技术领域
[0001] 本申请实施例涉及电池充放电控制的技术领域，尤其涉及一种光储机BMS充放电控制方法、装置、设备及存储介质。
相关背景技术
[0002] 汽车或者机械设备中的电池包放电后不及时充电会使其内部活性物质永久失去活性，发生不可逆化学反应。一般正常充电多以8小时或者10小时充电率恒流进行充电，或采用传统的三段式、多段式充电模式，充电所需时间较长，充电效率较低，且无法在电池末端充电保护电池，很容易引发电池包过热、甚至爆炸等现象，给使用者带来安全隐患。
[0003] 针对这个问题，目前用过实时估算各电芯的剩余电量(State of Charge，SOC)，并根据SOC有规律地控制充电电流的大小。当部分电芯的SOC为100％时，该部分电芯的MOS管关闭，停止充电，剩余各电芯继续充电，直到电量最低的电芯的SOC不小于97％，才停止充电。该方法能够在电池末端充电保护电池，提高电池的工作性能，延长电池的使用寿命；但是只是简单的设定了单体电芯不同电压等级的充电电流大小，设定时所依据的因素较为单一，同时剩余电芯在等待电量最低的电芯SOC不小于97％这一充电过程中，很容易造成过充，带来安全隐患。
[0004] 或者采用自适应方式，对电池进行预充电以获得电池的最大电压值，并根据最大电压值以及电池状态信息实时确定每一充电时刻的充电电流，采用大充电电流连续对电池进行充电，能充分激发电池的活性物质，短时间内把电池充满，提高充电速度，减少充电时间，提高充电效率；若由于计算的不准确性造成充电电流连续超过电池的最大可接受充电电流，将引发电池包过热、甚至爆炸等现象，带来安全隐患。
具体实施方式
[0096] 为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0097] 本申请实施例中的用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思，并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。此外，附图中的不同元件和区域只是示意性示出，因此本申请不限于附图中示出的尺寸或距离。
[0098] 为便于对本申请实施例的理解，下面将结合附图以具体实施例做进一步的解释说明，实施例并不构成对本申请实施例的限定。
[0099] 电池管理系统(Battery Management System，BMS)是电池与用户之间的纽带，主要对象是电池。
[0100] 剩余电量(State of Charge，SOC)估算法是指对动力电池当前剩余电量进行估算的方法。
[0101] 图1为本申请实施例提供的一种光储机BMS充放电控制方法的流程示意图。应用于光储机BMS充放电控制过程中。根据图1提供的示图，光储机BMS充放电控制方法的步骤具体包括：
[0102] S101、获取光储机中的目标参数，目标参数用于表征当前光储机的电流、电压、温度参数。
[0103] 本申请应用于光储机BMS充放电控制过程。通过采集光储机中电池包的温度参数和电压参数，按照设定的电压限流逻辑、温度限流逻辑分别进行分析得到对应的参考电流，再根据当前处于充电模式还是放电模式，选择参考电流中的最小限流值，在与光储机中储能模块中允许的最大电流比较，选择安全电流，实现不同的温度、电压、压差等级设定不同的充放电电流，得到缩短充电时间，提高充电效率的技术效果。
[0104] 这里说的目标参数可以理解为采集到的光储机中的工作电流、电池包的温度、电压等参数。
[0105] 进一步地，在光储机BMS充放电电路结构中，首先通过检测电路或传感器采集光储机BMS充放电电路中的工作电流、电池包的温度和电压等数据参数，为下一步分析当前电路中电池包的充放电状态提供参考数据。
[0106] S102、根据目标参数与预先设定的参数阈值的大小关系，确定光储机对应的目标参考电流。
[0107] 这里说的参考阈值可以理解为预先设定的比较数据，用于限定目标参数是否处于正常范围的依据。这里说的目标参考电流可以理解为光储机BMS充放电电路中安全工作电流。
[0108] 进一步地，根据采集到的目标参数，分别对每一个目标参数因子进行分析，判断目标参数因子是否处于设定的安全范围，将判断结果选出一个安全的参考电流，多个目标参数因子对应多个参考电流，将多个参考电流作为目标参考电流。
[0109] S103、判断目标参考电流与光储机中储能模块设定的额定电流是否满足设定条件，得到对应的判断结果。
[0110] 这里说的额定电流可以理解为光储机BMS充放电电路中的储能模块允许的最大工作电流。这里说的判断结果可以理解为目标参考电流与额定电流的比较结果。
[0111] 进一步地，首选选择目标参考电流中最小的参考电流与光储机中储能模块设定的额定电流进行比较，得到比价结果，为下一步选择安全工作电流提供参考。
[0112] S104、根据判断结果确定对应的目标控制电流。
[0113] 这里说的目标控制电流可以理解为经过比较得到的光储机的安全工作电流。
[0114] 进一步地，在最小参考电流小于额定电流时，表征选择的最小参考电流属于最小限流值，将最小参考电流作为目标控制电流；在最小参考电流大于额定电流时，表征选择的最小参考电流超出最大安全工作电流，将额定电流作为目标控制电流。
[0115] S105、基于目标控制电流执行对光储机的充放电控制。
[0116] 进一步地，在选择好安全工作电流后，通过光储机BMS充放电电路中的主控芯片MCU发送驱动指令，使得电池包的工作电流处于目标控制电流，实现不同的温度、电压、压差等级设定不同的充放电电流，得到缩短充电时间，提高充电效率的技术效果。
[0117] 本申请实施例提供的光储机BMS充放电控制方法，通过获取光储机中的目标参数，目标参数用于表征当前光储机的电流、电压、温度参数；根据目标参数与预先设定的参数阈值的大小关系，确定光储机对应的目标参考电流；判断目标参考电流与光储机中储能模块设定的额定电流是否满足设定条件，得到对应的判断结果；根据判断结果确定对应的目标控制电流；基于目标控制电流执行对光储机的充放电控制。根据采集各电芯的电压和电池包的温度，分别分析充放电控制过程中的温差限流逻辑、温度限流逻辑、电压限流逻辑，根据限流逻辑取最小限流值作为最终限流值，将最终限流值与储能模块允许的最大充放电电流值进行比较，得到安全的充放电电流。由本方案，可以实现不同的温度、电压、压差等级设定不同的充放电电流，得到缩短充电时间，提高充电效率的技术效果。
[0118] 图2为本申请实施例提供的另一种光储机BMS充放电控制方法的流程示意图。图2是在上一种实施例的基础上进行介绍的。根据图2提供的示图，光储机BMS充放电控制方法的步骤具体还包括：
[0119] S201、利用采样电路获取光储机中电池包的电压参数，以及获取电池包中的充电温度参数、放电温度参数、最高温度参数和最低温度参数。
[0120] S202、利用电流采样电路获取光储机的当前的工作电流参数。
[0121] S203、将最高温度参数与最低温度参数的差值作为电池包的温差参数。
[0122] S204、将电压参数、温差参数、工作电流参数、充电温度参数和放电温度参数作为光储机的目标参数。
[0123] 在一种可能的示例场景中，图3为现有技术中一种光储机BMS充放电控制电路的结构示意图。图4为现有技术中一种光储机BMS充放电控制电路的BMS模块的结构示意图。根据图3为智能光储机系统的一部分，实现对电池组(5)的保护，电路可通过交流220V(1)进行充电，由双向逆变电源模块(2)将220V电压转换为48V，同时可通过光伏板(6)和MPPT模块(7)利用太阳能进行充电，储能DCDC模块(3)进行充放电控制，BMS模块(4)根据电池包状态发送充电控制信号标志位或放电控制信号标志位，当电池包(5)电量足够供应负载时，光伏组件(6、7)产生的电量可通过双向逆变电源模块(2)反馈给电网。
[0124] 如图4所示，BMS板块主要进行电池包(5)状态的监测，并向DCDC模块(9)发送充电控制标志位或放电控制标志位，电压与温度采样电路(11)将电池包温度及各电芯的电压通过SPI通信电路(12)传输给主控芯片MCU控制模块(13)，绝缘检测电路(16)用于判断整机金属外壳是否绝缘，电流采集电路(17)进行电路总电流的采集，并结合电池包电压、温度进行剩余电量SOC估算，将电流与SOC估算结果发送至MCU控制模块(13)，MCU控制模块(13)进行充放电及充放电电流大小逻辑判断，充放电控制信号通过CAN通信电路(10)实现MCU控制模块(13)与储能DCDC模块(9)之间的发送与接收，MOS开关驱动电路(14)用于驱动充放电控制电路(15)的通断，在选定安全工作电流后通过驱动MOS开关驱动电路(14)内部导通为电池包充电或放电。
[0125] 结合图3和图4提供的示图，首先通过光储机BMS充放电电路中的采集电路或者传感器，采集电池包中的温度参数、电压参数和电流参数，通过采集到的最高温度参数和最低温度参数得到温差参数，以及采集充电时的温度参数和放电时的温度参数，得到电池包中的充电温度参数、放电温度参数，进而得到目标参数，为下一步分析安全工作电流提供参考数据。
[0126] S205、根据目标参数中的温差参数与预先设定的温差保护阈值的大小关系，确定光储机对应的第一参考电流。
[0127] S206、根据目标参数中的充电温度参数与预先设定的充电温度限流阈值的大小关系，确定光储机对应的第二参考电流。
[0128] S207、根据目标参数中的电压参数与预先设定的电压限流阈值的大小关系，确定光储机对应的第三参考电流。
[0129] S208、根据目标参数中的放电温度参数与预先设定的放电温度限流阈值的大小关系，确定光储机对应的第四参考电流。
[0130] 进一步地，在利用设定的逻辑分析过程分别进行温差限流逻辑分析、充电温度限流逻辑分析、电压限流逻辑分析和放电温度限流逻辑分析。通过温差限流逻辑分析得到一个安全工作电流作为第一参考电流；通过充电温度限流逻辑分析得到一个安全工作电流作为第二参考电流；通过电压限流逻辑分析得到一个安全工作电流作为第三参考电流；通过放电温度限流逻辑分析得到一个安全工作电流作为第四参考电流。为下一步确定目标控制电流提供分析数据。
[0131] S209、根据目标参考电流确定充电标志位的值和放电标志位的值。
[0132] S210、当充电标志位的值为1时，确定光储机进入充电控制进程。
[0133] S211、当放电标志位的值为1时，确定光储机进入放电控制进程。
[0134] 这里说的充电标志位用于标记当前光储机处于充电状态。这里说的放电标志位用于标记当前光储机处于放电状态。
[0135] 进一步地，在分析完每个限流逻辑中的参考电流后，光储机BMS充放电电路中的主控芯片MCU通过得到的各个限流逻辑分析得到的参考电流来发送充电标志位和放电标志位，当充电标志位的值为1，光储机进入充电控制进程，当放电标志位的值为1光储机进入充电控制进程。
[0136] S212、在储机进入充电控制进程时，对第一参考电流、第二参考电流和第三参考电流进行比较。
[0137] S213、将第一参考电流、第二参考电流和第三参考电流中的最小值作为最小参考电流。
[0138] S214、判断最小参考电流是否大于光储机中储能模块设定的额定电流，得到对应的判断结果。
[0139] S215、当最小参考电流小于额定电流时，得到对应的判断结果为第一判断结果。
[0140] S216、当最小参考电流大于额定电流时，得到对应的判断结果为第二判断结果。
[0141] 进一步地，在光储机处于充电电控制进程时，首先对限流逻辑分析中得到的第一参考电流、第二参考电流和第三参考电流进行比较，选出最小值作为最小参考电流，再将选出的最小参考电流与光储机中储能模块设定的额定电流进行比较，当最小参考电流小于额定电流时，得到对应的判断结果为第一判断结果，当最小参考电流大于额定电流时，得到对应的判断结果为第二判断结果，将第一判断结果或者第二判断结果作为选定目标控制电流的参考依据。
[0142] S217、在储机进入放电控制进程时，判断第四参考电流是否大于光储机中储能模块设定的额定电流，得到对应的判断结果。
[0143] S218、当第四参考电流小于额定电流时，得到对应的判断结果为第三判断结果。
[0144] S219、当第四参考电流大于额定电流时，得到对应的判断结果为第四判断结果。
[0145] 进一步地，在光储机处于放电电控制进程时，首先对限流逻辑分析中放电温度参数是否处于正常范围得到的第四参考电流与光储机中储能模块设定的额定电流进行比较，当第四参考电流小于额定电流时，得到对应的判断结果为第三判断结果，当第四参考电流大于额定电流时，得到对应的判断结果为第四判断结果。
[0146] S220、在判断结果为第一判断结果时，确定目标控制电流为最小参考电流。
[0147] S221、在判断结果为第二判断结果时，确定目标控制电流为储能模块的额定电流。
[0148] 根据第一判断结果可以知道当前最小参考电流没有超出最大允许电流，为了安全限流，选定最小参考电流作为最终充电电流；根据第二判断结果可以知道当前最小参考电流超出最大允许电流，为了安全限流，选定额定电流作为最终充电电流，保证电池包充电安全。
[0149] S222、在判断结果为第三判断结果时，确定目标控制电流为光储机的第四参考电流。
[0150] S223、在判断结果为第四判断结果时，确定目标控制电流为储能模块的额定电流。
[0151] 根据第三判断结果可以知道当前第四参考电流没有超出最大允许电流，为了安全限流，选定第四参考电流作为最终放电电流；根据第四判断结果可以知道当前第四参考电超出最大允许电流，为了安全限流，选定额定电流作为最终放电电流，保证电池包放电安全。
[0152] S224、基于目标控制电流执行对光储机的充放电控制。
[0153] 进一步地，根据选定的目标控制电流对光储机开启充电或者放电控制，实现不同的温度、电压、压差等级设定不同的充放电电流，得到缩短充电时间，提高充电效率的技术效果。
[0154] 本申请实施例提供的一种光储机BMS充放电控制方法，通过采集包含电压参数、充电温度参数、放电温度参数和温差参数得到目标参数，在通过设定的限流逻辑分析手段，分析每一个参数是否处于正常范围内，选定一个对应参数的参考电流，进而得到4个参考电流；在根据MUC分析逻辑判断结果发送放电标志位或者充电标志位，进而确定光储机进行充电控制还是放电控制，在充电过程中，通过选择电压参数、充电温度参数、温差参数得到的三个参考电流中的最小值，并将最小值与储能模块的额定电流比较，选择二者中小的值作为目标控制电流，执行充电控制；在放电过程中，通过第一参考电流与储能模块的额定电流比较，选择二者中小的值作为目标控制电流，执行放电控制，进而实现不同的温度、电压、压差等级设定不同的充放电电流，得到缩短充电时间，提高充电效率的技术效果。
[0155] 图5为本申请实施例提供的又一种光储机BMS充放电控制方法的流程示意图。图5是在第一种实施例的基础上进行介绍的。根据图5提供的示图，光储机BMS充放电控制方法的步骤具体还包括：
[0156] S501、利用采样电路获取光储机中电池包的电压参数，以及获取电池包中的充电温度参数、放电温度参数、最高温度参数和最低温度参数。
[0157] S502、利用电流采样电路获取光储机的当前的工作电流参数。
[0158] S503、将最高温度参数与最低温度参数的差值作为电池包的温差参数。
[0159] S504、将电压参数、温差参数、工作电流参数、充电温度参数和放电温度参数作为光储机的目标参数。
[0160] 首先通过光储机BMS充放电电路中的采集电路或者传感器，采集电池包中的温度参数、电压参数和电流参数，通过采集到的最高温度参数和最低温度参数得到温差参数，以及采集充电时的温度参数和放电时的温度参数，得到电池包中的充电温度参数、放电温度参数，进而得到目标参数，为下一步分析安全工作电流提供参考数据。
[0161] S505、基于电压参数、工作电流参数、充电温度参数和放电温度参数进行剩余电量SOC估算处理，得到SOC估算结果。
[0162] S506、计算电池包中最大电压值与最小电压值的差值，得到电池包的压差参数。
[0163] S507、基于压差参数和SOC估算结果对电池包的充电过程进行均衡处理。
[0164] 在得到目标参数后，首先计算剩余电量得到SOC估算结果，在SOC估算结果达到设定值时，表征光储机不需要进行充放电控制；在SOC估算结果未达到设定值时，在根据电池包中每一个电芯的电压大小进行比较，得到最大电压和最小电压的压差参数，在压差参数处于安全范围内时，执行对光储机的充放电控制；在压差参数超出安全范围时，关闭充放电控制，及时报警。
[0165] S508、根据目标参数中的温差参数与预先设定的温差保护阈值的大小关系，确定光储机对应的第一参考电流。
[0166] 根据温差参数制定温差限流逻辑分析过程，具体逻辑分析实现步骤如下：
[0167] 步骤11：当温差参数小于设定的第一温差保护阈值时，确定光储机对应的第一参考电流为电池包中电芯的峰值电流，峰值电流为电芯中允许的最大电流。
[0168] 步骤12：当温差参数等于第一温差保护阈值时，确定第一参考电流为电池包中电芯的二分之一峰值电流。
[0169] 步骤13：当温差参数等于第一温差保护阈值+1时，确定第一参考电流为电池包中电芯的八分之三峰值电流。
[0170] 步骤14：当温差参数等于第一温差保护阈值+2时，确定第一参考电流为电池包中电芯的四分之一峰值电流。
[0171] 步骤15：当温差参数等于第一温差保护阈值+3时，确定第一参考电流为电池包中电芯的八分之一峰值电流。
[0172] 步骤16：当温差参数大于或等于设定的第二温差保护阈值时，确定第一参考电流为零，第一温差保护阈值小于第二温差保护阈值，且第一温差保护阈值与第二温差保护阈值的差值为4。
[0173] 根据设定的2个温差保护阈值进行比较，判断温差参数属于哪一种范围内，进而确定对应的第一参考电流。在温差参数超出安全范围时，直接将参考电流设置为0，保证电路安全。
[0174] 在一种可能的示例场景中，采用两路感温包采集电池包温度，并进行温差保护，设定第一保护阈值和第二保护阈值，且两阈值相差4℃。当温差参数小于第一阈值时，设定当前工作电流为电芯允许的最大电流IMAX；当温差参数等于第一阈值时，设定当前工作电流为1/2IMAX；当温差参数等于第一阈值+1时，设定当前工作电流为3/8IMAX；当温差参数等于第一阈值+2时，设定当前工作电流为1/4IMAX；当温差参数等于第一阈值+3时，设定当前工作电流为1/8IMAX；当温差参数大于等于第二阈值时，设定当前工作电流为0。
[0175] S509、根据目标参数中的充电温度参数与预先设定的充电温度限流阈值的大小关系，确定光储机对应的第二参考电流。
[0176] 根据充电温度参数制定温差限流逻辑分析过程，具体逻辑分析实现步骤如下：
[0177] 步骤21：当充电温度参数大于设定的充电欠温保护阈值，且小于设定的充电过温保护阈值时，确定充电温度参数在设定温度允许范围内时的第二参考电流。
[0178] 步骤22：当充电温度参数小于设定的第一充电温度限流阈值且大于充电欠温保护阈值时，确定第二参考电流为电池包中电芯的二分之一峰值电流。
[0179] 步骤23：当充电温度参数大于第一充电温度限流阈值，且小于设定的第二充电温度限流阈值时，确定第二参考电流为电池包中电芯的峰值电流，第一充电温度限流阈值小于第二充电温度限流阈值。
[0180] 步骤24：当充电温度参数大于第二充电温度限流阈值且小于充电过温保护阈值时，确定第二参考电流为电池包中电芯的二分之一峰值电流。
[0181] 步骤25：当充电温度参数超出设定温度允许范围时，确定第二参考电流为零。
[0182] 根据设定的2个充电温度限流阈值进行比较，判断充电温度参数属于哪一种范围内，进而确定对应的第二参考电流。在充电温度参数超出安全范围时，直接将参考电流设置为0，保证电路安全。
[0183] 在一种可能的示例场景中，温度越低，电池活性越低，无法承受大电流，因此，在设定温度的允许范围内为【0℃，60℃】，当充电温度参数属于【0℃，15℃】时，设定当前工作电流为1/2IMAX；当充电温度参数属于(15℃，45℃】时，设定当前工作电流为电芯允许的最大电流IMAX，当充电温度参数属于(45℃，60℃】，设定当前工作电流为1/2IMAX；当充电温度参数超出允许范围，即充电温度小于0℃或者大于60℃时，设定工作电流为0。
[0184] S510、根据目标参数中的电压参数与预先设定的电压限流阈值的大小关系，确定光储机对应的第三参考电流。
[0185] 根据电压参数制定温差限流逻辑分析过程，具体逻辑分析实现步骤如下：
[0186] 步骤31：当电压参数大于欠压保护阈值，且小于过压保护阈值时，确定电压参数在设定电压允许范围内时的第三参考电流。
[0187] 步骤32：当电压参数小于设定的第一电压限流阈值且大于欠压保护阈值时，确定第三参考电流为电池包中电芯的峰值电流。
[0188] 步骤33：当电压参数大于第一电压限流阈值，且小于设定的第二电压限流阈值时，确定第三参考电流为电池包中电芯的二分之一峰值电流，第一电压限流阈值小于第二电压限流阈值。
[0189] 步骤34：当电压参数大于第二电压限流阈值且小于过压保护阈值时，确定第三参考电流为电池包中电芯的四分之一峰值电流。
[0190] 步骤35：当电压参数超出设定电压允许范围时，确定第三参考电流为零。
[0191] 根据设定的2个电压限流阈值进行比较，判断电压参数属于哪一种范围内，进而确定对应的第三参考电流。在电压参数超出安全范围时，直接将参考电流设置为0，保证电路安全。
[0192] 在一种可能的示例场景中，在电压的量程范围设定为【2.5V，3.65V】，设定标称电压的第一电压限流阈3.2V，当电压参数属于【2.5V，3.2V】时，设定当前工作电流为电芯允许的最大电流IMAX，当电压参数大于标称电压的第一电压限流阈值，且小于最大电压VMAX‑500mV，例如范围(3.2V，3.60V)，设定当前工作电流为1/2IMAX，当前电压参数大于最大电压VMAX‑500mV，例如范围(3.60V，3.65V)，设定当前工作电流为1/4IMAX，当电压参数不在量程范围内时，即电压参数超出(2.5V，3.65V)范围内时，设定工作电流为0。
[0193] S511、根据目标参数中的放电温度参数与预先设定的放电温度限流阈值的大小关系，确定光储机对应的第四参考电流。
[0194] 根据放电温度参数制定温差限流逻辑分析过程，具体逻辑分析实现步骤如下：
[0195] 步骤41：当放电温度参数大于放电欠温保护阈值，且小于放电过温保护阈值时，确定放电温度参数在设定温度允许范围内时的第四参考电流。
[0196] 步骤42：当放电温度参数小于设定的第一放电温度限流阈值且大于放电欠温保护阈值时，确定第四参考电流为电池包中电芯的四分之一峰值电流。
[0197] 步骤43：当放电温度参数大于第一放电温度限流阈值，且小于设定的第二放电温度限流阈值时，确定第四参考电流为电池包中电芯的二分之一峰值电流。
[0198] 步骤44：当放电温度参数大于第二放电温度限流阈值，且小于设定的第三放电温度限流阈值时，确定第四参考电流为电池包中电芯的峰值电流，第一放电温度限流阈值小于第二放电温度限流阈值，第二放电温度限流阈值小于第三放电温度限流阈值。
[0199] 步骤45：当放电温度参数大于第三放电温度限流阈值且小于放电过温保护阈值时，确定第四参考电流为电池包中电芯的四分之一峰值电流。
[0200] 步骤46：当放电温度参数超出设定的温度允许范围时，确定第四参考电流为零。
[0201] 根据设定的3个放电温度限流阈值进行比较，判断放电温度参数属于哪一种范围内，进而确定对应的第四参考电流。在放电温度参数超出安全范围时，直接将参考电流设置为0，保证电路安全。
[0202] 在一种可能的示例场景中，在放电温度的允许范围内，设定范围为【‑20℃，60℃】，当放电温度参数属于【‑20℃，‑10℃】时，设定当前工作电流为1/4IMAX；当放电温度参数属于(‑10℃，0℃】，设定当前工作电流为1/2IMAX；当放电温度参数属于(0℃，45℃】，设定当前工作电流为电芯允许的最大电流IMAX，当放电温度参数属于(45℃，60℃】，设定当前工作电流为1/4IMAX；当放电温度参数超出允许范围，设定工作电流为0。
[0203] S512、在目标参考电流为零时，判断预设时间段内目标参考电流是否恢复到工作电流。
[0204] S513、在目标参考电流恢复到工作电流时，执行根据目标参数与预先设定的参数阈值的大小关系，确定光储机对应的目标参考电流的步骤。
[0205] S514、在目标参考电流未恢复到工作电流时，启动光储机的报警处理。
[0206] 在参考电流为零时，对工作电流进行分析，判断工作电流是否再在设定时间内重新恢复工作，在未恢复时，启动系统报警，提示电池包充放电存在危险；在参考电流恢复工作电流不为零时，再次判断当前电流属于正常范围的步骤。
[0207] S515、判断目标参考电流与光储机中储能模块设定的额定电流是否满足设定条件，得到对应的判断结果。
[0208] S516、根据判断结果确定对应的目标控制电流。
[0209] S517、基于目标控制电流执行对光储机的充放电控制。
[0210] 这里说的额定电流可以理解为光储机BMS充放电电路中的储能模块允许的最大工作电流。这里说的判断结果可以理解为目标参考电流与额定电流的比较结果。
[0211] 在一种可能的示例场景中，图6为本申请实施例提供的再一种光储机BMS充放电控制方法的流程示意图。根据图6提供的示图，光储机BMS充放电电路得电后进行初始化任务，随后进行绝缘检测、充电控制、AFE芯片自检等自检任务，自检完成后若无异常则进行正常运行模式，进行电压、温度、电流、电池包状态的采集及SOC估算，主控芯片MCU通过判断各参数的最大值和最小值是否超出预设正常区间来发送充电标志位或放电标志位，若参数在正常区间内，则根据指令进行充放电控制，若参数超出正常区间，则进行告警或报警操作。充放电控制过程中根据温差限流逻辑、温度限流逻辑、单体电压限流逻辑以及储能DCDC模块允许的最大充放电电流选择安全充放电电流，直至不再使用或发生故障时关闭的电源。
[0212] 进一步地，首先选择目标参考电流中最小的参考电流与光储机中储能模块设定的额定电流进行比较，得到比较结果，在最小参考电流小于额定电流时，表征选择的最小参考电流属于最小限流值，将最小参考电流作为目标控制电流；在最小参考电流大于额定电流时，表征选择的最小参考电流超出最大安全工作电流，将额定电流作为目标控制电流。在选择好安全工作电流后，通过光储机BMS充放电电路中的主控芯片MCU发送驱动指令，使得电池包的工作电流处于目标控制电流，实现不同的温度、电压、压差等级设定不同的充放电电流，得到缩短充电时间，提高充电效率的技术效果。
[0213] 图7为本申请实施例提供的一种光储机BMS充放电控制装置的结构示意图。应用于光储机BMS充放电控制过程中。根据图7提供的示图，光储机BMS充放电控制装置的结构具体包括：
[0214] 获取模块71，用于获取光储机中的目标参数，目标参数用于表征当前光储机的电流、电压、温度参数。
[0215] 目标参考电流确定模块72，用于根据目标参数与预先设定的参数阈值的大小关系，确定光储机对应的目标参考电流。
[0216] 判断模块73，用于判断目标参考电流与光储机中储能模块设定的额定电流是否满足设定条件，得到对应的判断结果。
[0217] 目标控制电流确定模块74，用于根据判断结果确定对应的目标控制电流。
[0218] 控制模块75，用于基于目标控制电流执行对光储机的充放电控制。
[0219] 本实施例提供的光储机BMS充放电控制装置可以是如图7中所示的光储机BMS充放电控制装置，可执行如图1‑2、5‑6中光储机BMS充放电控制方法的所有步骤，进而实现图1‑2、5‑6所示光储机BMS充放电控制方法的技术效果，具体请参照图1‑2、5‑6相关描述，为简洁描述，在此不作赘述。
[0220] 图8为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图，图8所示的电子设备800包括：至少一个处理器801、存储器802、至少一个网络接口804和其他用户接口803。电子设备800中的各个组件通过总线系统805耦合在一起。可理解，总线系统805用于实现这些组件之间的连接通信。总线系统805除包括数据总线之外，还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。但是为了清楚说明起见，在图8中将各种总线都标为总线系统805。
[0221] 其中，用户接口803可以包括显示器、键盘或者点击设备(例如，鼠标，轨迹球(trackball)、触感板或者触摸屏等。
[0222] 可以理解，本申请实施例中的存储器802可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(Read‑Only Memory，ROM)、可编程只读存储器(Programmable ROM，PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable PROM，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically EPROM，EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器(Static RAM，SRAM)、动态随机存取存储器(Dynamic RAM，DRAM)、同步动态随机存取存储器(Synchronous DRAM，SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double Data Rate SDRAM，DDRSDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(Enhanced SDRAM，ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(Synch link DRAM，SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(Direct Rambus RAM，DRRAM)。本文描述的存储器802旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
[0223] 在一些实施方式中，存储器802存储了如下的元素，可执行单元或者数据结构，或者他们的子集，或者他们的扩展集：操作系统8021和应用程序8022。
[0224] 其中，操作系统8021，包含各种系统程序，例如框架层、核心库层、驱动层等，用于实现各种基础业务以及处理基于硬件的任务。应用程序8022，包含各种应用程序，例如媒体播放器(Media Player)、浏览器(Browser)等，用于实现各种应用业务。实现本申请实施例方法的程序可以包含在应用程序8022中。
[0225] 在本申请实施例中，通过调用存储器802存储的程序或指令，具体的，可以是应用程序8022中存储的程序或指令，处理器801用于执行各方法实施例所提供的方法步骤，例如包括：
[0226] 获取光储机中的目标参数，目标参数用于表征当前光储机的电流、电压、温度参数；根据目标参数与预先设定的参数阈值的大小关系，确定光储机对应的目标参考电流；判断目标参考电流与光储机中储能模块设定的额定电流是否满足设定条件，得到对应的判断结果；根据判断结果确定对应的目标控制电流；基于目标控制电流执行对光储机的充放电控制。
[0227] 上述本申请实施例揭示的方法可以应用于处理器801中，或者由处理器801实现。处理器801可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器801中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器801可以是通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件单元组合执行完成。软件单元可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器802，处理器801读取存储器802中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
[0228] 可以理解的是，本文描述的这些实施例可以用硬件、软件、固件、中间件、微码或其组合来实现。对于硬件实现，处理单元可以实现在一个或多个专用集成电路(Application Specific Integrated Circuits，ASIC)、数字信号处理器(Digital Signal Processing，DSP)、数字信号处理设备(DSPDevice，DSPD)、可编程逻辑设备(Programmable Logic Device，PLD)、现场可编程门阵列(Field‑Programmable Gate Array，FPGA)、通用处理器、控制器、微控制器、微处理器、用于执行本申请所述功能的其它电子单元或其组合中。
[0229] 对于软件实现，可通过执行本文所述功能的单元来实现本文所述的技术。软件代码可存储在存储器中并通过处理器执行。存储器可以在处理器中或在处理器外部实现。
[0230] 本实施例提供的电子设备可以是如图8中所示的电子设备，可执行如图1‑2、5‑6中光储机BMS充放电控制方法的所有步骤，进而实现图1‑2、5‑6所示光储机BMS充放电控制方法的技术效果，具体请参照图1‑2、5‑6相关描述，为简洁描述，在此不作赘述。
[0231] 本申请实施例还提供了一种存储介质(计算机可读存储介质)。这里的存储介质存储有一个或者多个程序。其中，存储介质可以包括易失性存储器，例如随机存取存储器；存储器也可以包括非易失性存储器，例如只读存储器、快闪存储器、硬盘或固态硬盘；存储器还可以包括上述种类的存储器的组合。
[0232] 当存储介质中一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行，以实现上述在光储机BMS充放电控制设备侧执行的光储机BMS充放电控制方法。
[0233] 所述处理器用于执行存储器中存储的光储机BMS充放电控制程序，以实现以下在光储机BMS充放电控制设备侧执行的光储机BMS充放电控制方法的步骤：
[0234] 获取光储机中的目标参数，目标参数用于表征当前光储机的电流、电压、温度参数；根据目标参数与预先设定的参数阈值的大小关系，确定光储机对应的目标参考电流；判断目标参考电流与光储机中储能模块设定的额定电流是否满足设定条件，得到对应的判断结果；根据判断结果确定对应的目标控制电流；基于目标控制电流执行对光储机的充放电控制。
[0235] 专业人员应该还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。
专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
[0236] 结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD‑ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
[0237] 以上所述的具体实施方式，对本申请的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本申请的具体实施方式而已，并不用于限定本申请的保护范围，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
