技术领域
[0001] 本公开的实施例涉及一种阵列基板、电磁触控显示装置及其驱动方法。
相关背景技术
[0002] 电磁触控通常使用电磁笔搭配电磁触控面板实现触控功能，面板内部含有多层电磁线圈结构，搭配笔尖的压力传感器及电磁场发送装置，当电磁笔触碰到显示器表面时，面板内部的感应器可以通过计算电磁的改变来确定电磁笔在三维空间内的触控点位置信息，并实现精确细腻的书写体验。
具体实施方式
[0051] 为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0052] 除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
[0053] 除非另外定义，本公开实施例中使用的“平行”、“垂直”和“相同”等特征均包括严格意义上的“平行”、“垂直”、“相同”等情况，以及“大致平行”、“大致垂直”、“大致相同”等包含一定误差的情况。例如，上述的“大致”可表示所比较的对象的差值为所比较的对象的平均值的10％，或者5％之内。在本公开实施例的下文中没有特别指出一个部件或元件的数量时，意味着该部件或元件可以是一个也可以是多个，或可理解为至少一个。“至少一个”指一个或多个，“多个”指至少两个。本公开实施例中的“同层设置”指同一材料在经过同一步骤(例如，一步图案化工艺)后形成的多个膜层之间的关系。这里的“同层”并不总是指多个膜层的厚度相同或者多个膜层在截面图中的高度相同。
[0054] 电磁触控显示产品相比常规显示产品，在显示区增加了电磁触控线圈和公共电极线，屏幕显示画面时，电磁触控线和公共电极的信号不同会产生电势差，当新电场大于液晶的阈值电压时将驱动液晶偏转，导致不期望的漏光现象。如果通过增大黑矩阵的尺寸来解决漏光问题，将会对像素的开口率产生影响。另外，电磁触控显示产品内部含有多层电磁线圈结构，复杂的金属走线也会对像素开口产生影响。
[0055] 图1为一种电磁触控显示产品在常黑模式下沿垂直于纵向电磁触控线方向的剖切面上的液晶偏转模拟图；图2为图1所示的阵列基板结构示意图。如图1和图2所示，纵向电磁触控线11的上方没有被公共电极12覆盖，纵向电磁触控线11与公共电极12的电势差产生的电场使得液晶13偏转，屏幕进行显示时会出现不期望的漏光现象。图3为一种电磁触控显示产品在常黑模式下沿垂直于横向电磁触控线方向的剖切面上的液晶偏转模拟图；图4为图3所示的阵列基板结构示意图。如图3和图4所示，横向电磁触控线14的上方部分被公共电极12覆盖，横向电磁触控线13与公共电极12的电势差产生的电场使得液晶偏转，屏幕进行显示时会出现不期望的漏光现象。
[0056] 对此，本公开实施例提供一种阵列基板、电磁触控显示装置及其驱动方法。该阵列基板包括衬底基板、源漏金属层、公共电极层和多条第一电磁走线。源漏金属层位于衬底基板上，并包括沿第一方向排列且沿第二方向延伸的多条数据线，第一方向与第二方向交叉设置；公共电极层位于源漏金属层远离衬底基板的一侧，并包括沿第二方向延伸的多个第一条状公共电极，多个第一条状公共电极在衬底基板上呈阵列排布以形成多个第一条状公共电极列；多条第一电磁走线沿第一方向排列并沿第二方向延伸，且位于公共电极层的面向衬底基板的一侧；多条第一电磁走线中的每条第一电磁走线与多条数据线之一对应设置，多条第一电磁走线与多个第一条状公共电极列一一对应设置，对于彼此对应的数据线、第一条状公共电极列和第一电磁走线，在经过每个第一条状公共电极的两个端部且沿第一方向延伸的两条直线所夹的区域内，第一电磁走线与数据线在衬底基板上的正投影落入第一条状公共电极在衬底基板上的正投影内。
[0057] 在本公开实施例提供的阵列基板中，在经过每个第一条状公共电极的两个端部且沿第一方向延伸的两条直线所夹的区域内，第一电磁走线被第一条状公共电极覆盖，第一条状公共电极可以屏蔽第一电磁走线，从而可以减少或避免第一电磁走线与公共电极层之间的电势差产生的电场影响液晶偏转，进一步减少或避免不期望的漏光现象发生。同时，第一条状公共电极还可以屏蔽数据线，减少或避免数据线与公共电极层之间的电势差产生的电场影响液晶偏转，进一步减少或避免不期望的漏光现象发生。
[0058] 下面，结合附图对本公开实施例提供的阵列基板、电磁触控显示装置及其驱动方法进行详细的说明。
[0059] 本公开一实施例提供一种阵列基板。图5为本公开一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图6为图5所示的局部结构示意图；图7为图5沿剖切线AB的剖面结构示意图。如图5至图7所示，该阵列基板100包括衬底基板110、源漏金属层130、公共电极层160和多条第一电磁走线170。源漏金属层130位于衬底基板110上，并包括沿第一方向X排列且沿第二方向Y延伸的多条数据线131，第一方向X与第二方向Y交叉设置；公共电极层160位于源漏金属层130远离衬底基板110的一侧，并包括沿第二方向Y延伸的多个第一条状公共电极161，多个第一条状公共电极161在衬底基板110上呈阵列排布以形成多个第一条状公共电极列
161C，多个第一条状公共电极列161C的每个第一条状公共电极列161C沿第二方向Y延伸；多条第一电磁走线170沿第一方向X排列并沿第二方向Y延伸，且位于公共电极层160的面向衬底基板110的一侧。在图7所示的剖视图中，第一电磁走线170位于源漏金属层130，然而本公开实施对此不作限制，只要位于公共电极层160的面向衬底基板110的一侧即可。多条第一电磁走线170中的每条第一电磁走线170与多条数据线131之一对应设置，多条第一电磁走线170与多个第一条状公共电极列161C一一对应设置，对于彼此对应的数据线131、第一条状公共电极列161C和第一电磁走线170，在经过每个第一条状公共电极161的两个端部且沿第一方向X延伸的直线L1和直线L2所夹的区域内，第一电磁走线170与数据线131在衬底基板110上的正投影落入第一条状公共电极161在衬底基板110上的正投影内。
[0060] 在本公开实施例提供的阵列基板100中，在经过每个第一条状公共电极161的两个端部且沿第一方向X延伸的直线L1和直线L2所夹的区域内，第一电磁走线170被第一条状公共电极161覆盖，第一条状公共电极161可以屏蔽第一电磁走线170，从而可以减少或避免第一电磁走线170与公共电极层160之间的电势差产生的电场影响液晶偏转，进一步减少或避免不期望的漏光现象发生。同时，第一条状公共电极161还可以屏蔽数据线131，减少或避免数据线131与公共电极层160之间的电势差产生的电场影响液晶偏转，进一步减少或避免不期望的漏光现象发生。需要说明的是，本申请中提到的沿第一方向X延伸、沿第二方向Y延伸或者沿指定方向延伸，既可以是严格沿该方向延伸，也可以是大致沿该方向延伸，例如，大致沿该方向延伸可以包括局部位置的延伸方向与该方向具有小于或者等于10度的夹角，或者局部位置可以有弯折特征或者凸起特征等。
[0061] 在一些示例中，如图5所示，该阵列基板100还包括沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列的多条栅线121，多条栅线121和多条数据线131限定出多个子像素开口190，多个子像素开口190在衬底基板110上呈阵列排布。多个第一条状公共电极161中的每个第一条状公共电极161与多个子像素开口190之一对应设置。例如，子像素开口190还可以由后文提到黑矩阵层进一步的限定，以形成子像素开口190对应的子像素的透光区域。例如，该透光区域在衬底基板上的正投影落入子像素开口190在衬底基板上的正投影内。
[0062] 在一些示例中，如图5所示，第一条状公共电极161在第二方向Y上的尺寸大于或等于与其相邻的子像素开口190在第二方向Y上的尺寸，从而可以更好的减少或避免液晶偏转带来的不期望的漏光现象。
[0063] 图8为本公开一实施例提供的一种第一条状公共电极列的局部结构示意图。如图8所示，第一条状公共电极列161C的多个第一条状公共电极161在第二方向Y上可以是彼此间隔的。例如，如图8所示，在第二方向Y上相邻的两个第一条状公共电极161之间具有缺口H1，该缺口H1在第一方向X上的尺寸大于或等于第一条状公共电极161在第一方向X上的尺寸。例如，第一条状公共电极列161C的多个第一条状公共电极161可以通过公共电极层160的其他连接结构相连，从而可以实现共信号。例如，一个第一条状公共电极161的两个端部161a(图中每个第一条状公共电极161仅示出一个端部161a)在该第一条状公共电极161的延伸方向上位于与其对应的子像素开口190的上下边界(图中每个子像素开口190仅示出上下边界中的一个边界190a)的外侧。需要说明的是，本申请中，在第二方向Y上相邻的两个第一条状公共电极161是指该两个第一条状公共电极161之间没有第一条状公共电极161，但是可以有别的结构，例如缺口等。图8中示出的子像素开口190仅用于示例性说明第一条状公共电极列161C和第一条状公共电极161，并不是对本公开实施例的限制。
[0064] 图9为本公开一实施例提供的另一种第一条状公共电极列的局部结构示意图。如图9中的(a)所示，第一条状公共电极列161C的多个第一条状公共电极161在第二方向Y上可以是连续的，在第二方向Y上相邻的两个第一条状公共电极161之间没有缺口。例如，如图9中的(b)所示，在第二方向Y上相邻的两个第一条状公共电极161之间是有缺口H2的，但该缺口H2和第一条状公共电极列161C在第二方向Y上是错开的，并没有使得相邻的两个第一条状公共电极161完全不连续。
[0065] 需要说明的是，在图9所示的示例中，一个第一条状公共电极161的两个端部161a(图中每个第一条状公共电极161仅示出一个端部161a)在该第一条状公共电极161的延伸方向上位于与其对应的子像素开口190的上下边界(图中每个子像素开口190仅示出上下边界中的一个边界190a)的外侧。例如，如图9所示，第一条状公共电极列161C的每相邻的两个第一条状公共电极161之间通过连接部164相连。当然，本公开实施例对第一条状公共电极列161C的结构设计及排布不作限制。图9中示出的子像素开口190仅用于示例性说明第一条状公共电极列161C和第一条状公共电极161，并不是对本公开实施例的限制。
[0066] 在一些示例中，如图5至图7所示，在平行于衬底基板110且垂直于第一条状公共电极161的延伸方向的方向上，第一条状公共电极161连续设置。由此，可以降低第一条状公共电极161的制作工艺难度，提高良品率。
[0067] 在一些示例中，如图5至图7所示，对于彼此对应的数据线131、第一条状公共电极列161C和第一电磁走线170，在经过每个第一条状公共电极161的两个端部且沿第一方向X延伸的直线L1和直线L2所夹的区域内，第一电磁走线170与数据线131之间的间隔Gap在衬底基板110上的正投影落入第一条状公共电极161在衬底基板110上的正投影内。从而，可以减少或避免第一电磁走线170或者数据线131通过该间隔Gap与公共电极层160之间的电势差产生的电场影响液晶偏转，减少或避免不期望的漏光现象发生。
[0068] 在一些示例中，多条第一电磁走线170的每条第一电磁走线170可以与多条数据线131的每条数据线131一一对应，从而可以提高第一电磁走线170的数量，可以提升触控灵敏度。当然，本公开实施例对第一电磁走线170与数据线131的数量对应关系以及位置对应关系不作限定。例如，还可以每隔相同数量的数据线131设置一条第一电磁走线170，也可以间隔不同数量的数据线131设置一条第一电磁走线170。
[0069] 例如，该阵列基板还包括多个子像素，多个子像素与多个子像素开口一一对应设置。例如，多个子像素包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素。例如，第一颜色、第二颜色和第三颜色不同，例如，第一颜色为红色，第二颜色为绿色，第三颜色为蓝色。当然，本公开包括但不限于此，上述的第一颜色、第二颜色和第三颜色也可为其他颜色。例如，该阵列基板的多个子像素在衬底基板上阵列排布以形成依次相邻第一颜色子像素列、第二颜色子像素列和第三颜色子像素列。
[0070] 例如，第一电磁走线可以位于第一颜色子像素列和第二颜色子像素列之间。当然，本公开包括但不限于此。例如，第一电磁走线可以设置在每个相邻的子像素列之间。
[0071] 图10为图5沿剖切线CD的剖面结构示意图。如图5、图6和图10所示，公共电极层160还包括沿第二方向Y延伸的多个第二条状公共电极162，多个第二条状公共电极162在衬底基板110上呈阵列排布以形成多个第二条状公共电极列162C，多个第二条状公共电极列162C的每个第二条状公共电极列162C沿第二方向Y延伸，多个第二条状公共电极列162C的每个第二条状公共电极列162C与多条数据线131之一至少部分重叠设置，与第二条状公共电极列162C至少部分重叠设置的数据线131和与第一电磁走线170对应设置的数据线131为不同的数据线131。通过第二条状公共电极162可以屏蔽与其对应的数据线131，从而可以减少或避免该数据线131与公共电极层160之间的电势差产生的电场影响液晶偏转，减少或避免不期望的漏光现象发生。
[0072] 例如，如图5、图7和图10所示，与第一电磁走线170和第一条状公共电极列161C相对应的数据线131为数据线1310，与第二条状公共电极列162C相对应的数据线131为1311。数据线1310和数据线1311是不同的数据线131。这里区分不同的数据线仅仅是为了描述数据线是否与第一条状公共电极列相邻，并不限制数据线本身的功能和作用。
[0073] 在一些示例中，如图5、图6和图10所示，对于彼此对应的数据线131和第二条状公共电极列162C，在经过每个第二条状公共电极162的两个端部且沿第一方向X延伸的直线L3和直线L4所夹的区域内，数据线131在衬底基板110上的正投影落入第二条状公共电极162在衬底基板110上的正投影内。从而，可以减少或避免数据线131与公共电极层160之间的电势差产生的电场影响液晶偏转，减少或不期望的漏光现象发生。
[0074] 在一些示例中，如图5所示，第二条状公共电极列162C在第二方向Y上的尺寸大于或等于与其相邻的子像素开口190在第二方向Y上的尺寸。从而，可以更好的减少或避免液晶偏转带来的不期望的漏光现象。
[0075] 在一些示例中，第二条状公共电极列162C的多个第二条状公共电极162在第二方向Y上可以是彼此间隔的，也可以是连续的，具体可以参考本申请图8、图9中关于第一条状公共电极列161C的描述，在此不再赘述。
[0076] 在一些示例中，如图5所示，每相邻的第一条状公共电极列161C之间设置有至少一个第二条状公共电极列162C。例如，如图5所示，每相邻的第一条状公共电极列161C之间设置有两个第二条状公共电极列162C。当然，本公开实施例对每相邻第一条公共电极列之间的第二条状公共电极列162C的数量不作限制。需要说明的，相邻的第一条状公共电极列161C是指该两条第一条状公共电极列161C之间不会有第一条状公共电极列161C，但是可以设置有其他结构。
[0077] 在一些示例中，如图5所示，第二条状公共电极162在第一方向X上的宽度小于第一条状公共电极161在第一方向X上的宽度。从而，在可以屏蔽第一电磁走线170、数据线1310和数据线1311的前提下，设置第二条状公共电极162在第一方向X上的宽度小于第一条状公共电极161在第一方向X上的宽度，还可以降低第二条状公共电极162在第一方向X上的宽度占用的空间，便于公共电极层160的其他结构设计和布置。
[0078] 在一些示例中，如图7所示，多条第一电磁走线170位于源漏金属层130，多条第一电磁走线170中的每条电磁走线与多条数据线131之一相邻设置。第一电磁走线170与数据线131同层设置，采用同一导电材料层经过同一图案化工艺形成，可以减少制作工序，降低阵列基板100的厚度，降低加工难度。
[0079] 在一些示例中，如图5所示，相邻设置的第一电磁走线170和数据线131的延伸方向是基本一致的。增加的第一电磁走线170对子像素开口190产生影响，通过使得第一电磁走线170和数据线131的延伸方向是基本一致的，可以尽可能的减小第一电磁走线170对子像素开口190的影响，尽量减小第一电磁走线170和数据线131在第一方向X上占据的尺寸，可以尽量增大子像素开口190尺寸。
[0080] 例如，如图5所示，第一电磁走线170和数据线131的形状是基本一致的。例如，如图5所示，第一电磁走线170和数据线131之间的基本等间距的。例如，如图5所示，数据线131在弯折特征或者凸出特征的位置，第一电磁走线170在同样的位置也具有基本一致的弯折特征或者凸出特征，数据线131在直线延伸的位置，第一电磁走线170在同样的位置也具有基本一致的直线延伸特征。
[0081] 在一些示例中，如图5和图7所示，相邻设置的第一电磁走线170和数据线131之间的间隔Gap尺寸可以是满足工艺要求的最小间距，从而可以尽量减小第一电磁走线170的对像素开口190的影响，尽量减小第一电磁走线170和数据线131在第一方向X上占据的尺寸，可以尽量增大像素开口190尺寸。当然，本公开实施例对满足工艺要求的最小间距以及第一电磁走线170和数据线131之间的间距Gap尺寸不作具体限制。
[0082] 图11为图5所示的局部结构示意图。如图5、图7和图11所示，该阵列基板100还包括栅极层120、栅极绝缘层191、第一层间绝缘层192、第一导电层140、第二层间绝缘层193和多条第二电磁走线180。栅极层120位于衬底基板110和源漏金属层130之间，且包括沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列的多条栅线121，栅极绝缘层191位于栅极层120远离衬底基板110的一侧，第一层间绝缘层192位于源漏金属层130远离衬底基板110的一侧，第一导电层
140位于第一层间绝缘层192远离衬底基板110的一侧，第二层间绝缘层193位于第一导电层
140远离衬底基板110的一侧，多条第二电磁走线180位于第一导电层140，且沿第一方向X延伸并沿第二方向Y排列。多条第二电磁走线180中的每条第二电磁走线180与多条栅线121之一对应设置。
[0083] 在一些示例中，如图5、图7和图11所示，多条第二电磁走线180的每条第二电磁走线180可以与多条栅线121的每条栅线121一一对应，从而可以提高第二电磁走线180的数量，可以提升触控灵敏度。当然，本公开实施例对第二电磁走线180与栅线121的数量对应关系以及位置对应关系不作限定。例如，还可以每隔相同数量的栅线121设置一条第二电磁走线180，也可以间隔不同数量的栅线121设置一条第二电磁走线180。
[0084] 在一些示例中，如图5和图11所示，第二电磁走线180在衬底基板110上的正投影与对应设置的栅线121在衬底基板110上的正投影是不交叠的。当然，本公开实施例对此不作限制。
[0085] 例如，第二电磁走线180在衬底基板110上的正投影与对应设置的栅线121在衬底基板110上的正投影可以是至少部分重叠的。增加的第二电磁走线180对像素开口190产生影响，通过使得第二电磁走线180与对应设置的栅线121至少部分重叠，可以尽可能的减小第二电磁走线180对像素开口190的影响，尽量减小第二电磁走线180和对应设置的栅线121在第二方向Y上的占据的尺寸，从而可以尽量增大像素开口190尺寸。
[0086] 在一些示例中，如图5所示，公共电极层160还包括多个公共电极图案163，多个公共电极图案163在衬底基板110上呈阵列排布以形成多个公共电极图案行163R和多个公共电极图案列163C，多个公共电极图案列163C的每个公共电极图案列163C位于相邻的第二条状公共电极列162C之间或者相邻的第一条状公共电极列161C和第二条状公共电极列162C之间。需要说明的，本申请中，相邻的第二条状公共电极列162C是指该两个第二条状公共电极列162C之间不会有第二条状公共电极列162C，但是可以设置有其他结构。相邻的第一条状公共电极列161C和第二条状公共电极列162C是指两者之间不会有第一条条状公共电极列和第二条状公共电极列162C，但是可以设置有其他结构。
[0087] 在一些示例中，如图5所示，位于相邻的第二条状公共电极列162C之间的公共电极图案163与该相邻的第二条状公共电极列162C相连。位于相邻的第一条状公共电极列161C和第二条状公共电极列162C之间的公共电极图案163与该相邻的第一条状公共电极列161C和第二条状公共电极列162C相连。从而，公共电极层160上的多个第一条状公共电极161、多个第二条状公共电极162以及多个公共电极图案163是相连的。
[0088] 在一些示例中，如图5至图7所示，公共电极图案163包括沿第一方向X排列且沿第二方向Y延伸的多个条状电极1630，相邻的两个条状电极1630之间具有狭缝1631，各公共电极图案163的至少一个狭缝1631的端部在衬底基板110上的正投影与第二电磁走线180在衬底基板110上的正投影至少部分交叠。
[0089] 在一些示例中，如图5至图7和图11所示，该阵列基板100还包括多个像素电极135，多个像素电极135沿第一方向X和第二方向Y阵列排布，并与多个公共电极图案163一一对应设置。源漏金属层130还包括多个漏电极132，多个漏电极132沿第一方向X和第二方向Y阵列排布，并与多个像素电极135一一对应设置，漏电极132在衬底基板110上的正投影与多条栅线121之一在衬底基板110上的正投影交叠，漏电极132包括连接部132a，连接部132a在衬底基板110上的正投影与对应的像素电极135在衬底基板110上的正投影交叠以与像素电极135连接，与同一条栅线121交叠的漏电极132的连接部132a和与该栅线121对应设置的第二电磁走线180分别位于该栅线121的中心线沿第二方向Y上的两侧。
[0090] 在一些示例中，如图5和图11所示，该阵列基板100还包括有源层195，有源层195位于栅极绝缘层191和源漏金属层130之间。
[0091] 在该示例中，漏电极132、与漏电极132交叠的栅线121(或栅极121a，该栅极121a与栅线121为一体)、与该栅线121交叠的数据线131(或源电极131c，该源电极131c与数据线131为一体)以及与数据线131和漏电极132均交叠的有源层195可以形成驱动晶体管TFT，驱动晶体管通过漏电极132的连接部132a与对应的像素电极135相连从而可以实现液晶偏转驱动。将第二电磁走线180与漏电极132的连接部132a分别设置在栅线121中心线的两侧，可以避免第二电磁走线180影响驱动晶体管，也可以更好的对驱动晶体管以及第二电磁走线
180的结构进行设计和布置。
[0092] 在一些示例中，如图5至图7、图11所示，栅极层120还包括沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列的多条公共电极线122，多条公共电极线122的每条公共电极线122与多条栅线121之一相邻设置。通过增加公共电极线122，可以降低阵列基板100的公共电极层160的电阻，例如，可以通过过孔将公共电极线122与公共电极层160相连。
[0093] 例如，如图5所示，多条公共电极线122的每条公共电极线122与多条栅线121的每条栅线121一一对应设置。从而，可以更好的降低阵列基板100的公共电极层160的电阻。
[0094] 在一些示例中，如图5至图7、图11所示，相邻设置的公共电极线122和栅线121的延伸方向是基本一致。增加的公共电极线122对子像素开口190产生影响，通过使得公共电极线122和栅线121的延伸方向是基本一致，可以尽可能的减小公共电极线122对子像素开口190的影响，尽量减小公共电极线122和栅线121在第一方向X上占据的尺寸，可以尽量增大子像素开口190尺寸。
[0095] 例如，公共电极线122和栅线121的形状可以是基本一致。例如，如图5和图11所示，公共电极线122和栅线121之间基本是等间距的，例如，栅线121在弯折特征或者凸出特征的位置，公共电极线122在同样的位置也具有基本一致的弯折特征或者凸出特征，栅线121在直线延伸的位置，公共电极线122在同样的位置也具有基本一致的直线延伸特征。
[0096] 在一些示例中，如图5和图11所示，相邻设置的公共电极线122和栅线121之间的间距可以是满足工艺要求的最小间距，从而可以尽量减小公共电极线122的对子像素开口190的影响，尽量减小公共电极线122和栅线121在第一方向X上占据的尺寸，可以尽量增大子像素开口190尺寸。当然，本公开实施例对满足工艺要求的最小间距以及公共电极线122和栅线121之间的间距尺寸不作具体限制。
[0097] 在一些示例中，如图5和图11所示，多条第二电磁走线180中的每条第二电磁走线180与多条公共电极线122之一对应设置，第二电磁走线180与对应的公共电极线122的延伸方向一致，第二电磁走线180在衬底基板110上的正投影与公共电极线122在衬底基板110上的正投影的交叠面积与公共电极线122在衬底基板110上的正投影面积的比值大于或等于
80％。从而，第二电磁走线180可以与公共电极线122尽量重叠，尽量降低第二电磁走线180和公共电极线122对子像素开口190的影响，从而可以尽量增大子像素开口190尺寸。
[0098] 例如，如图5和图11所示，第二电磁走线180与对应的公共电极线122的延伸方向可以是基本一致的。例如，如图5和图11所示，第二电磁走线180和公共电极线122的形状是基本一致的，例如，公共电极在弯折的位置，第二电磁走线180在同样的位置也具有基本一致的弯折特征，公共电极在直线延伸的位置，第二电磁走线180在同样的位置也具有基本一致的直线延伸特征。例如，第二电磁走线180在衬底基板110上的正投影可以完全落入公共电极线122在衬底基板110上的正投影内。
[0099] 在一些示例中，如图5和图11所示，多条第二电磁走线180的每条第二电磁走线180可以与多条公共电极线122的每条公共电极线122一一对应。当然，本公开实施例对第二电磁走线180与公共电极线122的数量对应关系以及位置对应关系不作限定。例如，还可以每隔相同数量的公共电极线122设置一条第二电磁走线180，也可以间隔不同数量的公共电极线122设置一条第二电磁走线180。
[0100] 在一些示例中，如图5和图11所示，第二电磁走线180的线宽小于公共电极线122的线宽，从而可以更好使第二电磁走线180与公共电极线122尽量重叠。
[0101] 在一些示例中，如图11所示，公共电极线122在衬底基板110上的正投影包括与该公共电极线122相邻的栅线121的中心线距离最远的第一边界段L5，与该条栅线121对应设置的第二电磁走线180在衬底基板110上的正投影包括与该栅线121的中心线距离最远的第二边界段L6，第一边界段L5与该栅线121的中心线的距离大于或等于第二边界段L6与该栅线121中心线的距离。从而，第二电磁走线180的最远边界段相比公共电极线122的最远边界段更靠近栅线121，从而可以降低第二电磁走线180对子像素开口190的影响，可以尽量增大子像素开口190尺寸。
[0102] 在一些示例中，第二电磁走线180在衬底基板110上的正投影相比公共电极线122在衬底基板110上的正投影更靠近栅线121在衬底基板110上的正投影。第二电磁走线180与栅线121位于不同的层，从而可以使得第二电磁走线180在衬底基板110上的正投影更靠近栅线121在衬底基板110上的正投影，从而可以降低第二电磁走线180对子像素开口190的影响，可以尽量增大子像素开口190尺寸。
[0103] 在一些示例中，如图5和图11所示，与同一条栅线121交叠的漏电极132的连接部132a和与该栅线121对应设置的公共电极线122分别位于该栅线121的中心线沿第二方向Y上的两侧。从而，可以避免公共电极线1220影响驱动晶体管，也可以更好的对驱动晶体管以及公共电极线122的结构进行设计和布置。
[0104] 在一些示例中，如图5和图11所示，栅线121包括多个凸出部1210，凸出部1210朝对应设置的公共电极线122凸出，公共电极线122包括多个弯折部1221，多个弯折部1221与凸出部1210一一对应设置并朝远离凸出部1210弯折，公共电极线122还包括多个横向连接部1222，相邻两个弯折部1221由横向连接部1222相连，多个弯折部1221包括多个第一弯折部
1221a和多个第二弯折部1221b，在平行于衬底基板110的平面内，第一条状公共电极列161C穿过第一弯折部1221a，第二条状公共电极列162C穿过第二弯折部1221b，第一弯折部1221a在第一方向X上的尺寸大于第二弯折部1221b在第一方向X上的尺寸。公共电极线122仅在栅线121的凸出部1210弯折，从而可以尽可能的减小对子像素开口190的影响。第一弯折部
1221a在第一方向X上的尺寸大于第二弯折部1221b在第一方向X上的尺寸，可以使得各子像素开口190的尺寸基本一致。需要说明的是，本申请中，相邻两个弯折部1221是指该两个弯折部1221之间没有弯折部1221，但是可以有其他结构，例如，横向连接部1222。
[0105] 在一些示例中，如图5和图11所示，第一条状公共电极列161C在有源层195对应的位置具有缺口，该缺口可以参考图8和图9所示，从而，第一条状公共电极列161C在第二方向上不是完全连续的。第二条状公共电极列162C在有源层195对应的位置具有缺口，该缺口可以参考图8和图9所示，从而，第一条状公共电极列161C在第二方向上不是完全连续的。
[0106] 图12为图5沿垂直于第一电磁走线方向的剖切面上的液晶偏转模拟图。如图5、图7和图12所示，第一电磁走线170的上方被第一条状公共电极161覆盖，第一电磁走线170被第一条状公共电极161屏蔽，对第一电磁走线170施加电压信号且该电压信号与第一条状公共电极161的电压信号不同时，液晶基本没有偏转，从而，减少或避免不期望的漏光现象发生。
[0107] 在一些示例中，如图5至图7、图10、图11所示，该阵列基板100的制作方法包括：在衬底基板110上形成图案化的栅极层120；在栅极层120上沉积栅极绝缘层191；在栅极绝缘层191上形成图案化的有源层195；在有源层195上形成图案化的像素电极135；在有源层195上形成图案化的源漏金属层130，源漏金属层130在漏电极132的连接部132a位置与像素电极135交叠；在源漏金属层130和像素电极135上沉积第一层间绝缘层192；在第一层间绝缘层192上形成图案化的第一导电层140，第一导电层140包括第二电磁走线180；在第一导电层140上形成图案化的第二层间绝缘层193；在第二层间绝缘层193上形成图案化的公共电极层160，公共电极层160包括第一条状公共电极161、第二条状公共电极162和公共电极图案163。
[0108] 在一些示例中，如图5至图7、图10、图11所示，像素电极135可以是透明导电金属。例如，公共电极层160可以是透明导电金属层。例如，透明导电金属可以是氧化铟锡等。
[0109] 图13为本公开一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图14为图13所示的局部结构示意图；图15为图13沿剖切线EF的剖面结构示意图。如图13至图15所示，该阵列基板100包括衬底基板110、栅极层120、栅极绝缘层191、源漏金属层130、第一层间绝缘层192、第二导电层150、第三层间绝缘层194、公共电极层160和多条第一电磁走线170。栅极层120位于衬底基板110和源漏金属层130之间，且包括沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列的多条栅线121，栅极绝缘层191位于栅极层120远离衬底基板110的一侧，源漏金属层130位于衬底基板110上，并包括沿第一方向X排列且沿与第二方向Y延伸的多条数据线131，第一层间绝缘层192位于源漏金属层130远离衬底基板110的一侧，第二导电层150位于第一层间绝缘层
192远离衬底基板110的一侧，第三层间绝缘层194位于第二导电层150远离衬底基板110的一侧，公共电极层160位于第三层间绝缘层194远离衬底基板110的一侧，并包括沿第二方向Y延伸的多个第一条状公共电极161，多个第一条状公共电极161在衬底基板110上呈阵列排布以形成多个第一条状公共电极列161C，多个第一条状公共电极列161C的每个第一条状公共电极列161C沿第二方向Y延伸；多条第一电磁走线170沿第一方向X排列并沿第二方向Y延伸，且位于第二导电层150；多条第一电磁走线170中的每条第一电磁走线170与多条数据线
131之一对应设置，多条第一电磁走线170与多个第一条状公共电极列161C一一对应设置，对于彼此对应的数据线131、第一条状公共电极列161C和第一电磁走线170，在经过每个第一条状公共电极161的两个端部且沿第一方向X延伸的直线L1和直线L2所夹的区域内，第一电磁走线170与数据线131在衬底基板110上的正投影落入第一条状公共电极161在衬底基板110上的正投影内。
[0110] 在本公开实施例提供的阵列基板100中，在经过每个第一条状公共电极161的两个端部且沿第一方向X延伸的直线L1和直线L2所夹的区域内，第一电磁走线170被第一条状公共电极161覆盖，第一条状公共电极161可以屏蔽第一电磁走线170，从而可以减少或避免第一电磁走线170与公共电极层160之间的电势差产生的电场影响液晶偏转，减少或避免不期望的漏光现象发生。同时，第一条状公共电极161还可以屏蔽数据线131，减少或避免数据线131与公共电极层160之间的电势差产生的电场影响液晶偏转，减少或避免不期望的漏光现象发生。
[0111] 在一些示例中，如图13所示，多条栅线121和多条数据线131限定出多个子像素开口190。
[0112] 在一些示例中，如图13所示，第一条状公共电极161在第二方向Y上的尺寸大于或等于与其相邻的子像素开口190在第二方向Y上的尺寸。从而，可以更好的减少或避免不期望的漏光现象发生。
[0113] 在一些示例中，第一条状公共电极列161C的多个第一条状公共电极161在第二方向Y上可以是彼此间隔的，也可以是连续的，具体可以参考本申请图8、图9中关于第一条状公共电极列161C的描述，在此不再赘述。
[0114] 在一些示例中，多条第一电磁走线170的每条第一电磁走线170可以与多条数据线131的每条数据线131一一对应，从而可以提高第一电磁走线170的数量，可以提升触控灵敏度。当然，本公开实施例对第一电磁走线170与数据线131的数量对应关系以及位置对应关系不作限定。例如，还可以每隔相同数量的数据线131设置一条第一电磁走线170，也可以间隔不同数量的数据线131设置一条第一电磁走线170。
[0115] 在一些示例中，如图15所示，在垂直于衬底基板110的方向上，对应设置的第一电磁走线170与数据线131至少部分交叠设置。从而，可以尽量减小由于第二电磁走线180的增加对子像素开口190的影响，尽量减小第一电磁走线170和数据线131在第一方向X上占据的尺寸，从而可以尽量增大子像素开口190尺寸。例如，如图15所示，数据线131在衬底基板110上的正投影可以完全落入第一电磁走线170在衬底基板110上的正投影内。例如，如图13所示，对应设置的第一电磁走线170与数据线131的延伸方向是基本一致的。例如，如图13所示，对应设置的第一电磁走线170与数据线131的形状是基本一致的。例如，第一电磁走线170在衬底基板110上的正投影也可以完全落入数据线131在衬底基板110上的正投影内。
[0116] 图16为图13沿剖切线GH的剖面结构示意图。如图13、图14和图16所示，公共电极层160还包括沿第二方向Y延伸的多个第二条状公共电极162，多个第二条状公共电极162在衬底基板110上呈阵列排布以形成多个第二条状公共电极列162C，多个第二条状公共电极列
162C的每个第二条状公共电极162与多条数据线131之一至少部分重叠设置，与第二条状公共电极列162C至少部分重叠设置的数据线131和与第一电磁走线170对应设置的数据线131为不同的数据线131。这里区分不同的数据线仅仅是为了描述数据线是否与第一条状公共电极列对应设置，并不限制数据线本身的功能和作用。通过第二条状公共电极162可以屏蔽与其对应的数据线131，从而可以减少或避免该数据线131与公共电极层160之间的电势差产生的电场影响液晶偏转，减少或避免不期望的漏光现象发生。
[0117] 例如，如图13和图15所示，与第一电磁走线170和第一条状公共电极列161C相对应的数据线131为数据线1310，与第二条状公共电极列162C相对应的数据线131为数据线1311。数据线1310和数据线1311是不同的数据线131。
[0118] 在一些示例中，如图13、图14和图16所示，对于彼此对应的数据线131和第二条状公共电极列162C，在经过每个第二条状公共电极162的两个端部且沿第一方向X延伸的直线L3和直线L4所夹的区域内，数据线131在衬底基板110上的正投影落入第二条状公共电极162在衬底基板110上的正投影内。从而，可以减少或避免数据线131与公共电极层160之间的电势差产生的电场影响液晶偏转，减少或避免不期望的漏光现象发生。
[0119] 在一些示例中，如图13所示，第二条状公共电极列162C在第二方向Y上的尺寸大于或等于与其相邻的子像素开口190在第二方向Y上的尺寸。从而，可以更好的减少或避免不期望的漏光现象发生。
[0120] 在一些示例中，第二条状公共电极列162C的多个第二条状公共电极162在第二方向Y上可以是彼此间隔的，也可以是连续的，具体可以参考本申请图8、图9中关于第一条状公共电极列161C的描述，在此不再赘述。
[0121] 在一些示例中，如图13所示，每相邻的第一条状公共电极列161C之间设置有至少一个第二条状公共电极列162C。例如，如图13所示，每相邻的第一条状公共电极列161C之间设置有两个第二条状公共电极列162C。当然，本公开实施例对每相邻第一条公共电极列之间的第二条状公共电极列162C的数量不作限制。
[0122] 在一些示例中，如图13和图14所示，第二条状公共电极162在第一方向X上的宽度等于第一条状公共电极161在第一方向X上的宽度。当然，本公开实施例对此不作限制，例如，第二条状公共电极162在第一方向X上的宽度也可以小于第一条状公共电极161在第一方向X上的宽度，具体可以根据第一电磁走线170的宽度尺寸以及第一电磁走线170和数据线131的交叠关系进行设计。
[0123] 在一些示例中，如图13至图16所示，该衬底基板110还包括第一导电层140、第二层间绝缘层193和多条第二电磁走线180。第一导电层140位于栅极绝缘层191远离衬底基板110的一侧，第二层间绝缘层193位于第一导电层140远离衬底基板110的一侧，多条第二电磁走线180位于第一导电层140，且沿第一方向X延伸并沿第二方向Y排列。多条第二电磁走线180中的每条第二电磁走线180与多条栅线121之一对应设置。
[0124] 在一些示例中，如图13所示，多条第二电磁走线180的每条第二电磁走线180可以与多条栅线121的每条栅线121一一对应，从而可以提高第二电磁走线180的数量，可以提升触控灵敏度。当然，本公开实施例对第二电磁走线180与栅线121的数量对应关系以及位置对应关系不作限定。例如，还可以每隔相同数量的栅线121设置一条第二电磁走线180，也可以间隔不同数量的栅线121设置一条第二电磁走线180。
[0125] 在一些示例中，如图13所示，第二电磁走线180在衬底基板110上的正投影与对应设置的栅线121在衬底基板110上的正投影是不交叠的。当然，本公开实施例对此不作限制。
[0126] 例如，第二电磁走线180在衬底基板110上的正投影与对应设置的栅线121在衬底基板110上的正投影可以是至少部分重叠的。增加的第二电磁走线180对子像素开口190产生影响，通过使得第二电磁走线180与对应设置的栅线121至少部分重叠，可以尽可能的减小第二电磁走线180对子像素开口190的影响，尽量减小第二电磁走线180和对应设置的栅线121在第二方向Y上的占据的尺寸，从而可以尽量增大子像素开口190尺寸。
[0127] 在一些示例中，如图13所示，公共电极层160还包括多个公共电极图案163，多个公共电极图案163在衬底基板110上呈阵列排布以形成多个公共电极图案行163R和多个公共电极图案列163C，多个公共电极图案列163C的每个公共电极图案列163C位于相邻的第二条状公共电极列162C之间或者相邻的第一条状公共电极列161C和第二条状公共电极列162C之间。
[0128] 在一些示例中，如图13所示，位于相邻的第二条状公共电极列162C之间的公共电极图案163与该相邻的第二条状公共电极列162C相连。位于相邻的第一条状公共电极列161C和第二条状公共电极列162C之间的公共电极图案163与该相邻的第一条状公共电极列
161C和第二条状公共电极列162C相连。从而，公共电极层160上的多个第一条状公共电极
161、多个第二条状公共电极162以及多个公共电极图案163是相连的。
[0129] 在一些示例中，如图13至图16所示，公共电极图案163包括沿第一方向X排列且沿第二方向Y延伸的多个条状电极1630，相邻的两个条状电极1630之间具有狭缝1631，各公共电极图案163的至少一个狭缝1631的端部在衬底基板110上的正投影与第二电磁走线180在衬底基板110上的正投影至少部分交叠。
[0130] 图17为图13沿剖切线IJ的剖面结构示意图。如图13至图17所示，该阵列基板100还包括多个像素电极135，多个像素电极135沿第一方向X和第二方向Y阵列排布，并与多个公共电极图案163一一对应设置。源漏金属层130还包括多个漏电极132，多个漏电极132沿第一方向X和第二方向Y阵列排布，并与多个像素电极135一一对应设置，漏电极132在衬底基板110上的正投影与多条栅线121之一在衬底基板110上的正投影交叠，漏电极132包括连接部132a，连接部132a在衬底基板110上的正投影与对应的像素电极135在衬底基板110上的正投影交叠以与像素电极135连接，与同一条栅线121交叠的漏电极132的连接部132a和与该栅线121对应设置的第二电磁走线180分别位于该栅线121的中心线沿第二方向Y上的两侧。
[0131] 在该示例中，漏电极132、与漏电极132交叠的栅线121、与该栅线121交叠的数据线131以及有源层可以形成驱动晶体管，驱动晶体管通过漏电极132的连接部132a与对应的像素电极135相连从而可以实现液晶偏转。将第二电磁走线180和漏电极132的连接部132a分别设置在栅线121中心线的两侧，可以避免第二电磁走线180影响驱动晶体管，也可以更好的对驱动晶体管以及第二电磁走线180的结构进行设计和布置。
[0132] 在一些示例中，如图17所示，像素电极135设置在第二层间绝缘层193上，像素电极135和源漏金属层130之间设置有绝缘层，像素电极135和源漏金属层130在需要连接的位置可以采用通过绝缘层过孔196的方式连接。
[0133] 在一些示例中，如图13和图14所示，像素电极135为板状结构。当然，本公开实施例对像素电极135的结构不作限制。
[0134] 在一些示例中，如图13至图17所示，栅极层120还包括沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列的多条公共电极线122，多条公共电极线122的每条公共电极线122与多条栅线121之一相邻设置。通过增加公共电极线122，可以降低阵列基板100的公共电极层160的电阻，例如，可以通过过孔将公共电极线122与公共电极层160相连。
[0135] 例如，如图13所示，多条公共电极线122的每条公共电极线122与多条栅线121的每条栅线121一一对应设置。从而，可以更好的降低阵列基板100的公共电极层160的电阻。
[0136] 在一些示例中，如图13和图14所示，相邻设置的公共电极线122和栅线121之间基本是等间距的。例如，相邻设置的公共电极线122和栅线121之间的间距可以是满足工艺要求的最小间距。例如，栅线121在弯折特征或者凸出特征的位置，公共电极线122在同样的位置也具有基本一致的弯折特征或者凸出特征，栅线121在直线延伸的位置，公共电极线122在同样的位置也具有基本一致的直线延伸特征。增加的公共电极线122对子像素开口190产生影响，通过使得公共电极线122和栅线121之间基本是等间距的，该间距是满足工艺要求的最小间距，从而可以尽可能的减小公共电极线122对子像素开口190的影响，尽量减小公共电极线122和栅线121在第一方向X上占据的尺寸，可以尽量增大子像素开口190尺寸。当然，本公开实施例对满足工艺要求的最小间距以及公共电极线122和栅线121之间的间距尺寸不作具体限制。
[0137] 在一些示例中，如图13和图14所示，多条第二电磁走线180中的每条第二电磁走线180与多条公共电极线122之一对应设置，第二电磁走线180与对应的公共电极线122的延伸方向一致，第二电磁走线180在衬底基板110上的正投影与公共电极线122在衬底基板110上的正投影的交叠面积与公共电极线122在衬底基板110上的正投影面积的比值大于或等于
80％。从而，第二电磁走线180可以与公共电极线122尽量重叠，尽量降低第二电磁走线180和公共电极线122对子像素开口190的影响，从而可以尽量增大子像素开口190尺寸。
[0138] 在一些示例中，如图13和图14所示，第二电磁走线180与对应的公共电极线122的延伸方向可以是基本一致的。例如，如图5和图11所示，第二电磁走线180和公共电极线122的形状是基本一致的，例如，公共电极在弯折的位置，第二电磁走线180在同样的位置也具有基本一致的弯折特征，公共电极在直线延伸的位置，第二电磁走线180在同样的位置也具有基本一致的直线延伸特征。例如，第二电磁走线180在衬底基板110上的正投影可以完全落入公共电极线122在衬底基板110上的正投影内。
[0139] 在一些示例中，多条第二电磁走线180的每条第二电磁走线180可以与多条公共电极线122的每条公共电极线122一一对应。当然，本公开实施例对第二电磁走线180与公共电极线122的数量对应关系以及位置对应关系不作限定。例如，还可以每隔相同数量的公共电极线122设置一条第二电磁走线180，也可以间隔不同数量的公共电极线122设置一条第二电磁走线180。
[0140] 在一些示例中，如图13至图17所示，该阵列基板100的制作方法包括：在衬底基板110上形成图案化的栅极层120；在栅极层120上沉积栅极绝缘层191；在栅极绝缘层191上形成图案化的有源层；在有源层195上形成图案化的源漏金属层130；在源漏金属层130上形成图案化的第一层间绝缘层192；在第一层间绝缘层192上形成图案化的第一导电层140，第一导电层140包括第二电磁走线180；在第一导电层140上形成图案化的第二层间绝缘层193；
在第二层间绝缘层193上形成图案化的像素电极135，像素电极135通过过孔196与源漏金属层130相连；在第二层间绝缘层193上形成图案化的第二导电层150，第二导电层150包括第一电磁走线170；在第二导电层150和像素电极135上形成图案化的第三层间绝缘层194；在第三层间绝缘层194上形成图案化的公共电极层160，公共电极层160包括第一条状公共电极161、第二条状公共电极162和公共电极图案163。
[0141] 在一些示例中，第一电磁走线170的两端可以与公共电极形成线圈回路，第二电磁走线180的两端可以与公共电极形成分别形成线圈回路，多个第一电磁走线170和多个第二电磁走线180形成多个线圈回路阵列，线圈回路阵列可以接收信号，例如可以根据磁通量的变化计算得知电磁笔所在的位置，从而实现电磁触控功能。当然，本公开实施例对电磁触控的结构设计不作限制。
[0142] 本公开一实施例还提供一种电磁触控显示装置。图18为本公开一实施例提供的一种电磁触控显示装置的示意图。如图18所示，该电磁触控显示装置200包括上述任一阵列基板100。从而，该电磁触控显示装置200具有上述阵列基板100具有的有益技术效果对应的有益技术效果，在此不再赘述。
[0143] 图19为本公开一实施例提供的另一种电磁触控显示装置的示意图。如图19所示，该电磁触控显示装置200包括上述任一阵列基板100、与阵列基板100彼此对盒设置的对置基板210和设置在阵列基板100和对置基板210之间的液晶层220。本示例中的阵列基板100以图5所示的阵列基板100为例，但并不限于此。
[0144] 在一些示例中，如图19所示，对置基板210包括黑矩阵层211，第一电磁走线170和数据线131在衬底基板110上的正投影位于黑矩阵层201在衬底基板110上的正投影内。通过衬底基板110的结构设计，在解决不期望的漏光问题时，不需要增加黑矩阵层211的尺寸，从而可以避免对子像素开口造成影响。另外，通过使得第一电磁走线170与相邻设置的数据线131的匹配设计，以及第二电磁走线180与相邻设置的栅线121、公共电极线122的匹配设计，可以尽可能的减小第一电磁走线170和第二电磁走线180的增加对子像素开口的影响，尽量减小黑矩阵层211的尺寸的增加。
[0145] 在一些示例中，呈阵列排布的多个公共电极图案也可以位于对置基板200上。
[0146] 例如，上述的电磁触控显示装置可为电视、电脑、导航仪、车载电脑、电子画框、平板电脑、手机等具有电磁触控显示功能的电子产品。
[0147] 本公开一实施例还提供一种电磁触控显示装置的驱动方法。图20为本公开一实施例提供的一种电磁触控显示装置的驱动方法的流程图。电磁触控显示装置包括彼此对盒设置的阵列基板和对置基板以及夹设在阵列基板和对置基板之间的液晶层，阵列基板包括多个第一电磁走线和公共电极层，第一电磁走线沿第一方向排列并沿与第一方向交叉的第二方向延伸。如图20所示，该驱动方法包括：
[0148] S100：提供公共电压给公共电极层；
[0149] S200：提供触控电压给多个第一电磁走线；触控电压与公共电压之间的差值小于液晶层中的液晶分子转动的阈值电压。从而，第一电磁走线与公共电极层的电势差产生的电场不会影响液晶偏转，避免不期望的漏光现象发生。需要说明的是，该驱动方法的两个步骤可以是同时执行，也可以是分时执行，两个步骤没有先后顺序。例如，可以先提供公共电压给公共电极层，再提供触控电压给多个第一电磁走线，或者反之。例如，提供公共电压给公共电极层的同时，提供触控电压给多个第一电磁走线。
[0150] 例如，在电磁触控显示装置的显示区的亮度的变化达到最大变化量的设定值时，将施加的驱动电压的有效值定义为阈值电压。例如，该设定值可以是10％或15％等，当然，本公开实施例对此不作限制，也可以根据电磁触控显示装置的尺寸以及性能要求设计为其他可接受的数值。
[0151] 例如，触控电压与公共电压之间的差值小于的取值范围小于或等于0.5V。当然，本公开实施例对阈值电压的取值范围不作具体限制，可以根据具体电磁触控显示装置的尺寸以及性能要求进行设定。
[0152] 在一些示例中，阵列基板还包括多个第二电磁走线，第二电磁走线沿第二方向排列并沿第一方向延伸，该驱动方法还包括：提供触控电压给多个第二电磁走线。从而，触控电压与公共电压之间的差值小于液晶分子转动的阈值电压，第二电磁走线与公共电极层的电势差产生的电场不会影响液晶偏转，避免不期望的漏光现象发生。
[0153] 在一些示例中，提供给第一电磁走线和第二电磁走线的触控电压可以等于公共电极层的公共电压，第一电磁走线、第二电磁走线和公共电极层共信号。从而，第一电磁走线和第二电磁走线与公共电极层之间不会有电势差，避免不期望的漏光现象发生。
[0154] 图21为本公开一实施例提供另一种阵列基板的结构示意图；图22为图21沿剖切线KL的剖面结构示意图。如图21和图22所示，该阵列基板100与图5所示的阵列基板的差别在于公共电极层160中的第一条状公共电极161具有开口197，第一电磁走线170在衬底基板110上的正投影的至少一部分位于开口197在阵列基板100的平面上的正投影内。从而，不需要改变公共电极层160的结构设计以及开口设计，通过使得触控电压与公共电压之间的差值小于液晶分子转动的阈值电压，也可以解决不期望的漏光问题。
[0155] 图23为图21沿剖切线MN的剖面结构示意图；图24为图21沿垂直于第二电磁走线方向的剖切面上的液晶偏转模拟图。如图21、图23和图24所示，阵列基板100还包括多个第二电磁走线180和多个公共电极图案163，多个公共电极图案163位于的公共电极层160，多个第二电磁走线180沿第二方向Y排列并沿第一方向X延伸，多个公共电极图案163在阵列基板100的平面上呈阵列排布，公共电极图案163包括沿第一方向X排列且沿第二方向Y延伸的多个条状电极1630，相邻的两个条状电极1630之间具有狭缝1631，至少一个狭缝1631在阵列基板100的平面上的正投影与第二电磁走线180在衬底基板110上的正投影至少部分交叠。
提供触控电压给多个第二电磁走线180，从而，触控电压与公共电压之间的差值小于液晶分子转动的阈值电压，第二电磁走线180与公共电极层160的电势差产生的电场不会影响液晶偏转，避免不期望的漏光现象发生。
[0156] 例如，如图23和图24所示，对第二电磁走线180施加的电压信号与公共电极层160的电压信号相同，此时第二电磁走线180与公共电极层160之间没有电势差，液晶基本没有偏转。从而，屏幕进行显示时不会出现不期望的漏光现象。
[0157] 例如，图23和图24所示的第二电磁走线180的厚度可以根据需求进行设计，本公开实施例对此不作限制。例如，可以增大第二电磁走线180的厚度以降低电阻。例如，可以使得第二电磁走线180的厚度与源漏金属层130的厚度基本一致。
[0158] 在一些示例中，该电磁触控显示装置的公共电极层的电压可以是负压、零或者正压，本公开实施例对此不作限制。
[0159] 有以下几点需要说明：
[0160] (1)本公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
[0161] (2)在不冲突的情况下，本公开同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
[0162] 以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
