[0001] 本发明涉及一种磁传感器装置。

[0002] 已知有一种磁传感器装置，其构成为，将在传感器基板上设置有磁检测元件的传感器芯片利用粘接剂粘接于支承基板。例如，专利文献1公开了一种磁传感器装置，其通过分别准备包括生成检测信号的磁传感器的第1芯片及第2芯片、和包括用于处理检测信号的专用集成电路(ASIC)的支承体，利用粘接剂将第1芯片和第2芯片接合于支承体上而得到。

[0003] 在这样的磁传感器装置中，优选以从传感器基板的粘接面稍微溢出的方式涂覆粘接剂。当粘接剂的涂覆量不足时，容易以没有涂覆粘接剂的部位为起点发生剥离，存在粘接强度降低的问题。当粘接剂的涂覆量过剩时，存在从传感器基板溢出的粘接剂附着于ASIC等的表面的电极上从而使得连接可靠性下降的问题。

[0004] 如果在传感器基板的粘接面形成有底孔或贯通孔，则即使涂覆量多少有变化，也会因表面张力从而从传感器芯片溢出的粘接剂的量不容易发生变化。因为粘接层变厚所以粘接强度也提高。专利文献2公开了以下技术：在一种虽然不是磁传感器装置，但是隔着粘接层在支承体上搭载了半导体元件半导体装置中，在面向支承基板的半导体元件的背面形成凹部。

[0005] 现有技术文献

[0006] 专利文献

[0007] 专利文献1：日本特开2023‑10557号公报

[0008] 专利文献2：日本特开2010‑205893号公报

[0065] 参照附图，对优选实施方式进行说明。此外，在各图中，标注了同一符号的部分具有同一或同样的结构。本发明的一个实施方式的磁传感器装置1的特征之一在于，在传感器基板10形成有孔部11，如图17～图24所示，在沿着面垂直方向Z观察时的俯视图中，多个磁检测元件E各自以与孔部11的轮廓O11的角部C1、C2、C3……不重叠的方式配置。孔部11的轮廓O11可以是包括多个角部C1、C2、C3……的四边形等多边形，也可以是不包括角部C1、C2、C3……的圆形。角部C1、C2、C3……例如可以换言之为曲率取极大值的顶点C1、C2、C3……。孔部11的轮廓O11也可以是泪滴形这样的顶点C1与曲线的组合。例如，在圆角这样的由两条直线夹着的曲率一定的圆弧中，角部C1、C2、C3……可以是圆弧的中点(参照图10B)。

[0066] 本发明的位置实施方式的磁传感器装置1具备：支承基板2；和用粘接剂AD固定于支承基板2的传感器基板10，传感器基板10具有：面向支承基板2的第1面10B；和位于与第1面10B相反侧的第2面10A，在第2面10A设置有包括多个磁检测元件E的功能膜20，粘接剂AD填充于孔部11中，孔部11形成为从第1面10B朝向第2面10A凹陷的有底孔或从第1面10B贯通至第2面10A的贯通孔，孔部11的轮廓O11至少包括一个曲率取极大值的顶点C1、C2、C3……，多个磁检测元件E的各自在沿着从第2面10A朝向第1面10B的面垂直方向Z观察时的俯视图中，以与至少一个顶点C1、C2、C3……的任一个不重叠的方式配置。本发明的另一个实施方式的磁传感器装置1构成为，孔部11的轮廓O11为不包括曲率取极大值的顶点C1、C2、C3……的圆形。本发明的磁传感器装置1具有与以下的点相同或者相对应的特别的技术特征：无论孔部11的轮廓O11为多边形还是圆形，均以与曲率取极大值的顶点C1、C2、C3……不重叠的方式配置磁检测元件E。以下，参照图1～图25，对各个结构进行详细说明。

[0067] 图1是表示一个实施方式的磁传感器装置1的立体图。在图示的例子中，磁传感器装置1具备支承基板2、传感器芯片3、配线层4、密封树脂5、电极6等。一台磁传感器装置1也可以具备多个传感器芯片3。

[0068] 如图1所示，支承基板2形成为具有上表面2A和位于与该上表面2A相反侧的下表面2B的平板状。在以下的说明中，将支承基板2的厚度方向称为面垂直方向Z或上下方向Z，将从下表面2B朝向上表面2A的方向称为向上，将从上表面2A朝向下表面2B的方向称为向下。
上表面2A沿着与面垂直方向Z正交的XY平面平行地延伸。

[0069] 图2是示意地表示图1所示的磁传感器装置1的内部结构的一例的截面图。在图示的例子中，支承基板2是ASIC(Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路)，与配线层4电连接的电极2E设置于上表面2A。支承基板2不限定于ASIC，也可以是硅基板、蓝宝石基板。也可以是在这些基板不包括集成电路而仅形成了配线的中继基板(Interposer，中介层)。

[0070] 传感器芯片3用粘接剂AD固定于支承基板2的上表面2A。如图2所示，传感器芯片3包括传感器基板10、生成检测信号的至少一个磁检测元件阵列30、包围磁检测元件阵列30的功能膜20等。功能膜20既可以是以二氧化硅(SiO2)为主要成分的无机膜，也可以是以二氧化硅为主要成分的无机膜和以氧化铝(Al2O3)为主要成分的无机膜的层叠膜。

[0071] 传感器基板10例如为硅基板，配置在支承基板2的上表面2A与功能膜20之间。传感器基板10具有：面向支承基板2的第1面(下表面)10B；和位于第1面10B的相反侧的第2面10A。在第2面10A设置有包括磁检测元件阵列30的功能膜20。在传感器基板10的第1面10B形成有可填充粘接剂AD的孔部11。孔部11可以是从传感器基板10的第1面10B朝向第2面10A凹陷的有底孔，也可以是从第1面10B贯通至第2面10A的贯通孔。

[0072] 各个磁检测元件阵列30由连成一串而呈矩阵状排列的多个磁检测元件E(如图17所示)构成。磁检测元件E的一例是TMR(隧道磁阻效应，Tunnel magnetoresistance effect)元件。磁检测元件E不限定于TMR元件，也可以是GMR(巨磁阻效应，Giant magnetoresistance effect)元件，或者也可以是AMR(各向异性磁阻效应，Anisotropic magnetoresistance effect)元件，还可以是霍尔元件或其它种类的磁检测元件。TMR元件与其它种类的MR元件相比接合面积小，能够使传感器芯片3小型化，MR比较大，能够增大传感器芯片3的输出，因此尤其适于磁检测元件E。

[0073] 磁检测元件阵列30配置在支承基板2的上表面2A侧，形成于支承基板2的上表面2A侧的第1层L1。配线层4配置在支承基板2的上表面2A侧，形成于与第1层L1不同的第2层L2。第2层L2位于比第1层L1远离支承基板2的位置。

[0074] 配线层4沿着支承基板2的上表面2A平行地延伸，经在面垂直方向Z延伸的多个通孔导体40将支承基板2的电极2E和设置在传感器芯片3的上表面3A的电极3E电连接。配线层4以在面垂直方向Z上与传感器基板10部分重叠的方式配置。

[0075] 密封树脂5配置在支承基板2的上表面2A侧，覆盖传感器芯片3和配线层4。密封树脂5通过沿着支承基板2的上表面2A平行地延伸的多个树脂层51、52、53(如图3所示)层叠而构成。配线层4例如是设置在树脂层51、52的上表面的铜镀层。电极6例如是焊料球、铜柱，与配线层4电连接，从密封树脂5露出。

[0076] 图3是用于说明图1所示的磁传感器装置1的制造工艺的立体图。如图3(A)所示，在支承基板2的上表面2A用粘接剂AD(如图2所示)固定传感器芯片3。此时，如果粘接剂AD的涂覆量不足，则容易以没有涂覆粘接剂的部位为起点发生剥离，如果粘接剂AD的涂覆量过剩，则从传感器芯片3溢出的粘接剂附着在支承基板2的上表面2A的电极2E。因此，优选以从传感器芯片3的下表面稍微溢出的方式涂覆粘接剂AD。

[0077] 如图3(B)所示，以覆盖传感器芯片3和支承基板2的上表面2A的方式形成树脂层(第1树脂层)51，在电极2E、3E(如图10所示)的位置开口以形成用于通孔导体40(图2所示)的贯通孔40P。如图3(C)所示，通过溅射等形成晶种层，通过电镀形成通孔导体40和第1配线层41。图3(C)所示的工艺可以是减成法，也可以是加成法。

[0078] 如图3(D)所示，以覆盖通孔导体40、第1配线层41和树脂层51的方式形成树脂层(第2树脂层)52，开口形成用于通孔导体40的贯通孔40P。如图3(E)所示，利用与图3(C)同样的工艺形成通孔导体40和第2配线层42。如图3(F)所示，以覆盖通孔导体40、第2配线层42和树脂层52的方式形成树脂层(第3树脂层)53，开口形成用于电极6的贯通孔6P。如图3(G)所示，在贯通孔6P填充焊料等而形成电极6。通过图3(A)～(G)所示的流程，可以将分别准备的支承基板2和传感器芯片3电连接而得到图1所示的磁传感器装置1。

[0079] 图4是表示构成为生成与检测对象的角度对应的检测值的角度传感器的磁传感器装置1的一例的图。在图示的例子中，磁传感器装置1构成为角度传感器，该角度传感器检测能够以圆柱的中心轴O为旋转轴进行旋转的磁铁300的角度。在图示的例子中，X方向、Y方向和Z方向彼此正交，中心轴O与Z方向平行。

[0080] 磁传感器装置1，检测作为磁铁300产生的磁场的施加于磁传感器装置1的磁场分量MF的与X方向平行的方向上的第1分量，并生成表示第1分量的强度的第1检测信号，并且检测磁铁300产生的磁场的与Y方向平行的方向上的第2分量，生成表示第2分量的强度的第2检测信号。未图示的处理器通过计算第1检测信号与第2检测信号之比的反正切来计算磁铁300产生的磁场相对于基准方向DR所形成的角度θ。

[0081] 图5是表示构成为生成与地磁的角度对应的检测值的磁罗盘的磁传感器装置1的一例的图。如图5所示，磁传感器装置1构成为包括三个传感器芯片3(第1～第3传感器芯片3X、3Y、3Z)，且第1～第3传感器芯片3X、3Y、3Z分别检测外部磁场的彼此正交的三个方向的分量。

[0082] 图6是表示作为生成与检测对象的电流值对应的检测值的电流传感器400的一部分使用的磁传感器装置1的一例的图。在图示的例子中，电流传感器400构成为检测流经汇流条410的电流Itg的值。在汇流条410的周围，因电流Itg而产生磁场MF。电流传感器400配置在被施加磁场MF的位置，该位置位于汇流条410的附近。

[0083] 图7是表示图6所示的电流传感器400的电路结构的图。在图示的例子中，电流传感器400构成为磁场平衡式电流传感器。电流传感器400在磁传感器装置1之外还具备线圈420。线圈420用于产生抵消磁场MF的第1磁场MF1的第2磁场MF2。磁传感器装置1检测第1磁场MF1与第2磁场MF2的残差的磁场，生成与该磁场的强度相应的磁场检测值S。

[0084] 电流传感器400还包括反馈电路430、电流检测器440等。反馈电路430基于磁场检测值S而在线圈420流动用于产生第2磁场MF2的反馈电流。电流检测器440检测在线圈420中流动的反馈电流的值。电流检测器440例如是插入于反馈电流的电流路径中的电阻器。在此情况下，电阻器的两端的电位差相当于反馈电流的检测值。因为反馈电流的检测值与汇流条410的电流Itg的值成比例关系，所以能够根据反馈电流的检测值检测电流Itg的值。

[0085] 本发明的磁传感器装置1可以搭载于信息设备等电子设备而用作检测地磁的磁罗盘，也可以用作照相机组件的自动聚焦机构、光学式抖动校正机构的一部分，还可以用作检测从磁铁产生的磁场相对于基准方向形成的角度的角度传感器，还可以用作检测流经汇流条的电流的值的电流传感器的一部分。

[0086] 图8是表示作为照相机组件200的自动聚焦机构和光学式抖动校正机构的一部分使用的磁传感器装置1的一例的立体图。图9是表示图8所示的照相机组件200的内部结构的截面图。照相机组件200的自动聚焦机构和光学式抖动校正机构具备使透镜220移动的驱动装置230，基于多个磁传感器装置1检测到的透镜220的位置信息控制驱动装置230。

[0087] 详细而言，自动聚焦机构利用图像传感器、自动聚焦传感器等检测焦点对准被摄体的状态，使透镜相对于图像传感器在Z方向上移动。光学式抖动校正机构利用陀螺传感器等检测抖动，使透镜相对于图像传感器在U方向和/或V方向上移动。

[0088] 图8所示的照相机组件200包括：CMOS等图像传感器210、相对于图像传感器210进行对位的透镜220、能够相对于图像传感器210在U方向和V方向上移动的第1保持构件241、能够相对于第1保持构件241在Z方向上移动的第2保持构件242、支承第1保持构件241和第2保持构件242的能够弹性变形的多个金属线244、使第1保持构件241和第2保持构件242移动的驱动装置230、以及收纳这些部件的壳体250等。

[0089] 照相机组件200的自动聚焦机构和光学式抖动校正机构在驱动装置230、多个磁传感器装置1之外，还包括：控制驱动装置230的处理器、检测焦点对准被摄体的状态的自动聚焦传感器、和检测抖动的陀螺传感器等。未图示的处理器、自动聚焦传感器、陀螺传感器等配置在壳体的外部。

[0090] 透镜220固定在形成为筒状的第2保持构件242的内部。第2保持构件242按每个透镜220收纳在形成为箱状的第1保持构件241中。在第2保持构件242，为了至少一个磁传感器装置1检测第2保持构件242的位置信息，而固定了至少一个第2磁铁243。

[0091] 驱动装置230包括多个第1线圈231、多个第2线圈232、多个第1磁铁233等。在壳体250固定着多个第1线圈231。在第2保持构件242固定着多个第2线圈232。在第1保持构件241固定着多个第1磁铁233。多个第1线圈231的各自与对应的第1磁铁233相对。多个第2线圈
232的各自与对应的第1磁铁233相对。

[0092] 在自动聚焦机构的情况下，当按照来自处理器的指令在任意的第2线圈232流动电流时，由于从第1磁铁233产生的磁场与从第2线圈232产生的磁场的相互作用，固定在第2线圈232的第2保持构件242在Z方向上移动。至少一个磁传感器装置1基于将从固定于第2保持构件242的至少一个第2磁铁243产生的磁场和从固定于第1保持构件241的第1磁铁233产生的磁场合成而得到的合成磁场生成检测信号，并将其发送至处理器。处理器根据检测信号检测Z方向上的透镜220的位置信息，控制驱动装置230以使焦点对准被摄体。

[0093] 在光学式抖动校正机构的情况下，当按来自处理器的指令而在任意的第1线圈231中流动电流时，因从第1磁铁233产生的磁场与从第1线圈231产生的磁场的相互作用，固定于第1磁铁233的第1保持构件241在U方向和/或V方向上移动。多个磁传感器装置1的各自基于对应的第1磁铁233的位置生成检测信号，并将其发送至处理器。处理器根据检测信号检测U方向和V方向上的透镜220的位置信息，控制驱动装置230以校正抖动。

[0094] 接着，参照图10A～图25对本发明的磁传感器装置1进行详细说明。图10A是从面垂直方向Z观察在传感器基板10的第1面10B形成有轮廓O11为四边形的孔部11的模拟的模型时的俯视图，示出在传感器芯片3的上表面3A标绘的位置P、Q。

[0095] 如图10A所示，设在X轴方向和Y轴方向上分别为280μm的方形的孔部11的角部C1的正上方的位置为P＝0，在X轴方向和Y轴方向上分别逐次移动10μm，标绘为P＝1、2、3、……14。例如，P＝14处于从P＝0在X轴方向和Y轴方向上分别各离开了140μm的位置。同样，设角部C1的正上方的位置为Q＝0，在X轴方向上逐次移动10μm，标绘为Q＝1、2、3、……14。

[0096] 图10B是从面垂直方向Z观察在传感器基板10的第1面10B形成有轮廓O11为带圆角的四边形的孔部11的模拟的模型时的俯视图，并示出在传感器芯片3的上表面3A标绘的位置P。如图10B所示，设带直径为200μm的圆角的在X轴方向和Y轴方向上分别为340μm的四方的孔部11的角部C1的正上方的位置为P＝0，在X轴方向和Y轴方向上分别逐次移动10μm，标绘为P＝1、2、3、……14。

[0097] 图10C是从面垂直方向Z观察在传感器基板10的第1面10B形成有圆形的孔部11的模拟的模型时的俯视图，并示出在传感器芯片3的上表面3A标绘的位置P。如图10C所示，设直径为400μm的圆形的孔部11的轮廓O11的正上方的位置为P＝0，在X轴方向和Y轴方向上分别逐次移动10μm，标绘为P＝1、2、3、……14。

[0098] 图10D是从面垂直方向Z观察图10A所示的模型还包括在X轴方向和Y轴方向上分别为100μm的方形的配线层4的模拟的模型时的俯视图。配线层4以其中心处于P＝0的位置的方式配置。在后述的图15的模拟结果中，与图10D同样，图10B和图10C所示的模型也具备：以使得P＝0的位置为中心的方式配置的在X轴方向和Y轴方向上分别为100μm的方形的配线层4。

[0099] 图10E是从面垂直方向Z观察具有相对于面垂直方向Z倾斜的内表面11C的模拟的模型时的俯视图，示出了在传感器芯片3的上表面3A标绘了的位置P。如图10E所示，模拟的模型是在X轴方向和Y轴方向上分别为400μm的方形的孔部11，后述的图11所示的最深的中心的深度D为15μm，没有底面10D，作为替代，内表面11C形成为倾斜面或阶梯状。在该模拟的模型中，以与孔部11重叠的方式添加了图10D所示的配线层4，设配线层4的中心的正下面的位置为P＝0，在X轴方向和Y轴方向上分别逐次移动10μm，标绘为P＝1、2、3、……14。

[0100] 图11是沿着与面垂直方向Z正交的XY平面观察模拟的模型时的截面图。其中，孔部11的轮廓O11为孔部11的底面11D的轮廓，由底面11D与内表面11C的边界界定。在底面11D与内表面11C的边界也可以形成圆角。在此情况下，如果底面11D平坦且从第1面10B至底面11D的深度D大致一定，则深度D开始递减的位置为底面11D与内表面11C的边界。

[0101] 在后述的图12～图16的模拟结果中，从传感器基板10的第1面10B至第2面10A的板厚T为15μm，功能膜20的膜厚也为15μm。在后述的图15的模拟结果中，从传感器芯片3的上表面3A至配线层4的下表面的距离为5μm。

[0102] 图12是表示在图10A中示出的位置P在图11所示的各个深度D处模拟得到的角度误差的图，使图10A所示的位置P按0～14的15个模式变化，使图11所示的从传感器基板10的第1面10B至孔部11的底面11D的深度D按0μm、5μm、7.5μm、15μm的4个模式变化，在纵轴上标绘对磁传感器装置1施加了规定的应力值的情况下的角度误差的模拟结果。

[0103] 在深度D小于15μm的情况下，孔部11形成为从传感器基板10的第1面10B朝向第2面10A凹陷的有底孔。在深度D为15μm的情况下，孔部11形成为从第1面贯通至第2面的贯通孔。
即使孔部11为贯通孔，磁检测元件E也由包围磁检测元件E的功能膜20固定。

[0104] 如图12所示，越靠近P＝0角度误差变得越大。当磁检测元件E位于角部C1的正上方的位置时，容易受到来自传感器基板10的热应力的影响。在与面垂直方向Z正交的面内方向上，优选磁检测元件E的各自构成为，角部C1～C4均隔开10μm以上的间隔地配置。

[0105] 此外，孔部11的深度D越深角度误差变得越大。孔部11的深度D优选为传感器基板10的板厚T＝30μm的一半以下。

[0106] 图13是表示在图10A所示的位置Q在图11所示的各个深度D处模拟得到的角度误差的图，作为横轴，使图10A所示的位置Q按1～14的14个模式变化，使图11所示的孔部11的深度D按0μm、5μm、7.5μm、15μm的4个模式变化，在纵轴上标绘对磁传感器装置1施加了规定的应力值的情况下的角度误差的模拟结果。

[0107] 如图13所示，越靠近Q＝0(与图12所示的P＝0的标绘为相同值)角度误差变得越大。当磁检测元件E位于角部C1的正上方的位置时，容易受到来自传感器基板10的热应力的影响。不管是与孔部11的轮廓O11隔开间隔的P、还是在孔部11的轮廓O11上移动的Q，越靠近角部C1角度误差变得越大的倾向是共同的。

[0108] 图14示出了将孔部11的深度D固定于15μm，并使图10A、图10B和图10C中示出的位置P按0～14的15个模式变化，从而模拟对磁传感器装置1施加了规定的应力值的情况所得到的角度误差。

[0109] 如图14所示，存在角度误差按孔部11的轮廓O11为带圆角的四边形的模型、圆形的模型、四边形的模型的顺序变大的倾向。任一模型均是越靠近P＝0角度误差越大。当磁检测元件E位于角部C1的正上方的位置时，容易受到来自传感器基板10的热应力的影响。

[0110] 图15示出将孔部11的深度D固定于15μm、增加了图10D所示的配线层4、并使图10A、图10B和图10C所示的位置P按0～14的15个模式变化，从而模拟对磁传感器装置1施加了规定的应力值的情况所得到的角度误差。

[0111] 将图14和图15的模拟结果相比，孔部11的轮廓O11为四边形、带圆角的四边形、圆形均存在这样的倾向：在位于配线层4的轮廓O4的内侧的位置P＝0～3的位置，具有配线层4的模型的角度误差比没有配线层4的模型的角度误差小。即，能够期待不容易从传感器基板10受到热应力的影响。但是，在四边形的模型的情况下，在配线层4的轮廓O4的附近的位置P＝4～6处，有配线层4的模型的角度误差比没有配线层4的模型的角度误差大。

[0112] 图16示出使图10E所示的P按0～14的15个模式变化，从而模拟对磁传感器装置1施加了规定的应力值的情况所得到的角度误差。将图15和图16的模拟结果相比，内表面11C相对于面垂直方向Z倾斜的模型和内表面11C呈阶梯状地形成的模型均比内表面11C没有倾斜的模型的角度误差大。即，存在容易受到来自传感器基板10的热应力的影响的倾向。

[0113] 参照图17～图25，对本发明的优选的例子进行说明。如之前参照图12～图15所说明的那样，越靠近角部C1～C4角度误差越大。当磁检测元件E位于角部C1～C4的正上方的位置时，容易受到来自传感器基板10的热应力的影响。图17～图20是表示全部的磁检测元件以与孔部的轮廓不重叠的方式配置的第1例～第4例的俯视图。全部的磁检测元件E以与孔部11的轮廓O11不重叠的方式配置。在第1例～第4例中，在俯视图中，多个磁检测元件E的各自与孔部11的轮廓O11的任意角部C1～C4都不重叠，因此磁检测元件E不容易受到来自传感器基板10的热应力的影响。

[0114] 在图17所示的第1例中，在俯视图中，多个磁检测元件E的一部分配置于孔部11的轮廓O11的内侧，多个磁检测元件E的其它部分配置于孔部11的轮廓O11的外侧。换言之，在图17所示的第1例中，跨轮廓O11的内外地配置磁检测元件。

[0115] 也可以如图18所示的第2例那样，孔部11跨越多个桥式电路而配置。在图17～图24所示的例子中，磁传感器装置1包括第1～第4磁检测元件阵列31、32、33、34，由2个并联电路构成第1桥式电路。在图18所示的第2例中，磁传感器装置1还包括第5～第8磁检测元件阵列35、36、37、38，由2个并联电路构成第2桥式电路。

[0116] 第1磁检测元件阵列31和第2磁检测元件阵列32，夹着输出端口A串联连接而构成第1桥式电路的一个并联电路，第3磁检测元件阵列33和第4磁检测元件阵列34夹着输出端口B串联连接而构成第1桥式电路的另一个并联电路。同样，第5磁检测元件阵列35和第6磁检测元件阵列36夹着输出端口A串联连接而构成第2桥式电路的一个并联电路，第7磁检测元件阵列37和第8磁检测元件阵列38夹着输出端口B串联连接而构成第2桥式电路的另一个并联电路。输出端口A、B与检流计等连接。在图18所示的第2例中，与第1例同样，跨越轮廓O11的内外地配置磁检测元件。

[0117] 本发明的磁传感器装置1，可以如图19所示的第3例那样，在俯视图中，多个磁检测元件E的全部在俯视图中配置于轮廓O11的内侧，或者也可以如图20所示的第4例那样，多个磁检测元件E的全部在俯视图中配置在轮廓O11的外侧。本公开的磁传感器装置1对于磁检测元件E的排列的限制少，设计的自由度优异。

[0118] 图21～图23，是表示第1磁检测元件E1以在角部C1～C4以外与孔部11的轮廓O11重叠的方式配置、第2磁检测元件E2以与孔部11的轮廓O11不重叠的方式配置的第5例～第7例的俯视图。在角部C1～C4以外与孔部11的轮廓O11重叠的位置，和与轮廓O11不重叠的位置相比虽然稍微容易受到热应力的影响，但是和与角部C1～C4重叠的位置相比热应力的影响足够小。在第5例～第7例中，在俯视图中，多个磁检测元件E的各自与孔部11的轮廓O11的任意角部C1～C4均不重叠。因此，磁检测元件E(第1磁检测元件E1和第2磁检测元件E2)不容易受到来自传感器基板10的热应力的影响。

[0119] 本公开的磁传感器装置1中，可以如图21所示的第5例那样，与孔部11的轮廓O11不重叠的第2磁检测元件E2在俯视图中跨越轮廓O11的内外地配置，或者也可以如图22所示的第6例那样，第2磁检测元件E2的全部在俯视图中配置在轮廓O11的内侧，或者也可以如图23所示的第7例那样，第2磁检测元件E2的全部在俯视图中配置在轮廓的外侧。本公开的磁传感器装置1对于磁检测元件E的排列的限制少，设计的自由度优异。

[0120] 图24是表示以磁检测元件E配置在配线层4的轮廓O4的内侧的方式在图17所示的第1例增加了配线层4的第8例的俯视图。在第8例中，与第1例同样，在俯视图中多个磁检测元件E的各自与孔部11的轮廓O11的任意角部C1～C4均不重叠。因此，磁检测元件E不容易受到来自传感器基板10的热应力的影响。如参照图15所说明的那样，当增加配线层4时，在配线层4的轮廓O4的内侧角度误差变小。在第8例中，与第1例相比，能够更加期待热应力的影响变小。

[0121] 图25是表示磁检测元件以与倾斜了的内表面不重叠的方式配置的第9例的截面图。如参照图16所说明的那样，在存在相对于面垂直方向Z倾斜的内表面11C的情况下，在俯视图中与内表面11C重叠的位置存在容易受到来自传感器基板10的热应力的影响的倾向。在第9例中，因为多个磁检测元件E的各自与倾斜的内表面11C不重叠，所以磁检测元件E不容易受到来自传感器基板10的热应力的影响。

[0122] 根据按如上方式构成的本公开的磁传感器装置1，因为在传感器基板10形成有孔部11，所以与没有形成孔部11的情况相比，即使粘接剂AD的涂覆量发生了变化，从传感器基板10的第1面10B溢出的粘接剂AD的量也不容易发生变化。粘接层变厚，粘接强度也提高。因此，能够在支承基板2粘接传感器基板10而将其适当地固定。在俯视图中，与孔部11的轮廓O11的角部C1～C4重叠的位置虽然容易受到热应力的影响，但是多个磁检测元件E的各自与角部C1～C4的任一个均不重叠，因此不容易受到热应力的影响。能够提供磁检测元件阵列的输出性能稳定的磁传感器装置1。

[0123] 以上说明了的实施方式是为了容易地理解本发明而说明的实施方式，并不用于对本发明限定地进行解释。实施方式所具有的各要素及其配置、材料、条件、形状和尺寸等，并不限定于例示的方式，能够适当地改变。此外，能够将在不同实施方式中说明了的结构彼此部分地置换或组合。