具体技术细节
[0006] 针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种片状阵列离子波高速射流冷效器。
[0007] 根据本发明的一个方面，提供一种片状阵列离子波高速射流冷效器，包括：
[0008] 射流离子风震动薄膜，用于形成高速离子波射流；
[0009] 压电陶瓷振荡器，设于所述射流离子风震动薄膜两端的下方，由压电陶瓷片串联形成，用于产生不同强度的震动能；所述压电陶瓷振荡器使所述射流离子风震动薄膜形成来回往复的运动，促使薄膜表面的空气定向流动；
[0010] 阵列离子风射流孔，设于所述射流离子风震动薄膜上，包括密布的阵列式通孔，所述通孔垂直于所述射流离子风震动薄膜的平面；所述通孔为V形结构，且靠近所述压电陶瓷振荡器一端的截面积大于远离所述压电陶瓷振荡器一端的截面积，所述通孔内利用压差形成定向流。
[0011] 可选的，所述射流离子风震动薄膜包括由下至上依次设置的阳极、柔性基底和阴极，施加电压后，所述阴极向所述阳极发射电子形成定向的高速离子波射流；所述阴极和所述阳极均由多层复合金属表面制备而成，形成所述阳极和所述阴极的金属包括铬、铜、钛、铂和金中的至少一种。
[0012] 可选的，所述柔性基底采用复合薄膜，所述复合薄膜的介电常数大于3.0。
[0013] 可选的，所述射流离子风震动薄膜的厚度为几百微米。
[0014] 可选的，所述通孔在所述射流离子风震动薄膜排列形成田字形网格状或斜纹状，相邻两个所述通孔之间的间距为几微米到几百微米。
[0015] 可选的，所述通孔靠近所述压电陶瓷振荡器一端的直径为十几微米到几十微米，远离所述压电陶瓷振荡器一端的直径为几微米。
[0016] 可选的，通过增加所述压电陶瓷振荡器的频率提高射流速度并增加压力。
[0017] 可选的，所述冷效器包括以下一种或多种选择：
[0018] ‑温度传感器，设于所述射流离子风震动薄膜一端的下方；
[0019] ‑压力传感器，设于所述射流离子风震动薄膜另一端的下方；
[0020] ‑电力模块，设于所述射流离子风震动薄膜一端的下方。
[0021] 可选的，所述冷效器还包括信息交互与处理模块，所述信息交互与处理模块设于所述射流离子风震动薄膜另一端的下方。
[0022] 可选的，所述冷效器采用非硅MEMS多元集成制造工艺制备得到。
[0023] 与现有技术相比，本发明具有如下至少之一的有益效果：
[0024] 本发明提供的片状阵列离子波高速射流冷效器，通过设置射流离子风震动薄膜、压电陶瓷振荡器和阵列离子风射流孔等，将压电薄膜式风扇和阵列射流离子风发生器融为一体，极大地提高了离子风的强度和射流速度，从而促进燃烧；由于采用多个密布的阵列式通孔形成多极的阵列射流，具备自中和的能力，其采用垂直于器件的高速射流，且射流方向背对器件表面，在散热器和器件间是负压，带电粒子不会沉积在冷却散热器件表面，因此，不会对器件造成绝缘和电磁干扰问题。
法律保护范围
涉及权利要求数量10：其中独权1项，从权-1项
1.一种片状阵列离子波高速射流冷效器，其特征在于，包括：
射流离子风震动薄膜，用于形成高速离子波射流；
压电陶瓷振荡器，设于所述射流离子风震动薄膜两端的下方，由压电陶瓷片串联形成，用于产生不同强度的震动能；所述压电陶瓷振荡器使所述射流离子风震动薄膜形成来回往复的运动，促使薄膜表面的空气定向流动；
阵列离子风射流孔，设于所述射流离子风震动薄膜上，包括密布的阵列式通孔，所述通孔垂直于所述射流离子风震动薄膜的平面；所述通孔为V形结构，且靠近所述压电陶瓷振荡器一端的截面积大于远离所述压电陶瓷振荡器一端的截面积，所述通孔内利用压差形成定向流。
2.根据权利要求1所述的片状阵列离子波高速射流冷效器，其特征在于，所述射流离子风震动薄膜包括由下至上依次设置的阳极、柔性基底和阴极，施加电压后，所述阴极向所述阳极发射电子形成定向的高速离子波射流；所述阴极和所述阳极均由多层复合金属表面制备而成，形成所述阳极和所述阴极的金属包括铬、铜、钛、铂和金中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的片状阵列离子波高速射流冷效器，其特征在于，所述柔性基底采用复合薄膜，所述复合薄膜的介电常数大于3.0。
4.根据权利要求1所述的片状阵列离子波高速射流冷效器，其特征在于，所述射流离子风震动薄膜的厚度为几百微米。
5.根据权利要求1所述的片状阵列离子波高速射流冷效器，其特征在于，所述通孔在所述射流离子风震动薄膜排列形成田字形网格状或斜纹状，相邻两个所述通孔之间的间距为几微米到几百微米。
6.根据权利要求1所述的片状阵列离子波高速射流冷效器，其特征在于，所述通孔靠近所述压电陶瓷振荡器一端的直径为十几微米到几十微米，远离所述压电陶瓷振荡器一端的直径为几微米。
7.根据权利要求1所述的片状阵列离子波高速射流冷效器，其特征在于，通过增加所述压电陶瓷振荡器的频率提高射流速度并增加压力。
8.根据权利要求1所述的片状阵列离子波高速射流冷效器，其特征在于，包括以下一种或多种选择：
‑温度传感器，设于所述射流离子风震动薄膜一端的下方；
‑压力传感器，设于所述射流离子风震动薄膜另一端的下方；
‑电力模块，设于所述射流离子风震动薄膜一端的下方。
9.根据权利要求8所述的片状阵列离子波高速射流冷效器，其特征在于，还包括信息交互与处理模块，所述信息交互与处理模块设于所述射流离子风震动薄膜另一端的下方。
10.根据权利要求1‑9任一项所述的片状阵列离子波高速射流冷效器，其特征在于，所述冷效器采用非硅MEMS多元集成制造工艺制备得到。
