[0002] 本公开涉及磁室，特别地涉及具有以模块化方式构造的线圈的磁室。

[0003] 现代世界的奇迹主要归功于以各种方式利用磁场的设备的发展。然而，归因于磁设备和磁约束室的构造方法的限制，存在仍难以达到的磁场的应用。

[0004] 磁室是维持磁场的封闭容积。磁场可以通过电流创建，并在自然界中存在于永磁体中。具体取决于制成物体的材料，磁场影响自然界中的许多物体，受磁场影响的材料称为磁性材料。为了使磁场在特定应用是有用的，通常要求磁场具有通常由场线表示的特定配
置。场线表示其他磁体在磁场的影响下将对齐自身的方式。场线延伸贯穿空间。磁场还描述其他特性，如磁场强度。

[0005] 内部具有特定磁场配置的磁室在许多应用中是有用的。在磁共振成像MRI应用中，需要高度均匀的磁场。相比之下，在聚变能量应用(例如，涉及仿星器的应用)中，需要扭曲和复杂的磁场。在许多应用中，在需要修改其一些特性的意义上，磁场也需要及时改变。用于运输的磁场应用(例如，磁悬浮列车或超回路列车(hyperloop))通常需要磁场移动以使
得列车移动。磁场以及因此包含磁场的磁室在食品行业中也具有应用，其中，磁场以及磁室用以实行混合或分离。其他应用包括电力行业、尤其是电能传输，其中，磁场用以测量电流强度。

[0006] 如果磁场可以被约束到称为器皿的容器的内部，则磁室的一些应用进一步受益。称为迈斯纳效应的自然现象描述了磁场从超导体排斥。超导体是电流可以在没有任何电阻
的情况下流动的材料；因而，超导体是理想导体，因为电流流动而没有能量损耗。超导体的这两个性质对磁设备的制造商和设计者是非常有吸引力的，它们可以用作用于电流的导
体，并且磁室可以以超导体填衬，以将磁场约束在内部。

[0007] 目前，磁室用成形为线圈形式的大磁体加以构造；取决于成本或应用，磁体可以是永久的或电气的。在磁场需要特殊配置的应用中(例如，在仿星器中)，线圈在构造期间必须扭曲为复杂的形状。这在设计和制造阶段期间极大地增加了成本；仿星器设计非常复杂并且需要大量测试，因此构造许多磁体线圈需要大量时间和金钱。

[0008] 用于MRI机器的磁模块描述于Maher等人的美国专利号8,838,193中。Maher描述的模块是通过将超导材料的导电表面路径添加到支撑结构上构造的。路径描述为圆锥形或优
2
选螺旋形。均以大约1m为大小的若干模块对齐以产生MRI需要的磁场。如由Maher所描述
的，模块仅彼此间协同工作，因此从模块的效果的组合创建磁场。此外，根据Maher，每个模块产生特定磁场配置。Maher描述了模块可以被布置在一起以产生磁场的方式，但是他没有描述或公开模块可以用以包含或约束磁场的方法。仔细阅读Maher的模块的描述发现，不可能使用所描述的模块布置来约束磁场，因为每个模块必须在特定方向上产生磁场，以便彼
此间协同工作。此外，可能需要许多模块以生成特定磁场配置，并且更复杂的配置随着模块的数量增加而变得更难以开发。要求每个模块容置于不同取向和位置中的模块操作的描述
使得模块不适合作为器皿部件。Maher未能公开模块可以用在需要磁约束以构造特定器皿
形状的应用中的方式或此类模块可以用以在无需不切实际的数量的模块的情况下产生复
杂磁场的方式。

[0009] 关于线圈，现有技术教导用于构造线圈(例如，Miyazaki等人的美国专利号8,655,423中描述的超导线圈)的若干方法。Miyazaki描述了由不同材料的若干层形成的超导线
圈。这些层的群组描述为构成由薄膜超导导线形成的超导线圈部段。Miyazaki描述的线圈
和本领域常见的线圈是通过以下方式构造的：将超导膜(也称为超导带)布置为导线的形
状，然后导线进一步被配置成为线圈的形状。根据现有技术的回顾，超导线圈是通过以下方式形成的：堆叠超导膜或超导层，以使得电流可以在期望方向上流动并产生适当磁场配置。
至于发明人的最佳知识和理解，现有技术没有教导超导薄膜或带可以用以传导电流所凭借
的任何其他方法。

[0010] 超导带自身也是供不应求的，因为它们的需求很高。还存在带的大小和形状的问题：其仅可以被构造几厘米宽。此外，将带布置成导线并进一步布置成线圈的过程是漫长且易于出错的。

[0011] 因而，仍然存在对于针对用在磁应用中的线圈的高效且较低成本的替代品的需要，仍然存在对于可以将磁场约束在其内部的磁室的需要。存在对于磁室成为任何可能配
置或形状并且无论形状如何都产生任意磁场配置的需要。根本上，存在对于可以用少量的
零件构造并且可以按更好成本制造的磁室的需要。此外，存在对于以允许复制并快速修改
所约束的磁场的方式简单构造磁室的需要。

[0055] 在各图中已经通过相同标号指定相同特征。具体而言，各种实施例当中共有的结构和/或功能特征可以具有相同标号并且可以部署相同结构、维度和材料性质。

[0056] 为了清楚起见，已经详细说明并描述仅对于理解本文描述的实施例有用的操作和要素。

[0057] 除非另有指示，否则当对连接在一起的两个要素进行引用时，这表示除了导体之外没有任何中间要素的直接连接，并且当对联接在一起的两个要素进行引用时，这表示经
由一个或多个其他要素这两个要素可以连接或者它们可以联接。

[0058] 在以下公开中，除非另有指示，否则当提及绝对位置限定词(例如，术语“前”、“后”、“顶”、“底”、“左”、“右”等)或相对位置限定词(例如，术语“之上”、“之下”、“更高”、“更低”等)或取向的限定词(例如，“水平”、“垂直”等)时，涉及到图中所示的取向。

[0059] 除非另有指定，否则表述“约”、“近似”、“基本上”和“大概”意指在10％以内且优选在5％以内。

[0060] 附图并非按比例。应注意，当预期无歧义时，附图指代所公开的磁室和模块化线圈(有时也简称为设备)的实施例。其他实施例可以是可能的，因为具有适当训练的人员可以是容易理解的。实施例的部件中的每一个的实际维度和/或形状可以变化。仅示出实施例的重要细节，然而，本领域普通技术人员可以理解如何构造整个设备，而无需不应有的实验。
已经从附图省略一些细节，但是发明人认为，添加这些细节对于全面理解所公开的本发明
的特性是不必要的。这些省略的细节尤其包括用于保持或固定设备的元件或其功能部件
等。实施例的一些特性显得夸大以促进理解。所公开的实施例和观察到的替代方案不应视
为以任何方式限制本发明。

[0061] 磁室由模块化线圈组成。这些模块化线圈以机械方式和电气方式连结在一起以传输创建被约束在磁室中的磁场的电流。

[0062] 在图1A中示出这些模块化线圈中的两个模块化线圈的实施例。第一模块化线圈100a具有互锁、锁定或连结机构(例如，法兰102a)和穿过它的隧道、渠道或通道104a。第二模块化线圈100b也具有法兰102b和渠道104b。

[0063] 当提及连结机构时，这还包括互锁或锁定机构，并且当提及通道时，这还包括管道、隧道或渠道。

[0064] 来自图1A的模块化线圈通过机械方式连结在一起，如图1B所示。第一模块化线圈100a的法兰102a连结到第二模块化线圈100b的法兰102b。在法兰处或通过某种其他手段，
可以提供电气连接，以使得电流可以从一个模块化线圈向另一模块化线圈流动。第一模块
化线圈100a的通道104a也可以连结到第二模块化线圈100b的通道104b，形成穿过这两个结
构的单个通道。可以使冷却流体流动通过通道104a和/或通道104b。此外，图1B所示的所连结的模块化线圈可以连结到另一这样的结构上，创建更大的结构。在另一示例中，所连结的模块化线圈的通道可以不连接，并且可以提供其他手段以使冷却流体通过每个模块化线圈
的通道。

[0065] 图1C示出当来自图1B的所连结的模块化线圈通过平行于通道104a的平面分离时它们的内部结构。内部结构包括凹槽110，其从第一模块化线圈100a行进到第二模块化线圈
100b，或者反之亦然。通过第一模块化线圈100a的第一凹槽110a与第二模块化线圈100b的
第二凹槽110b连续连接，形成凹槽110(连续凹槽)。凹槽110将所连结的模块化线圈划分为
不同的导电区域。因此，凹槽110允许不同的电流配置通过所连结的模块化线圈。凹槽110的形状最终确定当电流流动时形成的磁场的形状。在另一示例中，一些所连结的模块化线圈
的凹槽可能不是连续连接的。例如，在一些配置中，第一模块化线圈的不同导电区域中的每一个可以与第二模块化线圈的对应导电区域连接，而它们的凹槽无需连接在一起。

[0066] 如图2A所示，特定凹槽图案110导致具有特定配置202a的磁场。在图2B中，不同凹槽图案210导致不同磁场配置202b。实际磁场配置将取决于结构的其余部分以及电流流动
通过模块化线圈中的每一个的方式。

[0067] 图1B中的模块化线圈可以通过类似配置连结其他模块化线圈，形成可以称为组件的更大结构。组件是维持磁场的封闭室；因此，它包括磁室。磁室可以是任何形状的，适应于以组件为样子的构造。一种这样的组件是图4所示的圆顶400。在图5中示出圆顶400的横截
面视图。

[0068] 圆顶400由多个模块化线圈401组装。通道104a通过圆顶的外壁穿过圆顶400。所有模块化线圈401的所有通道104a可以连接在一起，形成覆盖整个圆顶400的单个通道，以确
保任何冷却流体到达每一模块化线圈。在另一示例中，如上所述，模块化线圈的通道可能并非全部连接在一起。

[0069] 操作的示例

[0070] 可以参照图5解释模块化线圈和磁室的操作的示例。在操作期间，模块化线圈401通电，意味着电流正流动通过它们。用于使线圈401通电的电力可以来自外部电源。当电流流动通过线圈401时，在圆顶400内部形成磁场500。磁场500的形状、强度和配置取决于模块化线圈401的特性。磁场500的特性还取决于磁室的形状。每个模块化线圈401具有凹槽
110a，如来自图1C的凹槽，其引导电流的流动。如图2A和图2B所示，不同的凹槽110图案导致用于磁场500的不同形状。

[0071] 模块化线圈401可以被构造为具有超导特性，所述特性可以用以利用迈斯纳效应并在磁室内部捕获磁场500。

[0072] 设备的适当操作可能需要模块化线圈401保持特定温度。穿过模块化线圈401的内壁的通道104a可以用以供应冷却流体。例如，如果模块化线圈401将要展现超导特性，则可以使诸如氮或氦的流体流动通过通道104a并确保模块化线圈401的超导特性。

[0073] 模块化线圈的构造的示例

[0074] 模块化线圈可以被构造作为由不同材料形成的堆叠层(堆叠件)，例如，如图3所示。从可以最靠近将形成磁场的一侧的底部开始，堆叠件包括第一结构层300，第一结构层
300可以由诸如哈斯特合金(Hastelloy)的材料组成或被诸如哈斯特合金的材料所覆盖。用
于冷却流体的通道104a可以穿过第一结构层300。若干缓冲层沉积在第一结构层300的顶
部。溅射在第一结构层300的顶部的是诸如氧化铝的材料的层，被称为第一缓冲层301。第二缓冲层302溅射在第一缓冲层301的顶部。第二缓冲层302由诸如氧化钇的材料组成。第三缓冲层303由诸如氧化镁的材料组成，并且可以通过金属有机化学气相沉积MOCVD或离子束辅
助沉积IBAD得以沉积。超导层304沉积在第三缓冲层303的顶部。超导层304可以通过MOCVD
得以沉积，并且可以由诸如REBCO或YBCO或其他适当超导材料的材料组成。可以移除来自第一缓冲层301、第二缓冲层302、第三缓冲层303和超导层304的材料，以便创建描述也可以见于图1C中的凹槽110a的图案。为了移除材料，可以使用诸如激光图案化的技术。诸如机械技术或光刻法的其他技术可以用于移除材料。

[0075] 替代地，可以仅从超导层304移除材料以创建凹槽110a。

[0076] 缓冲层可以形成用于形成超导层的适当模板。可以仅存在一个缓冲层，而不是多个缓冲层。

[0077] 可以使用其他适当材料代替在此描述的材料。

[0078] 凹槽110a可以填充有可以是银的金属，从而形成也可以定位在超导层304上方的分流层306。该分流层在超导层304的淬火的情况下提供用于电流的路径。分流层306是可选的。存在用于解决淬火问题的其他解决方案(例如，在足够低的电流、温度和/或磁场进行操作)。淬火通常是针对超导性的问题，这与实施例所解决的问题无联系。

[0079] 在形成凹槽之前，所描述的缓冲层和超导层的序列可以重复多次，其中，最佳结果在层序列重复4次至80次之间(例如，对于大约10特斯拉的磁场，在层序列重复20次至40次之间)得以达成。在图3中，这由重复部层308指示，其中，还形成凹槽110a，并且在凹槽形成之后沉积分流层306，以使得分流层306填充凹槽110a并覆盖最后序列的超导层。

[0080] 所重复的层序列可以包括超导层304上的银层305或适于在所述序列上形成缓冲层和超导层的另一序列的另一材料的层。

[0081] 例如，对于缓冲层和超导层的一个序列，凹槽110a的深度包括于3μm至5μm之间。如果序列重复，则凹槽的深度可以乘以序列的数量。例如，凹槽的深度包括于3xNμm至5xNμm之间，其中，N是序列的数量。

[0082] 为了至少部分使用迈斯纳效应，在所有所描述的层的顶部(例如，在分流层306的顶部)，应放置单个、优选地未被穿孔(且未被开槽)的超导材料层。该层是迈斯纳效应层
310，并且由诸如YBCO或REBCO的超导材料组成。

[0083] 设备的正确操作可能需要所描述的层上方或下方的其他材料层的层，然而，如何用不同的层配置达成在此描述的功能对于本领域普通技术人员应是显而易见的。作为该情
况的示例，由银、铜和其他金属组成的稳定层可以放置在第一结构层300的下方。

[0084] 用于构造模块化线圈作为由不同材料形成的堆叠层的其他层配置和/或方法对于本领域普通技术人员应是显而易见的。方法或线圈的另一示例在同一申请人“RENAISSANCE FUSION”于2022年4月4日提交的发明名称为“METHOD  FOR  MANUFACTURING 
SUPERCONDUCTING COILS AND DEVICE”的欧洲专利申请号EP22305437中给出，其特此在法
律可允许的最大限度内通过引用并入。

[0085] 附加实施例

[0086] 在图6A中示出了模块化线圈的第二实施例。在第二实施例中，模块化线圈由凭借连接缝610和接纳腔612连接在一起的六个部分形成，像拼图块一样连结在一起。具有适用
于通过拼图或任何其他组装手段的方式配合在一起的这样的接纳部600a(第一部分)和连
接部600b(第二部分)的模块化线圈允许形成不同和特定形式的组件。实施例还包括用于冷
却的通道104a。在该实施例中，模块化线圈由以下六个部分形成：左外壁606a、左中壁604a和左内壁602a，其位于腔612侧(接纳部或第一部分600a)；以及右外壁606b、右中壁604b和右内壁602b，其位于连接缝610侧(连接部或第二部分600b)。来自第二实施例的模块化线圈可以连结以形成如图6B所示的单个线圈结构。这种单一线圈结构可以于是联接(优选连接)
到其他类似线圈结构并形成可以描述磁室的组件。例如，它们可以用以构造来自图4的圆顶
400。

[0087] 内壁可以称为“第一壁”，中壁可以称为“第二壁”，并且外壁可以称为“第三壁”。

[0088] 图6C示出根据第二实施例的模块化线圈的分解视图。壁部分中的每一个形成连续结构，并且因此可以将它们构造为具有不同特性。例如，由壁602a和602b形成的内壁配对可以具有与由壁604a和604b形成的中壁和由壁606a和606b形成的外壁段中的图案不同的电
流限定图案。

[0089] 每侧的内壁602a、602b可以包括图3的层300，每侧的中壁604a、604b可以包括图3的层301、302、303、304、可能305和/或308、凹槽110a和层306，并且每侧的外壁606a、606b可以包括图3的层310。

[0090] 在此概括本发明的示例实施例。其他实施例也可以从本文提交的完整说明书以及权利要求加以理解。

[0091] 示例1、一种组件，包括多个模块化线圈(100a、100b；401)，多个模块化线圈以机械方式和电气方式连结在一起，其中，每个模块化线圈包括凹槽(110a、110b)，凹槽将所述模块化线圈分为至少两个不同的导电区域。

[0092] 示例2、如示例1所述的组件，其中，所述多个模块化线圈至少包括第一模块化线圈(100a)和第二模块化线圈(100b)，第一模块化线圈(100a)具有第一凹槽(110a)，第二模块化线圈(100b)连结到所述第一模块化线圈并且具有第二凹槽(110b)，其中，所述第一凹槽
和第二凹槽适于形成连续凹槽(110；210)，连续凹槽将所连结的第一模块化线圈和第二模
块化线圈分为至少两个不同的导电区域。

[0093] 示例3、如示例1或2所述的组件，其中，所述凹槽(110a、110b、110；210)适于引导电流在特定方向上流动通过所连结的模块化线圈，以便生成被至少部分地约束在所述组件中的磁场(202a；202b；500)。

[0094] 示例4、如权利要求1至3中任一项所述的组件，其中，所述模块化线圈中的至少一个的所述凹槽(110a、110b、110；210)的形状确定用于通过所述模块化线圈的电流配置，并因此确定当电流流动时所形成的所述磁场(202a；202b)的形状。

[0095] 示例5、如示例1至4中任一项所述的组件，其中，所述模块化线圈中的至少一个的所述凹槽(110a、110b、110；210)容纳诸如银的金属。

[0096] 示例6、如示例1至5中任一项所述的组件，其中，所述多个模块化线圈包括第一模块化线圈(100a)和第二模块化线圈(100b)，第一模块化线圈(100a)具有诸如法兰的第一连
结机构(102a)，第二模块化线圈(100b)具有诸如法兰的第二连结机构(102b)，所述第二连
结机构(102b)适于联接到所述第一连结机构(102a)，优选地连接到所述第一连结机构
(102a)。

[0097] 示例7、如示例6所述的组件，其中，每个连结机构还适于提供所述第一模块化线圈与第二模块化线圈之间的电气连接。

[0098] 示例8、如示例1至7中任一项所述的组件，其中，所述模块化线圈(100a、100b；401)中的至少一个包括通道(104a、104b)，例如以能使诸如氮或氦的冷却流体流动通过所述模块化线圈。

[0099] 示例9、如示例8所述的组件，其中，所述多个模块化线圈包括第一模块化线圈(100a)和第二模块化线圈(100b)，所述第一模块化线圈(100a)具有第一通道(104a)，所述
第二模块化线圈(100b)连结到所述第一模块化线圈并且具有第二通道(104b)，所述第二通
道(104b)适于连结到所述第一通道(104a)以形成穿过所连结的第一模块化线圈和第二模
块化线圈的单个通道。

[0100] 示例10、如示例1至9中任一项所述的组件，其中，所述模块化线圈中的至少一个被构造为具有超导特性。

[0101] 示例11、如示例1至10中任一项所述的组件，其中，所述模块化线圈中的至少一个被构造作为由不同材料形成的堆叠件，所述堆叠件至少包括超导层(304)，所述超导层
(304)包括诸如钇钡铜氧化物或稀土钡铜氧化物的超导材料，其中，所述模块化线圈的所述凹槽(110a)至少在所述超导层中被图案化。

[0102] 示例12、如示例11所述的组件，其中，所述堆叠件包括：

[0103] ‑结构层(300)，结构层(300)例如由诸如哈斯特合金的材料组成或被诸如哈斯特合金的材料所覆盖；

[0104] ‑多个缓冲层，所述多个缓冲层处于所述结构层上；

[0105] ‑所述超导层(304)，所述超导层(304)处于所述多个缓冲层上；和

[0106] ‑分流层(306)，所述分流层(306)处于所述超导层(304)上且在所述凹槽(110a)中，所述分流层由诸如银的金属制成；

[0107] 其中，所述凹槽在所述缓冲层和所述超导层中被图案化。

[0108] 示例13、如示例12所述的组件，其中，所述多个缓冲层包括：

[0109] ‑第一缓冲层(301)，所述第一缓冲层(301)处于所述结构层(300)上，所述第一缓冲层(301)例如是诸如氧化铝的材料的层；

[0110] ‑第二缓冲层(302)，所述第二缓冲层(302)处于所述第一缓冲层(301)上，所述第二缓冲层(302)例如是诸如氧化钇的材料的层；

[0111] ‑第三缓冲层(303)，所述第三缓冲层(303)处于所述第二缓冲层(302)上，所述第三缓冲层(303)例如是诸如氧化镁的材料的层。

[0112] 示例14、如示例11至13中任一项所述的组件，其中，所述堆叠件包括银层(305)，所述银层(305)处于所述超导层(304)上。

[0113] 示例15、如示例12或14中任一项所述的组件，其中，所述堆叠件包括重复部层(308)，重复部层(308)处于所述分流层(306)下方，所述重复部层由所述缓冲层和超导层以及在一些情况下所述银层的重复制成，优选地由例如4次至80次的重复之间的多次重复制
成，其中，所述凹槽在所述缓冲层、所述超导层和所述重复部层中被图案化。

[0114] 示例16、如权利要求12或15中任一项所述的组件，其中，所述堆叠件包括另一超导层(310)，所述另一超导层(310)优选地为未被穿孔且未被开槽的层，所述另一超导层(310)处于所述分流层(306)上，所述另一超导层包括例如诸如钇钡铜氧化物或稀土钡铜氧化物的超导材料。

[0115] 示例17、如示例11至16中任一项结合示例8或9所述的组件，其中，所述至少一个模块化线圈的所述通道(104a)穿过所述结构层(300)。

[0116] 示例18、如示例1至17中任一项所述的组件，其中，所述模块化线圈中的至少一个包括第一部分(600a)和第二部分(600b)，所述第一部分和第二部分适于联接在一起，例如，所述第一部分包括连接缝(610)，并且所述第二部分包括接纳腔(612)，所述接纳腔适于接
合所述连接缝。

[0117] 示例19、如示例1至18中任一项所述的组件，其中，所述模块化线圈中的至少一个和例如所述模块化线圈的所述第一部分和第二部分中的每一个由组装在一起的至少两个
壁形成，所述至少两个壁例如是两个或三个壁。

[0118] 示例20、如示例19结合示例18所述的组件，其中，所述第一部分和所述第二部分中的每一个由第一壁(602a、602b)、第二壁(604a、604b)和第三壁(606a、606b)形成，所述第二壁处于所述第一壁与所述第三壁之间；并且其中，所述第一部分(600a)的所述第一壁(602a)适于与所述第二部分(600b)的所述第一壁(602b)形成连续的第一壁配对，所述第一
部分(600a)的所述第二壁(604a)适于与所述第二部分(600b)的所述第二壁(604b)形成连
续的第二壁配对，并且所述第一部分(600a)的所述第三壁(606a)适于与所述第二部分
(600b)的所述第三壁(606b)形成连续的第三壁配对，例如，所述壁配对之一具有与另一壁
配对不同的电流限定图案。

[0119] 示例21、如示例1至20中任一项所述的组件，其中，所述模块化线圈(401)形成磁室(400)。

[0120] 示例22、一种模块化线圈(100a、100b)，所述模块化线圈(100a、100b)适用于示例1至21中任一项所述的组件。

[0121] 示例23、一种用于制造如示例22所述的模块化线圈(100a、100b)的方法，所述方法包括：

[0122] ‑提供结构层(300)；

[0123] ‑形成多个缓冲层，所述多个缓冲层处于所述结构层上；

[0124] ‑例如通过金属有机化学气相沉积在所述多个缓冲层上沉积超导层(304)；

[0125] ‑例如使用激光图案化技术至少从所述超导层移除材料，以形成凹槽(110a)；以及[0126] ‑在所述超导层上沉积金属的层，包括：用诸如银的所述金属填充所述凹槽以形成分流层(306)。

[0127] 示例24、如示例23所述的方法，还包括：

[0128] ‑在所述超导层(304)上形成银层(305)。

[0129] 示例25、如示例23或24所述的方法，还包括：

[0130] ‑在形成所述凹槽并形成所述分流层(306)之前，重复所述缓冲层、所述超导层和在一些情况下所述银层，优选地重复多次，例如，在4次至80次的重复之间。

[0131] 示例26、如示例23至25中任一项所述的方法，其中，形成所述多个缓冲层包括：

[0132] ‑在所述结构层(300)上溅射第一缓冲层(301)，所述第一缓冲层(301)例如是诸如氧化铝的材料的层；

[0133] ‑在所述第一缓冲层(301)上溅射第二缓冲层(302)，所述第二缓冲层(302)例如是诸如氧化钇的材料的层；

[0134] ‑例如通过金属有机化学气相沉积或离子束辅助沉积在所述第二缓冲层(302)上沉积第三缓冲层(303)，所述第三缓冲层(303)例如是诸如氧化镁的材料的层。

[0135] 示例27、如示例22至26中任一项所述的方法，还包括：

[0136] ‑在所述分流层(306)上沉积另一超导层(310)，所述另一超导层(310)优选地为未被穿孔且未被开槽的层，所述另一超导层(310)包括例如诸如钇钡铜氧化物或稀土钡铜氧
化物的超导材料。

[0137] 已经描述了各种实施例和变型。本领域技术人员将理解，这些实施例的特定特征可以组合，并且对于本领域技术人员将容易发生其他变型。

[0138] 最后，本文描述的实施例和变型的实际实现基于上文提供的功能描述处于本领域技术人员的能力之内。

[0139] 首字母缩略词的列表：

[0140] MRI磁共振成像(Magnetic Resonance Imaging)

[0141] MOCVD金属有机化学气相沉积(Metal‑organic chemical vapor deposition)

[0142] IBAD离子束辅助沉积(Ion beam assisted deposition)

[0143] REBCO稀土钡铜氧化物(Rare‑earth barium copper oxide)

[0144] YBCO钇钡铜氧化物(Yttrium barium copper oxide)。