本申请涉及红外探测器芯片制备领域，公开了一种碲镉汞红外探测器及其制备方法，包括准备经过离子注入的、表面分布有复合钝化层的碲镉汞晶片；复合钝化层包括层叠的第一钝化层和第二钝化层；去除第二钝化层；在处理后碲镉汞晶片的表面制作图形化光刻胶；在再处理碲镉汞晶片的表面制作新的第二钝化层；去除图形化光刻胶，在新的第二钝化层中形成通孔；刻蚀位于通孔下方的第一钝化层和碲镉汞晶片，形成接触孔；制作电极，得到碲镉汞红外探测器。新的第二钝化层没有被离子注入工艺损伤，可以提升器件性能；采用剥离光刻胶的方式在新的第二钝化层中形成通孔，避免了刻蚀第二钝化层引起的接触孔深度均匀性变差的问题，同时有利于实现低损伤刻蚀工艺。