[0001] 本申请涉及车载充电机领域，尤其涉及一种控制引导功能发生电路。

[0002] 车载充电机(on‑board charger，OBC)广泛应用于新能源汽车，包括但不限于纯电动新能源汽车、插电混动式新能源汽车、氢能源汽车等。

[0003] 目前控制引导功能(control pilot function，CP)信号发生电路由场效应管开关电路和继电器电路构成，场效应管开关电路负责产生CP信号，继电器负责在不工作时彻底断开CP信号发生电路，也就是说需要CP+控制信号、CP‑控制信号、继电器三路控制信号，其中继电器开关是机械开关，通过电磁驱动机械触点开通或者闭合，其开关次数是有限的，存在寿命问题，并且目前的CP+和CP‑信号参考点与整个系统的参考点不同，不能用微控制单元直接驱动，需要通过增加驱动电平转换电路控制CP+和CP‑信号。

[0004] 在新能源汽车应用中，汽车电子设备应用环境温度高，振动大，工作环境恶劣，对可靠性要求高，而含开关电路和继电器电路两部分电路，元件数量多，电路复杂，体积大，成本高，可靠性差。

[0040] 下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。

[0041] 本申请的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

[0042] 在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结果或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施方式，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

[0043] 如图1所示，图1为本申请实施方式提供的一种控制引导功能发生电路的电路框图，请参阅图1，该背景技术方案CP脉宽调制电路(pulse width modulation，PWM)由金属—氧化物—半导体场效应晶体管(metal—oxide—semiconductor，MOS)开关电路与继电器电路构成，MOS开关电路包括第一控制引导功能信号源CP+电路，第二控制引导功能信号源CP‑电路，MOS开关电路负责产生PWM，继电器负责在不工作时彻底断开CP PWM发生电路，并且继电器开关是机械开关，通过电磁驱动机械触点开通或闭合，其开关次数是有限的，存在寿命问题，以及，第一控制引导功能信号源CP+和第二控制引导功能信号源CP‑信号需要以‑12V为参考点，而不是以0V为参考点，与系统的参考点不同，需要通过增加驱动电平转换电路控制第一控制引导功能信号源CP+和第二控制引导功能信号源CP‑的信号。综上，可以看出，如图1所示的控制引导功能发生电路相对复杂，电子元件较多，可靠性较低，针对上述问题，提供一种控制引导功能发生电路，省去了继电器电路以及驱动电平转换电路，实现了元件数量少，电路简单，体积小，成本低，可靠性高的控制引导功能信号发生电路。

[0044] 请结合图2，图2为本申请实施方式提供的一种控制引导功能发生电路的电路框图，该控制引导功能发生电路可以包括：控制模块100，光耦合模块200；

[0045] 控制模块100，包括多个控制子模块，所述多个控制子模块之间并联连接，每一所述控制子模块包括发光二极管；

[0046] 光耦合模块200，包括多个光耦合子模块，所述多个光耦合子模块之间并联连接，每一所述光耦合子模块包括光耦合场效应管；

[0047] 每一所述光耦合子模块通过对应所述光耦合场效应管与任一所述发光二极管之间光耦合隔离作用，使得每一所述光耦合子模块接收与所述光耦合子模块对应的所述控制子模块的电信号，以导通所述控制模块和所述光耦合模块之间的通路，并产生控制引导功能发生信号。

[0048] 具体地，多个控制子模块包括第一控制子模块110和第二控制子模块120，多个光耦合子模块包括第一光耦合子模块210和第二光耦合子模块220。第一光耦合子模块210通过接收第一控制子模块110发出的电信号进行自身的通断控制，第二光耦合子模块220通过接收第二控制子模块120发出的电信号进行自身的通断控制。

[0049] 其中，每一模块中的电路均有多种可能方案，在此不作限定。

[0050] 可见，在本实施例中，可以省掉驱动电平转换电路，简化电路降低成本，减少元件数量，提高可靠性，用光耦合模块可以同时实现产生控制引导功能信号和彻底断开控制引导功能发生电路两个功能，可以很大程度地做到元件数量少，电路简单，体积小，成本低，可靠性高。

[0051] 在一种可能的实施例中，请参阅图3，图3为本申请实施例提供的一种控制引导功能发生电路的结构示意图，以下将结合图3对本实施方式中的各个电路进行详细的说明。如图3所示，所述多个控制子模块包括第一控制子模块110和第二控制子模块120，其中，所述第一控制子模块110对应所述发光二极管为第一发光二极管L1，所述第二控制子模块120对应所述发光二极管为第二发光二极管L2。

[0052] 其中，第一发光二极管L1的第一端口与第一电源VDD的一端相连，第二发光二极管L2的一端也与第一电源VDD的一端相连。

[0053] 具体地，第一控制子模块110可以包括：第一三极管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、所述第一发光二极管L1，所述第二控制子模块120包括：第二三极管Q2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、所述第二发光二极管L2；其中，

[0054] 所述第一发光二极管L1的第一端口和第二发光二极管L2的第一端口均与第一电源VDD的一端相连；

[0055] 所述第一发光二极管L1的第二端口与和所述第一电阻R1的第一端口相连，所述第一电阻R1的第二端口和所述第一三极管Q1的集电极相连，所述第一三极管Q1的基极与所述第二电阻R2的第一端口及所述第三电阻R3的第一端口相连，所述第三电阻R3的第二端口与地相连；所述第一三极管Q1的发射极与所述地相连；

[0056] 所述第二发光二极管L2的第二端口和所述第四电阻R4的第一端口相连，所述第四电阻R4的另一端和所述第二三极管Q2的集电极相连，所述第二三极管Q2的基极与所述第五电阻R5的第一端口及所述第六电阻R6的第一端口相连，所述第六电阻R6的第二端口与地相连；所述第二三极管Q2的发射极与所述地相连。

[0057] 其中，所述第一三极管Q1和所述第二三极管Q2可以为NPN型三极管；

[0058] 具体地，所述控制模块100还包括：第一控制引导功能信号源CP+和第二控制引导功能信号源CP‑，其中，所述第一控制引导功能信号源CP+与所述第二电阻R2的第二端口相连，所述第二控制引导功能信号源CP‑与所述第五电阻R5的第二端口相连，所述第一控制引导功能信号源CP+和第二控制引导功能信号源CP‑用于产生高电平信号或低电平信号。

[0059] 其中，第一控制引导功能信号源CP+可以产生高电平或低电平，第二控制引导功能信号源CP‑也可以产生高电平或低电平，在第一控制引导功能信号源CP+产生高电平时，第二控制引导功能信号源CP‑可以产生高电平或者低电平，在第一控制引导功能信号源CP+产生低电平时，第二控制引导功能信号源CP‑可以产生高电平或者低电平。

[0060] 示例地，当第一控制引导功能信号源CP+产生高电平时，第一三极管Q1的集电极和发射极之间导通，由第一电源VDD输入的电流通过第一发光二极管L1、第一电阻R1、第一三极管Q1的集电极和发射极流向地，上述第一发光二极管L1导通发光。当第二引导功能信号源CP‑产生高电平时，第二三极管Q2的集电极和发射极之间导通，由第一电源VDD输入的电流通过第二发光二极管L2、第二电阻R2、第二三极管Q2的集电极和发射极流向地，上述第二发光二极管L2导通发光。当第一控制引导功能信号源CP+产生低电平时，第一三极管Q1的集电极和发射极之间不导通，由第一电源VDD和地之间无法形成回路，第一发光二极管L1、第一电阻R1、第一三极管Q1的均不导通，上述第一发光二极管L1不发光。当第二引导功能信号源CP‑产生低电平时，第二三极管Q2的集电极和发射极之间不导通，由第一电源VDD和地之间无法形成回路，第二发光二极管L2、第二电阻R2、第二三极管Q2均不导通，上述第二发光二极管L2不发光。

[0061] 可见，在本实施例中，通过本实施例中的电路连接方式，光耦合模块可以同时实现产生控制引导功能信号和彻底断开控制引导功能发生电路两个功能，可以很大程度地做到元件数量少，电路简单，体积小，成本低，可靠性高。

[0062] 在一种可能的实施例中，请再次参阅图3，所述多个光耦合子模块包括第一光耦合子模块210和第二光耦合子模块220，所述第一光耦合子模块210对应的所述光耦合场效应管可以包括：第一光耦合场效应管F1和第二光耦合场效应管F2，所述第二光耦合子模块对应的所述光耦合场效应管包括：第三光耦合场效应管F3和第四光耦合场效应管F4。

[0063] 具体地，所述第一光耦合子模块210可以包括：所述第一光耦合场效应管F1、所述第二光耦合场效应管F2、第七电阻R7，所述第二光耦合子模块220包括：所述第三光耦合场效应管F3、所述第四光耦合场效应管F4、第八电阻R8，其中，所述第一光耦合场效应管F1的漏极与第二电源V2的端口相连，所述第一光耦合场效应管F1的源极与所述第二光耦合场效应管F2的源极相连，所述第一光耦合场效应管F1的栅极和所述第二光耦合场效应管F2的栅极相连；

[0064] 所述第二光耦合场效应管F2的漏极与所述第七电阻R7的第一端口相连，所述第七电阻R7的第二端口与所述控制引导功能发生电路的输出端CP相连；

[0065] 所述第三光耦合场效应管F3的漏极与所述第八电阻R8的第一端口相连，所述第八电阻R8的第二端口与所述控制引导功能发生电路的输出端CP相连；

[0066] 所述第三光耦合场效应管F3的源极与所述第四光耦合场效应管F4的源极相连，所述第三光耦合场效应管F3的栅极和所述第四光耦合场效应管F4的栅极相连，所述第四光耦合场效应管F4的漏极与第三电源V3的端口相连；所述第一光耦合场效应管和所述第二光耦合场效应管连接，具有双向阻断作用；所述第三光耦合场效应管和所述第四光耦合场效应管连接，具有双向阻断作用。

[0067] 其中，第一光耦合场效应管F1和所述第二光耦合场效应管F2连接方式为共栅共源，第三光耦合场效应管F3和所述第四光耦合场效应F4管连接方式为共栅共源。由于第一光耦合场效应管F1、第二光耦合场效应管F2、第三光耦合场效应管F3、第四光耦合场效应管F4连接的漏极和源极之间连接有寄生体二极管，即使在不给栅源极驱动电压时，外部信号仍可流过上述体二极管，使上述光耦合场效应管呈单向阻断状态。采用背靠背连接(也就是共栅共源连接)的目的是使两个光耦合场效应管的体二极管在无驱动信号时呈双向阻断状态。

[0068] 其中，所述第一光耦合场效应管F1、所述第二光耦合场效应管F2、第三光耦合场效应F3管、所述第四光耦合场效应管F4可以为P沟道型场效应管；所述第一光耦合场效应管F1和所述第二光耦合场效应管F2可以组成光敏隔离背靠背场效应管；所述第三光耦合场效应管F3和所述第四光耦合场效应管F4可以组成光敏隔离背靠背场效应管；所述第一光耦合场效应管F1、所述第二光耦合场效应管F2、所述第三光耦合场效应管F3、所述第四光耦合场效应管F4具有寄生体二极管。

[0069] 具体地，当所述第一控制引导功能信号源CP+产生所述高电平信号，所述第二控制引导功能信号源CP‑产生所述低电平信号的情况下，所述第一控制子模块导通，所述第一发光二极管L1产生所述电信号，以导通所述第一光耦合子模块210和所述第一控制子模块110之间的通路，以及，所述第二控制子模块120不导通，所述第二发光二极管L2不导通，则所述第二光耦合子模块220与所述第二控制子模块120之间的通路不导通；所述控制引导功能发生电路的输出端CP输出第一控制引导功能发生信号，所述第一控制引导功能发生信号用于输出所述第二电源V2输入的电压。

[0070] 示例地，当第一控制引导功能信号源CP+产生高电平信号，则第一三极管Q1的集电极和发射极之间导通，从第一电源VDD输入的电流可以流过第一发光二极管L1、第一电阻R1、第一三极管Q1达到地形成闭合回路，第一发光二极管L1可以发光，则导致第一光耦合子模块210中的第一光耦合场效应管F1和第二光耦合场效应管F2之间导通，所以，由第二电源V2输入的电流可以从第一光耦合场效应管F1的漏极流向源极，再流经第二光耦合场效应管F2的源极、第二光耦合场效应管F2的漏极，通过第七电阻R7分压后到达控制引导功能发生电路的输出端CP，再由控制引导功能发生电路的输出端CP输出由第二电源V2输入的电压。而此时若第二控制引导功能信号源CP‑输入低电平，则无法形成闭合回路，第二发光二极管L2无法导通，则第二光耦合子模块无法导通。

[0071] 在一种可能的实施例中，请参阅图3，当所述第一控制引导功能信号源CP+产生所述低电平信号，所述第二控制引导功能信号源CP‑输入所述高电平信号的情况下，所述第一控制子模块110不导通，所述第一发光二极管L1不导通，则所述第一光耦合子模块210不导通，以及，所述第二控制子模块120导通，所述第二发光二极管L2产生所述电信号，以导通所述第二光耦合子模块220和所述第二控制子模块120之间的通路；所述控制引导功能发生电路的输出端CP输出第二控制引导功能发生信号，所述第二控制引导功能发生信号用于输出所述第三电源V3输入的电压。

[0072] 示例地，当第二控制引导功能信号源CP‑产生高电平信号，则第二三极管Q2的集电极和发射极之间导通，从第一电源VDD输入的电流可以流过第二发光二极管L2、第二电阻R2、第二三极管Q2达到地形成闭合回路，第二发光二极管L2可以发光，则导致第二光耦合子模块220中的第三光耦合场效应管F3和第四光耦合场效应管F4之间导通，所以，由第三电源V3输入的电流可以从第四光耦合场效应管F4的漏极流向源极，再流经第三光耦合场效应管F3的源极、第三光耦合场效应管F3的漏极，通过第八电阻R8分压后到达控制引导功能发生电路的输出端CP，再由控制引导功能发生电路的输出端CP输出由第三电源V3输入的电压。而此时若第一控制引导功能信号源CP+输入低电平，则无法形成闭合回路，第一发光二极管L1无法导通，则第一光耦合子模块无法导通。

[0073] 可见，在本实施例中，通过本实施例中的电路连接方式，光耦合模块可以同时实现产生控制引导功能信号和彻底断开控制引导功能发生电路两个功能，可以很大程度地做到元件数量少，电路简单，体积小，成本低，可靠性高。

[0074] 在一种可能的实施例中，当所述第一控制引导功能信号源CP+产生所述低电平信号，所述第二控制引导功能信号源CP‑输入所述低电平信号的情况下，所述第二控制子模块120不导通，以及，所述第一控制子模块110不导通，则所述第二发光二极管L2和所述第一发光二极管L1都不导通，无法产生所述电信号，则所述第二光耦合子模块220和所述第一光耦合子模块210都不导通；所述控制引导功能发生电路的输出端为高阻抗状态。

[0075] 其中，当第一控制引导功能信号源CP+和第二控制引导功能信号源CP‑都输入所述低电平信号，则第二控制子模块120和第一控制子模块110无法形成闭合回路，进而第一光耦合场效应管F1和第二光耦合场效应管F2之间不导通，第三光耦合场效应管F3和第四光耦合场效应管F4之间不导通，则控制引导功能发生电路的输出端CP无法输出信号，为高阻抗状态。

[0076] 可见，在本实施例中，通过控制第一控制引导功能信号源和第二控制引导功能信号源的高低电平，就可以控制该控制引导功能发生电路的输出端的输出的信号，用光耦合模块可以同时实现产生控制引导功能信号和彻底断开控制引导功能发生电路两个功能，可以很大程度地做到元件数量少，电路简单，体积小，成本低，可靠性高。

[0077] 在一种可能的实施例中，当所述第一控制引导功能信号源CP+产生所述高电平信号，所述第二控制引导功能信号源CP‑输入所述高电平信号的情况下，所述第二控制子模块120和所述第一控制子模块110都导通，则所述第二发光二极管L2和所述第一发光二极管L1都产生所述电信号，以导通所述第一光耦合子模块210和所述第一控制子模块110之间的通路和所述第二光耦合子模块220和所述第二控制子模块120之间的通路，则所述第二光耦合子模块220和所述第一光耦合子模块210都导通；所述控制引导功能发生电路的输出端输出
0V。

[0078] 其中，当第一控制引导功能信号源CP+产生高电平信号，则第一三极管Q1的集电极和发射极之间导通，从第一电源VDD输入的电流可以流过第一发光二极管L1、第一电阻R1、第一三极管达到地形成闭合回路，第一发光二极管L1可以发光，则导致第一光耦合子模块210中的第一光耦合场效应管F1和第二光耦合场效应管F2之间导通，所以，由第二电源V2输入的电流可以从第一光耦合场效应管F1的漏极流向源极，再流经第二光耦合场效应管F2的源极、第二光耦合场效应管F2的漏极，通过第七电阻R7分压后到达控制引导功能发生电路的输出端CP，再由控制引导功能发生电路的输出端CP输出由第二电源V2输入的电压。而同时，当第二控制引导功能信号源CP‑产生高电平信号，则第二三极管Q2的集电极和发射极之间导通，从第一电源VDD输入的电流可以流过第二发光二极管L2、第二电阻R2、第二三极管Q2达到地形成闭合回路，第二发光二极管L2可以发光，则导致第二光耦合子模块220中的第三光耦合场效应管F3和第四光耦合场效应管F4之间导通，所以，由第三电源V3输入的电流可以从第四光耦合场效应管F4的漏极流向源极，再流经第三光耦合场效应管F3的源极、第三光耦合场效应管F3的漏极，通过第八电阻R8分压后到达控制引导功能发生电路的输出端CP，再由控制引导功能发生电路的输出端CP输出由第三电源V3输入的电压。但是，由于电源两级电压相反，电流总是从正极流向负极，所以，电流流向可以为从第二电源V2流向第三电源V3，且在控制引导功能发生电路的输出端CP的两端具有对称结构，第七电阻R7和第八电阻R8相同，所以在控制引导功能发生电路的输出端CP输出0V。

[0079] 可见，在本实施例中，通过控制第一控制引导功能信号源和第二控制引导功能信号源的高低电平，就可以控制该控制引导功能发生电路的输出端的输出的信号，用光耦合模块可以同时实现产生控制引导功能信号和彻底断开控制引导功能发生电路两个功能，可以很大程度地做到元件数量少，电路简单，体积小，成本低，可靠性高。

[0080] 在一种可能的实施例中，请参阅图4，图4是本申请实施例提供的另一种控制引导功能发生电路的结构示意图。图4是在图3的基础上进一步得到的。在图3的基础上，图4所示的一种控制引导功能发生电路还包括：第一场效应管Q3和第二场效应管Q4。其中，上述第一场效应管Q3和第第二场效应管Q4替代图3中的第一三极管Q1和第二三极管Q2的作用；第一电阻R1的一端与第一发光二极管L1相连，另一端与第一场效应管Q3的漏极相连，第一场效应管Q3的源极与地相连，栅极与第二电阻R2的一端、第三电阻R3的一端相连；第四电阻R4的一端与第二发光二极管L2相连，另一端与第二场效应管Q4的漏极相连，第二场效应管Q4的源极与地相连，栅极与第五电阻R5的一端、第六电阻R6的一端相连，其余部分与图3的控制引导功能发生电路的结构相同，在此不再赘述。

[0081] 具体地，当第一控制引导功能信号源CP+输入高电平，则第一场效应管Q3的漏极和源极之间导通，从第一电源VDD输入的电流可以流过第一发光二极管L1、第一电阻R1、第一场效应管Q3达到地形成闭合回路，第一发光二极管L1可以发光；而此时若第二控制引导功能信号源CP‑输入低电平，则无法形成闭合回路，第二发光二极管L2无法导通。当第二控制引导功能信号源CP‑输入高电平，则第二场效应管Q4的漏极和源极之间导通，从第一电源VDD输入的电流可以流过第二发光二极管L2、第四电阻R4、第二场效应管Q4达到地形成闭合回路，第二发光二极管L2可以发光；而此时若第二控制引导功能信号源CP‑输入低电平，则无法形成闭合回路，第二发光二极管L2无法导通。其他部分与图3的控制引导功能发生电路的结构的相同，在此不再赘述。

[0082] 可见，在本实施例中，第一场效应管Q3和第二场效应管Q4同样可以达到高低电平情况不同通断情况不同的效果，通过控制第一控制引导功能信号源和第二控制引导功能信号源的高低电平，就可以控制该控制引导功能发生电路的输出端的输出的信号，用光耦合模块可以同时实现产生控制引导功能信号和彻底断开控制引导功能发生电路两个功能，可以很大程度地做到元件数量少，电路简单，体积小，成本低，可靠性高。

[0083] 在一种可能的实施例中，请参阅图5，图5是本申请实施例提供的另一种控制引导功能发生电路的结构示意图。图5是在图3的基础上进一步得到的。在图3的基础上，图5所示的一种控制引导功能发生电路还包括：第一绝缘栅双极型晶体管Q5，第二绝缘栅双极型晶体管Q6。其中，第一绝缘栅双极型晶体管Q5替代图3中的第一三极管Q1，第二绝缘栅双极型晶体管Q6替代图3中的第二三极管Q2。第一电阻R1的一端与第一发光二极管L1相连，另一端与第一绝缘栅双极型晶体管Q5的漏极相连，第一绝缘栅双极型晶体管Q5的源极与地相连，栅极与第二电阻R2的一端、第三电阻R3的一端相连；第四电阻R4的一端与第二发光二极管L2相连，另一端与第二绝缘栅双极型晶体管Q6的漏极相连，第二绝缘栅双极型晶体管Q6的源极与地相连，栅极与第五电阻R5的一端、第六电阻R6的一端相连，其余部分与图3的控制引导功能发生电路的结构相同，在此不再赘述。

[0084] 其中，当第一控制引导功能信号源CP+输入高电平，则第一绝缘栅双极型晶体管Q5的漏极和源极之间导通，从第一电源VDD输入的电流可以流过第一发光二极管L1、第一电阻R1、第一绝缘栅双极型晶体管Q5达到地形成闭合回路，第一发光二极管L1可以发光；而此时若第二控制引导功能信号源CP‑输入低电平，则无法形成闭合回路，第二发光二极管L2无法导通。当第二控制引导功能信号源CP‑输入高电平，则第二绝缘栅双极型晶体管Q6的漏极和源极之间导通，从第一电源VDD输入的电流可以流过第二发光二极管L2、第四电阻R4、第二绝缘栅双极型晶体管Q6达到地形成闭合回路，第二发光二极管L2可以发光；而此时若第二控制引导功能信号源CP‑输入低电平，则无法形成闭合回路，第二发光二极管L2无法导通。其他部分与图3的控制引导功能发生电路的结构的相同，在此不再赘述。

[0085] 可见，在本实施例中，第一绝缘栅双极型晶体管Q5和第二绝缘栅双极型晶体管Q6同样可以达到高低电平情况不同通断情况不同的效果，通过控制第一控制引导功能信号源和第二控制引导功能信号源的高低电平，就可以控制该控制引导功能发生电路的输出端的输出的信号，用光耦合模块可以同时实现产生控制引导功能信号和彻底断开控制引导功能发生电路两个功能，可以很大程度地做到元件数量少，电路简单，体积小，成本低，可靠性高。

[0086] 在一种可能的实施例中，请参阅图6，图6是本申请实施例提供的另一种控制引导功能发生电路的结构示意图。图6是在图3的基础上进一步得到的。在图3的基础上，图6所示的一种控制引导功能发生电路删掉了第一三极管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第二三极管Q2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6部分，由第一控制引导功能信号源CP+和第二控制引导功能信号源CP‑输入高电平或低电平控制第一发光二极管L1和第二发光二极管L2的通断，进而达到控制发光二极管的作用。

[0087] 其中，第一发光二极管L1的一端与第一电源VDD相连，第一发光二极管L1的另一端与第一控制引导功能信号源CP+相连，当第一控制引导功能信号源CP+输入高电平，则第一发光二极管L1不导通，当第一控制引导功能信号源CP+输入低电平，则第一发光二极管L1导通，第一发光二极管L1发光。第二发光二极管L2的一端与第一电源VDD相连，第二发光二极管L2的另一端与第一控制引导功能信号源CP+相连，当第一控制引导功能信号源CP+输入高电平，则第二发光二极管L2不导通，当第二控制引导功能信号源CP+输入低电平，则第二发光二极管L2导通，第二发光二极管L2发光。其他部分与图3的控制引导功能发生电路的结构的相同，在此不再赘述。

[0088] 可见，在本实施例中，直接通过第一控制引导功能信号源和第二控制引导功能信号源输入的高低电平控制二极管通断，达到可以节省元器件成本，电路更加简单。

[0089] 在一种可能的实施例中，请参阅图7，图7是本申请实施例提供的另一种控制引导功能发生电路的结构示意图。图7是在图3的基础上进一步得到的。在图3的基础上，图7所示的一种控制引导功能发生电路还包括：第一氮化镓晶体管F5、第二氮化镓晶体管F6。其中第一氮化镓晶体管F5替代了图3中的第一光耦合场效应管F1、第二光耦合场效应管F2，第二氮化镓晶体管F6替代了图3中的第三光耦合场效应管F3、第四光耦合场效应管F4。其中，第一氮化镓晶体管F5的漏极与第二电源V2相连，第一氮化镓晶体管F5的源极与第七电阻相连，第二氮化镓晶体管F6的源极与第三电源V3相连，第二氮化镓晶体管F6的漏极与第八电阻的一端相连。其他结构与图3中一种控制引导功能发生电路的结构相同，在此不再赘述。

[0090] 其中，第一氮化镓晶体管F5、第二氮化镓晶体管F6也可以为P沟道型场效应管。

[0091] 其中，所述第一氮化镓晶体管F5、第二氮化镓晶体管F6具有双向阻断作用，即第一氮化镓晶体管F5、第二氮化镓晶体管F6漏极‑源极无寄生体二极管，在不给栅源极驱动电压时，外部信号不可流入第一氮化镓晶体管F5、第二氮化镓晶体管F6。

[0092] 其中，当第一控制引导功能信号源CP+产生高电平信号，则第一发光二极管L1可以发光，则第一氮化镓晶体管F5的栅极可以收到高电平信号，由第二电源V2输入的电流可以从第一氮化镓晶体管F5的漏极流向源极，由控制引导功能发生电路的输出端CP输出由第二电源V2输入的电压。而此时若第二控制引导功能信号源CP‑输入低电平，则第二控制子模块无法形成闭合回路，第二发光二极管L2无法导通，则第二氮化镓晶体管F6无法导通。

[0093] 其中，当第二控制引导功能信号源CP‑产生高电平信号，则第二发光二极管L2可以发光，则第二氮化镓晶体管F6的栅极收到高电平信号，由第三电源V3输入的电流可以从第二氮化镓晶体管F6的漏极流向源极，由控制引导功能发生电路的输出端CP输出由第三电源V3输入的电压。而此时若第一控制引导功能信号源CP‑输入低电平，则第一控制子模块无法形成闭合回路，第一发光二极管L1无法导通，则第一氮化镓晶体管F5无法导通。

[0094] 其中，当第一控制引导功能信号源CP+和第二控制引导功能信号源CP‑都输入所述低电平信号，则第二发光二极管L2和第一发光二极管L1都不导通，无法产生所述电信号，进而第一氮化镓晶体管F5、第二氮化镓晶体管F6都不导通，则控制引导功能发生电路的输出端CP无法输出信号，为高阻抗状态。

[0095] 其中，当第一控制引导功能信号源CP+产生高电平信号，第一发光二极管L1可以发光，则第二电源V2输入的电流可以从第一氮化镓晶体管F5的漏极流向源极，通过第七电阻R7分压后到达控制引导功能发生电路的输出端CP，再由控制引导功能发生电路的输出端CP输出由第二电源V2输入的电压。而同时，当第二控制引导功能信号源CP‑产生高电平信号，第二发光二极管L2可以发光，则第三电源V3输入的电流可以从第二氮化镓晶体管F6的漏极流向源极，通过第八电阻R8分压后到达控制引导功能发生电路的输出端CP，再由控制引导功能发生电路的输出端CP输出由第三电源V3另一端输入的电压。但是，由于电源两级电压相反，且电流总是从正极流向负极，所以，电流流向可以为从第二电源V2流向第三电源V3，且在控制引导功能发生电路的输出端CP的两端具有对称结构，第七电阻R7和第八电阻R8相同，所以在控制引导功能发生电路的输出端CP输出0V。

[0096] 可见，在本实施例中，通过使用第一氮化镓晶体管F5和第二氮化镓晶体管F6，一个氮化镓晶体管可以替代一组背靠背晶体管，可以使电路更加简单，节省了成本。

[0097] 在一种可能的实施例中，请参阅图8，图8是本申请实施例提供的另一种控制引导功能发生电路的结构示意图。图8是在图3的基础上进一步得到的。在图3的基础上，图8所示的一种控制引导功能发生电路将第七电阻R7放置于与电源一端相连，第七电阻R7另一端与第一光耦合场效应管F1相连，将第八电阻R8放置于与电源另一端相连，第八电阻R8另一端与第四光耦合场效应管F4相连。其他结构均与图3结构相同，在此不做具体描述。

[0098] 可见，在本实施例中，可以省掉驱动电平转换电路，简化电路降低成本，减少元件数量，提高可靠性，通过光耦合模块可以同时实现产生控制引导功能信号和彻底断开控制引导功能发生电路两个功能，可以很大程度地做到元件数量少，电路简单，体积小，成本低，可靠性高。需要说明的是，对于前述的各申请实施方式，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施方式均属于可选实施方式，所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必须的。

[0099] 在上述实施方式中，对各个实施方式的描述都各有侧重，某个实施方式中没有详述的部分，可以参见其他实施方式的相关描述。

[0100] 在本申请所提供的几个实施方式中，应该理解到，所揭露的装置，可通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施方式仅仅是示意性的，例如所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。

[0101] 另外，在本申请各个实施方式中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件程序模块的形式实现。

[0102] 所述集成的单元如果以软件程序模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储器中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储器中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本申请各个实施方式所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储器包括：U盘、只读存储器(ROM，Read‑Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

[0103] 本领域普通技术人员可以理解上述实施方式的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储器中，存储器可以包括：闪存盘、只读存储器(英文：Read‑Only Memory，简称：ROM)、随机存取器(英文：Random Access Memory，简称：RAM)、磁盘或光盘等。

[0104] 以上对本申请实施方式进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。