[0001] 本申请属于太阳能电池领域，尤其涉及砷化镓太阳能电池。

[0002] III‑V材料制成的多结太阳能电池因其高效率和耐辐射性与空间应用需求高度匹配，在当前卫星等航空航天应用太阳电池中占绝对优势。基于GaAs衬底剥离技术的柔性三结(GaInP/GaAs/InGaAs)太阳电池具有成本更低、重量更轻且柔性可弯折以及效率高等优势，在当前及未来的航空航天应用领域具有非常强的竞争优势和应用前景。

[0003] 能量转化效率一直是太阳能电池核心技术指标之一。太阳电池的能量转换效率由开路电压、短路电流、填充因子三个技术参数决定。对于GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳电池，电流密度(Jsc)是目前限制其能量转化效率提升的主要阻碍，其原因在于，在三结电池中，其电流密度由光电流密度最小的子电池决定，而在AM0光谱下，当与GaAs晶格匹配的GaInP顶电池达到其最大电流密度时，因GaAs子电池禁带宽度限制，其电流密度会明显低于GaInP顶电池的电流密度，从而限制了三结电池的电流密度的提升。

[0028] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。除非另作定义，本发明实施例以及附图中，同一标号代表同一含义。需要注意，为了清楚起见，实施例的附图可能不一定按比例绘制；另外，本发明一些实施例的附图中，只示出了与本发明构思相关的结构，可能省略了某些与本发明的构思无直接关系的常规结构和细节部分的图示。本发明的实施例可包括这些未显示的结构。并且，需要注意本发明实施例中描述的方法步骤的顺序并不必然表示各个步骤的实际执行顺序。在可行的情况下，实际执行顺序可与描述的顺序不同。

[0029] 除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语表示开放的意义，除了明确列举的元件、部件、部分或项目外，并不排除其他元件、部件、部分或者项目。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。可以理解，当诸如层、膜、区域或衬底基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

[0030] 如图1所示，根据本发明的一个实施例的高效率三结砷化镓太阳能电池包括吸收太阳光的有源区10及薄膜金属衬底20、表面减反射膜40以及表面栅线电极30。参见图2，所述有源区10为外延结构，包括GaInP顶电池103、GaAs中电池102和InGaAs底电池101，每个子电池包括窗口层、发射区、基区、背场层，所述窗口层、发射区、基区、背场层沿远离GaAs衬底的方向顺序设置，所述子电池之间通过隧穿结12和13连接。

[0031] 参见图4，所述外延结构的GaAs中电池102顺序包括N型的窗口层1021、N型的GaInP发射区1022、发射区1022与基区1024之间的i区设置的Eg＜1.43eV的不掺杂的应力平衡多量子阱结构1023、P型的GaAs基区1024、基区1024后多个循环结构组成的分布式布拉格反射层(DBR)1025、P型掺杂的背场层1026；

[0032] 所述GaAs结子电池102的窗口层中，材料优选Al0.5InP，厚度为15～50nm，窗口层采18 ‑3
用N型掺杂，掺杂物质为Si、Te中的任意一种，掺杂浓度为1～5×10 cm 。

[0033] 所述GaAs子电池102发射区材料可以为Ga0.5InP，厚度为30～100nm，发射区采用N18 ‑3
型掺杂，掺杂物质为Si、Te中的任意一种，掺杂浓度为1～5×10 cm 。

[0034] 所述GaAs子电池102发射区与基区之间的i区设置有Eg＜1.43eV的不掺杂的应力平衡多量子阱结构，应力平衡多量子阱优选InxGaAs作为阱层10231，厚度为5～15nm，InxGaAs材料中In组分0＜x＜0.15，GaAsPy作为垒层10232，厚度为2～30nm，GaAsPy材料中P组分0＜y＜0.45，多量子阱循环数20～200。

[0035] 所述GaAs子电池102基区材料为GaAs，厚度减薄为1000～2000nm，基区掺杂物质可17 ‑3
以为Zn、Mg中的任意一种，掺杂浓度在1～5×10 cm 。

[0036] 优选的，所述基区102之后设置有多个Alx1Ga(1‑x1)As/Alx2Ga(1‑x2)As循环层叠的DBR结构1025，DBR结构将未被GaAs结吸收的波长光子反射进入GaAs结基区进行二次吸收，其中，循环数5＜n＜20，Alx1Ga(1‑x1)As的厚度30～100nm，Al的组分0＜x1＜1，Alx2Ga(1‑x2)As的厚度30～100nm，Al的组分0＜x2＜1，厚度且x1＞x2，DBR结构掺杂物质可以为Zn、Mg中的任17 ‑3
意一种，掺杂浓度在1～5×10 cm 。

[0037] 所述GaAs结子电池102的背场层1026中，材料优选Al0.5InP，厚度为15～50nm，背场18 ‑3
层1026采用P型掺杂，掺杂物质为Zn、Mg中的任意一种，掺杂浓度为1～5×10 cm 。

[0038] 优选地，参见图3，GaInP顶电池101按照远离GaAs衬底1的方向依次叠层窗口层1011、发射区1012、基区1013和背场层1014。所述GaInP顶电池101的PN结i区设置Eg＜
1.87eV的不掺杂的GaxlIn(1‑x1)P/Gax2In(1‑x2)P应力平衡多量子阱结构，其中GaxlIn(1‑x1)P作为阱层，x1＜0.5，厚度2～20nm，Gax2In(1‑x2)P作为垒层，x2＞0.5且x1＜x2，厚度2～20nm；

[0039] 进一步，所述GaInP顶电池101采用NP+异质结结构，按光入射方向，GaInP发射区作为光吸收层位于基区之前，In组份为0.5，厚度300～800nm，掺杂质选用Si，掺杂浓度2～8×17 ‑3
10 cm ；所述基区采用AlGaInP材料，厚度30～100nm；基区AlGaInP材料In组份为0.51，Al
18 ‑3
组份0.15～0.25，掺杂质选用Zn或Mg，掺杂浓度在1～3×10 cm 。

[0040] 进一步，还包括顶电池的表面栅线电极30，表面栅线电极占顶电池表面面积的2％‑4％。

[0041] 进一步，所述InGaAs底电池103的禁带宽度设置为Eg＜1.0eV。

[0042] 所述倒装高效三结砷化镓太阳能电池按远离GaAs衬底最外层生长P型导电层2，厚18 ‑3
度在100～400nm之间，掺杂物质为Zn、Mg中的任意一种，掺杂浓度在1～5×10 cm ；

[0043] 进一步地，参见图7，可以在P型导电层2上依次层叠金属反射镜层22、金属接触层21以及薄膜金属衬底20。具体地，可以通过磁控溅射、热蒸发等方法沉积金属反射镜层、金属接触层以及金属三结衬底。

[0044] 通过衬底剥离或者衬底腐蚀的方法，去除GaAs衬底1，以薄膜金属衬底2作为支撑，采用光罩技术制作N型电极、栅线、减反射膜等，得到以薄膜金属2作为衬底的倒装高效三结砷化镓太阳能电池。

[0045] 为了解决在AM0光谱下，因GaAs中电池电流密度偏低限制GaInP/GaAs/InGaAs三结电池整体效率提升的问题，本申请提供了适用于倒装高效三结砷化镓太阳能电池外延结构，采用GaInP/GaAs/InGaAs 3个子电池的多结电池外延结构，一方面，通过在GaAs子电池PN结区域的i区中增加禁带宽度Eg＜1.43eV的低禁带宽度InGaAs/GaAsP多量子阱结构，使GaAs子电池可吸收波长突破GaAs禁带宽度限制，从而提高GaAs子电池最大理论电流密度Jsc1。同时引入InGaAs/GaAsP多量子阱结构会降低GaAs子电池的开路电压Voc1，限制GaAs结电池的有效光电转换效率的进一步提升；针对该问题，本发明通过减薄GaAs吸收层厚度，以提升GaAs结电池的Voc2；针对GaAs吸收层厚度降低导致的光吸收比率不足降低电流密度Jsc2，本发明进一步在GaAs基区后端引入Alx1Ga(1‑x1)As/Alx2Ga(1‑x2)As组成的DBR结构，将未被GaAs结吸收的波长光子反射进入GaAs结基区进行二次吸收，提升GaAs结电流密度Jsc3；此外，本发明将GaAs结PN结由N型GaAs/P型GaAs同质结构改为N型GaInP/P型GaAs异质结构，进一步提升GaAs结开路电压Voc3，满足ΔJsc1+ΔJsc2+ΔJsc3＞0，Voc＞Voc1，通过上述设计，本发明在保持开路电压基本不变情况下，提升GaAs结电池的电流密度，提高了三结电池各结电池的电流密度匹配度，从而有效提升GaAs电池的光电转换效率。

[0046] 另一方面，本发明还通过在GaInP子电池PN结区增加Eg＜1.87eV的低禁带宽度的Gax1In(1‑x1)P/Gax2In(1‑x2)P多量子阱结构以及调节InGaAs结的禁带宽度为Eg＜1.0eV，以提高电池电流密度，延长各子电池吸收波长，提高各子电池的短路电流。

[0047] 同时，采用GaInP/AlGaInP NP+异质结结构，相比传统的N+P结构，具备更高的横向导电能力，从而可以采用更少的金属栅线(减小金属栅线的面积百分比，即更大的受光面积)，进一步提高GaInP子电池的短路电流，增加电池整体转换效率；上述异质结结构通过将PN结结区移到电池底部的宽禁带区域，可以有效降低SNS非辐射复合电流，提高电池的外量子效率，从而降低电池的暗电流、提高电池的开路电压。

[0048] 本发明外延层第二方面的设计在第一个设计的基础上进一步提升总体电流，虽总开路电压有所降低，开路电压的降低加上总电流的提升的乘积比第一种设计更大，因此增加电池整体转换效率。

[0049] 实施例1

[0050] 参照图1所示，本发明实施例制备的倒装高效三结砷化镓太阳能电池，包括薄膜金属衬底20、吸收太阳光的有源区10、表面减反射膜(ARC)40和表面栅线电极30。其中，吸收太阳光的有源区为太阳电池外延层，包括Ga0.5InP子电池、GaAs子电池和InGaAs子电池。

[0051] 参照图2所示，本实施例的倒装高效三结砷化镓太阳能电池的外延结构，具体如下：

[0052] 选择GaAs作为外延生长的衬底1，GaAs衬底的导电类型不限。在GaAs衬底1上通过气相外延生长技术(MOCVD)或者分子束外延技术(MBE)依次外延生长剥离衬底牺牲层11、Ga0.5InP子电池101、隧穿结12、GaAs子电池102、隧穿结13、InGaAs子电池103、P型导电层2。

[0053] 更为具体的，在本实施例中，剥离衬底牺牲层11选择非掺杂的AlxGaAs材料，AlxGaAs中Al组分0.3＜x≤1，厚度为15nm。采用腐蚀AlxGaAs的方法实现吸收太阳光的有源区10与GaAs衬底1的分离。

[0054] 更为具体的，参考图3，Ga0.5InP子电池101按照远离GaAs衬底1的方向依次叠层窗口层1011、发射区1012、基区1013和背场层1014。

[0055] 进一步的，Ga0.5InP子电池101的窗口层1011材料优选Al0.5InP，厚度为30nm，窗口18 ‑3
层采用N型掺杂，掺杂物质为Si，掺杂浓度为2×10 cm 。

[0056] 进一步的，所述Ga0.5InP子电池101的发射区1012材料为Ga0.5InP，厚度为100nm。发18 ‑3
射区采用N型掺杂，掺杂物质为Si，掺杂浓度为1×10 cm 。

[0057] 进一步的，所述Ga0.5InP子电池101的基区1013材料为Ga0.5InP，厚度为750nm，基区17 ‑3
掺杂物质为Zn，掺杂浓度在1×10 cm 。

[0058] 进一步的，Ga0.5InP子电池101的背场层1014材料优选AlGaInP，Al组分为0.25，厚18 ‑3
度为50nm，背场层采用P型掺杂，掺杂物质为Mg，掺杂浓度为1×10 cm 。

[0059] 进一步的，隧穿结12材料为Al0.4GaAs：C层和Al0.1GaAs：Te层，即隧穿结12包括依次叠层的Al0.4GaAs：C层和Al0.1GaAs：Te层，Al0.4GaAs：C材料厚度为20nm，掺杂浓度为1×20 ‑3 19 ‑3
10 cm ，Al0.1GaAs：Te材料厚度也为20nm，掺杂浓度为5×10 cm 。

[0060] 进一步的，参考图4，GaAs子电池102按照远离GaAs衬底1的方向依次叠层窗口层1021、发射区1022、i区多量子阱结构1023、基区1024、DBR层1025、背场层1026。

[0061] 进一步的，GaAs子电池102的窗口层1021材料优选Al0.5InP，厚度为40nm，窗口层采18 ‑3
用N型掺杂，掺杂物质为Si，掺杂浓度为2×10 cm 。

[0062] 进一步的，所述GaAs子电池102的发射区1022材料为Ga0.5InP，厚度为100nm。窗口18 ‑3
层采用N型掺杂，掺杂物质为Si，掺杂浓度为1×10 cm 。

[0063] 进一步的，所述GaAs子电池102位于PN结中设置有禁带宽度Eg＜1.43eV的不掺杂的应力平衡多量子阱结构1023，应力平衡多量子阱结构1023优选In0.1GaAs作为阱层10231，厚度为10nm，GaAsP0.1作为垒层10232，厚度为20nm，多量子阱循环数为80。

[0064] 进一步的，所述GaAs子电池102基区1024材料为GaAs，厚度减薄为1500nm，基区掺17 ‑3
杂物质为Zn，掺杂浓度在1×10 cm 。

[0065] 进一步的，所述GaAs子电池102基区之后设置多个Al0.7GaAs/Al0.1GaAs循环层叠组成的DBR结构1025，将未被GaAs结吸收的波长光子反射进入GaAs结基区进行二次吸收，循环数为15，Al0.7GaAs材料10251的厚度70nm，Al0.1GaAs材料10252的厚度60nm，DBR结构掺杂物17 ‑3
质为Zn，掺杂浓度在3×10 cm 。

[0066] 所述GaAs结子电池102的背场层1026，材料优选Al0.7GaAs，厚度为50nm，背场层采用P型掺杂，掺杂物质为Mg，掺杂浓度为1×1018cm‑3。

[0067] 进一步的，参照图5，所述InGaAs子电池103按照远离GaAs衬底1的方向依次叠层设置有晶格渐变层1031、窗口层1032、发射区1033、基区1034和背场层1035。GaAs结与InGaAs结之间通过第二隧穿结13连接。

[0068] 进一步的，第二隧穿结13材料为Al0.4GaAs：C层和Al0.1GaAs：Te层。即隧穿结13包括依次叠层的Al0.4GaAs：C层131和Al0.1GaAs：Te层132，Al0.4GaAs：C材料厚度为30nm，掺杂浓度20 ‑3 19 ‑3
为1×10 cm ，Al0.2GaAs：Te材料厚度也为30nm，掺杂浓度为5×10 cm 。

[0069] 进一步的，参照图6所示，在本实施例中，InGaAs子电池103的晶格渐变层1031采用多层设计，层数为7，分别为10311、10312、10313、10314、10315、10316和10317，总厚度为2700nm，材料为Inx(AlyGa(1‑y))(1‑x)As，通过逐层改变x与y，使晶格常数从与GaAs匹配逐渐增加到与In0.3Ga0.7As子电池材料匹配。10311、10312、10313、10315、10316厚度均为300nm，
17 ‑3
10317厚度为900nm，晶格渐变层采用N型掺杂，掺杂质为Si，掺杂浓度均为2×10 cm 。

[0070] 进一步的，InGaAs子电池103的窗口层1032材料为In0.275(Al0.414Ga0.586)0.725As，厚18 ‑3
度为50nm。窗口层采用N型掺杂，掺杂质为Si，掺杂浓度为2×10 cm 。

[0071] 进一步的，所述InGaAs子电池103的发射区1033材料采用In0.3Ga0.7As，厚度为18 ‑3
100nm，发射区采用N型掺杂，掺杂物质为Si，掺杂浓度为2×10 cm 。

[0072] 进一步的，所述InGaAs子电池103的基区1034材料为In0.3Ga0.7As，厚度为1800nm，17 ‑3
基区掺杂质为Zn，掺杂浓度在1×10 cm 。

[0073] 进一步的，所述InGaAs子电池103的背场层1035材料为Ga0.38In0.62P材料，厚度为18 ‑3
300nm，背场层采用P型掺杂，掺杂质为Mg，掺杂浓度在3×10 cm 。

[0074] 进一步的，所述P型导电层2材料为In0.3(Al0.41Ga0.59)0.7As，厚度为300nm，掺杂质为18 ‑3
Zn，掺杂浓度在2×10 cm 。

[0075] 进一步的，参照图7所示，P型导电层2与金属衬底20之间依次叠层有金属反射镜层22和金属接触层21。

[0076] 进一步的，采用光罩技术在Ga0.5InP窗口层1011表面制作N型电极。

[0077] 进一步的，采用热蒸发在N型电极表面制作金属栅线30。

[0078] 在除栅线外裸露出的GaInP窗口层1011表面蒸镀ZnSe/MgF或Al2O3/TiO2减反射膜，各膜层厚度根据反射波长而定。

[0079] 进一步的，切割分离得到倒装高效三结砷化镓太阳能光伏电池结构。

[0080] 实施例2

[0081] 实施例2同样提供了一种倒装高效三结砷化镓太阳能光伏电池外延结构以及电池结构。在实施例2的描述中，与实施例1中相同之处不再赘述，只描述与实施例1的不同之处。实施例2中的砷化镓太阳能电池与实施例1砷化镓太阳能电池不同之处在于：

[0082] 如图3所示，Ga0.5InP顶电池101按照远离GaAs衬底1的方向依次叠层窗口层1011、发射区1012、基区1013和背场层1014。

[0083] 进一步的，Ga0.5InP顶电池窗口层1011采用Si掺杂AlInP，掺杂浓度为2×1018cm‑3，厚度为30nm：

[0084] 进一步的，Ga0.5InP顶电池发射区1012采用Si掺杂的Ga0.5InP，掺杂浓度为5×17 ‑3
10 cm ，厚度为500nm；

[0085] 进一步的，Ga0.5InP顶电池101的n‑i‑p结i区(发射区1012与基区1013之间)引入Eg＜1.87eV的不掺杂的Ga0.45In0.55P/Ga0.55In0.45P应力平衡多量子阱结构，其中Ga0.45In0.55P作为阱层，厚度为6nm，Ga0.55In0.45P作为垒层，厚度6nm；

[0086] 进一步的，Ga0.5InP顶电池基区1013采用Z n掺杂的Al0.15Ga0.34In0.51P，掺杂浓18 ‑3
度为2x10 cm ，厚度为50nm；

[0087] 进一步的，Ga0.5InP顶电池背场层1014采用Zn掺杂的AlGaInP，厚度为50nm，从基区18 ‑3
界面开始材料中Al组份由0.15线性增加到0.25，掺杂浓度由1×10 cm 指数增加至5×
18 ‑3
10 cm 。

[0088] 其中，所述GaInP顶电池采用NP+异质结结构，顶电池的表面栅线占顶电池表面面积的2％‑4％。

[0089] 进一步的，参考图4，GaAs子电池102按照远离GaAs衬底1的方向依次叠层窗口层1021、发射区1022、i区多量子阱结构1023、基区1024、DBR层1025、背场层1026。

[0090] 进一步的，所述GaAs子电池102的pn结1023中增加禁带宽度Eg＜1.43eV的不掺杂的应力平衡多量子阱结构，应力平衡多量子阱结构优选In0.15GaAs作为阱层，厚度为10nm，GaAsP0.3作为垒层，厚度为10nm，多量子阱循环数为120。

[0091] 进一步的，GaAs子电池1021、1022、1024、1025和1026层均与实施例1一致；

[0092] 进一步的，所述Ga0.5InP子电池101与GaAs子电池102之间通过隧穿结12连接，隧穿结生长条件与实施例1一致；

[0093] 进一步的，参照图5，所述InGaAs子电池103按照远离GaAs衬底1的方向依次叠层设置有晶格渐变层1031、窗口层1032、发射区1033、基区1034和背场层1035。

[0094] 进一步的，参照图6所示，在本实施例中，InGaAs子电池103的晶格渐变层1031采用多层设计，层数为7，分别为10311、10312、10313、10314、10315、10316和10317，总厚度为2700nm，材料为Inx(AlyGa(1‑y))(1‑x)As，通过逐层改变x与y，使晶格常数从与GaAs匹配逐渐增加到与In0.35Ga0.65As子电池材料匹配。10311、10312、10313、10314、10315、10316厚度均为
17
300nm，10317厚度为900nm，晶格渐变层采用N型掺杂，掺杂质为Si，掺杂浓度均为2×10 cm‑3
。

[0095] 进一步的，InGaAs子电池103的窗口层1032材料为In0.35(Al0.6Ga0.4)0.65As，厚度为18 ‑3
50nm。窗口层采用N型掺杂，掺杂质为Si，掺杂浓度为2×10 cm 。

[0096] 进一步的，所述InGaAs子电池103的发射区1033材料采用In0.35Ga0.57As，厚度为18 ‑3
100nm，发射区采用N型掺杂，掺杂物质为Si，掺杂浓度为2×10 cm 。

[0097] 进一步的，所述InGaAs子电池103的基区1034材料为In0.35Ga0.65As，厚度为1800nm，17 ‑3
基区掺杂质为Zn，掺杂浓度在1×10 cm 。

[0098] 进一步的，所述InGaAs子电池103的背场层1035材料为Ga0.15In0.85P材料，厚度为18 ‑3
300nm，背场层采用P型掺杂，掺杂质为Mg，掺杂浓度在3×10 cm 。

[0099] 进一步的，所述P型导电层2材料为In0.35(Al0.6Ga0.4)0.65As，厚度为300nm，掺杂质为18 ‑3
Zn，掺杂浓度在2×10 cm 。

[0100] 进一步的，参照图7所示，P型导电层2与金属三结衬底20之间依次叠层有金属反射镜层22和金属接触层21。

[0101] 进一步的，所述GaAs子电池102与InGaAs子电池103之间通过隧穿结13连接，隧穿结生长条件与实施例1一致；

[0102] 进一步的，采用光罩技术在Ga0.5InP窗口层1011表面制作N型电极；

[0103] 进一步的，采用热蒸发在N型电极表面制作金属栅线30。

[0104] 在除栅线外裸露出的GaInP窗口层表面蒸镀ZnSe/MgF或Al2O3/TiO2减反射膜，各膜层厚度根据反射波长而定。

[0105] 进一步的，切割分离得到倒装高效三结砷化镓太阳能光伏电池结构。

[0106] 本公开实施例提供的高效倒装GaInP/GaAs/InGaAs三结砷化镓太阳能电池设计，该设计可以解决在AM0光谱下，因GaAs中电池电流密度偏低限制GaInP/GaAs/InGaAs三结电池整体效率提升的问题。本公开在GaAs子电池PN结区增加了低禁带宽度的多量子阱结构，以提高GaAs中电池电流密度；同时通过将GaAs结由GaAs/GaAs同质结构改为GaInP/GaAs异质结构、并减薄GaAs吸收层厚度，以弥补因引入多量子阱结构导致的开路电压降低问题；为解决因减薄GaAs吸收层导致的光吸收效率降低，本发明公开在GaAs子电池后端增加DBR结构，将未被GaAs结吸收的光子反射进入GaAs结进行二次吸收。通过上述设计，可以在保持开路电压情况下，解决常规设计中GaAs结电流密度偏低的问题；另一方面，本发明还通过在+GaInP子电池中引入多量子阱、以及采用NP结构异质结以及调节InGaAs结的禁带宽度的方式，使AM0光谱条件下这两结子电池与GaAs子电池电流密度相匹配，进一步提升总体电流，从而达到提高倒装GaInP/GaAs/InGaAs三结砷化镓太阳能电池能量转化效率之目的。

[0107] 上述实施例仅示例性的说明了本公开的原理及构造，而非用于限制本公开，本领域的技术人员应明白，在不偏离本公开的总体构思的情况下，对本公开所作的任何改变和改进都在本公开的范围内。本公开的保护范围，应如本申请的权利要求书所界定的范围为准。应注意，措词“包括”不排除其它元件或步骤，措词“一”或“一个”不排除多个。另外，权利要求的任何元件标号不应理解为限制本公开的范围。

[0108] 以上所述的具体实施例，对本公开的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本公开的具体实施例而已，并不用于限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。