[0001] 本公开总体上涉及具有支撑结构的存储器装置，并且更具体地，涉及具有位于连接区域中的支撑结构的存储器装置。

[0002] 存储器装置可以包括其中存储有数据的存储器单元阵列、被配置为对存储器单元阵列执行编程操作、读取操作或擦除操作的外围电路以及被配置为控制外围电路的控制电路。

[0003] 存储器单元阵列可以包括多个存储块。当存储块形成为三维结构时，存储块可以通过狭缝区域彼此分开。

[0004] 以三维结构形成的存储块可以包括其中存储器单元在垂直方向上堆叠在基板上的堆叠结构。堆叠结构可以包括交替堆叠的多条栅极线和多个绝缘层。当存储块由堆叠结构配置时，可以使用支撑结构来防止堆叠结构在存储器装置的制造工艺中弯曲或损坏。例如，支撑结构可以位于单元区域或限定在单元区域两个端部处的连接区域中。

[0005] 随着存储器装置的集成度增加，包括在单元区域和连接区域中的支撑结构的大小减小。因此，可能出现其中一些支撑结构彼此接触的桥接(bridge)。出现在应该彼此电隔离的支撑结构之间的桥接成为存储器装置中的缺陷，因此，存储器装置的制造工艺的良率可能劣化。

[0024] 本文中公开的特定结构和功能描述仅仅是出于描述根据本公开的构思的实施方式的目的而例示的。根据本公开构思的另外的实施方式可以以各种形式来实现。因此，本公开不应该被解释为限于本文中阐述的实施方式。

[0025] 下文中，将理解，虽然本文中可能使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应该受这些术语限制。这些术语只是用于将一个元件与另一个元件区分开。

[0026] 实施方式提供了能够减少存储器装置的缺陷的存储器装置。

[0027] 图1是例示了存储器装置的示图。

[0028] 参照图1，存储器装置100可以包括存储器单元阵列110、外围电路170和控制电路180。

[0029] 存储器单元阵列110可以包括第一存储块BLK1至第j存储块BLKj。第一存储块BLK1至第j存储块BLKj中的每一个可以包括能够存储数据的存储器单元。漏极选择线DSL、字线WL、源极选择线SSL和源极线可以连接到第一存储块BLK1至第j存储块BLKj中的每一个，并且位线BL可以公共地连接到第一存储块BLK1至第j存储块BLKj。

[0030] 第一存储块BLK1至第j存储块BLKj可以形成为二维结构或三维结构。具有二维结构的存储块可以包括平行于基板布置的存储器单元。具有三维结构的存储块可以包括在垂直方向上堆叠在基板上的存储器单元。在该实施方式中，公开了形成为三维结构的存储块。

[0031] 存储器单元可以根据编程方式存储一位或两位或更多位数据。例如，将一位数据存储在一个存储器单元中的方式被称为单级单元(SLC)方式，并且将两位数据存储在一个存储器单元中的方式被称为多级单元(MLC)方式。将三位数据存储在一个存储器单元中的方式被称为三级单元(TLC)方式，并且将四位数据存储在一个存储器单元中的方式被称为四级单元(QLC)方式。另外，五位或更多位数据可以被存储在一个存储器单元中。

[0032] 外围电路170可以被配置为执行用于存储数据的编程操作、用于输出存储在存储器单元阵列110中的数据的读取操作以及用于擦除存储在存储器单元阵列110中的数据的擦除操作。例如，外围电路170可以包括电压发生器120、行解码器130、页缓冲器组140、列解码器150和输入/输出电路160。

[0033] 电压发生器120可以响应于操作代码OPCD而生成用于编程操作、读取操作或擦除操作的各种操作电压Vop。例如，电压发生器120可以被配置为响应于操作代码OPCD而生成编程电压、导通电压、截止电压、负电压、预充电电压、验证电压、读取电压、通过电压和擦除电压。由电压发生器120产生的操作电压Vop可以通过行解码器130施加到所选择存储块的漏极选择线DSL、字线WL、源极选择线SSL和源极线SL。

[0034] 编程电压可以是在编程操作中施加到字线WL当中的选定字线的电压，并且可以用于增加连接到选定字线的存储器单元的阈值电压。导通电压可以施加到漏极选择线DSL或源极选择线SSL，并且可以用于导通漏极选择晶体管或源极选择晶体管。截止电压可以施加到漏极选择线DSL或源极选择线SSL，并且可以用于使漏极选择晶体管或源极选择晶体管截止。例如，截止电压可以被设置为0V。预充电电压可以是比0V高的电压，并且可以在读取操作中施加到位线。验证电压可以在验证操作用于确定选定存储器单元的阈值电压是否已增加至目标电平。验证电压可以根据目标电平被设置为各种电平，并且可以被施加到选定字线。

[0035] 在选定存储器单元的读取操作中，读取电压可以被施加到选定字线。例如，可以根据选定存储器单元的编程方式将读取电压设置为各种电平。通过电压可以是在编程或读取操作中施加到字线WL当中的未选字线的电压，并且可以用于使与未选字线连接的存储器单元导通。

[0036] 擦除电压可以在用于擦除选定存储块中所包括的存储器单元的擦除操作中使用，并且可以被施加到源极线SL。

[0037] 行解码器130可以被配置为根据行地址RADD，将操作电压Vop发送到与选定的存储块连接的漏极选择线DSL、字线WL、源极选择线SSL和源极线SL。例如，行解码器130可以通过全局线连接到电压发生器120，并且可以通过漏极选择线DSL、字线WL、源极选择线SSL和源极线SL连接到第一存储块BLK1至第j存储块BLKj。

[0038] 页缓冲器组140可以包括与第一存储块BLK1至第j存储块BLKj中的每一个连接的页缓冲器(未示出)。页缓冲器(未示出)可以通过位线BL分别连接到第一存储块BLK1至第j存储块BLKj。在读取操作中，响应于页缓冲控制信号PBSIG，页缓冲器(未示出)可以感测根据选定存储器单元的阈值电压而变化的位线BL的电流或电压，并且可以临时存储感测的数据。

[0039] 列解码器150可以被配置为响应于列地址CADD而在页缓冲器组140和输入/输出电路160之间传输数据。例如，列解码器150可以通过列线CL连接到页缓冲器组140，并且可以通过列线发送使能信号。页缓冲器组140中所包括的页缓冲器(未示出)可以响应于使能信号通过数据线DL接收或输出数据。

[0040] 输入/输出电路160可以被配置为通过输入/输出线I/O接收或输出命令CMD、地址ADD或数据。例如，输入/输出电路160可以通过输入/输出线I/O向控制电路180发送从外部控制器接收的命令CMD和地址ADD，并且通过输入/输出线I/O向页缓冲器组140发送从外部控制器接收的数据。另选地，输入/输出电路160可以通过输入/输出线I/O将从页缓冲器组140传送的数据输出到外部控制器。

[0041] 控制电路180可以响应于命令CMD和地址ADD而输出操作代码OPCD、行地址RADD、页缓冲器控制信号PBSIG和列地址CADD。例如，当输入到控制电路180的命令CMD是对应于编程操作的命令时，控制电路180可以控制外围电路170对由地址ADD选择的存储块执行编程操作。当输入到控制电路180的命令CMD是对应于读取操作的命令时，控制电路180可以控制外围电路170对选定存储块执行读取操作并输出读取的数据。当输入到控制电路180的命令CMD是对应于擦除操作的命令时，控制电路180可以控制外围电路170对选定存储块执行擦除操作。

[0042] 图2是例示了存储器单元阵列的示图。

[0043] 参照图2，存储器单元阵列110可以位于外围电路170上，但存储器单元阵列110和外围电路170的位置不限于图2中示出的位置。例如，存储器单元阵列110可以与外围电路170位于相同的平面上，并且可以在存储器单元阵列110和外围电路170形成在不同的基板上之后使存储器单元阵列110与外围电路170彼此接触。

[0044] 存储器单元阵列110可以包括第一存储块BLK1至第j存储块BLKj。第一存储块BLK1至第j存储块BLKj可以被设置为沿着Y方向彼此间隔开。第一存储块BLK1至第j存储块BLKj可以彼此相同地配置，并且可以通过狭缝区域1SR、2SR、3SR、...彼此分开。狭缝区域1SR、2SR、3SR、…中的每一个可以沿着X方向延伸。例如，第一存储块BLK1可以位于第一狭缝区域
1SR和第二狭缝区域2SR之间，并且第二存储块BLK2可以位于第二狭缝区域2SR和第三狭缝区域3SR之间。第一存储块BLK1和第二存储块BLK2可以通过第二狭缝区域2SR彼此分开。

[0045] 第一存储块BLK1至第j存储块BLKj可以包括单元区域CE以及第一连接区域1CN和第二连接区域2CN。单元区域CE可以位于第一连接区域1CN和第二连接区域2CN之间。存储器单元可以被包括在单元区域CE中，并且接触件和支撑结构可以被包括在第一连接区域1CN和第二连接区域2CN中。存储器单元可以被配置为存储数据，接触件可以被配置为与从单元区域CE延伸的栅极线接触，或者可以与位于存储块下方的外围电路170接触，并且支撑结构可以被配置为支撑位于第一连接区域1CN和第二连接区域2CN中的堆叠结构。

[0046] 图3A是例示了存储器装置的结构的视图。

[0047] 参照图3A，例示了图2中示出的第一存储块BLK1至第j存储块BLKj当中的第一存储块BLK1和第二存储块BLK2的布局。

[0048] 第一存储块BLK1和第二存储块BLK2可以位于第一狭缝1SLT至第三狭缝3SLT之间。第一狭缝1SLT至第三狭缝3SLT可以是形成在第一狭缝区域1SR至第三狭缝区域3SR中的结构，并且第一狭缝1SLT至第三狭缝3SLT可以由绝缘材料或导电材料形成，或者可以由绝缘材料和导电材料形成。

[0049] 第一存储块BLK1和第二存储块BLK2中的每一个可以被划分为单元区域CE和第一连接区域1CN。包括存储器单元的单元插塞CP可以被包括在单元区域CE中，并且用于支撑存储块的第一支撑结构1SP和第二支撑结构2SP和与从单元区域CE延伸的栅极线电接触或者与位于存储块下方的外围电路电接触的接触件可以被包括在第一连接区域1CN中。

[0050] 存储器单元和选择晶体管可以被包括在单元插塞CP中的每一个中。例如，对应于存储器单元和选择晶体管的单元插塞CP可以包括芯柱CR、沟道层CH和存储器层ML。存储器层ML可以包括隧道绝缘层TX、电荷捕获层CG和阻挡层BX。芯柱CR可以具有圆形柱形状，并且可以由绝缘材料或导电材料形成。沟道层CH可以具有围绕芯柱CR的侧表面的圆柱形形状，并且可以由多晶硅形成。隧道绝缘层TX可以具有围绕沟道层CH的侧表面的圆柱形形状，并且可以由氧化物层形成。电荷捕获层CG可以具有围绕隧道绝缘层TX的侧表面的圆柱形形状，并且可以由氮化物层形成。阻挡层BX可以具有围绕电荷捕获层CG的侧表面的圆柱形形状，并且可以由氧化物层形成。

[0051] 位于第一连接区域1CN中的第一支撑结构1SP可以在与第一狭缝1SLT至第三狭缝3SLT相邻的区域中沿着X方向彼此间隔开。第一支撑结构可以与第一狭缝1SLT至第三狭缝
3SLT相邻，但可以不与第一狭缝1SLT至第三狭缝3SLT接触。第一支撑结构1SP可以穿透形成存储块的堆叠结构，并且可以由绝缘材料形成。例如，被包括在第一存储块BLK1中的第一支撑结构1SP可以包括与第一狭缝1SLT相邻的支撑结构和与第二狭缝2SLT相邻的支撑结构。

[0052] 接触件CT可以位于第一支撑结构1SP之间，并且可以由导电材料形成。接触件CT中的每个的长轴(major axis)长度可以比第一支撑结构1SP中的每个的长轴长度短，并且接触件CT中的每个的短轴长度可以比第一支撑结构1SP中的每个的短轴长度短。

[0053] 第二支撑结构2SP可以位于沿Y方向彼此间隔开的第一支撑结构1SP之间以及沿Y方向彼此间隔开的接触件CT之间。由于第二支撑结构2SP执行分离堆叠结构的功能，因此第二支撑结构2SP可以包括在X方向上延伸并且可以彼此平行的第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP以及沿着Y方向延伸的中间支撑结构C_SP。将作为示例描述包括在第一存储块BLK1中的第二支撑结构2SP。第二支撑结构2SP可以包括沿着X方向彼此平行布置的第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP以及沿着Y方向延伸以将第一外部支撑结构1E_SP的端部连接到第二外部支撑结构2E_SP的端部的中间支撑结构C_SP。第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP以及中间支撑结构C_SP可以由穿透堆叠结构的绝缘材料形成。绝缘层和牺牲层可以堆叠在由第二支撑结构2SP围绕的堆叠结构中，并且绝缘层和栅极线可以堆叠在位于第二支撑结构2SP外部的堆叠结构中。

[0054] 用于支撑堆叠结构的第三支撑结构3SP可以进一步被包括在由第一支撑结构1SP、第二支撑结构2SP和单元区域CE围绕的区域中。第三支撑结构3SP可以具有沿着X方向延伸的线形形状，并且可以由绝缘材料形成。

[0055] 如图3A中所示，第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP的与中间支撑结构C_SP接触的部分可以形成直角。另外，由于中间支撑结构C_SP的面积大于与中间支撑结构C_SP相邻的第一支撑结构1SP中的每个的面积，因此在其中要形成第二支撑结构2SP的区域中形成沟槽的蚀刻工艺期间，在其中要形成中间支撑结构C_SP的沟槽的两个端部处可能出现由于过蚀刻而产生的弯曲(bowing)。

[0056] 将如下地详细描述在其中要形成中间支撑结构C_SP的沟槽中可能出现的弯曲。

[0057] 图3B是例示了在支撑结构中出现弯曲的现象的视图。图3C是例示了由于在支撑结构中出现弯曲而导致的缺陷的视图。

[0058] 参照图3B和图3C，在用于形成其中将要形成第二外部支撑结构2E_SP的外部沟槽E_TC和其中将要形成中间支撑结构C_SP的中间沟槽C_TC的蚀刻工艺中，在其中外部沟槽E_TC与中间沟槽C_TC彼此接触的区域中可能发生过蚀刻，因此可能出现弯曲BW。例如，可以通过执行各向异性干法蚀刻工艺来形成外部沟槽E_TC和中间沟槽C_TC。

[0059] 各向异性干法蚀刻工艺可以通过使用以下原理来执行。

[0060] 各向异性干法蚀刻工艺可以通过使用反应离子蚀刻(RIE)方法或通过应用RIE方法而获得的方法来执行。通过使用RIE方法或者通过应用RIE方法而获得的方法，可以在蚀刻工艺中使用等离子体。由等离子体产生的正离子可以在垂直于基板的方向上移动，并且然后可以与蚀刻目标层碰撞，因此，蚀刻目标层表面的结合力可能变弱。在蚀刻目标层中结合力变弱的部分处的分子可以与自由基一起被释放。因此，由于正离子在垂直于蚀刻目标层的方向上移动，因此平行于基板的表面的蚀刻速率高于垂直于基板的表面的蚀刻速率。为此原因，外部沟槽E_TC和中间沟槽C_TC可以在垂直于基板的方向上形成。

[0061] 然而，随着外部沟槽E_TC和中间沟槽C_TC的深度变深，正离子移动的方向可能改变。例如，外部沟槽E_TC与中间沟槽C_TC彼此接触的部分31的面积大于外部沟槽E_TC和中间沟槽C_TC的另一区域的面积，因此，可以在具有比该另一区域的面积大的面积的区域中执行各向同性蚀刻。在外部沟槽E_TC与中间沟槽C_TC彼此垂直接触的部分31处，外部沟槽E_TC和中间沟槽C_TC的侧表面的一部分可以被过蚀刻，并且侧表面由于过蚀刻而变得凸起的形状可以被称为弯曲BW。因此，由于弯曲BW，外部沟槽E_TC与中间沟槽C_TC彼此接触的部分31的侧表面可以变得靠近其中将要形成第一支撑结构1SP的接触孔CTH的侧表面。当发生过蚀刻时，外部沟槽E_TC和中间沟槽C_TC的一部分与接触孔CTH的侧表面可能彼此接触。

[0062] 例如，当在用于在其中绝缘层IL和栅极线GL交替堆叠的堆叠结构STK中形成外部沟槽E_TC、中间沟槽C_TC和接触孔CTH的蚀刻工艺中出现弯曲BW时，中间沟槽C_TC与接触孔CTH的一部分可以彼此接触。当形成为绝缘材料的中间支撑结构C_SP和第一支撑结构1SP在蚀刻工艺之后填充在中间沟槽C_TC和接触孔CTH中时，将要在中间支撑结构C_SP和第一支撑结构1SP之间延伸的栅极线GL中的一些可能被切割，从而可以导致存储器装置的缺陷。

[0063] 相应地，在以下实施方式中公开了能够抑制第一支撑结构1SP和中间支撑结构C_SP之间的弯曲BW的出现的布局。

[0064] 图4A是根据本公开的第一实施方式的支撑结构的布局。图4B是例示了根据本公开的第一实施方式的第二支撑结构和与第二支撑结构相邻的第一支撑结构的布局的视图。图4C是例示了根据本公开的第一实施方式的支撑结构的立体图。

[0065] 参照图4A，第二支撑结构2SP可以包括第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP、第一突出图案1PR和第二突出图案2PR以及中间支撑结构C_SP。

[0066] 第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP可以沿着X方向延伸并且可以被布置为彼此平行。第一突出图案1PR和第二突出图案2PR可以分别与第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP接触，并且可以被布置为彼此平行。例如，第一突出图案
1PR可以沿着X方向从第一外部支撑结构1E_SP延伸，并且第二突出图案2PR可以沿着X方向从第二外部支撑结构2E_SP延伸。

[0067] 中间支撑结构C_SP可以在Y方向上位于第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP之间。例如，中间支撑结构C_SP的一个侧表面以及第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP中的每一个的一个侧表面可以沿着Y方向一起延伸。第一突出图案1PR和第二突出图案2PR可以分别作为第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP的延伸部沿着X方向突出。例如，当假定第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP沿着+X方向从中间支撑结构C_SP与第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP彼此接触的部分延伸时，第一突出图案1PR和第二突出图案2PR可以沿着‑X方向从这些部分延伸。即，第一突出图案1PR和第二突出图案2PR可以在与第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP延伸的方向相反的方向上突出。

[0068] 参照图4B，第一支撑结构1SPa和1SPb(图4A中示出的1SP)以及接触件CT可以设置在第二支撑结构2SP的外围处。当如参考图3B所述在第二外部支撑结构2E_SP和中间支撑结构C_SP彼此接触的部分处出现弯曲BW时，中间支撑结构C_SP可以位于区域RG中，区域RG对应于在X方向上在第一支撑结构1SPa和1SPb之间的部分，以防止弯曲BW与第一支撑结构1SPa和1SPb接触。除了中间支撑结构C_SP之外，接触件CT也可以位于第一支撑结构1SPa和
1SPb之间的区域RG中，接触件CT在Y方向上与中间支撑结构C_SP对准并且间隔开。

[0069] 接触件CT的大小可以小于第一支撑结构1SP的大小，并且接触件CT可以比第一支撑结构1SP离第二支撑结构2SP更远。因此，尽管在第二外部支撑结构2E_SP与中间支撑结构C_SP彼此接触的部分处出现弯曲BW，但弯曲BW和接触件CT或第一支撑结构1SPa和1SPb也可以难以彼此接触。具体地，第一长度L1可以是沿着+Y方向延伸的长度，并且可以是弯曲BW与接触件CT之间的最短长度。然而，由于接触件CT在+Y方向上比第一支撑结构1SPa和1SPb离第二外部支撑结构2E_SP和第二突出图案2PR更远，因此即使出现弯曲BW，弯曲BW也难以与接触件CT接触。另外，由于弯曲BW与第一支撑结构1SPa和1SPb在斜向方向上(+Y方向与+X方向的组合或+Y方向与‑X方向的组合)彼此相邻，因此即使当出现弯曲时，也可以防止弯曲BW与第一支撑结构1SPa和1SPb彼此接触的现象。

[0070] 由于中间支撑结构C_SP位于对应于第一支撑结构1SP之间的区域RG中，因此在从中间支撑结构C_SP与第二外部支撑结构2E_SP彼此接触的一部分起对应于‑X方向的区域中堆叠结构的支撑力可能减小。相应地，第二突出图案2PR可以在‑X方向上从第二外部支撑结构2E_SP延伸，使得可以补充由于中间支撑结构C_SP的位置变化而导致支撑力可能降低的区域中的支撑力。由于第二突出图案2PR沿着±X方向以线形形状延伸，并且沿着+Y方向或‑Y方向没有与其接触的支撑结构，因此可以不出现弯曲BW。尽管在+Y方向上从第二突出图案2PR出现弯曲BW，但弯曲BW的大小可以小于在中间支撑结构C_SP与第二外部支撑结构2E_SP彼此接触的区域中出现的弯曲BW的大小。因此，第一支撑结构1SPa与第二突出图案2PR将难以由于弯曲BW而彼此接触。

[0071] 中间支撑结构C_SP可以具有沿着±Y方向延伸的线形形状，第二外部支撑结构2E_SP可以具有沿着与±Y方向正交的+X方向延伸的线形形状，并且第二突出图案2PR可以具有沿着作为+X方向的相反方向的‑X方向延伸的线形形状。因此，中间支撑结构C_SP和第二突出图案2PR可以彼此垂直接触，并且中间支撑结构C_SP和第二外部支撑结构2E_SP也可以彼此垂直接触。

[0072] 当假定中间支撑结构C_SP的宽度是第一宽度W1时，第二外部支撑结构2E_SP可以具有比第一宽度W1窄的第二宽度W2。例如，第一宽度W1可以是中间支撑结构C_SP中的在±X方向上的长度，并且第二宽度W2可以是第二外部支撑结构2E_SP中的在±Y方向上的长度。为了确保弯曲BW与第一支撑结构1SPa和1SPb之间的裕量，第一宽度W1可以被设+置为比第一距离IT1窄，第一距离IT1是第一支撑结构1SPa和1SPb之间在±X方向上的距离。

[0073] 平行于第二外部支撑结构2E_SP并且与中间支撑结构C_SP接触的第一外部支撑结构1E_SP也可以与中间支撑结构C_SP垂直接触。第一突出图案1PR可以沿着‑X方向从第一外部支撑结构1E_SP延伸，并且可以平行于第二突出图案2PR布置。因此，第一突出图案1PR和中间支撑结构C_SP可以彼此垂直接触。第一突出图案1PR在+X方向上的长度可以等于第二突出图案2PR在+X方向上的长度。第一突出图案1PR与第二突出图案2PR之间在±Y方向上的第二距离IT2可以等于中间支撑结构C_SP的长轴的长度。

[0074] 参照图4C，第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP、中间支撑结构C_SP以及第一突出图案1PR和第二突出图案2PR可以在穿透第一堆叠结构1STK或第二堆叠结构2STK的同时，支撑第一堆叠结构1STK和第二堆叠结构2STK。例如，围绕第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP、中间支撑结构C_SP以及第一突出图案1PR和第二突出图案2PR的第一堆叠结构1STK可以包括交替堆叠的绝缘层和栅极线。被第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP以及中间支撑结构C_SP围绕的第二堆叠结构2STK可以包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层。

[0075] 第一堆叠结构1STK和第二堆叠结构2STK中所包括的绝缘层可以由氧化物层形成。第一堆叠结构1STK中所包括的栅极线可以由导电层形成。例如，栅极线可以由诸如钨(W)、钼(Mo)、钴(Co)或镍(Ni)这样的金属材料或者由诸如硅(Si)或多晶硅(poly‑Si)这样的半导体材料形成。第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP以及中间支撑结构C_SP可以将第一堆叠结构1STK与第二堆叠结构2STK彼此分离，并且可以支撑第一堆叠结构1STK和第二堆叠结构2STK。第一突出图案1PR和第二突出图案2PR可以支撑第一堆叠结构1STK。

[0076] 图5是例示根据本公开的第二实施方式的支撑结构的视图。

[0077] 参照图5，第二支撑结构2SP可以包括第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP、中间支撑结构C_SP以及第一突出图案1PR和第二突出图案2PR。第二支撑结构2SP的第一突出图案1PR和第二突出图案2PR中的每一个可以具有比第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP中的每一个的宽度窄的宽度。例如，当假定中间支撑结构C_SP具有第一宽度W1时，第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP中的每一个可以具有比第一宽度W1窄的第二宽度W2，并且第一突出图案1PR和第二突出图案2PR中的每一个可以具有比第二宽度W2窄的第三宽度W3。当第一突出图案1PR的下表面51和第一外部支撑结构1E_SP的下表面52沿着同一线延伸，并且第二突出图案2PR的上表面53和第二外部支撑结构2E_SP的上表面54沿着同一线延伸时，第一突出图案1PR与第二突出图案2PR之间的距离可以具有比中间支撑结构C_SP的长轴的长度长的第三距离IT3。

[0078] 图6是例示根据本公开的第三实施方式的支撑结构的视图。

[0079] 参照图6，第二支撑结构2SP可以包括第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP、中间支撑结构C_SP以及第一突出图案1PR和第二突出图案2PR。第二支撑结构2SP的第一突出图案1PR和第二突出图案2PR中的每一个可以具有比第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP中的每一个的宽度宽的宽度。例如，当假定中间支撑结构C_SP具有第一宽度W1时，第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP中的每一个可以具有比第一宽度W1窄的第二宽度W2，并且第一突出图案1PR和第二突出图案2PR中的每一个可以具有比第二宽度W2宽的第四宽度W4。当第一突出图案1PR的下表面61和第一外部支撑结构1E_SP的下表面62沿着同一线延伸，并且第二突出图案2PR的上表面63和第二外部支撑结构2E_SP的上表面64沿着同一线延伸时，第一突出图案1PR与第二突出图案2PR之间的距离可以具有比中间支撑结构C_SP的长轴的长度短的第四距离IT4。

[0080] 图7是例示根据本公开的第四实施方式的支撑结构的视图。

[0081] 参照图7，第二支撑结构2SP可以包括第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP、中间支撑结构C_SP以及第三突出图案3PR。第二支撑结构2SP的第三突出图案3PR可以与中间支撑结构C_SP的一个表面71接触。例如，第三突出图案3PR可以不与第一外部支撑结构1E_SP或第二外部支撑结构2E_SP接触，而是可以与中间支撑结构C_SP的一个表面71接触。例如，第三突出图案3PR中的在Y方向上的中心点72和中间支撑结构C_SP中的在Y方向上的中心点73可以位于沿着X方向延伸的同一线74上。第三突出图案3PR的宽度可以窄于、等于或宽于第一外部支撑结构1E_SP或第二外部支撑结构2E_SP的宽度。当第三突出图案3PR的宽度比第一外部支撑结构1E_SP或第二外部支撑结构2E_SP的宽度宽时，第三突出图案3PR在Y方向上的宽度可以比中间支撑结构C_SP的长轴的长度窄。

[0082] 图8是例示根据本公开的第五实施方式的支撑结构的视图。

[0083] 参照图8，第二支撑结构2SP可以包括第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP、中间支撑结构C_SP以及第一突出图案1PR至第三突出图案3PR。在第二支撑结构2SP的第一突出图案1PR至第三突出图案3PR中，第一突出图案1PR和第二突出图案2PR可以分别与第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP接触，并且第三突出图案3PR可以与中间支撑结构C_SP接触。例如，第一突出图案1PR可以沿着‑X方向从第一外部支撑结构
1E_SP突出，第二突出图案2PR可以沿着‑X方向从第二外部支撑结构2E_SP突出，并且第三突出图案3PR可以沿着‑X方向从中间支撑结构C_SP突出。第一突出图案1PR和第二突出图案
2PR中的每一个的宽度可以等于、宽于或窄于第一外部支撑结构1E_SP或第二外部支撑结构
2E_SP的宽度。第三突出图案3PR的宽度可以比中间支撑结构C_SP的长轴的长度窄。第一突出图案1PR至第三突出图案3PR可以彼此间隔开。

[0084] 在图8中，已例示三个突出图案1PR、2PR和3PR。在一些实施方式中，第二支撑结构2SP可以包括沿着‑X方向与第一外部支撑结构1E_SP和第二外部支撑结构2E_SP以及中间支撑结构C_SP接触的四个或更多个突出图案。突出图案1PR至3PR中的每一个的角部可以具有直角形状81或弧形形状82。

[0085] 图9是例示应用了本公开的存储器装置的存储卡系统的示图。

[0086] 参照图9，存储卡系统3000可以包括控制器3100、存储器装置3200和连接器3300。

[0087] 控制器3100可以连接到存储器装置3200。控制器3100可以访问存储器装置3200。例如，控制器3100可以控制编程操作、读取操作或擦除操作，或者可以控制存储器装置3200的后台操作。控制器3100可以提供存储器装置3200和主机之间的接口。控制器3100可以驱动用于控制存储器装置3200的固件。例如，控制器3100可以包括诸如随机存取存储器(RAM)、处理单元、主机接口、存储器接口和纠错器之类的组件。

[0088] 控制器3100可以通过连接器3300与外部装置通信。控制器3100可以根据特定的通信协议与外部装置(例如，主机)通信。示例性地，控制器3100可以通过诸如通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、外围组件互连(PCI)、PCI快速(PCIe)、高级技术附件(ATA)、串行ATA(SATA)、并行ATA(PATA)、小型计算机系统接口(SCSI)、增强型小型磁盘接口(ESDI)、集成驱动电子设备(IDE)、固件、通用闪存存储(UFS)、Wi‑Fi、蓝牙(Bluetooth)和NVMe这样的各种通信协议中的至少一种与外部装置通信。示例性地，连接器3300可以由上述各种通信协议中的至少一种来定义。

[0089] 存储器装置3200可以包括存储器单元，并且可以与图1中示出的存储器装置100相同地配置。

[0090] 控制器3100和存储器装置3200可以被集成到单个半导体装置中，以构成存储卡。例如，控制器3100和存储器装置3200可以构成诸如个人计算机(PC)卡(个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA))、紧凑型闪存(CF)卡、智能媒体卡(SM和SMC)、记忆棒、多媒体卡(MMC、RS‑MMC、MMCmicro和eMMC)、SD卡(SD、miniSD、microSD和SDHC)和通用闪存存储(UFS)这样的存储卡。

[0091] 图10是例示应用了本公开的存储器装置的固态驱动器(SSD)系统的示图。

[0092] 参照图10，SSD系统4000可以包括主机4100和SSD 4200。SSD 4200可以通过信号连接器4001与主机4100交换信号，并且可以通过电力连接器4002接收电力。SSD 4200可以包括控制器4210、多个存储器装置4221至422n、辅助电源4230和缓冲存储器4240。

[0093] 控制器4210可以响应于从主机4100接收的信号而控制多个存储器装置4221至422n。示例性地，该信号可以是基于主机4100与SSD 4200之间的接口的信号。例如，信号可以是由以下接口中的至少一种定义的信号：通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、外围组件互连(PCI)、PCI快速(PCIe)、高级技术附件(ATA)、串行ATA(SATA)、并行ATA(PATA)、小型计算机系统接口(SCSI)、增强型小型磁盘接口(ESDI)、集成驱动电子设备(IDE)、固件、通用闪存存储(UFS)、Wi‑Fi、蓝牙和NVMe。

[0094] 多个存储器装置4221至422n可以包括被配置为存储数据的多个存储器单元。多个存储器装置4221至422n中的每一个可以与图1中示出的存储器装置100相同地配置。多个存储器装置4221至422n可以通过通道CH1至CHn与控制器4210通信。

[0095] 辅助电源4230可以通过电力连接器4002连接到主机4100。辅助电源4230可以接收从主机4100输入的电力PWR并且可以充入电力PWR。当来自主机4100的电力供应不平稳时，辅助电源4230可以为SSD 4200提供电力。示例性地，辅助电源4230可以位于SSD 4200中，或者可以位于SSD 4200外。例如，辅助电源4230可以位于主板中并且可以向SSD 4200提供辅助电力。

[0096] 缓冲存储器4240可以作为SSD 4200的缓冲存储器操作。例如，缓冲存储器4240可以临时存储从主机4100接收的数据或从多个存储器装置4221至422n接收的数据，或者可以临时存储存储器装置4221至422n的元数据(例如，映射表)。缓冲存储器4240可以包括诸如DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、LPDDR SDRAM和GRAM这样的易失性存储器或诸如FRAM、ReRAM、STT‑MRAM和PRAM这样的非易失性存储器。

[0097] 根据本公开，可以改变支撑结构的布局，使得可以减少在存储器装置的制造工艺中可能出现的缺陷。相应地，可以提高存储器装置的制造工艺的良率。

[0098] 虽然已参照本公开的某些示例性实施方式示出和描述了本公开，但本领域的技术人员将理解，可以在不脱离如所附权利要求书及其等同物限定的本公开的精神和范围的情况下，在其中进行各种形式和细节上的改变。因此，本公开的范围不应该限于上述的示例性实施方式，而是应该不仅由所附权利要求书而且由其等同物确定。

[0099] 在上述实施方式中，可以选择性地执行所有步骤或者可以省略部分步骤。在每个实施方式中，步骤不一定必须要根据所描述顺序执行并且可以重新排序。在本说明书和附图中公开的实施方式仅是示例，以促进对本公开的理解，并且本公开不限于此。即，对于本领域的技术人员而言应该显而易见的是，可以基于本公开的技术范围进行各种修改。

[0100] 此外，已在附图和说明书中描述了本公开的示例性实施方式。尽管这里使用了特定术语，但是这些术语仅是为了解释本公开的实施方式。因此，本公开不限于上述实施方式，并且在本公开的精神和范围内许多变形形式是可能的。对于本领域的技术人员而言应该显而易见的是，除了本文中公开的实施方式之外，还可以基于本公开的技术范围进行各种修改。

[0101] 相关申请的交叉引用

[0102] 本申请要求于2023年6月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10‑2023‑0076119的优先权，该韩国专利申请的全部公开以引用方式并入本文中。