技术领域
[0001] 本申请涉及电子电路技术领域，具体涉及一种带隙基准电路、校准方法、芯片及电子设备。
相关背景技术
[0002] 相关技术中，一阶温漂校准采用单点校准或两点校准。单点校准难以实现较低的温漂。两点校准使用理论公式计算所需温漂一阶校准值，然而该校准值依赖工艺参数，从而工艺参数变化会引起校准效果变化。
具体实施方式
[0041] 下面详细描述本申请的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性地，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
[0042] 为了使本技术领域的人员更好地理解本申请的方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0043] 本申请实施例中，至少一个是指一个或多个；多个，是指两个或两个以上。在本申请的描述中，“第一”、“第二”、“第三”等词汇，仅用于区分描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，也不能理解为指示或暗示顺序。
[0044] 在本说明书中描述的参考“一种实施方式”或“一些实施方式”等意味着在本申请的一个或多个实施方式中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
[0045] 需要说明的是，本申请实施例中，“和/或”描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。
[0046] 需要指出的是，本申请实施例中“连接”可以理解为电连接，两个电学元件连接可以是两个电学元件之间的直接或间接连接。例如，A与B连接，既可以是A与B直接连接，也可以是A与B之间通过一个或多个其它电学元件间接连接。
[0047] 本申请中实施例中所采用的各晶体管的第一极/第一端为源极和漏极中一者，各晶体管的第二极/第二端为源极和漏极中另一者。由于晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的，也就是说，本申请的实施例中的晶体管的第一极/第一端和第二极/第二端在结构上可以是没有区别的。示例性地，在晶体管为P型晶体管的情况下，晶体管的第一极/第一端为源极，第二极/第二端为漏极；示例性地，在晶体管为N型晶体管的情况下，晶体管的第一极/第一端为漏极，第二极/第二端为源极。
[0048] 本申请的实施例提供的电路结构中，第一节点、第二节点等节点并非表示实际存在的部件，而是表示电路图中相关耦接的汇合点，也就是说，这些节点是由电路图中相关耦接的汇合点等效而成的节点。
[0049] 本申请实施例提供了一种带隙基准电路，带隙基准电路用于输出基准信号。本申请实施中，带隙基准电路可以包括温漂校准电路，温漂校准电路可以产生温漂校准电流，以校准基准信号的温漂。基准信号可以包括基准电压信号、基准电流信号。
[0050] 图1示出了本申请实施例提供的温漂校准电路的结构示意图，如图1所示，温漂校准电路100包括：第一电流生成模块11，用于基于第一校准码字生成第一电流；第二电流生成模块12，用于基于该第一校准码字生成第二电流；第三电流生成模块13，与第一电流生成模块11的输出端连接，用于基于第二校准码字缩放第一电流以得到第三电流；其中，第二电流生成模块12的输出端与第三电流生成模块13的输出端连接并作为温漂校准电路100的输出节点14，输出节点14用于基于第二电流与第三电流之差输出温漂校准电流，该温漂校准电流用于校准基准信号的温漂。
[0051] 其中，第一电流和第二电流中一个为正温度系数电流且另一个为负温度系数电流。具体的，第一电流生成模块11生成正温度系数的第一电流，且第二电流生成模块12生成负温度系数的第二电流；或者第一电流生成模块11生成负温度系数的第一电流，且第二电流生成模块12生成正温度系数的第二电流。
[0052] 其中，第一电流和第二电流随第一校准码字变化等比例变化。具体的，第一校准码字从D1变为D2时，第一电流和第二电流产生相同比例的缩放。
[0053] 本实施例中，第三电流基于第一电流进行缩放得到，第三电流与第一电流的温度系数一致。具体的，第一电流为正温度系数电流，第三电流也为正温度系数电流；或者第一电流为负温度系数电流，第三电流也为负温度系数电流。第三电流与第二电流之差等效为负温度系数电流与正温度系数电流之差。
[0054] 校准本实施例的电路时，在第一温度下调整第二校准码字以使第二电流与第三电流之差基本为零，在第二温度调整第一校准码字以使基准信号与第一温度下的基准信号基本相等。
[0055] 在第一温度，进行第一温度的校准后第二电流与第三电流之差记为Ix1。在第二温度，进行第二温度的校准后第二电流与第三电流之差记为Ix2。由于第一电流与第二电流随第一校准码字变化等比例变化，并且第三电流基于第一电流进行缩放得到，调整第一校准码字使得第二电流缩放n倍时，第一电流缩放n倍，且第三电流缩放n倍，则Ix2＝n*Ix1，其中，当调整第一校准码字使得第二电流放大时，n大于1，当调整第一校准码字使得第二电流缩小时，n小于1。由于Ix2与Ix1为n倍关系，在第一温度下将Ix1校准至接近于0之后，进行第二温度的校准时，Ix2仍然接近于0。从而经过校准后，在第一温度和第二温度下，第二电流与第三电流之差都基本为零，且基准信号也基本相等，能够实现在两个温度点下的校准。并且，两点校准取决于信号测量(即第二电流与第三电流之差的测量、基准信号的测量)而与工艺参数无关，校准效果工艺敏感度低。
[0056] 在一些可能的实施方式中，第一电流、第二电流和第三电流与温度成比例关系，上述的温漂校准电流用于对基准信号进行一阶温度补偿，该温漂校准电流称为一阶温漂校准电流。
[0057] 在一些可能的实施方式中，第一电流、第二电流和第三电流与温度平方成比例关系，上述的温漂校准电流包括一阶温漂和高阶温漂，能够用于对基准信号进行一阶温度补偿和高阶温度补偿。
[0058] 作为一种实施方式，第一电流生成模块11包括第一电流源阵列，第一电流源阵列用于接收第一校准码字，并基于第一校准码字生成第一电流。下面结合图2对示例性的第一电流生成模块11进行描述。
[0059] 图2示出了本申请实施例提供的第一电流生成模块11的结构示意图，如图2所示，第一电流生成模块11包括第一电流源阵列111。第一电流源阵列111包括：并联的N个第一镜像分支，分别标记为第一镜像分支111‑1、第一镜像分支111‑2至第一镜像分支111‑N，每个第一镜像分支可以包括：第一电流镜单元1111，用于对与第一电流对应温度系数的电流进行复制，以生成一第一分支电流；以及第一开关单元1112，与第一电流镜单元1111串联，每个第一开关单元1112由第一校准码字中的一个数字位控制，用于导通或关断相应的第一镜像分支。其中，第一电流为导通的第一镜像分支的第一分支电流之和。其中，如果第一电流生成模块11用于生成正温度系数的第一电流，第一电流源阵列111对正温度系数的电流进行复制；如果第一电流生成模块11用于生成负温度系数的第一电流，第一电流源阵列111对负温度系数的电流进行复制。
[0060] 作为一种实施方式，第一开关单元1112可包括至少一个晶体管，该至少一个晶体管接收第一校准码字中的一个数字位，作为由该数字位控制的开关管。
[0061] 作为一种实施方式，如图2所示，第一电流生成模块11还包括：第一偏置电压单元112，用于产生第一电流源阵列111的偏置电压。
[0062] 作为一种实施方式，第二电流生成模块12包括第二电流源阵列，第二电流源阵列用于接收第一校准码字，并基于第一校准码字生成第二电流。下面结合图3对示例性的第二电流生成模块12进行描述。
[0063] 图3示出了本申请实施例提供的第二电流生成模块12的结构示意图，如图3所示，第二电流生成模块12包括第二电流源阵列121。第二电流源阵列121包括：并联的P个第二镜像分支，分别标记为第二镜像分支121‑1、第二镜像分支121‑2至第二镜像分支121‑P，每个第二镜像分支包括：第二电流镜单元1211，用于对与第二电流对应温度系数的电流进行复制，以生成一第二分支电流；以及第二开关单元1212，与第二电流镜单元1211串联，每个第二开关单元1212由第一校准码字中的一个数字位控制，用于导通或关断相应的第二镜像分支。其中，第二电流为导通的第二镜像分支的第二分支电流之和。其中，如果第二电流生成模块12用于生成正温度系数的第二电流，第二电流源阵列121用于对正温度系数的电流进行复制；如果第二电流生成模块12用于生成负温度系数的第二电流，第二电流源阵列121用于对负温度系数的电流进行复制。
[0064] 作为一种实施方式，如图3所示，第二电流生成模块12还包括：第二偏置电压单元122，用于产生第二电流源阵列121的偏置电压。
[0065] 在一些实施方式中，第一电流源阵列111与第二电流源阵列121的镜像分支数目可以相同，例如第一电流源阵列111与第二电流源阵列121均可以包括N个镜像分支。N个镜像分支接收N位的第一校准码字。
[0066] 在一些实施方式中，第一电流源阵列111与第二电流源阵列121的镜像分支数目可以不同。也就是说，第二镜像分支的数目P与第一镜像分支的数目N不相等，即P不等于N。其中，第一电流源阵列111与第二电流源阵列121都基于第一校准码字生成相应的电流，当两者镜像分支数目不同时，两者共用第一校准码字的高位数字位。例如，当P大于N时，第一校准码字的位数大于或等于P，其中第一电流源阵列111基于第一校准码字的高N位生成第一分支电流，第二电流源阵列111基于第一校准码字的高P位生成第二分支电流，由于高位对应的权重远大于低位，因此第一电流和第二电流大体上呈比例关系。
[0067] 图4示出了本申请实施例提供的第三电流生成模块13的结构示意图，如图4所示，第三电流生成模块13包括：电流接收单元131和第三电流源阵列132。电流接收单元131，用于接收第一电流，产生第三电流源阵列132的偏置电压；第三电流源阵列132，与电流接收单元131连接，用于接收第二校准码字，并基于第二校准码字对上述第一电流进行镜像以生成上述第二电流。作为一种示例，电流接收单元131可以包括电流镜。
[0068] 作为一种示例，如4图所示，第三电流源阵列132包括：并联的M个第三镜像分支，分别标记为第三镜像分支132‑1、第三镜像分支132‑2至第三镜像分支132‑M，每个第三镜像分支包括：第三电流镜单元1321，用于对第一电流进行镜像以生成一个第三分支电流；以及第三开关单1322，与第三电流镜单元1321串联，每个第三开关单元1312由第二校准码字中的一个数字位控制，用于导通或关断相应的第三镜像分支。其中，第三电流为导通的第三镜像分支的第三分支电流之和。
[0069] 图5示出了本申请实施例提供的温漂校准电路100的结构示意图，如图5所示，温漂校准电路100还可以包括：第一校准模块15，用于在第一温度调整第二校准码字以使第二电流与第三电流之差为零；以及在第二温度调整第一校准码字以使基准信号与第一温度的基准信号基本相等。
[0070] 作为一种实施方式，如图5所示，第一校准模块15包括：比较单元151，用于对校准参考电压和输出节点14的电压进行比较并产生比较输出；控制单元152，用于基于比较输出调整第二校准码字直到比较输出发生跳变。
[0071] 在一些实施方式中，温漂校准电路100还可以包括：第二校准模块16，用于在调整第二校准码字使第二电流与第三电流之差为零之后，在第一温度下将基准信号调整至目标值。进一步的，第一校准模块15，用于在第一温度下将基准信号调整至目标值之后，在第二温度下调整第一校准码字以将基准信号调整至目标值，此时基准信号在第一温度和第二温度下均为目标值。
[0072] 作为一种实施方式，如图5所示，温漂校准电路100还包括：第一开关17，连接在输出节点14与比较单元151的第一比较输入端1511之间；第二开关18，连接在校准参考电压端与比较单元151的第二比较输入端1512之间，其中，校准参考电压端用于接收校准参考电压。第一开关17和第二开关18在进行第一温度的校准时导通。
[0073] 图5中第一电流生成模块11、第二电流生成模块12和第三电流生成模块13可参见图2至图4所示，本说明书在此不作赘述。
[0074] 本申请实施例还提供一种带隙基准电路。
[0075] 图6示出了本申请实施例提供的带隙基准电路的结构示意图，如图6所示，带隙基准电路600包括：基准电路61，用于产生基准信号；温漂校准电路62，该温漂校准电路62的输出节点与基准电路61的第一校准节点611连接。
[0076] 温漂校准电路62参考本说明书图1至图5所示。基准电路61产生的基准信号可包括基准电流信号和/或基准电压信号。
[0077] 采用本申请实施例，校准时，在第一温度调整第二校准码字直到第二电流与第三电流之差基本为零，在第二温度调整第一校准码字直到基准信号达到目标值，两点校准取决于信号测量而与工艺参数无关，校准效果工艺敏感度低。
[0078] 作为一种实施方式，如图6所示，带隙基准电路600还可以包括：高阶温漂校准电路63，与基准电路的第二校准节点612连接，用于产生高阶温漂校准电流，以对基准信号进行高阶温漂补偿。在一些示例中，第二校准节点612与第一校准节点611可以为相同的节点。在一些示例中，第二校准节点612与第一校准节点611可以为不相同的节点。
[0079] 作为一种实施方式，如图6所示，基准电路61包括：运算放大模块613；斩波模块614，用于交替地切换运放输入和运放输出的正负方向，以将运算放大模块613的失配电压调制至高频；陷波滤波模块(notch filter)615，用于对运放输出进行滤波。采用本实施例能够降低运放失调导致的高阶温漂，相较于通过增加运放面积降低运放失调的方式，能够降低电路面积。应当理解，本申请实施例并不排除增加运放面积降低运放失调的方式，本实施例的目的在于说明，在大致相同的运放面积下通过斩波和滤波，能够实现更好的校准效果。
[0080] 应当理解，本申请实施例对上述的第一校准节点和或第二校准节点不作限定。下面以一些基准电路为例，结合附图7至9，对第一校准节点和第二校准节点的示例性实施方式进行说明。
[0081] 作为一种实施方式，基准电路可以包括两个三极管，第一校准节点和/或第二校准节点在两个三极管的公共支路上。如图7所示，基准电路包括运算放大器OP、第一三极管Q1和第二三级管Q2。上述的第一校准节点和/或第二校准节点在第一三极管Q1和第二三级管Q2的公共支路。示例性的，如图7所示，第一三极管Q1和第二三级管Q2的公共支路上串联有电阻R4。上述的温漂校准电流注入到R4，从而改变基准电压Vbg。本申请实施例中，三极管可以包括双极型晶体管(BJT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)，本实施对此不作限定。
[0082] 作为一种实施方式，第一校准节点和/或第二校准节点在基准信号输出路上的任一电阻节点。如图8和9所示，第一校准节点和/或第二校准节点在电阻R4与电阻R5之间。
[0083] 图10示出了本申请实施例提供的带隙基准电路的电路图，如图10所示，带隙带隙基准电路1000包括：温漂校准电路101和基准电路103。基准电路103用于生成基准电压Vbg。
[0084] 温漂校准电路101包括IDAC1(对应于上述的第一电流产生模块)、IDAC2(对应于上述的第二电流产生模块)和IDAC3(对应于上述的第三电流产生模块)。作为一种实施方式，IDAC1产生IPTAT电流(正温度系数电流)，IDAC2产生ICTAT电流(负温度系数电流)，IDAC3产生的电流为IDAC1产生的电流的镜像。作为另一种实施方式，IDAC1可以产生ICTAT电流，IDAC2可以产生IPTAT电流。IDAC1与IDAC2受相同的校准码字(即第一校准码字)控制。IDAC3受第二校准码字控制。IDAC2的输出端与IDAC3的输出端相连并作为输出节点X。
[0085] 作为一种实施方式，如图10所示，温漂校准电路101中，IDAC3可以用PMOS电流镜实现，IDAC1和IDAC2可以用NMOS电流镜实现。作为另一种实施方式，温漂校准电路101中，IDAC3可以用NMOS电流镜实现，IDAC1和IDAC2可以用PMOS电流镜实现，相应地，IDAC3调整为接地，IDAC1和IDAC2调整为接电源。
[0086] 在一些实施方式中，如图10所示，温漂校准电路101还可以包括：比较器COMP(对应于上述的比较单元)、第一开关k1、第二开关k2、第三开关k3，以及R5和R6。第一开关k1、第二开关k2导通，第三开关k3关断时，R5和R6产生参考电压输入到比较器COMP的负端，输出节点X连接到比较器COMP的正端。比较器对比较器COMP对其正端的信号和负端的信号进行比较，输出比较输出，也就是将R5和R6产生参考电压于输出节点X的电压进行比较，输出参考电压与输出节点X的电压的比较输出。温漂校准电路101还可以包括：逻辑单元Logic(对应于上述的控制单元)，逻辑单元Logic可以用于基于比较器COMP的比较输出调整IDAC3的校准码字。
[0087] 在一些实施方式中，如图10所示，温漂校准电路101还可以包括：第二可调电阻阵列RT2。通过第二调整可调电阻阵列RT2的阻值可以将基准电压Vbg调整至目标值。
[0088] 在一些实施方式中，如图10所示，温漂校准电路101还可以包括：第一可调电阻阵列RT1。通过调整第一可调电阻阵列RT1的阻值可以将基准电压Vbg调整至目标值。
[0089] 在一些实施方式中，可以通过调整第二可调电阻阵列RT2的阻值和第一可调电阻阵列RT1的阻值，将基准电压Vbg调整至目标值。
[0090] 在一些实施方式中，如图10所示，还可以包括：高阶温漂校准电路102，用于产生高阶温漂校准电流，以对基准电压Vbg进行高阶温漂补偿。
[0091] 校准方式一
[0092] 在第一温度点(如室温)时，第一开关k1、k2导通，第三开关k3关断，通过R5和R6产生参考电压输入到比较器COMP的负端，此时输出节点X为高阻节点，IDAC2与IDAC3之间的微小电流差值便会将输出节点X拉至电源或地，并由比较器COMP对输出节点X和参考电压比较得到判断结果，通过控制IDAC3的校准码字(即第二校准码字)，利用二分法将IDAC3与IDAC2的电流差(第一温度点的电流差记为Ix1)校准至0。
[0093] 在第二温度点(如85度)时，第一开关k1、第二开关k2关断，第三开关k3导通，输出节点X的电流Ix通过电阻R6和R4注入到基准电路中。由于IDAC2与IDAC3分别产生正温度系数电流与负温度系数电流，IDAC2产生的电流与IDAC3产生的电流之间电流差值(第二温度点的电流差记为Ix2)此时不再为零，通过控制IDAC1与IDAC2共用的校准码字(即第一校准码字)，缩放上述电流差Ix2，再次将Vbg校准至第一温度点的值附近，实现第二温度点的校准。
[0094] 当控制IDAC1与IDAC2共用的校准码字，将IDAC2产生的电流放大或缩小n倍，同时也会将IDAC1产生的电流和IDAC3产生的电流放大或缩小n倍，即得到电流差值变为n*Ix2。其中，当对电流放大时，n大于1；当对电流缩小时，n小于1。利用该变化后的电流差值n*Ix2来调整Vbg电压。当在第二温度点下得到IDAC2的校准码字(对应此温度下的IPTAT和ICTAT电流差值为n*Ix2)，当正常使用过程中温度变为室温，那此温度下IPTAT和ICTAT电流差值为n*Ix1，因此此温度下该电流差依旧保持为0，不会受第二温度点校准的影响。实现Vbg电压在两个温度点下基本相等，消除一阶温漂的影响。
[0095] 校准方式二
[0096] 在校准方式二中，还在第一温度点将Vbg校准至目标值。具体校准过程如下。
[0097] 在第一温度点(如室温)时，第一开关k1、第二开关k2导通，第三开关k3关断，通过R5和R6产生参考电压输入到比较器COMP的负端，此时输出节点X为高阻节点，IDAC2与IDAC3之间的微小电流差值会将输出节点X拉至电源地，因此可以通过二分法调节IDAC3从而将电流差校准至0附近。
[0098] 第一温度点校准完成后，再将第一开关k1、第二开关k2关断，第三开关k3导通，输出节点X的电流Ix通过电阻R6和R4注入到基准电路中。通过调节RT1和RT2至少之一，将Vbg校准至目标值。
[0099] 在第二温度点(如85度)时，由于IDAC2与IDAC3之间电流差值Ix在此温度下不再为零，通过调节IDAC1产生的电流和IDAC2产生的电流来调整输出节点X的电流Ix大小，再次将Vbg校准至目标值附近。由于输出节点X的电流Ix在第一温度约等于0，第二温度点的校准将Ix缩放后，其在第一温度点附近时电流大小依然保持为零，因此可以实现两个温度点都将Vbg校准至目标值附近，即消除基准电压的一阶温漂影响。
[0100] 本申请实施例提供一种带隙基准电路的校准方法。应用于本申请实施例上述的任一带隙基准电路。
[0101] 图11示出了本申请实施例提供的校准方法的流程图，如图11所示，该校准方法包括步骤S1102至步骤S1108。
[0102] 步骤S1102，基于第一校准码字生成第一电流；
[0103] 步骤S1104，基于第一校准码字生成第二电流。
[0104] 其中，第一电流和第二电流中一个为正温度系数电流且另一个为负温度系数电流，第一电流和第二电流随第一校准码字变化等比例变化。
[0105] 步骤S1106，基于第二校准码字缩放第一电流以得到第三电流。
[0106] 步骤S1108，基于第二电流与第三电流之差，向基准电路输出温漂校准电流，以校准基准信号的温漂。
[0107] 采用本实施例的方法，两点校准取决于信号测量(即第二电流与第三电流之差的测量、基准信号的测量)而与工艺参数无关，校准效果工艺敏感度低。
[0108] 在一些可能的实施方式中，上述校准方法还包括：在第一温度下调整第二校准码字以使第二电流与第三电流之差为零；在第二温度下调整第一校准码字以使基准信号与第一温度下的基准信号相等。
[0109] 在一些可能的实施方式中，上述校准方法还包括：在调整第二校准码字以使第二电流与第三电流之差为零之后，在第一温度下将基准信号调整至目标值。相应的，在第一温度下将基准信号调整至目标值之后，在第二温度下调整第一校准码字以将基准信号调整至该目标值。
[0110] 在一些实施方式中，向基准电路的第一校准节点注入上述温漂校准电流。
[0111] 作为一种实施方式，基准电路包括至少两个三极管，第一校准节点在至少两个三极管的公共支路上。
[0112] 作为一种实施方式，第一校准节点在基准信号的输出路径的任一电阻节点，也就是向基准信号的输出路径的任一电阻节点注入上述温漂校准电流。
[0113] 在一些实施方式中，校准方法还可以包括：产生高阶温漂校准电流并向第二校准节点注入高阶温漂校准电流。
[0114] 在一些示例中，第二校准节点与第一校准节点可以为相同的节点。在一些示例中，第二校准节点与第一校准节点可以为不相同的节点。
[0115] 例如，向基准信号的输出路径的任一电阻节点注入上述温漂校准电流和高阶温漂校准电流，也就是说一阶温补和高阶温补注入相同的节点。
[0116] 又例如，向基准电路的至少两个三极管的公共支路上注入高阶温漂校准电流和上述温漂校准电流，也就是说一阶温补和高阶温补注入相同的节点。
[0117] 再例如，向基准信号的输出路径的任一电阻节点注入上述温漂校准电流，向基准电路的至少两个三极管的公共支路上注入高阶温漂校准电流，也就是说一阶温补和高阶温补注入不同的节点。
[0118] 本申请实施例还提供一种芯片，该芯片包括上述的电路。集成电路(Integrated Circuit,IC)也称芯片，该芯片可以是但不限于是SOC(System on Chip，芯片级系统)芯片、SIP(systeminpackage,系统级封装)芯片。该芯片的基准信号校准取决于信号测量而与工艺参数无关，校准效果工艺敏感度低。
[0119] 本申请实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括设备主体以及设于设备主题内的如上述的芯片。电子设备可以是但不限于体重秤、体脂秤、营养秤、红外电子体温计、脉搏血氧仪、人体成分分析仪、移动电源、无线充电器、快充充电器、车载充电器、适配器、显示器、USB(Universal Serial Bus,通用串行总线)扩展坞、触控笔、真无线耳机、汽车中控屛、汽车、智能穿戴设备、移动终端、智能家居设备。智能穿戴设备包括但不限于智能手表、智能手环、颈椎按摩仪。移动终端包括但不限于智能手机、笔记本电脑、平板电脑、POS(point of sales terminal,销售点终端)机。智能家居设备包括但不限于智能插座、智能电饭煲、智能扫地机、智能灯。该电子设备的基准信号校准取决于信号测量而与工艺参数无关，校准效果工艺敏感度低。
[0120] 以上，仅是本申请的较佳实施例而已，并非对本申请作任何形式上的限制，虽然本申请已以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限定本申请，任何本领域技术人员，在不脱离本申请技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本申请技术方案内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所作的任何简介修改、等同变化与修饰，均仍属于本申请技术方案的范围内。
