技术领域
[0001] 本说明书公开的技术涉及布线基板。
相关背景技术
[0002] 专利文献1公开了具有玻璃材质的芯的多层基板。
[0003] 专利文献1：日本特开2015‑133473号公报
[0004] [专利文献1的课题]
[0005] 专利文献1控制由玻璃材质构成的第一绝缘层的透光率。作为透光率的控制方法的例子，专利文献1叙述了在第一绝缘层内含有着色剂。认为由玻璃材质构成的第一绝缘层难以均匀地含有着色剂。
具体实施方式
[0023] [实施方式]
[0024] 图1是示出实施方式的布线基板2的剖视图。如图1所示，布线基板2具有芯基板3、正面侧积层300F以及背面侧积层300B。
[0025] 芯基板3具有基板4、贯通孔6和通孔导体8。基板4具有正面5F和与正面5F相反侧的背面5B。基板4为玻璃制。贯通孔6贯通基板4。贯通孔6的形状为大致圆柱。贯通孔6的直径大致恒定。贯通孔6的形状也可以是大致圆锥台。贯通孔6的形状也可以是通过连接两个大致圆锥而得到的形状。2个圆锥是正面侧的圆锥和背面侧的圆锥。正面侧的圆锥的底面位于正面5F，背面侧的圆锥的底面位于背面5B。在该情况下，贯通孔6的侧面由从正面5F朝向背面5B呈锥形的面和从背面5B朝向正面5F呈锥形的面形成。
[0026] 通孔导体8形成在贯通孔6内。通孔导体8主要由铜形成。通孔导体8包含形成于贯通孔6的内壁面上的晶种层10a和形成于晶种层10a上的电镀层10b。电镀层10b填充贯通孔6。晶种层10a通过化学镀覆形成。通孔导体8具有上端8F和下端8B。上端8F的面与正面5F实质上形成同一平面。下端8B的面与背面5B实质上形成同一平面。上端8F从正面5F露出。下端
8B从背面5B露出。
[0027] 正面侧积层300F形成在基板4的正面5F上。正面侧积层300F具有贯通正面侧的树脂绝缘层、正面侧的导体层以及正面侧的树脂绝缘层的正面侧的过孔导体。正面侧的导体层和正面侧的过孔导体与通孔导体8电连接。正面侧的树脂绝缘层和正面侧的导体层交替层叠。图1中的正面侧的树脂绝缘层是第一树脂绝缘层20F和第二树脂绝缘层120F。正面侧的导体层为第一导体层30F和第二导体层130F。正面侧的过孔导体是第一过孔导体40F和第二过孔导体140F。
[0028] 第一树脂绝缘层20F具有第一面22F和与第一面22F相反侧的第二面24F。第一树脂绝缘层20F以第二面24F与正面5F对置的方式形成在基板4的正面5F上。在图1的例中，第二面24F与正面5F接触。第二面24F与上端8F的一部分接触。在正面5F与第二面24F之间不存在导体电路。在正面5F上未形成导体电路。第一树脂绝缘层20F具有到达通孔导体8的上端8F的第一开口26F。第一开口26F具有第一面22F上的开口(顶部开口)和第二面24F上的开口(底部开口)。顶部开口和底部开口的形状大致为圆。底部开口能够同时露出上端8F和正面5F。在该情况下，上端8F的周围的正面5F露出。底部开口也可以使上端8F的一部分及其一部分的周围的正面5F露出(第一例)。底部开口也可以使上端8F的全部和上端8F的周围的正面
5F露出(第二例)。如图1所示，底部开口能够仅露出上端8F(第三例)。在第一例、第二例和第三例中，可以混合两个例。第一例、第二例和第三例也可以全部混合存在。优选第一例和第三例混合存在。在该情况下，几个通孔导体8的上端8F在第一例的开口露出，剩余的通孔导体8的上端8F在第三例的开口露出。第一树脂绝缘层20F由树脂80和分散在树脂80内的多个无机粒子90形成。树脂80是环氧系树脂。树脂的例子是热固化性树脂和光固化性树脂。无机粒子90为玻璃粒子。无机粒子90也可以是氧化铝。第一树脂绝缘层20F中的无机粒子90的含量为75wt％以上。
[0029] 第一树脂绝缘层20F的第一面22F仅由树脂80形成。无机粒子90不从第一面22F露出。第一面22F不包含无机粒子90的表面。在第一树脂绝缘层20F的第一面22F上未形成凹凸。第一面22F未被粗糙化。第一面22F平滑地形成。另一方面，无机粒子90在第一开口26F的内壁面27F露出。第一开口26F的内壁面27F包含无机粒子90的表面。第一开口26F的内壁面27F具有凹凸。第一开口26F的内壁面27F由树脂80的露出面和无机粒子90的露出面形成。
[0030] 第一导体层30F形成在第一树脂绝缘层20F的第一面22F上。第一导体层30F包含第一信号布线32F、第二信号布线34F以及焊盘36F。虽未图示，但第一导体层30F还包含第一信号布线32F、第二信号布线34F以及焊盘36F以外的导体电路。第一信号布线32F和第二信号布线34F形成成对布线。第一导体层30F主要由铜形成。第一导体层30F由晶种层30Fa和晶种层30Fa上的电镀层30Fb形成。晶种层30Fa通过溅射形成。晶种层30Fa由第一面22F上的第一层31Fa和第一层31Fa上的第二层31Fb形成。第一层31Fa与第一面22F接触。第二层31Fb不是必须的。第一层31Fa由铜合金形成。铜合金中的铜的含量为90wt％以上。第二层31Fb由铜形成。电镀层30Fb由铜形成。
[0031] 第一树脂绝缘层20F形成在玻璃制的基板4上。由于玻璃的平坦性优异，因此第一树脂绝缘层20F的第一面22F的平坦性也优异。如果在正面5F与第一树脂绝缘层20F之间未形成导体电路，则第一面22F能够追随正面5F。第一面22F能够具有与正面5F同等的平坦性。实施方式能够在第一面22F上形成微细的布线。例如，第一导体层30F可以具有宽度为1.5μm以上且3.5μm以下的布线。相邻的布线间的间隔的宽度为1.5μm以上且3.5μm以下。
[0032] 第一过孔导体40F形成在第一开口26F内。第一过孔导体40F将通孔导体8和第一导体层30F电连接。第一过孔导体40F将通孔导体8与第一过孔导体40F的焊盘36F电连接。第一过孔导体40F由晶种层30Fa和晶种层30Fa上的电镀层30Fb形成。形成第一过孔导体40F的晶种层30Fa和形成第一导体层30F的晶种层30Fa是共同的。形成第一过孔导体40F的电镀层30Fb和形成第一导体层30F的电镀层30Fb是共用的。形成第一过孔导体40F的晶种层30Fa由在第一开口26F的内壁面27F上和从第一开口26F露出的通孔导体8的上端8F上形成的第一层31Fa和第一层31Fa上的第二层31Fb形成。在图1中，第一过孔导体40F与上端8F相连。第一层31Fa与通孔导体8的上端8F和内壁面27F接触。第一过孔导体40F形成在上端8F的正上方。
[0033] 第二树脂绝缘层120F形成在第一树脂绝缘层20F的第一面22F和第一导体层30F上。在第二树脂绝缘层120F与第一树脂绝缘层20F之间形成有第一导体层30F。第二树脂绝缘层120F具有第一面122F和与第一面122F相反侧的第二面124F。第二树脂绝缘层120F的第二面124F与第一导体层30F对置。第二树脂绝缘层120F与第一树脂绝缘层20F同样地由树脂80和无机粒子90形成。因此，第二树脂绝缘层120F的材质与第一树脂绝缘层20F的材质相同。第二树脂绝缘层120F的第一面122F与第一树脂绝缘层20F的第一面22F相同。
[0034] 第二树脂绝缘层120F具有使第一导体层30F露出的第二开口126F。第二开口126F使焊盘36F露出。第二开口126F具有内壁面127F。第一开口26F与第二开口126F相同。因此，第一开口26F的内壁面27F与第二开口126F的内壁面127F相同。
[0035] 第二导体层130F形成在第二树脂绝缘层120F的第一面122F上。第二导体层130F包含第一信号布线132F、第二信号布线134F以及焊盘136F。虽然图中未示出，但第二导体层130F还包含第一信号布线132F、第二信号布线134F和焊盘136F以外的导体电路。第一信号布线132F和第二信号布线134F形成成对布线。第二导体层130F与第一导体层30F相同。因此，第二导体层130F由晶种层130Fa和晶种层130Fa上的电镀层130Fb形成。晶种层130Fa由第一层131Fa和第一层131Fa上的第二层131Fb形成。
[0036] 第二过孔导体140F形成于第二开口126F内。第二过孔导体140F将第一导体层30F和第二导体层130F电连接。在图1中，第二过孔导体140F将焊盘36F与焊盘136F电连接。第二过孔导体140F与第一过孔导体40F相同。因而，第二过孔导体140F由晶种层130Fa和晶种层130Fa上的电镀层130Fb形成。晶种层130Fa由第一层131Fa和第一层131Fa上的第二层131Fb形成。
[0037] 背面侧积层300B具有贯通背面侧的树脂绝缘层、背面侧的导体层和背面侧的树脂绝缘层的背面侧的过孔导体。背面侧的树脂绝缘层和背面侧的导体层交替层叠。背面侧的导体层和背面侧的过孔导体与通孔导体8电连接。图1中的背面侧的树脂绝缘层是具有第一面22B和第二面24B的第一树脂绝缘层20B以及具有第一面122B和第二面124B的第二树脂绝缘层120B。背面侧的导体层为第一导体层30B和第二导体层130B。第一导体层30B和第二导体层130B包含第一信号布线32B、132B和第二信号布线34B、134B。背面侧的过孔导体是第一过孔导体40B和第二过孔导体140B。
[0038] 正面侧积层300F与背面侧积层300B相同。因此，形成正面侧积层300F的正面侧的树脂绝缘层与形成背面侧积层300B的背面侧的树脂绝缘层相同。各背面侧的树脂绝缘层由树脂80和无机粒子90形成。各树脂绝缘层的第一面仅由树脂形成。正面侧的导体层与背面侧的导体层相同。正面侧的过孔导体用的开口和背面侧的过孔导体用的开口相同。各过孔导体用的开口的内壁面由树脂的露出面和无机粒子的露出面形成。正面侧的过孔导体和背面侧的过孔导体相同。
[0039] 虽未图示，但布线基板2的各边的长度为50mm以上。各边的长度优选为100mm以上。各边的长度为250mm以下。根据实施方式形成的信号布线的长度为5mm以上。信号布线的长度可以为10mm以上且20mm以下。
[0040] [实施方式的布线基板2的制造方法]
[0041] 图2A～图2J示出实施方式的布线基板2的制造方法。图2A～图2J是剖视图。图2A示出玻璃制的基板4。基板4具有正面5F和背面5B。如图2B所示，形成从正面5F至背面5B的贯通孔6。贯通孔6贯通基板4。从基板4的正面5F侧照射激光。然后，将基板4浸渍在氢氟酸中。形成贯通孔6。
[0042] 如图2C所示，形成晶种层10a。晶种层10a通过化学镀覆形成。晶种层10a形成在贯通孔6的内壁面上、正面5F上和背面5B上。
[0043] 如图2D所示，形成电镀层10b。电镀层10b形成在晶种层10a上。电镀层10b填充贯通孔6内。
[0044] 如图2E所示，通过研磨去除正面5F上的电镀层10b和晶种层10a。通过研磨去除背面5B上的电镀层10b和晶种层10a。基板4的正面5F和背面5B露出。由贯通孔6的内壁面上的晶种层10a和晶种层10a上的电镀层10b形成通孔导体8。通孔导体8的上端8F从正面5F露出。通孔导体8的下端8B从背面5B露出。形成上端8F的面与正面5F形成同一平面。形成下端8B的面和背面5B形成同一平面。形成芯基板3(图1)。图1的芯基板3在正面5F上不具有导体电路。
图1的芯基板3在背面5B上不具有导体电路。
[0045] 在芯基板3上以同样的方法形成正面侧积层300F和背面侧积层300B。以下示出正面侧积层300F的形成方法。在图中还描绘了背面侧积层300B。
[0046] 如图2F所示，在基板4的正面5F和上端8F上形成第一树脂绝缘层20F和保护膜50F。第一树脂绝缘层20F的第二面24F与基板4的正面5F对置。在第一树脂绝缘层20F的第一面
22F上形成有保护膜50F。第一树脂绝缘层20F的第一面22F仅由树脂80形成。无机粒子90不从第一面22F露出。第一面22F不包含无机粒子90的表面。在第一树脂绝缘层20F的第一面
22F上未形成凹凸。第一树脂绝缘层20F形成在由正面5F和上端8F形成的平面上。因此，第一面22F由实质的平面形成。正面5F与第一面22F大致平行。
[0047] 如图2G所示，从保护膜50F之上照射激光L。激光L同时贯通保护膜50F和第一树脂绝缘层20F。形成到达通孔导体8的上端8F的过孔导体用的第一开口26F。激光L例如是UV激光、CO2激光。通孔导体8的上端8F通过第一开口26F露出。在形成第一开口26F时，第一面22F被保护膜50F覆盖。在形成第一开口26F时，即使树脂飞散，也能够抑制树脂附着于第一面22F。
[0048] 第一面22F的平坦性优异。在激光L照射到第一面22F时，激光L难以漫反射。在形成各第一开口26F时，激光L的焦点的位置容易一致。能够形成具有小直径的过孔导体用的开口。各过孔导体用的开口的直径大致相等。例如，能够形成具有15μm以上且35μm以下的直径的过孔导体用的开口。直径的大小在第一面22F上测定。
[0049] 清洗第一开口26F内。通过对第一开口26F内进行清洗，从而去除在第一开口26F形成时产生的树脂残渣。第一开口26F内的清洗通过等离子体进行。即，清洗通过干式工艺进行。清洗包含除胶渣处理。通过等离子体选择性地去除树脂80。相比于无机粒子90，等离子体更快地去除树脂80。第一开口26F的内壁面27F被等离子体粗糙化。
[0050] 通过清洗第一开口26F内，无机粒子90在第一开口26F的内壁面27F露出(图2G)。第一开口26F的内壁面27F包含无机粒子90的表面。第一开口26F的内壁面27F具有凹凸。另一方面，第一树脂绝缘层20F的第一面22F被保护膜50F覆盖。第一面22F不受等离子体的影响。第一面22F仅由树脂80形成。无机粒子90不从第一面22F露出。第一面22F不包含无机粒子90的表面。第一树脂绝缘层20F的第一面22F不具有凹凸。第一面22F平滑地形成。
[0051] 如图2H所示，从第一树脂绝缘层20F去除保护膜50F。在去除保护膜50F后，不会使第一树脂绝缘层20F的第一面22F粗糙化。
[0052] 如图2I所示，在第一树脂绝缘层20F的第一面22F上形成晶种层30Fa。晶种层30Fa通过溅射形成。晶种层30Fa的形成通过干式工艺进行。晶种层30Fa也形成于从第一开口26F露出的通孔导体8的上端8F和第一开口26F的内壁面27F。晶种层30Fa主要由铜形成。第一层31Fa通过溅射形成在第一面22F上。在从第一开口26F露出的内壁面27F和通孔导体8的上端
8F上通过溅射形成第一层31Fa。第二层31Fb通过溅射形成在第一层31Fa上。
[0053] 第一面22F的平坦性优异。在使用溅射在第一面22F上形成晶种层30Fa时，靶与第一面22F间的距离大致恒定。能够形成具有大致均匀的厚度的晶种层30Fa。
[0054] 在晶种层30Fa上形成抗镀剂。抗镀剂具有用于形成第一信号布线32F、第二信号布线34F以及焊盘36F(图1)的开口。
[0055] 在从抗镀剂露出的晶种层30Fa上形成电镀层30Fb。电镀层30Fb填充第一开口26F。由第一面22F上的晶种层30Fa和电镀层30Fb形成第一信号布线32F、第二信号布线34F以及焊盘36F(图1)。形成第一导体层30F。利用第一开口26F内的晶种层30Fa和电镀层30Fb形成第一过孔导体40F(图1)。第一过孔导体40F将通孔导体8与焊盘36F连接。第一信号布线32F和第二信号布线34F形成成对布线。
[0056] 去除抗镀剂。去除从电镀层30Fb露出的晶种层30Fa。如图2J所示，同时形成第一导体层30F和第一过孔导体40F。
[0057] 第二树脂绝缘层120F形成在第一树脂绝缘层20F的第一面22F和第一导体层30F上。第二导体层130F形成在第二树脂绝缘层120F的第一面122F上。第二过孔导体140F形成在第二树脂绝缘层120F的第二开口126F内。第二树脂绝缘层120F通过与第一树脂绝缘层20F相同的方法形成。第二导体层130F通过与第一导体层30F相同的方法形成。第二过孔导体140F通过与第一过孔导体40F同样的方法形成。得到实施方式的布线基板2(图1)。
[0058] 实施方式的布线基板2(图1)的芯基板3包含玻璃制的基板4。玻璃制的基板4的平坦性优异。第一树脂绝缘层20F、20B的第一面22F、22B由树脂80形成。第一树脂绝缘层20F、20B的第一面22F、22B仅由树脂80形成。第一树脂绝缘层20F、20B的第一面22F、22B不包含无机粒子90的表面。第一树脂绝缘层20F、20B的第一面22F、22B的平坦性和平滑性优异。能够在第一树脂绝缘层20F、20B的第一面22F、22B上形成微细的信号布线32F、32B、34F、34B。第二树脂绝缘层120F、120B的第一面122F、122B也与第一树脂绝缘层20F、20B的第一面22F、
22B相同。因此，能够在第二树脂绝缘层120F、120B的第一面122F、122B上形成微细的信号布线132F、132B、134F、134B。根据实施方式形成的信号布线的L/S例如小于5μm/5μm。信号布线的L/S优选为1.5μm/1.5μm以上且3.5μm/3.5μm以下。L表示信号布线的宽度，S表示相邻的信号布线间的空间的宽度。
[0059] 过孔导体用的开口(第一开口、第二开口)的内壁面由树脂80和无机粒子90的表面形成。形成于内壁面上的第一层通过溅射形成。认为在形成第一层时，形成溅射膜的粒子附着于内壁面的无机粒子90。认为形成溅射膜的粒子不埋入无机粒子90中。能够在内壁面上形成薄且连续的晶种层。根据实施方式，能够在第一面和内壁面上形成较薄且连续的晶种层。能够形成微细的信号布线。
[0060] 在实施方式的布线基板2(图1)中，第一树脂绝缘层20F、20B的第一面22F、22B由树脂80形成。无机粒子90不在第一面22F、22B露出。在第一面22F、22B未形成凹凸。抑制第一树脂绝缘层20F、20B的第一面22F、22B附近部分的相对介电常数的标准偏差变大。第一面22F、22B的相对介电常数不会根据位置而大幅变化。即使第一信号布线32F、32B和第二信号布线
34F、34B与第一面22F、22B接触，也能够减小第一信号布线32F、32B与第二信号布线34F、34B之间的电信号的传播速度之差。因此，在实施方式的布线基板2中噪声被抑制。即使在实施方式的布线基板2安装有逻辑IC，由第一信号布线32F、32B传递的数据和由第二信号布线
34F、34B传递的数据也几乎没有延迟地到达逻辑IC。能够抑制逻辑IC的误动作。即使第一信号布线32F、32B的长度和第二信号布线34F、34B的长度为5mm以上，也能够减小两者的传播速度之差。即使第一信号布线32F、32B的长度和第二信号布线34F、34B的长度为10mm以上且
20mm以下，也能够抑制逻辑IC的误动作。第二树脂绝缘层120F、120B的第一面122F、122B也与第一树脂绝缘层20F、20B的第一面22F、22B相同。因此，第一信号布线132F、132B和第二信号布线134F、134B也具有与第一信号布线32F、32B和第二信号布线34F、34B相同的效果。能够提供具有高品质的布线基板2。
[0061] [实施方式的改变例]
[0062] 改变例的布线基板与实施方式同样地具有芯基板3、正面侧积层300F以及背面侧积层300B。实施方式的芯基板3与改变例的芯基板3不同。实施方式的正面侧积层300F与改变例的正面侧积层300F相同。实施方式的背面侧积层300B与改变例的背面侧积层300B相同。改变例的芯基板3的截面如图3和图4所示。如图3和图4所示，改变例的芯基板3在玻璃制的基板4的正面5F上具有导体层10F、11F。导体层10F、11F包含覆盖通孔导体8的上端8F的焊盘14F。并且，改变例的芯基板3在基板4的背面5B上具有导体层10B、11B。导体层10B、11B包含覆盖通孔导体8的下端8B的焊盘14B。焊盘14F和焊盘14B通过通孔导体8电连接。实施方式的芯基板3不具有正面5F上的导体层和背面5B上的导体层。
[0063] 在改变例中，形成正面侧积层300F的正面侧的树脂绝缘层(芯基板正上方的树脂绝缘层)形成在导体层10F、11F和正面5F上。芯基板正上方的树脂绝缘层(第一树脂绝缘层20F)具有到达焊盘14F的过孔导体用的开口(第一开口26F)。在过孔导体用的开口内形成有与实施方式相同的过孔导体(第一过孔导体40F)。贯通芯基板正上方的树脂绝缘层的过孔导体到达焊盘14F，因此形成该过孔导体的晶种层(第一层31Fa)与焊盘14F的上表面和开口的内壁面接触。贯通芯基板正上方的树脂绝缘层的过孔导体经由焊盘14F与通孔导体8电连接。
[0064] 在改变例中，形成背面侧积层300B的背面侧的树脂绝缘层(芯基板正下方的树脂绝缘层)形成在导体层10B、11B和背面5B上。芯基板正下方的树脂绝缘层(第一树脂绝缘层20B)具有到达焊盘14B的过孔导体用的开口(第一开口)。在过孔导体用的开口内形成有与实施方式同样的过孔导体(第一过孔导体40B)。贯通芯基板正下方的树脂绝缘层的过孔导体到达焊盘14B，因此形成该过孔导体的晶种层与焊盘14B的上表面和开口的内壁面接触。
贯通芯基板正下方的树脂绝缘层的过孔导体经由焊盘14B与通孔导体8电连接。
[0065] [改变例的布线基板的制造方法]
[0066] 图3所示的芯基板3是第一例的芯基板3。第一例的芯基板3的制造方法如下所示。准备图2D所示的中途基板。通过减成法，在正面5F上形成导体层10F。在背面5B上形成导体层10B。得到改变例的第一例的芯基板3。
[0067] 导体层10F由晶种层10a和晶种层10a上的电镀层10b形成。导体层10B由晶种层10a和晶种层10a上的电镀层10b形成。晶种层10a通过化学镀覆形成。形成导体层10F的晶种层10a、形成导体层10B的晶种层10a和形成通孔导体8的晶种层10a是共同的。形成导体层10F的电镀层10b、形成导体层10B的电镀层10b和形成通孔导体8的电镀层10b是共同的。导体层
10F、10B和通孔导体8同时形成。同时形成通孔导体8和焊盘14F、14B。通孔导体8和焊盘14F、
14B一体地形成。在上端8F与焊盘14F之间不存在晶种层。在下端8B与焊盘14B之间不存在晶种层。
[0068] 图4所示的芯基板3是第二例的芯基板3。第二例的芯基板3的制造方法如下所示。准备图2E所示的中途基板。在正面5F上和背面5B上形成晶种层11Fa、11Ba。晶种层11Fa、
11Ba通过化学镀覆形成。晶种层11Fa、11Ba也可以通过溅射形成。晶种层11Fa覆盖基板4的正面5F和通孔导体8的上端8F。晶种层11Ba覆盖基板4的背面5B和通孔导体8的下端8B。在晶种层11Fa、11Ba上形成电镀层11Fb、11Bb。然后，通过减成法形成导体层11F、11B。得到改变例的第二例的芯基板3。
[0069] 导体层11F由晶种层11Fa和晶种层11Fa上的电镀层11Fb形成。导体层11B由晶种层11Ba和晶种层11Ba上的电镀层11Bb形成。晶种层11Fa形成在基板4的正面5F上。晶种层11Fa覆盖通孔导体8的上端8F。晶种层11Ba形成在基板4的背面5B上。晶种层11Ba覆盖通孔导体8的下端8B。晶种层11Fa、11Ba通过化学镀覆形成。晶种层11Fa、11Ba也可以通过溅射形成。形成导体层11F、11B的晶种层11Fa、11Ba与形成通孔导体8的晶种层10a不同。形成导体层11F、
11B的电镀层11Fb、11Bb与形成通孔导体8的电镀层10b不同。导体层11F、11B和通孔导体8分别形成。在第二例中，在形成上端8F的电镀层10b与形成焊盘14F的电镀层11Fb之间存在形成焊盘14F的晶种层11Fa。在形成下端8B的电镀层10b与形成焊盘14B的电镀层11Bb之间存在形成焊盘14B的晶种层11Ba。与此相对，在第一例(图3)中，形成上端8F的电镀层10b与形成焊盘14F的电镀层10b连续。形成下端8B的电镀层10b和形成焊盘14B的电镀层10b连续。
[0070] 在改变例的芯基板3上以与实施方式相同的方法形成正面侧积层300F和背面侧积层300B。
