个工作频率。所需要的工作频率 是通过用开关之一选择相应的谐振器而选定的。这种振荡器结构可以有 利地用于例如多频段移动通讯装置中。为清楚起见，图20未表示控制 开关位置的信号线。根据本发明的谐振器和开关结构还可以用在许多其 它振荡器结构中，而图20仅是其一个示例。由于Colpitts振荡器为本 领域的技术人员所公知，本文不再详细说明图20的振荡器的结构和功 能。为清楚起见，图20未表示将控制电压施加到开关和滤波器组合结 构10的DC信号线。 在图21，表示了根据本发明进一步有利实施例的移动通讯装置的 框图。移动通讯装置的接收机部分包括对接收信号滤波的第一接收机开 关式滤波器组302a，对接收信号放大的接收机放大器605，对接收信号 进一步滤波的第二接收机开关式滤波器组302b，将接收信号转换到基 带的混频器610，对信号解调和解码的接收机电路630和产生可听接收 信号的耳机650或扬声器650。发射部分包括传声器656，将拟发射的 信号编码和执行其它必要信号处理的发射机电路635，产生调制射频信 号的调制器615，第一发射器开关滤波器组302d，发射机放大器606， 和第二发射机开关式滤波器组302c。移动通讯装置还包括天线601，振 荡器电路620，控制电路640，显示器652和键盘654。控制电路640 控制接收机和发射机电路以及振荡器电路的操作，以及经显示器652向 用户显示信息，并且经键盘654从用户接收指令。开关式滤波器组302a, 302b,302c,302d可以例如具有图17所示的结构或图18所示的结构， 或者图17和18结构的组合，这取决于移动通讯装置工作频段的个数和 宽度。开关式滤波器组302a,302b,302c,302d还可以采用其它结构。 开关式接收机滤波器组302a,302b用于限制接收机从接收频段接收的 噪声和干扰信号。在发射端，开关式发射滤波器组302c,302d可以清 除发射电路在所需发射频率之外产生的噪声。振荡器电路620可以包括 具有开关式谐振器组的振荡器，比如图20所示。振荡器电路620还可 以包括将不需要的噪声从振荡器电路的输出中除去的开关滤波器电路。 在本发明的进一步有利的实施例中，谐振器和开关组合结构运用于 希望采用小尺寸的装置组件的其它类型的小型无线电发射器和/或接收 机结构中。例如，谐振器和开关组合结构可以有利地使用于无绳电信系 统，比如蜂窝电信系统或其它类型无绳电话系统的内置基站中。进而， 谐振器和开关组合结构可以有利地用于例如便携计算机、个人数字助理 (assistant)和遥控装置的内置射频链路单元中。 根据本发明的进一步有利实施例中，在谐振器和开关装置被淀积的 基片还固定其它的组件。例如，基片还为其它组件提供线路连接，所述 线路连接是以导电图形的形式实现在基片表面上的。其后诸如集成电路 之类的组件可以焊接在该基片上。例如，利用倒装片焊接技术可以将拆 包的集成电路直接焊接在基片上。这样的实施例在将玻璃当作基片材料 的时候特别有利，因为成本低廉的玻璃基片可以允许制造较大的基片， 由此这样的基片除了淀积的谐振器和开关结构外还可以包容其它组件。 根据本发明的谐振器和开关结构有利地使用于大致400MHz或其以 上的频率，即BAW谐振器可以使用的频率处。 本发明提供经济可行的谐振器和开关结构，因为这样的结构可以一 次制造过程即可完成。本发明还允许制造尺寸非常小的复杂的开关式谐 振器和滤波器结构，这是构筑多系统移动通讯装置方面是明显的进步。 根据上文的描述，对于本领域的技术人员来说很明显可以在本发明 的范围内作各种修改。尽管对本发明的优选实施例作了详细说明，显然 可以对其作许多的修改和变更，而不会脱离本发明的真实精神和范畴。