[0001] 本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法。

[0002] 对于背接触太阳能电池来说，硅基体在吸收了太阳光后，会产生电子和空穴的载流子，并通过P区和N区分别聚集电子和空穴，以形成电势。其中，现有的全背面电极的背接触太阳能电池中，P区和N区会分别设置第一载流子收集层和第二载流子收集层，并通过不同掺杂类型的掺杂，得到相反的掺杂类型，从而得到太阳能电池的正负两极。

[0003] 但是，现有技术为了在不同区域分别制备第一载流子收集层和第二载流子收集层，难以避免地会使用激光开膜工艺，在整面制备后对部分区域进行开膜去除，从而保留部分区域的第一载流子收集层和第二载流子收集层。高能量的激光束会对硅基体、结区、以及场区均造成激光损伤，大大影响太阳能电池的光电转化效率。

[0037] 太阳能电池，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片，又称为“太阳能芯片”或“光电池”，它只要被满足一定照度条件的光照度，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。在物理学上称为太阳能光伏（Photovoltaic，缩写为PV），简称光伏。为了方便和清楚地描述本发明的太阳能电池的制备方法以及太阳能电池，以下结合附图对本发明的示范性实施例做出说明，其中包括本发明实施例的各种细节以助于理解，应当将它们认为仅仅是示范性的。因此，本领域普通技术人员应当认识到，可以对这里描述的实施例做出各种改变和修改，而不会背离本发明的范围和精神。同样，为了清楚和简明，以下的描述中省略了对公知功能和结构的描述。

[0038] 近年来，随着单晶太阳能电池的发展，尤其是钝化发射极和背场(PERC)技术的成功产业化，量产电池效率在P型硅片上的效率提升接近瓶颈。更多的目光投向了体少子寿命更高，衰减更小的N型电池。N型PERT、异质结(HJT)和隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)等三种电池结构也逐渐受到业界关注。其中，为进一步提升传统异质结电池效率，人们对异质结电池的结构进行了进一步的改进，出现了全背面电极结构的异质结电池，这样可以去除栅线对太阳光的遮挡，增加对入射光的吸收效率。

[0039] 但是，现有技术为了在不同区域分别制备第一载流子收集层和第二载流子收集层，难以避免地会使用激光开膜工艺，在整面制备后对部分区域进行开膜去除，从而保留部分区域的第一载流子收集层和第二载流子收集层。高能量的激光束会对硅基体、结区以及场区均造成激光损伤，大大影响太阳能电池的光电转化效率。

[0040] 在本发明一个实施例中，如图1所示，本实施例提供一种背接触太阳能电池，该背接触太阳能电池包括：硅基体1；硅基体1第一主表面的第一区域11由内至外层叠设置的第一载流子收集层2、重掺杂层3和第二载流子收集层4；其中，第一载流子收集层2的掺杂类型与重掺杂层3的掺杂类型相反；硅基体1第一主表面的第二区域12设置的第二载流子收集层4；其中，第一区域11与第二区域12之间具有间隔区域13，第二载流子收集层4的掺杂类型与第一载流子收集层2的掺杂类型相反。

[0041] 示例性地，在图1中第一主表面为硅基体的背面一侧，间隔区域13的目的在于阻断第一区域11与第二区域12之间的电连接。由于第一载流子收集层2的掺杂类型与重掺杂层3的掺杂类型相反，且第一载流子收集层2与第二载流子收集层4的掺杂类型也相反，因此，重掺杂层3实际与第二载流子收集层4的掺杂类型相同。其中，第二载流子收集层4通常是轻掺杂，与重掺杂层3的掺杂浓度不同，因此本发明实施例在重掺杂层3和第二载流子收集层4之间形成了高低结以实现电流的传输。而对于第一载流子收集层2和重掺杂层3之间，虽然两者的掺杂类型相反，但由于重掺杂层3的掺杂浓度很高，会和第一载流子收集层2中的电子空穴快速复合，形成复合结，从而实现了电流的导通。

[0042] 下面以图2和图3为例，说明在现有技术的硅基体结构上如果不去除第一区域11的第二载流子收集层4，且不设置重掺杂层3的情况下，无法实现载流子的运输。其中，图2为现有技术中背接触太阳能电池的剖面结构示意图，图3为在现有技术的背接触太阳能电池中不去除第一区域11的第二载流子收集层4、且不设置重掺杂层3时的剖面结构示意图。根据图2的结构可知，在现有技术中，以N型硅基体为例，由于第一载流子收集层2和第二载流子收集层4的掺杂类型相反，在硅基体1的左右两个区域分别形成P区（第二区域）和N区（第一区域），其中，第一区域11进行n型掺杂，第二区域12进行p型掺杂，则会在第二区域12形成pn结。在硅基体1接收了太阳光的照射后，光子的能量被吸收，并将电子从原子中激发出来，形成电子‑空穴对，受到pn结电场的作用，分别向N区和P区移动，形成以N区为负极、P区为正极的太阳能电池。如果不去除第一区域11的第二载流子收集层4，则如图3所示，则在第二区域形成pn结的基础上，在第一区域11的第一载流子收集层2和第二载流子收集层4之间也会形成pn结，此时载流子一部分朝向第二区域12移动，一部分朝向第一区域11移动，收集效率低，导致电池效率降低。

[0043] 而本发明实施例中，通过设置重掺杂层3，将第一区域11的pn结变成了复合结，不会与第二区域12的pn结争抢载流子，进而实现了载流子的正常收集。

[0044] 在一种可选的实施例中，重掺杂层3的掺杂浓度不小于1E19 atoms/cm3。需要说明的是，随着重掺杂层3中掺杂浓度的不断增加，重掺杂层3与第一载流子收集层2之间的复合速度也随之加快，因此只需要界定重掺杂层3与第一载流子收集层2之间不会形成pn结的临界浓度即可，理论上重掺杂层3的掺杂浓度越高越好。

[0045] 在一种可选的实施例中，本发明提供的背接触太阳能电池还包括：设置于第二载流子收集层4外侧的导电薄膜层5，其中，导电薄膜层5用于分别将第一区域11和第二区域12的载流子导出至对应的金属电极8上，实现电流的导出。

[0046] 对于第一载流子收集层2来说，可以为两种不同的层叠结果。一种可选的实施例中，第一载流子收集层2包括层叠设置的隧穿氧化层和掺杂有第一元素的第一掺杂层；而另一种可选的实施例中，第一载流子收集层2包括层叠设置的第一本征含硅薄膜层和掺杂有第一元素的第一掺杂层。其中，隧穿氧化层和第一本征含硅薄膜层的制备工艺不同，在不同的制备温度下，可以根据实际情况进行相应结构的制备。对于第二载流子收集层4来说，一种可选的实施例中，包括层叠设置的第二本征含硅薄膜层和掺杂有第二元素的第二掺杂层。其中，第一元素与第二元素可以分别为硼元素和磷元素，示例性地，在硅基体1为n型硅基体时，第一元素为磷元素，第二元素为硼元素。

[0047] 另外，在本发明实施例中，重掺杂层3的掺杂浓度需要大于第二掺杂层的掺杂浓度，以保证重掺杂层3、第二本征含硅薄膜层、以及第二掺杂层之间形成高低结结构。

[0048] 在一种可选的实施例中，第一本征含硅薄膜层和/或第二本征含硅薄膜层为微晶硅、纳米硅、非晶硅、氧化硅或碳化硅中一种或多种组成的薄膜结构。而对于第一掺杂层和/或第二掺杂层和/或重掺杂层3来说，也可以为微晶硅、纳米硅、非晶硅、氧化硅或碳化硅中一种或多种组成的薄膜结构。其中，隧穿氧化层的厚度为0.5nm～3.0nm，例如0.5nm、1.0nm、1.5nm、2.0nm、3.0nm等；第一掺杂层和/或第二掺杂层和/或重掺杂层3的厚度为1 nm ~
250nm，例如1nm、50nm、100nm、150nm、200nm、250nm等。

[0049] 本发明提供的背接触太阳能电池，如图1所示，还包括：在硅基体1第二主表面由内至外依次设置的钝化层6和减反层7。其中，第二主表面为图1中硅基体1的正面一侧。具体地，钝化层6可以为包括本征含硅薄膜以及掺杂含硅薄膜中的至少一种或多种的组合；在厚度的设置上，本征含硅薄膜的厚度可以为1nm～15nm，例如1nm、5nm、10nm、15nm等，而掺杂含硅薄膜的厚度可以为0nm～15nm，例如0nm、5nm、10nm、15nm等。减反层7则可以为包括氧化铝、氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅中的一种或多种，在厚度的设置上，减反层7的厚度可以为40 nm～200nm，例如40nm、80nm、100nm、150nm、180nm、200nm等。

[0050] 而对于导电薄膜层5来说，一种可选的实施例中，导电薄膜层5为掺杂有一种或多种掺杂元素的金属氧化物和/或氮化物的多层结构；其中，金属氧化物包括以下至少一种：氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化镉、氮化钛；金属氮化物为氮化钛；掺杂元素包括以下至少一种：铟、锡、钙、铝、镉、锌、铈、氟。

[0051] 在进一步可选的实施例中，在第一区域11以及所述第二区域12分别设置的金属电极8，其中，金属电极8可以为银电极、银合金电极、铜电极、铜合金电极、以及镍/铜/银多层电极中的一种或几种叠层。

[0052] 可以理解的是，在本发明实施例中，间隔区域13的目的在于阻断第一区域11和第二区域12之间的载流子导通，因此间隔区域13的设置位置可以根据实际情况进行调整，例如图4所示的硅基体剖面结构。根据图1和图4可知，间隔区域13可以设置在硅基体1的间隔区域，也可以偏向第二区域12设置。需要说明的是，第二载流子收集层4中的第二本征含硅薄膜层的方阻很高，比硅基体1的方阻还高，因此不会导通第一区域11和第二区域12之间的电流。

[0053] 综上可知，本发明实施例提供的背接触太阳能电池，通过在第一区域的第一载流子收集层外侧设置重掺杂层，可以在掺杂类型相反的情况下，实现第一载流子收集层与重掺杂层之间的电流导通。同时无需对第二载流子收集层进行激光开膜，在掺杂类型相同的重掺杂层和第二载流子收集层之间形成了高低结，重掺杂层和第二载流子收集层之间电流的导出。避免了激光开膜过程对硅基体造成的激光损伤，有效提高了太阳能电池的光电转化效率。

[0054] 图5示出了本发明实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法，如图5所示，本发明提供的制备方法包括：

[0055] 步骤S501，在硅基体1第一主表面的第一区域11由内至外依次制备第一载流子收集层2和重掺杂层3；

[0056] 步骤S502，在硅基体1的第一主表面的第一区域11和第二区域12制备第二载流子收集层4；

[0057] 其中，第一区域11与第二区域12交替排列，且在相邻的第一区域11与第二区域12之间设置有间隔区域13；第一载流子收集层2的掺杂类型与重掺杂层3的掺杂类型相反。

[0058] 下面，对步骤S501以及步骤S502的具体制备过程进行详细说明：

[0059] 一种可选的实施例中，在步骤S501之前，需要先对硅基体1进行制绒和抛光，以去除在切割过程中对硅基体1本身造成的损伤，从而保证后续制备得到的太阳能电池的整体性能。具体地，在步骤S501之前，包括：对硅基体1的第一主表面以及第二主表面进行碱制绒，并利用设置在硅基体1第二主表面的掩膜层，对第一主表面进行抛光。其中，可以为常用的碱制绒方式进行制绒。示例性地，在制绒和抛光后得到的硅基体结构如图6所示，在一种可选的实施例中，可以通过在制绒后的第二主表面上制备氧化层作为掩膜层，以在抛光过程中对第二主表面的绒面结构进行保护，并在抛光结束后，利用氢氟酸溶液等酸性溶液对氧化层进行去除。

[0060] 在一种可选的实施例中，基于第一载流子收集层2的不同结构，步骤S501中制备第一载流子收集层2的过程可以具体包括：在硅基体1第一主表面由内至外依次制备隧穿氧化层和掺杂有第一元素的第一掺杂层，得到第一载流子收集层2；或者，在硅基体1第一主表面由内至外依次制备第一本征含硅薄膜层和掺杂有第一元素的第一掺杂层，得到第一载流子收集层2。示例性地，制备第一载流子收集层2的过程如图7至图9所示，其中，图7为在第一主表面上整面制备第一载流子收集层2的同时，在第一载流子收集层2外侧形成掩膜层100的结构示意图，图8为经过激光工艺对第二区域12以及间隔区域13的掩膜层100进行区域化去除后得到的硅基体剖面结构示意图，图9则为在图8的基础上，利用碱性溶液对第二区域12以及间隔区域13的第一载流子收集层2去除、并利用酸溶液对第一区域11的掩膜层100去除后得到的硅基体剖面结构示意图。其中，需要先利用第一区域11的掩膜层100保护第一区域11的结构不被碱溶液侵蚀，从而实现仅对第二区域12以及间隔区域13的第一载流子收集层
2进行去除，而后再利用酸溶液对第一区域11的掩膜层100去除。

[0061] 在得到了仅在第一区域11设置有第一载流子收集层2的硅基体结构后，即可在第一载流子收集层2的外侧制备重掺杂层3，即步骤S501后得到的结构如图10所示。

[0062] 同理，步骤S502中制备第二载流子收集层4的过程包括：在硅基体1第一主表面的第一区域11和第二区域12由内至外依次制备第二本征含硅薄膜层和掺杂有第二元素的第二掺杂层，得到第二载流子收集层4。

[0063] 在进一步可选的实施例中，在步骤S502之后，还包括：步骤S503，在第一区域11和第二区域12的第二载流子收集层4外侧制备导电薄膜层5。

[0064] 下面通过图11至图13所示的过程，对步骤S502和步骤S503中制备第二载流子收集层4以及导电薄膜层5的过程进行具体说明。其中，图11为在硅基体1第一主表面整面制备第二载流子收集层4后得到的剖面结构示意图，图12为在第二载流子收集层4外侧制备整面的导电薄膜层5后得到的硅基体剖面结构示意图，图13为利用激光工艺对间隔区域13的第二载流子收集层4以及导电薄膜层5进行开槽后，形成的硅基体结构示意图。

[0065] 在进一步可选的实施例中，在制备第二载流子收集层4之前，还可以先在硅基体1第二主表面由内至外依次制备钝化层6和减反层7。并在步骤S503之后，在第一区域11以及第二区域12分别制备金属电极8。通过上述过程，即可得到如图1所示的本发明实施例的背接触太阳能电池结构。

[0066] 综上可知，本发明实施例提供的背接触太阳能电池，通过在第一区域的第一载流子收集层外侧设置重掺杂层，可以在掺杂类型相反的情况下，实现第一载流子收集层与重掺杂层之间的电流导通。同时无需对第二载流子收集层进行激光开膜，在掺杂类型相同的重掺杂层和第二载流子收集层之间形成了高低结，重掺杂层和第二载流子收集层之间电流的导出。避免了激光开膜过程对硅基体造成的激光损伤，有效提高了太阳能电池的光电转化效率。

[0067] 实施例一

[0068] 步骤a、对硅基体的第一主表面和第二主表面进行抛光处理，得到光滑的硅基体表面；

[0069] 步骤b、利用LPCVD方式在硅基体的第一主表面上依次制备隧穿氧化层和本征多晶硅层，并通过磷掺杂本征多晶硅形成n型掺杂层；

[0070] 步骤c、在掺杂的多晶硅层外侧制备重掺杂层，并在外侧制备掩膜层；

[0071] 步骤d、通过激光去除第二区域以及间隔区域上的掩膜层；

[0072] 步骤e、采用碱液对第二区域以及间隔区域进行刻蚀处理，并在刻蚀后进行制绒，同时利用酸溶液去除第一区域上的掩膜层；

[0073] 步骤f、利用板式PECVD方式在硅基体的第一主表面依次形成本征含硅薄膜、p型掺杂层，及在第二主表面制备的钝化层；

[0074] 步骤g、在硅基体的第二主表面上制备减反层；

[0075] 步骤h、利用PVD方式在第一表面上形成导电薄膜层；

[0076] 步骤i、在间隔区域对本征含硅薄膜、p型掺杂层以及导电薄膜层进行开槽；

[0077] 步骤j、在第一区域和第二区域分别制备金属电极。

[0078] 对比例一

[0079] 步骤a、对硅基体进行制绒处理，在硅基体的第一主表面和第二主表面形成绒面结构；

[0080] 步骤b、利用管式PECVD方式在硅基体的第二主表面沉积氧化层；

[0081] 步骤c、对硅基体的第一主表面进行抛光处理，得到光滑的硅基体表面；

[0082] 步骤d、利用LPCVD方式在硅基体的第一主表面上依次制备隧穿氧化层和本征多晶硅层，并通过磷掺杂本征多晶硅形成n型掺杂层，同步在n型掺杂层外侧制备掩膜层；

[0083] 步骤e、通过激光去除第二区域以及间隔区域上的掩膜层；

[0084] 步骤f、采用碱液对第二区域以及间隔区域进行刻蚀处理，并利用酸溶液去除第一区域上的掩膜层；

[0085] 步骤g、在硅基体的第二主表面上由内至外依次制备钝化层和减反层；

[0086] 步骤h、利用板式PECVD方式在硅基体的第一主表面依次形成本征含硅薄膜以及p型掺杂层；

[0087] 步骤i，利用激光工艺去除第一区域的本征含硅薄膜以及p型掺杂层；

[0088] 步骤j，在第一主表面上行制备导电薄膜层；

[0089] 步骤k、在间隔区域对导电薄膜层进行开槽；

[0090] 步骤l、在第一区域和第二区域分别制备金属电极。

[0091] 对比例二

[0092] 步骤a、对硅基体的第一主表面和第二主表面进行抛光处理，得到光滑的硅基体表面；

[0093] 步骤b、利用LPCVD方式在硅基体的第一主表面上依次制备隧穿氧化层和本征多晶硅层，并通过磷掺杂本征多晶硅形成n型掺杂层；

[0094] 步骤c、通过激光去除第二区域以及间隔区域上的掩膜层；步骤d、采用碱液对第二区域以及间隔区域进行刻蚀处理，并在刻蚀后进行制绒，同时利用酸溶液去除第一区域上的掩膜层；

[0095] 步骤e、利用板式PECVD方式在硅基体的第一主表面依次形成本征含硅薄膜、p型掺杂层，及在第二主表面制备的钝化层；

[0096] 步骤f、在硅基体的第二主表面上制备减反层；

[0097] 步骤g、利用板式PVD方式在硅基体的第一主表面依次形成本征含硅薄膜、p型掺杂层，及在第二主表面制备的钝化层；

[0098] 步骤h、在硅基体的第二主表面上制备减反层；

[0099] 步骤i，利用PVD方式在第一表面上形成导电薄膜层；

[0100] 步骤j、在间隔区域对导电薄膜层进行开槽；

[0101] 步骤k、在第一区域和第二区域分别制备金属电极。

[0102] 分别对上述实施例以及对比例制备得到的背接触太阳能电池进行性能测试，结果如下表：

[0103]

[0104] 由上述性能测试结果可知，本发明实施例与现有技术中的太阳能电池性能几乎持平，但不需要额外的激光去除工艺，不仅简化了工艺流程，同时也降低了激光对下面钝化膜层的损失，提升电池性能。而且，在不设置重掺杂层的情况下，即仅在对比例1的基础上不去除第一区域的第二载流子收集层，是无法有效形成载流子的导通的，说明了本发明实施例重掺杂层与第一载流子收集层以及第二载流子收集层之间的关键作用。

[0105] 本发明实施例还提供了以下技术方案：

[0106] 技术方案1. 一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：硅基体1；所述硅基体1第一主表面的第一区域11由内至外层叠设置的第一载流子收集层2、重掺杂层3和第二载流子收集层4；其中，所述第一载流子收集层2的掺杂类型与所述重掺杂层3的掺杂类型相反；所述硅基体1第一主表面的第二区域12设置的第二载流子收集层4；其中，所述第一区域11与所述第二区域12之间具有间隔区域13，所述第二载流子收集层4的掺杂类型与所述第一载流子收集层2的掺杂类型相反。

[0107] 技术方案2. 根据技术方案1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述重掺杂19 3
层3的掺杂浓度不小于1E  atoms/cm。

[0108] 技术方案3. 根据技术方案1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括：设置于所述第二载流子收集层4外侧的导电薄膜层5。

[0109] 技术方案4. 根据技术方案1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一载流子收集层2包括层叠设置的隧穿氧化层和掺杂有第一元素的第一掺杂层；或者，所述第一载流子收集层2包括层叠设置的第一本征含硅薄膜层和掺杂有第一元素的第一掺杂层。

[0110] 技术方案5. 根据技术方案1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二载流子收集层4包括层叠设置的第二本征含硅薄膜层和掺杂有第二元素的第二掺杂层。

[0111] 技术方案6. 根据技术方案5所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述重掺杂层3的掺杂浓度大于所述第二掺杂层的掺杂浓度；和/或，所述第一本征含硅薄膜层和/或第二本征含硅薄膜层为微晶硅、纳米硅、非晶硅、氧化硅或碳化硅中一种或多种组成的薄膜结构；和/或，所述第一掺杂层和/或所述第二掺杂层和/或所述重掺杂层3为微晶硅、纳米硅、非晶硅、氧化硅或碳化硅中一种或多种组成的薄膜结构。

[0112] 技术方案7. 根据技术方案1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括：在所述硅基体1第二主表面由内至外依次设置的钝化层6和减反层7；和/或，在所述第一区域11以及所述第二区域12分别设置的金属电极8。

[0113] 技术方案8. 根据技术方案7所述的背接触太阳能电池，其特征在于，针对所述硅基体1第二主表面设置钝化层6的结构，所述钝化层6包括本征含硅薄膜以及掺杂含硅薄膜中的至少一种或多种的组合；和/或，针对所述硅基体1第二主表面设置减反层7的结构，所述减反层7包括氧化铝、氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅中的一种或多种。

[0114] 技术方案9. 根据技术方案4所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为0.5nm～3.0nm；和/或，所述第一掺杂层和/或所述第二掺杂层和/或所述重掺杂层3的厚度为1 nm  250nm。~

[0115] 技术方案10. 根据技术方案3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述导电薄膜层5为掺杂有一种或多种掺杂元素的金属氧化物和/或氮化物的多层结构；其中，所述金属氧化物包括以下至少一种：氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化镉、氮化钛；所述金属氮化物为氮化钛；所述掺杂元素包括以下至少一种：铟、锡、钙、铝、镉、锌、铈、氟。

[0116] 技术方案11. 一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

[0117] 步骤1，在硅基体1第一主表面的第一区域11由内至外依次制备第一载流子收集层2和重掺杂层3；

[0118] 步骤2，在所述硅基体1的所述第一主表面的第一区域11和第二区域12制备第二载流子收集层4；

[0119] 其中，所述第一区域11与所述第二区域12交替排列，且在相邻的所述第一区域11与所述第二区域12之间设置有间隔区域13；所述第一载流子收集层2的掺杂类型与所述重掺杂层3的掺杂类型相反。

[0120] 技术方案12. 根据技术方案11所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤2之后，还包括：

[0121] 步骤3，在所述第一区域11和第二区域12的所述第二载流子收集层4外侧制备导电薄膜层5。

[0122] 技术方案13. 根据技术方案11所述的制备方法，其特征在于，所示步骤1包括：

[0123] 在硅基体1第一主表面由内至外依次制备隧穿氧化层和掺杂有第一元素的第一掺杂层，得到第一载流子收集层2；

[0124] 或者，

[0125] 在硅基体1第一主表面由内至外依次制备第一本征含硅薄膜层和掺杂有第一元素的第一掺杂层，得到第一载流子收集层2。

[0126] 技术方案14. 根据技术方案11所述的制备方法，其特征在于，所示步骤2包括：

[0127] 在硅基体1第一主表面的第一区域11和第二区域12由内至外依次制备第二本征含硅薄膜层和掺杂有第二元素的第二掺杂层，得到第二载流子收集层4。

[0128] 技术方案15. 根据技术方案11所述的制备方法，其特征在于，还包括：

[0129] 在所述硅基体1第二主表面由内至外依次制备钝化层6和减反层7；

[0130] 和/或，在所述第一区域11以及所述第二区域12分别制备金属电极8。

[0131] 以上步骤所提供的介绍，只是用于帮助理解本发明的结构、方法及核心思想。对于本技术领域内的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也同样属于本发明权利要求保护范围之内。