[0001] 本公开的实施例涉及一种微型发光组件，尤其涉及一种垂直堆叠式微型发光组件、包含其的微型发光显示设备及其制造方法。

[0002] 近来，由于微型显示器的应用逐渐成为市场发展趋势，微型发光二极管(micro LED,mLED/μLED)的尺寸必须进一步缩小才能显着地提高分辨率。

[0003] 垂直式结构的微型发光二极管被视为可满足上述需求的方案之一。然而，为了不影响磊晶质量以及导电性，垂直式结构的微型发光二极管的导光图案是以另行加工的方式形成。举例而言，干式蚀刻(dry etching)是常见的制程，其可在微型发光二极管的顶部表面形成导光图案的同时，使经掺杂的半导体层暴露出。然而，干式蚀刻属非等向性蚀刻，通过干式蚀刻制作导光图案时，由于施加的能量不易保持均匀，可能导致每个微型发光组件的顶部形状不一致、厚度也有所差异，进而产生例如光型不一、亮度不均匀(Mura)等质量问题。

[0004] 此外，因制程因素，当垂直式微型发光组件接合到电路基板时，大多是以N侧(靠近N型半导体(例如，N型氮化镓)的一侧)朝上出光的配置。为避免出光面遮光，N侧出光面通常使用透明电极(例如，氧化铟锡(ITO))进行导电。然而，氧化铟锡和N型氮化镓之间的功函数差异较大，仍须依赖金属电极和N侧形成良好的奥姆接触(ohmic contact)，这将损失一部分的出光面积。

[0005] 再者，由于图案化制程通常使用湿式蚀刻，其制程特性会使电路基板上的微型发光组件呈现底切(undercut)结构，底切结构的截面形状致使透明电极在沉积时不易良好成形(例如，形成断路)；若为此增加沉积厚度，则会因氧化铟锡非完全透明，导致光取出率进一步下降。

[0006] 因此，微型发光组件及包含其的微型发光显示设备的设计和制造仍面临各种挑战。

[0050] 以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下叙述的各个部件及其排列方式的特定范例，以简化本公开。当然，这些仅为范例且并非用以限定。举例来说，若是叙述第一特征部件形成于第二特征部件之上或上方，表示其可能包含第一特征部件与第二特征部件是直接接触的实施例，亦可能包含有其他的特征部件形成于第一特征部件与第二特征部件之间，而使第一特征部件与第二特征部件可能未直接接触的实施例。

[0051] 应理解的是，其他的操作步骤可实施于所述方法之前、之间或之后，且在所述方法的其他实施例中，一些操作步骤可被取代或省略。

[0052] 此外，本文中可能用到与空间相关的用词，例如“在…之下”、“下方”、“下”、“在…之上”、“上方”、“上”及类似的用词，是为了便于描述附图中一个组件或特征部件与其他组件或特征部件之间的关系。这些与空间相关的用词包含使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。装置可被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，而本文中所使用的与空间相关的形容词也将对应转向后的方位来解释。

[0053] 在本公开中，用语“约”、“大约”、“实质上”通常表示在给定值的20％之内，或给定值的10％之内，或给定值的5％之内，或给定值的3％之内，或给定值的2％之内，或给定值的1％之内，甚至是给定值的0.5％之内。本公开的给定值为大约的值。亦即，在没有特定描述“约”、“大约”、“实质上”的情况下，给定值仍可包含“约”、“大约”、“实质上”的意思。

[0054] 除非另外定义，本文中使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与此篇公开所属的本领域技术人员所通常理解的相同的涵义。应理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术的背景的意思一致的意思，而将不会以理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开的实施例有特别定义。

[0055] 本公开在以下的实施例中可能重复使用相同的参考符号和/或标记。这些重复是为了简化与清楚的目的，并非用以限定所讨论的各种实施例和/或结构之间有特定的关系。

[0056] 图1至图3是根据本公开一些实施例示出在制造微型发光组件100的各阶段的部分剖面图。应注意的是，为了简洁的目的，图1至图3中已省略微型发光组件100的一些部件。

[0057] 参照图1，在一些实施例中，在生长基材10之上形成磊晶叠层EL。在一些实施例中，生长基材10为图案化蓝宝石(patterned sapphire substrate,PSS)基材。举例来说，可通过湿式化学蚀刻制程将蓝宝石基材图形化，以在蓝宝石基材的表面形成多个图案化结构10R。湿式化学蚀刻制程可例如使用高温热磷酸作为蚀刻液，但本公开实施例并非以此为限。

[0058] 如图1所示，在一些实施例中，磊晶叠层EL包含依序堆叠的本征半导体(intrinsic semiconductor)20、第二型半导体21、发光层23及第一型半导体25。本征半导体20、第二型半导体21、发光层23及第一型半导体25可通过磊晶成长制程依序形成于生长基材10之上。举例来说，磊晶成长制程可包含金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)、氢化物气相磊晶法(hydride vapor phase epitaxy,HVPE)、分子束磊晶法(molecular beam epitaxy,MBE)、其他适用的方法或其组合。

[0059] 第二型半导体21位于本征半导体20之上，且可与本征半导体20包含相同或类似的材料，例如Ⅱ‑Ⅵ族材料(例如，硒化锌(ZnSe))或Ⅲ‑Ⅴ氮族化合物材料(例如，氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)或氮化铝铟镓(AlInGaN))。在本实施例中，本征半导体20为无掺杂(undoped)半导体层或是低掺杂半导体层，而第二型半导体21包含N型半导体材料。举例来说，第二型半导体21可包含硅(Si)或锗(Ge)等掺杂物，但本公开实施例并非以此为限。本征半导体20与第二型半导体21可以是单层或多层结构。

[0060] 由于磊晶材料(例如，GaN)与生长基材10的晶格常数(lattice constant)及热膨胀系数(coefficient of thermal expansion,CTE)相差较大，可能会产生高密度差排(thread dislocation)。在本实施例中，本征半导体20可作为缓冲层，其可减少后续磊晶层的差排缺陷，提高组件可靠度。此外，图案化蓝宝石(PSS)基材的图案化结构10R可以改变后续磊晶层的散射机制，或将散射光导引至磊晶层的外部，由此增加亮度。

[0061] 发光层23位于第二型半导体21之上。发光层23可包含无掺杂(undoped)半导体层或是低掺杂半导体层。举例来说，发光层23可为量子井(quantum well,QW)层，其可包含氮化铟镓(indium gallium nitride,InxGa1‑xN)或氮化镓(gallium nitride,GaN)，但本公开实施例并非以此为限。或者，发光层23也可为多重量子井(multiple quantum well,MQW)层。

[0062] 发光层23可发出蓝色(blue)光，但本公开实施例并非以此为限。发光层23也可发出红色(red)光、绿色(green)光、白色(white)光、青色(cyan)光、洋红色(magenta)光、黄色(yellow)光、其他合适的色光或其组合。

[0063] 第一型半导体25位于发光层23之上，且与第二型半导体21相对，第一型半导体25包含P型半导体材料。举例来说，第一型半导体25可包含镁(Mg)、碳(C)等掺杂物，但本公开实施例并非以此为限。此外，第一型半导体25可以是单层或多层结构。

[0064] 如图1所示，在一些实施例中，将磊晶叠层EL图案化，以形成多个磊晶单元ES(在图1中仅示出三个)。举例来说，可在磊晶叠层EL之上形成屏蔽层(未示出)，接着蚀刻磊晶叠层EL被屏蔽层覆盖的部分(或者未被屏蔽层覆盖的部分)，以形成多个磊晶单元ES，但本公开实施例并非以此为限。换言之，每个磊晶单元ES也包含依序堆叠的本征半导体20、第二型半导体21、发光层23及第一型半导体25。

[0065] 屏蔽层可包含光致抗蚀剂，例如正型光致抗蚀剂(positive photoresist)或负型光致抗蚀剂(negative photoresist)。屏蔽层可包含硬屏蔽，且可由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳化硅(SiC)、氮碳化硅(SiCN)、类似的材料或前述的组合所形成，但本公开实施例并非以此为限。屏蔽层可以是单层或多层结构。屏蔽层的形成可包含沉积制程、光微影制程、其他适当的制程或前述的组合。沉积制程例如包含旋转涂布(spin‑on coating)、化学气相沉积、原子层沉积、类似的制程或前述的组合。光微影制程可以包含光致抗蚀剂涂布(例如旋转涂布)、软烘烤(soft baking)、光罩对准(mask aligning)、曝光(exposure)、曝光后烘烤(post‑exposure baking,PEB)、显影(developing)、清洗(rinsing)、干燥(例如硬烘烤)、其他合适的制程或前述的组合。

[0066] 前述蚀刻制程可包含干式蚀刻制程、湿式蚀刻制程或前述的组合。举例来说，干式蚀刻制程可包含反应性离子蚀刻(reactive ion  etch,RIE)、感应耦合式电浆(inductively‑coupled plasma,ICP)蚀刻、中子束蚀刻(neutral beam etch,NBE)、电子回旋共振式(electron cyclotron resonance,ERC)蚀刻、类似的蚀刻制程或前述的组合。举例来说，湿式蚀刻制程可使用例如氢氟酸(hydrofluoric acid,HF)、氢氧化铵(ammonium hydroxide,NH4OH)或任何合适的蚀刻剂。

[0067] 接着，在磊晶单元ES之上形成绝缘层30。举例来说，绝缘层30可包含无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、类似的材料或其组合，但本公开实施例并非以此为限。绝缘层30可通过沉积制程与图案化制程所形成。沉积制程与图案化制程的范例如前所述，在此将不再重复。

[0068] 如图1所示，在一些实施例中，将绝缘层30图案化，以暴露出(每个磊晶单元ES的)第一型半导体25的表面25B的至少一部分。接着，在每个第一型半导体25的表面25B之上形成图案化电极层41。图案化电极层41可包含透明导电材料。举例来说，透明导电材料可包含氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、氧化锡(tin oxide,TO)、氧化铟锌(indium zinc oxide,IZO)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,IGZO)、氧化铟锡锌(indium zinc tin oxide,ITZO)、氧化锑锡(antimony tin oxide,ATO)、氧化锑锌(antimony zinc oxide,AZO)，但本公开实施例并非以此为限。

[0069] 如图1所示，在一些实施例中，在图案化电极层41之上形成电极43，电极43藉由图案化电极层41与第一型半导体25电性连接。电极43可包含例如金属、金属硅化物、类似的导电材料或前述的组合。举例来说，金属可包含金(Au)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铱(Ir)、钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)、类似的材料、前述的合金或前述的组合，但本公开实施例并非以此为限。电极43可通过物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积、蒸镀(evaporation)、溅镀(sputtering)、类似的制程或前述的组合所形成，但本公开实施例并非以此为限。

[0070] 参照图2，将磊晶单元ES自生长基材10转移至暂时载板12。举例来说，可通过黏着层14将磊晶单元ES固定于暂时载板12，再以激光剥离制程(laser lift‑off,LLO)移除生长基材10。此状态下，磊晶单元ES的电极43邻近暂时载板12，而本征半导体20远离暂时载板12。暂时载板12可包含塑料基板、陶瓷基板、玻璃基板、蓝宝石基板或其他无线路的基板，但本公开实施例并非以此为限。

[0071] 如图2所示，由于磊晶叠层EL是在包含多个图案化结构10R的生长基材10之上所形成，因此，每个磊晶单元ES也包含形状对应于图案化结构10R的图案化导光结构20P，这些图案化导光结构20P位于本征半导体20的顶表面20T上。在本实施例中，图案化导光结构20P为本征半导体20的一部分。此外，在一些实施例中，在如图2所示的剖面中，图案化导光结构20P的形状为周期性变化。

[0072] 接着，将部分黏着层14与部分绝缘层30移除，以暴露出本征半导体20的侧壁及第二型半导体21的一部分侧壁。在一些实施例中，绝缘层30为布拉格反射镜结构(例如，分布式布拉格反射器(distributed Bragg reflector,DBR))，但本公开实施例并非以此为限。

[0073] 举例来说，可通过电浆进行反应性离子蚀刻(RIE)制程，以将位于本征半导体20的侧壁周围及第二型半导体21的一部分侧壁周围的黏着层14与绝缘层30移除，但本公开实施例不限制移除这些膜层的方式。如图2所示，在一些实施例中，每个磊晶单元ES的第一型半导体25、发光层23、第二型半导体21及本征半导体20的侧壁构成连续的侧表面20S，且侧表面20S连接第一型半导体25的(底)表面25B与本征半导体20的顶表面20T。

[0074] 参照图3，在多个磊晶单元ES的侧表面20S之上形成金属反射层34，金属反射层34侧向地覆盖本征半导体20的侧壁及第二型半导体21邻接本征半导体20的一部分侧壁，以形成多个微型发光组件100。举例来说，金属反射层34可通过蒸镀、溅镀、类似的制程或前述的组合所形成，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，金属反射层34包含钛(Ti)、铝(Al)、镍(Ni)、金(Au)的至少其中之一或上述任意组合的合金。

[0075] 要特别注意的是，图1中所示将绝缘层30图案化，以暴露出第一型半导体25的表面25B的至少一部分、在磊晶单元ES之上形成图案化电极层41以及在图案化电极层41之上形成电极43等步骤，也可在形成金属反射层34之后再执行。详细而言，可在图3的金属反射层
34形成并将这些微型发光组件100再次转移到另一个暂时载板(图未示)以移除剩余的黏着层14后，再执行前述制程。

[0076] 如图3所示，绝缘层30设置于侧表面20S且侧向地覆盖第一型半导体25、发光层23及第二型半导体21远离本征半导体20的另一部分侧壁。在本实施例中，金属反射层34于侧表面20S邻接绝缘层30。此外，在其他实施例中，金属反射层34也可以围绕整个侧表面20S并侧向地封闭本征半导体20与第二型半导体21的部分侧壁。

[0077] 如图3所示，在一些实施例中，金属反射层34接续绝缘层30的断面，或者在接续处稍微覆盖绝缘层30，其可由黏着层14是否暴露出绝缘层30以及暴露出的高度而定。在一些实施例中，绝缘层30的厚度T30大于金属反射层34的厚度T34。举例来说，绝缘层30的厚度T30为约1μm，而金属反射层34的厚度T34为约0.1μm～0.3μm，但本公开实施例并非以此为限。

[0078] 图4A是根据一些实施例示出微型发光组件100的部分剖面图，图4B是示出微型发光组件100的本征半导体20的部分上视图。图5A是根据一些其他的实施例示出微型发光组件100的部分剖面图，图5B是示出微型发光组件100的本征半导体20与金属反射层34的部分上视图。类似地，为了简洁的目的，图4A至图5B中已省略微型发光组件100的一些部件。

[0079] 参照图4A，类似地，微型发光组件100包含第一型半导体25及发光层23，第一型半导体25具有(底)表面25B，而发光层23设置于第一型半导体25上。微型发光组件100也包含第二型半导体21及本征半导体20，第二型半导体21设置于发光层23上，而本征半导体20设置于第二型半导体21上且与第二型半导体21为相同材料。本征半导体20具有相对于第一型半导体25的(底)表面25B的顶表面20T。第一型半导体25、发光层23、第二型半导体21及本征半导体20的侧壁构成连续的侧表面20S，且侧表面20S连接(底)表面25B与顶表面20T。微型发光组件100还包含金属反射层34，金属反射层34设置于侧表面20S且侧向地覆盖本征半导体20及第二型半导体21邻接本征半导体20的一部分侧壁。

[0080] 如图4A的剖面所示，本征半导体20的宽度大于第二型半导体21的宽度，而第二型半导体21的宽度大于第一型半导体25的宽度。换言之，在该微型发光组件100的剖面中，微型发光组件100整体可呈现上宽下窄的形状。在此，本征半导体20的宽度、第二型半导体21的宽度及第一型半导体25的宽度是指这些部件在X方向上的平均宽度或者任一处的宽度。

[0081] 如图4A与图4B所示，金属反射层34自本征半导体20的侧壁往本征半导体20的顶表面20T延伸覆盖，且截止于侧表面20S邻接顶表面20T之处而暴露顶表面20T。换言之，金属反射层34并未覆盖本征半导体20的顶表面20T及位于其顶表面20T上的图案化导光结构20P，但本公开实施例并非以此为限。

[0082] 如图5A与图5B所示，与图4A与图4B相比，金属反射层34’自本征半导体20的侧壁往本征半导体20的顶表面20T延伸，且覆盖至图案化导光结构20P之外周区域，外周区域的表面积占表面20T的表面积的比例例如在10％以下。换言之，金属反射层34’覆盖本征半导体20的部分顶表面20T及位于其顶表面20T上的一些图案化导光结构20P(的部分)。

[0083] 图6是根据一些实施例示出微型发光显示设备1的部分剖面图。举例来说，微型发光显示设备1可为微型发光显示面板或微型发光显示器，但本公开实施例并非以此为限。类似地，为了简洁的目的，图6中已省略微型发光显示设备1的一些部件。

[0084] 参照图6，微型发光显示设备1包含驱动基板16、多个接垫49及多个微型发光组件100(在图6中仅示出一个接垫49以及一个微型发光组件100)，每个微型发光组件100分别连接一个接垫49而受控于驱动基板16。举例来说，驱动基板16可为显示基板、发光基板、具有薄膜晶体管(thin‑film transistor,TFT)或集成电路(integrated circuit,IC)等功能组件的基板或其他类型的电路基板，而微型发光组件100设置于驱动基板16之上并与驱动基板16电性连接。驱动基板16可例如为刚性线路基板，其可包含元素半导体(例如，硅或锗)、化合物半导体(例如，碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、砷化铟(InAs)或磷化铟(InP))、合金半导体(例如，SiGe、SiGeC、GaAsP或GaInP)、其他适当的半导体或前述的组合。或者，驱动基板
16也可为柔性线路基板(flexible circuit  substrate)、绝缘层上半导体基板(semiconductor‑on‑insulator(SOI)substrate)或其他类似的基板。

[0085] 此外，驱动基板16可包含各种导电部件(例如，导线(conductive line)45、47或导孔(via))。举例来说，前述导电部件可包含铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、其各自的合金、其他适当的导电材料或前述的组合。在驱动基板16为显示基板的范例中，驱动基板16可再与外部电路(未示出)接合，以驱动并操作微型发光组件100。微型发光组件100的实施例如前所述，在此将不再重复。

[0086] 参照图6所示的剖面，由前述说明可知，由于图案化导光结构20P是对应生长基材10的图案化结构10R直接成形，并未经过另外的蚀刻制程，因此位于本征半导体20的顶表面
20T上的每个图案化导光结构20P与驱动基板16的距离D可互为一致。并且，这些图案化导光结构20P具有相同的形状、尺寸以及排列周期，使得每个微型发光组件100的光型具一致性。

[0087] 在一些实施例中，每个微型发光组件100还包含导电连接件36，导电连接件36电性连接金属反射层34与驱动基板16，而本征半导体20的顶表面20T相对于导电连接件36被暴露出。导电连接件36可包含前述电极43或是金属反射层34所举例的金属材质，且导电连接件36的厚度T36可大于约0.5μm，例如是约1μm。导电连接件36从微型发光组件100的一侧连接并覆盖金属反射层34的一部分，且暴露金属反射层34的另一部分，但本公开实施例并非以此为限。

[0088] 如图6所示的范例中，电极43通过接垫49与导线47电性连接；而金属反射层34作为微型发光组件100的另一个电极，通过导电连接件36与导线45电性连接，藉以令微型发光组件100受控于驱动基板16。此外，微型发光显示设备1也包含绝缘体52，绝缘体52设置于绝缘层30的部分侧壁的周围并位于第一型半导体25至驱动基板16之间，。绝缘体52可例如是一种结构性光致抗蚀剂，且可作为导电连接件36沉积时的平台层(mesa layer)。

[0089] 在本公开的实施例中，由于导电连接件36只从微型发光组件100侧向的金属反射层34导电，其不会遮蔽从顶表面20T射出的光线，故导电连接件36的厚度T36可完全不受限制，相较于现有的垂直式结构的微型发光组件，可有效减少薄化的透明导电层断路的风险。

[0090] 此外，以金属反射层34环绕微型发光组件100的侧壁的方式导电，可大幅增加导电面积，改善微型发光组件100的电性表现。再者，由于每个微型发光组件100的图案化导光结构20P是基于生长基材10的图案化结构10R所形成，相较于现有的微型发光组件以蚀刻制程将本征半导体20移除并蚀刻至第二型半导体21，微型发光组件100的导光效果更佳，且每个微型发光组件100的高度可实质上相同，使整体光形具一致性。

[0091] 图7与图8是根据本公开一些其他的实施例示出在制造微型发光组件100’的各阶段的部分剖面图。举例来说，图7所示出的步骤例如接续于图2后，但本公开实施例并非以此为限。类似地，为了简洁的目的，图7与图8中已省略微型发光组件100’的一些部件。

[0092] 参照图7，在一些实施例中，在将部分黏着层14与绝缘层30移除之后，再继续将更多的黏着层14移除，以暴露出对应处的绝缘层30。举例来说，可利用蚀刻选择性，以湿式蚀刻将更多的黏着层14移除，但不移除绝缘层30，以让大部分的绝缘层30可被保留。

[0093] 参照图8，接续图7的实施例中，在多个磊晶单元ES的侧表面20S及绝缘层30之上形成金属反射层34”，由于黏着层14的高度降低，故金属反射层34”可侧向地覆盖本征半导体20的侧壁、第二型半导体21的侧壁、发光层23的侧壁及第一型半导体25(以及绝缘层30)的侧壁，以形成多个微型发光组件100’。由于金属反射层34”具有高反射效果，只需进行单次沉积(例如，蒸镀、溅镀、类似的制程或前述的组合)，以形成厚度约0.1μm～0.3μm的膜层即可。此外，在本实施例中，由于金属反射层34”覆盖侧表面20S的面积较大，微型发光组件
100’的反射功能可完全由金属反射层34”实现。因此，绝缘层30可通过快速溅镀(sputter)形成足够厚度的单一层，藉以取代制程成本较高的布拉格反射镜结构。

[0094] 综上所述，本公开实施例的微型发光组件包含金属反射层，此金属反射层侧向地覆盖本征半导体及半导体邻接本征半导体的一部分侧壁，由此可大幅增加导电面积，且不会遮盖出光面，进而增加光取出率。此外，由于金属反射层只从侧壁导电，其厚度不影响遮光，故厚度不受限制，可有效减少断路的风险。

[0095] 以上概述数个实施例的特征，以便在本公开所属技术领域中技术人员可以更理解本公开实施例的观点。在本公开所属技术领域中技术人员应该理解，他们能以本公开实施例为基础，设计或修改其他制程和结构以达到与在此介绍的实施例相同的目的和/或优势。在本公开所属技术领域中技术人员也应该理解到，此类等效的结构并无悖离本公开的精神与范围，且他们能在不违背本公开的精神和范围之下，做各式各样的改变、取代和替换。因此，本公开的保护范围当视后附的权利要求所界定的为准。另外，虽然本公开已以数个实施例公开如上，然其并非用以限定本公开。

[0096] 整份说明书对特征、优点或类似语言的引用，并非意味可以利用本公开实现的所有特征和优点应该或者可以在本公开的任何单个实施例中实现。相对地，涉及特征和优点的语言被理解为其意味着结合实施例描述的特定特征、优点或特性包括在本公开的至少一个实施例中。因而，在整份说明书中对特征和优点以及类似语言的讨论可以但不一定代表相同的实施例。

[0097] 再者，在一个或多个实施例中，可以任何合适的方式组合本公开所描述的特征、优点和特性。根据本文的描述，相关领域的技术人员将意识到，可在没有特定实施例的一个或多个特定特征或优点的情况下实现本公开。在其他情况下，在某些实施例中可辨识其他的特征和优点，这些特征和优点可能不存在于本公开的所有实施例中。