[0001] 本公开涉及一种电子装置及其制造方法。

[0002] 四方扁平无引线(Quad Flat No‑Lead，QFN)封装可包含额外金属层以提供电磁屏蔽。然而，电磁屏蔽的效果不令人满意，使得QFN封装中的装置可能受到来自环境的不希望的电磁波的严重影响。此外，额外金属层的形成将增加制造复杂性和成本。

[0022] 贯穿图式和详细描述使用共同参考数字来指示相同或类似组件。本公开的实施例将容易从结合附图进行的以下详细描述理解。

[0023] 以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的多个不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例以解释本公开的某些方面。当然，这些组件和布置仅为实例
且并不希望是限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或上形成可包含第一特征和第二特征直接接触地形成或安置的实施例，且还可包含额外特征可在第一特
征与第二特征之间形成或安置以使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。另外，
本公开可在各种实例中重复参考标号及/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的且本身
并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

[0024] 图1示出根据本公开的一些实施例的电子装置1的仰视图。电子装置1可包含载体(或导电基底、旗标、引线框)10、电子组件11、一或多个引线12、一或多个布线13、一或多个系杆(或一或多个连接元件)14，和囊封物15。载体10、引线12和系杆14可共同称作导电结
构。

[0025] 载体10可支撑电子组件11。载体10可与引线12分离。载体10可连接到系杆14。载体10可由囊封物15覆盖或囊封。载体10可包含金属或金属合金，例如铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)或其合金。

[0026] 电子组件11可安置于载体10的表面上。电子组件11可通过布线13电连接到引线的一部分。在一些实施例中，电子组件11经配置以通过引线12电连接到外部衬底，例如印刷电路板(PCB)(未示出)。电子组件11可由囊封物15覆盖或囊封。电子组件11可包含半导体裸
片。在一些实施例中，电子组件11可包含一或多个处理元件，以及电连接到处理元件的一或多个存储器元件。处理元件和存储器元件可从单片式处理单元(例如，CPU、MPU、GPU、MCU、ASIC等)划分或来源于所述单片式处理单元。在一些实施例中，处理元件可为CPU小芯片、
MCU小芯片、GPU小芯片、ASIC小芯片等。

[0027] 引线12可与载体10间隔开。引线12可包围电子组件11或载体10。引线12可安置于电子装置1的周边的四个侧面处。引线12可安置于电子组件11的一侧处。引线12可布置为阵列。引线12可彼此间隔开。引线可具有大于其间的间距的宽度。引线12的一部分可连接到布线13。布线13可包含接合布线。引线12可通过囊封物15与系杆14间隔开。引线12可由囊封物
15覆盖或囊封。在俯视图中，引线12可具有由囊封物15覆盖的部分(或水平部分、延伸部分)
121以及从囊封物15暴露的部分(或竖直部分)122。部分121连接到部分122。部分121可具有足以用于附接到布线13的表面区域。

[0028] 布线13的一部分可电连接到载体10和引线12的一部分以从引线12向载体10施加电压。所述电压可为接地或参考电压。

[0029] 系杆14可安置于电子装置1的四个拐角处。系杆14中的一个可安置在安置于电子装置1的周边的不同侧面处的两个引线12之间。系杆14可具有在邻近的两个引线12之间的
表面(或上部表面)14a1。此两个引线12可具有不同于其它引线的大体上三角形形状。系杆
14可经配置以在形成囊封物15之前支撑载体10和附接到载体10的电子组件11。在俯视图
中，系杆14可具有由囊封物15覆盖的部分141(或连接部分)和从囊封物15暴露的部分142
(或细长部分)。系杆14可通过载体10连接到电子组件11。系杆14的部分141可连接到载体10的拐角或边缘。系杆14可直接接触载体10。

[0030] 系杆14的部分142可带有具有叉形形状的末端14e。末端14e可具有经配置以锁定系杆14和囊封物15的闩锁结构(为简洁起见指示为数字14e)。引线12的部分122可具有末端
12e。系杆14的部分142的末端14e可比引线12的部分122的末端12e更接近载体10。

[0031] 引线12或系杆14可包含金属或金属合金，例如铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)或其合金。在一些实施例中，载体10、引线12和系杆14可一体形成。特定来说，可通过将载体10部分蚀刻成预定厚度来形成引线12和系杆14。部分蚀刻可包含半蚀刻。

[0032] 囊封物15可包括包含填充剂的环氧树脂、模制化合物(例如，环氧模制化合物或其它模制化合物)、聚酰亚胺、酚化合物或材料、包含分散在其中的硅树脂的材料，或其组合。

[0033] 图1A示出根据本公开的一些实施例的电子装置1的俯视图。俯视图指示与仰视图相反的视角。俯视图和仰视图可为可互换的。如图1A所示，在俯视图中引线12的部分121可从囊封物15暴露，且在俯视图中系杆14的部分141可从囊封物15暴露。系杆14可包含在部分
141与142之间的闩锁结构143。载体10可具有从囊封物15暴露的表面(或上部表面、顶部表
面)10a1，其与支撑电子组件11的表面10a2相对。载体10的一部分可由囊封物15暴露。

[0034] 图1B示出根据本公开的一些实施例的电子装置(或电子装置1)的横截面图。图1B可为沿着图1A的线1B‑1B'的横截面。

[0035] 如图1B所示，电子组件11可具有面对引线12的横向表面11s。电子组件11可安置于载体10下方。电子组件11可通过粘合剂层11a附接到载体10的表面10a2。粘合剂层11a可与
载体10的表面10a2或电子组件11的电极(未示出)接触。粘合剂层11a可有利于从电子组件
11到载体10的热耗散。此外，粘合剂层11a可包含导电材料，例如银(Ag)、镍(Ni)、铜(Cu)、石墨或另一合适的替代物。电子组件11可通过具有其导电性质的粘合剂层11a电连接到载体
10。在一些实施例中，电子组件11经配置以通过载体10电连接到外部衬底，例如印刷电路板(PCB)(未示出)。

[0036] 载体10和引线12可界定用于容纳电子组件11的碗形状结构。引线12的部分121可邻近于电子组件11的横向表面11s。引线12(或部分121)可具有面对载体10的弯曲表面
12s1。载体10可具有面对引线12的部分121的弯曲表面12s1的弯曲表面10s。弯曲表面12s1
和弯曲表面10s可界定载体10与引线12的部分121之间的凹口(或开口)10r。囊封物15可具
有安置于凹口10r中的部分150。

[0037] 弯曲表面10s和弯曲表面12s1可具有不同曲率。在一些实施例中，引线12的弯曲表面12s1具有第一曲率且载体10的弯曲表面10s具有第二曲率。第一曲率和第二曲率具有大
体上相同的量值但具有相反的正负号。

[0038] 引线12可延伸穿过囊封物15。引线12可具有高于电子组件11的高度H2的高度H1。引线12的部分122的高度可高于载体10的高度(或厚度)H4。凹口12r的深度D1可大于载体10
的高度H4。引线12(或部分121)可具有从囊封物15暴露的表面(或上部表面、顶部表面)
12a1。引线12(或部分122)可具有与表面12a1相对且从囊封物15暴露的表面12a2。囊封物15可具有表面(或顶部表面)15s1和与表面15s1相对的表面15s2。引线12的表面12a1和囊封物
15的表面15s1可大体上共面。引线12的表面12a1可与囊封物15的表面15s1大体上对准。载
体10的表面10a1可与引线12的表面12a1大体上对准。引线12的表面12a2和囊封物15的表面
15s2可大体上共面。

[0039] 引线12可具有连接到表面12a1的弯曲表面(或上部表面)12s2。弯曲表面12s2可与弯曲表面12s1相对。弯曲表面12s2可界定凹口12r。凹口12r可从表面12a1凹入。囊封物15可具有安置于凹口12r中的部分151。换句话说，凹口12r可由部分151覆盖。在横截面中，囊封物15的部分151可与囊封物15的部分150分离。

[0040] 在一些实施例中，引线12可具有上部表面，所述上部表面具有由囊封物15覆盖的部分(即，弯曲表面12s2)和从囊封物15暴露的部分(即，表面12a1)。引线12的上部表面的部分(或弯曲表面)12s2和引线12的上部表面的部分(或表面)12a1可不共面。

[0041] 引线12(或部分122)可具有连接于表面12a2与弯曲表面12s2之间的横向表面12s3。弯曲表面12s2可在表面12a2与横向表面12s3之间延伸。横向表面12s3可从囊封物15
(或部分151)暴露。在弯曲表面12s2和横向表面12s3可在不同过程中形成的条件下，弯曲表面12s2和横向表面12s3可具有不同表面粗糙度。举例来说，弯曲表面12s2可通过蚀刻过程
形成，且横向表面12s3可通过单分过程形成。在一些实施例中，部分151可具有横向表面
15s3。引线12的部分122可从囊封物15的表面15s2和横向表面15s3暴露。引线12的横向表面
12s3和囊封物15的横向表面15s3可大体上共面。引线12的横向表面12s3可与囊封物15的横
向表面15s3大体上对准。

[0042] 在一些情况下，四方扁平无引线(QFN)封装可包含额外金属层和额外布线，所述额外布线将所述额外金属层连接到QFN封装的引线框以提供电磁屏蔽。然而，电磁屏蔽的效果不令人满意，使得QFN封装中的装置可能受到来自环境的不希望的电磁波的严重影响。在本公开中，由载体10和电子装置1的一或多个引线12界定的碗形状结构充当法拉第笼，用于将电子装置11屏蔽于环境。因此，载体10和一或多个引线12可共同经配置为用于电子组件11
的电磁屏蔽结构。载体10和引线12经配置以阻挡电子组件11与电子装置11的外部之间的电
磁波。引线12的数目和大小(或宽度)大于布线的数目和大小，这改善了电子装置1的周边中的屏蔽效果。此外，在不形成QFN封装所需要的额外金属层或布线的情况下，电子装置1的大小(或高度)可相对小。

[0043] 图1B‑1示出根据本公开的一些实施例的电子装置的另一横截面图。图1B‑1可为沿着图1A的线1B‑1B'的横截面。图1B‑1类似于图1B，且一些详细描述可参考对应前述段落且下文为了简洁性而不再重复，其间的差异如下。

[0044] 如图1B‑1所示，载体10可具有面对引线12的部分121的表面10s'。引线12可具有面对载体10的表面10s'的表面12s1'。表面10s'可为大体上平坦表面。表面12s1'可为大体上平坦表面。表面12s1'和表面10s'可界定载体10与引线12的部分121之间的凹口(或开口)
10r'。囊封物15可具有安置于凹口10r'中的部分150。

[0045] 图1C示出根据本公开的一些实施例的电子装置(例如，电子装置1)的横截面图。图1C可为沿着图1A的线1C‑1C'的横截面。

[0046] 系杆14可延伸穿过囊封物15。系杆14可具有与如图1B所示引线12的高度H1大体上相同的高度H3。系杆14的部分142的高度可高于载体10的高度H4。凹口14r的深度D2可大于
载体10的高度H3。系杆14(或部分141)可具有从囊封物15暴露的表面(或上部表面)14a1。系杆14(或部分142)可具有与表面14a1相对且从囊封物15暴露的表面14a2。系杆14的表面
14a1和引线12的表面12a1可共面。系杆14的表面14a2和引线12的表面12a2可大体上共面。
系杆14的表面14a2和囊封物15的表面15s2可大体上共面。

[0047] 部分142可从系杆14的表面14a1凹入。系杆14(或部分142)可具有与表面14a1大体上平行的表面14s1以及连接于表面14a1与表面14s1之间的表面(或侧)14s3。表面14s1可为
平坦表面。表面14s1可为弯曲表面。表面14s3可为弯曲表面。表面14s1和表面14s3可界定凹口14r。凹口14r可从表面14a1凹入。系杆14的表面14s1和引线12的弯曲表面12s2可具有大
体上相同或相似的表面粗糙度，因为它们可在同一过程中形成，例如蚀刻过程。囊封物15可具有安置于凹口14r中的部分152。换句话说，凹口14r可由部分152覆盖。表面14s1和14s3可由囊封物15覆盖。囊封物15的部分152可具有与载体10的表面10a1或系杆14的表面14a1大
体上共面的表面15s4。

[0048] 在一些实施例中，系杆14可具有上部表面，其具有由囊封物15覆盖的部分(即，表面14s1)和从囊封物15暴露的部分(即，表面14a1)。系杆14的上部表面的部分(或表面)14s1和/或14s3和系杆14的上部表面的部分(或表面)14a1可不共面。系杆14的上部表面的部分
(或表面)14s1和/或14s3可大于引线12的上部表面的部分(或弯曲表面)12s1。

[0049] 系杆14(或部分142)可具有连接于表面14a2与表面14s1之间的横向表面14s2。横向表面14s2可由囊封物15(或部分152)覆盖。在一些实施例中，部分152可具有连接到部分
152的表面15s4的横向表面15s5。横向表面15s5可与横向表面14s2大体上平行。

[0050] 系杆14可安置于电子装置1的拐角处。系杆14可为用于电子组件11的电磁屏蔽结构的部分且可改善电子装置1的屏蔽效果。系杆14经配置以阻挡电子组件11与电子装置11
的外部之间的电磁波。

[0051] 电子装置1可进一步包含安置于引线12的表面12a2上方的导电元件161、安置于引线12的表面12a1上方的导电元件162，和安置于载体10的表面10a1上方的导电元件163。导
电元件161、162和163可各自包含焊料凸块。导电元件161和162可各自包含球栅阵列。导电元件163可包含焊盘栅格阵列。在一些实施例中，在引线12的表面12a1和载体10的表面10a1上方不可安置导电元件。

[0052] 即使表面12a1、12a2和10a1可由导电元件覆盖，但将其称为从囊封物15暴露的暴露表面也是合理的。导电元件161、162和163可保护暴露表面12a1、12a2和10a1以防止其氧化。

[0053] 电子装置1可进一步包含安置于系杆14的表面14a2上方的导电元件164。导电元件161可安置于系杆14的表面14a1上方。导电元件164可包含焊料凸块。导电元件164可各自包含球栅阵列。

[0054] 即使表面14a1和14a2可由导电元件覆盖，但将其称为从囊封物15暴露的暴露表面也是合理的。导电元件161和164可保护暴露表面14a1和14a2以防止其氧化。

[0055] 图1D示出根据本公开的一些实施例的电子装置(例如，电子装置1)的横截面图。图1D可为沿着图1A的线1D‑1D'的横截面。

[0056] 如图1D所示，系杆14的上部表面14a1的面积可小于引线12的上部表面12a1的面积。特定来说，在横截面图中，系杆14的上部表面14a1的宽度W21可小于引线12的上部表面
12a1的宽度W11。引线12的上部表面12a1的面积(或宽度)被设计成大到足以用于附接布线
13。系杆14用于支撑载体10且用于界定凹口14r中的囊封物15的部分152。因此，系杆14的上部表面14a1的面积(或宽度)被设计成大于引线12的上部表面12a1的面积(或宽度)。因此，
安置于上部表面14a1上(或凹口14r中)的囊封物15的部分152的体积可较大以改善屏蔽效
果。举例来说，可增加S11参数和/或可减小S21参数。

[0057] 图1E示出根据本公开的一些实施例的电子装置(例如，电子装置1)的透视图。图1E的透视图可为电子装置1的顶部的一部分。出于阐释的目的，将囊封物15呈现为透明的。囊封物15可为不透明的。

[0058] 引线12的凹口12r可在垂直于载体10的表面10a1的方向上具有深度D1(还在图1B中示出)。系杆14的凹口14r可在垂直于载体10的表面10a1的方向上具有深度D2(还在图1C
中示出)。引线12的凹口12r的深度D1可短于系杆14的凹口14r的深度D2。引线12的凹口12r
可具有由在部分121处的弯曲表面12s2的一部分和囊封物15的横向表面15s3界定的宽度
W1。弯曲表面12s2可具有宽度W1。系杆14的凹口14r可具有由部分141的表面14s1的一部分
和囊封物15的横向表面15s3界定的宽度W2。表面14s1可具有宽度W2。系杆14的凹口14r的宽度W2可大于引线12的凹口12r的宽度W1。

[0059] 囊封物15的部分151的厚度和宽度可分别指示为引线12的凹口12r的深度D1和宽度W1。载体10、一或多个引线12和囊封物15(或部分151)可共同配置为用于电子组件11的电磁屏蔽结构。囊封物15具有介电常数为约4的材料。囊封物15的部分151覆盖引线12的弯曲
表面12s2。囊封物15的部分151可增加电磁波的反射，进而改善屏蔽效果。可增加S11参数
和/或可减小S21参数。

[0060] 此外，部分151的宽度越大，电磁波的反射将越高。然而，在部分151的宽度(例如，凹口12r的宽度)与用于布线13的部分121的着陆面积之间存在折中。大小设计可满足这两个要求。另外，囊封物15可具有相对高的渗透性以改善电磁波的反射。

[0061] 囊封物15的部分152的厚度和宽度可分别指示为系杆14的凹口14r的深度D2和宽度W2。载体10、一或多个引线12和囊封物15(或部分152)可共同配置为用于电子组件11的电磁屏蔽结构。囊封物15具有介电常数为约4的材料。囊封物15的部分152覆盖系杆14的表面
14s1。囊封物15的部分152可增加电磁波的反射，进而改善屏蔽效果。可增加S11参数和/或可减小S21参数。

[0062] 此外，部分152的宽度越大，电磁波的反射将越高。不同于部分151，对部分152的宽度不存在限制，只要系杆14可连接到载体10即可。

[0063] 系杆(或连接元件)14的闩锁结构143可从表面14a1朝向表面14s1延伸。闩锁结构14e可匹配载体10的拐角101。闩锁结构143和闩锁结构14e可与囊封物15接触。闩锁结构143和/或闩锁结构14e可经配置以锁定系杆14和囊封物15。系杆14的表面14a2(或底部表面)与
系杆14的上部表面14a1相对且由囊封物15暴露。表面14a2的面积可大于表面14a1的面积。

[0064] 图1F示出根据本公开的一些实施例的电子装置(例如，电子装置1)的透视图。图1F的透视图可为电子装置1的顶部的一部分。出于阐释的目的，将囊封物15呈现为透明的。囊封物15可为不透明的。

[0065] 系杆14具有第一边缘143e1和第二边缘143e2。第一边缘143e1和第二边缘143e2在垂直于表面14a2的方向上与系杆14的表面14a2重叠。系杆14的表面14s1可由囊封物15覆
盖。系杆14可具有从系杆14的第一边缘143e1延伸到表面14s1的第一侧14s31以及从系杆14
的第二边缘143e2延伸到表面14s1的第二侧14s32。第一侧14s31与第二侧14s32不平行。

[0066] 图1G示出根据本公开的一些实施例的电磁波的强度对频率的绘图。图1G示出四个条件A、B、C和D。条件A指示在与常规QFN封装(具有额外金属层)相互作用之后电磁波的强度对频率的分布。条件B指示在与电子装置1相互作用之后电磁波的强度对频率的分布。

[0067] 如图1G所示，在相对高频率区(例如，超过8GHz)中，条件B的电磁波的强度小于条件A的电磁波的强度。强度差可介于从约15到约40dB的范围内。此外，在相对中频率区(例
如，2与6GHz之间)中，条件B的电磁波的强度小于条件A的电磁波的强度。这意味着在这些频率区中，电子装置1的电磁屏蔽结构阻挡比常规QFN封装更多的电磁波。

[0068] 另一方面，在相对低频率区(例如，小于1GHz)中，条件B的电磁波的强度大于条件A的电磁波的强度。在相对低频率区中电子装置1的屏蔽效果可通过覆盖电子装置1的暴露表面来改善。举例来说，载体10的表面10a1可由囊封物15覆盖。条件C指示在与具有载体10的经覆盖的表面10a1的电子装置1相互作用之后电磁波的强度对频率的分布。在相对低频率
区(例如，小于1GHz)中，条件C的电磁波的强度小于条件B的电磁波的强度。为了进一步改善屏蔽效果，电子装置1可完全由囊封物覆盖，将连接到外部系统的部分除外。条件D指示在与完全被覆盖的电子装置1相互作用之后电磁波的强度对频率的分布。在相对低频率区(例
如，小于1GHz)中，条件D的电磁波的强度小于条件C的电磁波的强度。

[0069] 图1H示出根据本公开的一些实施例的电子装置1'的横截面图。图1H中的电子装置1'类似于图1中的电子装置1。因此，一些详细描述可指对应的前述段落且在下文中为了简
明起见不进行重复，其间的差异如下。

[0070] 电子装置1'的系杆14的凹口14r'可具有高于凹口14r的深度D2的深度D2'，如图1C所示。因此，较薄的系杆14可改善电子装置1的翘曲。

[0071] 图2A示出根据本公开的一些实施例的电子装置2的横截面图。图2B示出根据本公开的一些实施例的电子装置2的另一横截面图。图2A和2B中的电子装置2类似于图1B和1C中
的电子装置1。因此，一些详细描述可指对应的前述段落且在下文中为了简明起见不进行重复，其间的差异如下。

[0072] 电子装置2可进一步包含电路结构20，其通过导电元件161附接到引线12的表面12a2。电子组件11可通过引线(或多个引线)12电连接到电路结构20。电路结构20可通过导
电元件164附接到系杆14的表面14a2。电路结构20安置于电子组件11下方。在一些实施例
中，电路结构20可包含插入件。在一些实施例中，电路结构20可包含例如印刷电路板(PCB)，例如纸基铜箔层压板、复合铜箔层压板或聚合物浸渍的玻璃纤维基铜箔层压板。在一些实
施例中，电路结构20可包含半导体衬底，其包含硅、锗或其它合适的材料。电路结构20可称为载体或衬底。

[0073] 图3A示出根据本公开的一些实施例的电子装置3A的横截面图。图3A中的电子装置3A类似于图1中的电子装置1。因此，一些详细描述可指对应的前述段落且在下文中为了简
明起见不进行重复，其间的差异如下。

[0074] 电子装置3A可进一步包含安置于载体10的表面10a1和引线12的表面12a1上方的保护层23。保护层23可覆盖引线12的部分121和载体10的一部分。保护层23可包含阻焊剂。
保护层23可改善电磁波的反射。保护层23可为用于电子组件11的电子装置3A的电磁屏蔽结
构的部分，且可改善电子装置3A的屏蔽效果。保护层23经配置以阻挡电子组件11与电子装
置11的外部之间的电磁波。在一些实施例中，保护层23可在导电元件161的形成之前形成。

[0075] 图3B示出根据本公开的一些实施例的电子装置3B的横截面图。图3B中的电子装置3B类似于图1中的电子装置1。因此，一些详细描述可指对应的前述段落且在下文中为了简
明起见不进行重复，其间的差异如下。

[0076] 电子装置3B可进一步包含安置于载体10的表面10a1和引线12的表面12a1上方的保护层(或囊封物)25。保护层25可包含类似于囊封物15的材料。保护层25和囊封物15可包
含大体上相同的材料。保护层25和囊封物15可在同一过程中形成，例如转移模制过程。转移模制设备的面对载体10的表面10a1的底部模具可较深，以容纳载体10的表面10a1和引线12
的表面12a1上方的更多囊封物材料。在一些实施例中，保护层25和囊封物15可在单独过程
步骤中形成。在保护层25与囊封物15之间可能存在界面或边界。

[0077] 保护层25可改善电磁波的反射。保护层25可为用于电子组件11的电子装置3B的电磁屏蔽结构的部分，且可改善电子装置3B的屏蔽效果。保护层25经配置以阻挡电子组件11
与电子装置11的外部之间的电磁波。

[0078] 图4A‑1、图4A‑2、图4A‑3、图4A‑4、图4A‑5、图4B‑1、4B‑2、图4C‑1、4C‑2、图4D‑1、图4D‑2、图4D‑3、图4D‑4、图4E‑1、4E‑2、图4F‑1、4F‑2、图4G‑1和4G‑2示出根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。

[0079] 如图4A‑1和图4A‑2所示，提供载体10。载体10可从顶部和底部经部分地蚀刻以形成一或多个引线12和一或多个系杆14。在一些实施例中，载体10可经半蚀刻。载体10、引线12和系杆14可界定空腔(或碗形状结构)10c。引线12可包含部分(或水平部分)121和连接到
部分121的部分(或竖直部分)122。引线12的部分121和载体10可在其间界定凹口10r。引线
12可界定或具有凹口12r，其通过引线12的部分121与凹口10r间隔开。系杆14可包含部分
(或连接部分)141和连接到部分141的部分(或细长部分)142。系杆14的部分141可连接到载
体10。系杆14可界定或具有凹口14r。

[0080] 载体10、引线12和系杆14可各自包含金属或金属合金，例如铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)或其合金。

[0081] 图4A‑3示出图4A‑1和4A‑2的结构的部分4A的俯视图。引线12可具有T形结构。区HE1指示从顶部的部分蚀刻的区。从顶部的部分蚀刻界定用于引线12的部分121上的布线的着陆区域且界定引线12的部分122的末端12e。从顶部的部分蚀刻界定系杆14的部分142的
末端14e。末端14e可具有叉形形状，其充当闩锁结构以锁定囊封物材料。

[0082] 图4A‑4示出图4A‑1和4A‑2的结构的部分4A的仰视图。区HE2指示从底部的部分蚀刻的区。从底部的部分蚀刻界定引线的凹口12r和系杆14的凹口14r的宽度和深度。如图4A‑4所示，凹口14r的宽度大于凹口12r的宽度。

[0083] 图4A‑5示出图4A‑1和4A‑2的结构的部分4A的仰视图。区HE2指示从底部的部分蚀刻的区。从底部的部分蚀刻界定引线的凹口12r和系杆14的凹口14r的宽度和深度。如图4A‑5所示，凹口14r的宽度大于凹口12r的宽度。从底部的部分蚀刻可形成闩锁结构143。闩锁结构143的细节可参考图1E和图1F，其中闩锁结构143可带有具有不同曲率的两个弯曲表面或
具有不同斜率的两个倾斜表面。闩锁结构143可经配置以在随后的过程中锁定囊封物材料。

[0084] 如图4B‑1和4B‑2所示，电子组件11通过粘合剂层11a附接到载体10的表面10a2。电子组件11在空腔10c内。形成多个布线13以将电子组件11电连接到引线12。电子组件11可包含半导体裸片。布线13可包含接合布线。

[0085] 如图4C‑1和4C‑2所示，囊封物15形成于载体10上以囊封电子组件11、引线12、布线13和系杆14。囊封物15的部分150可形成于凹口10r中。凹口12r和14r可分别由囊封物15的
部分151和部分152覆盖。囊封物15可包括包含填充剂的环氧树脂、模制化合物(例如，环氧模制化合物或其它模制化合物)、聚酰亚胺、酚化合物或材料、包含分散在其中的硅树脂的材料，或其组合。

[0086] 如图4D‑1和4D‑2所示，囊封物15经研磨为具有远离载体10的表面15s2。囊封物15的表面15s2、引线12的表面12a2(或部分122)和/或系杆14的表面14a2(或部分142)大体上共面。

[0087] 在本公开中，由载体10和电子装置1的一或多个引线12界定的碗形状结构10c充当法拉第笼，用于将电子装置11屏蔽于环境。因此，载体10、所述一或多个引线12、系杆14和/或囊封物15(例如，在凹口12r和14r中)可共同被配置为用于电子组件11的电磁屏蔽结构。
引线12的数目和大小(或宽度)大于布线的数目和大小，这改善了电子装置1的周边中的屏
蔽效果。覆盖凹口12r和14r的囊封物15可增加电磁波的反射，且因此改善屏蔽效果。可增加S11参数和/或可减小S21参数。

[0088] 此外，在不形成QFN封装所需要的额外金属层或布线的情况下，电子装置1的大小(或高度)可相对小。

[0089] 图4D‑3示出图4D‑1和4D‑2的虚线框4D中的结构的俯视图。引线12的部分122的表面12a2可从囊封物15暴露。系杆14的部分142的表面14a2可从囊封物15暴露。表面14a2的面积可大于表面12a2的面积。系杆14的部分142的末端14e可比引线12的部分122的末端12e更接近载体10。

[0090] 图4D‑4示出图4D‑1和4D‑2的虚线框4D中的结构的仰视图。引线12的部分121的表面12a1可从囊封物15暴露。系杆14的部分141的表面14a1可从囊封物15暴露。载体10的表面10a1可从囊封物15暴露。

[0091] 在一些实施例中，导电元件可形成于暴露表面10a1、12a1、12a2、14a1和14a2上以提供与外部系统、装置或印刷电路板的连接。在一些实施例中，暴露表面中的一些可由保护层(例如，电子装置3A的保护层23)或额外囊封物(例如，电子装置3A的保护层25)覆盖以改善屏蔽效果。

[0092] 参看图4E‑1和4E‑2，导电元件161形成于引线12的部分122的表面12a2上，导电元件162形成于引线12的部分121的表面12a1上，导电元件163形成于载体10的表面10a1和/或系杆14的表面14a1上，且导电元件164形成于系杆14的表面14a2上。导电元件161、162、163和164可各自包含焊料凸块。

[0093] 参看图4F‑1和4F‑2，执行单分过程以形成如图1、1A、1B、1C和1D中所示的电子装置1。

[0094] 参看图4G‑1和4G‑2，电子装置1可通过导电元件161和164附接到电路结构20以形成如图2A和2B中所示的电子装置2。

[0095] 除非另外规定，否则例如“上方”、“下方”、“上”、“左”、“右”、“下”、“顶部”、“底部”、“竖直”、“水平”、“侧面”、“较高”、“较低”、“上部”、“上面”、“下面”等空间描述是相对于图中所示定向指示的。应理解，本文中所使用的空间描述仅出于说明的目的，且本文中所描述的结构的实际实施方案可以任何定向或方式在空间上布置，其限制条件为本公开的实施例的优点不会因此类布置而有偏差。

[0096] 如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”以及“约”用以描述和考虑较小变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可以指其中事件或情形明确发生的情况以及其中事件或情形极接近于发生的情况。例如，当结合数值使用时，术语可指小于或等于所述数值的±10％的变化范围，例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于
或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于
±0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的±10％，例如小
于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±
1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％、或小于或等于±0.05％，那么可认为所述两
个数值“大体上”相同或相等。

[0097] 如果两个表面之间的位移不大于5μm、不大于2μm、不大于1μm或不大于0.5μm，那么可认为所述两个表面是共面的或大体上共面。

[0098] 如本文中所使用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含多个提及物。

[0099] 如本文所用，术语“导电(conductive/electrically conductive)”和“电导率”指代输送电流的能力。导电材料通常指示展现对于电流流动的极少或零对抗的那些材料。电4 5
导率的一个量度为西门子/米(S/m)。通常，导电材料为具有大于约10S/m(例如，至少10S/m
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或至少10S/m)的电导率的一种材料。材料的电导率有时可随温度而变化。除非另外规定，
否则材料的电导率是在室温下测量。

[0100] 另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范围格式是用于便利和简洁起见，且应灵活地理解，不仅包括明确地指定为范围限制的数值，而且包括涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值和子范围一般。

[0101] 虽然已参考本公开的特定实施例描述并说明本公开，但这些描述及说明并非限制性的。所属领域的技术人员应理解，在不脱离如由所附权利要求书界定的本公开的真实精
神及范围的情况下，可做出各种改变且可取代等效物。所述图解可能未必按比例绘制。归因于制造工艺和公差，本公开中的艺术再现与实际设备之间可存在区别。可存在并未特定说
明的本公开的其它实施例。应将本说明书和图式视为说明性的而非限制性的。可做出修改，以使特定情形、材料、物质组成、方法或制程适应于本公开的目标、精神及范围。所有此类修改是既定在所附权利要求书的范围内。虽然本文公开的方法已参考按特定次序执行的特定
操作描述，但应理解，可在不脱离本公开的教示的情况下组合、细分或重新排序这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特别指示，否则操作的次序和分组并非本公开的限制。