技术领域
[0001] 本发明大体来说涉及一种测试装置及其测试方法，且更具体来说，涉及用于验证电压效应对存储器装置的影响的测试方法。
相关背景技术
[0002] 在动态随机访问存储器(dynamic random access memory，DRAM)中，工作电压的变化总是影响DRAM的性能。在常规技术中，主要依赖于分析人员花费大量的时间在来自测试设备的测试仪器上，并且在测试过程期间测试操作不能被中断(以便不影响前后差异的结果)。
[0003] 然而，在产品开发的早期阶段，如何有效地缩短DRAM的验证时间和分析效率对于设计者来说是极其重要的，因此需要创建一种简单且快速的验证方法。
具体实施方式
[0013] 现将详细参照本发明的优选实施例，所述优选实施例的实例在附图中示出。在附图及说明中尽可能使用相同的参考编号指代相同或类似的部件。
[0014] 请参照图1，图1示出根据本公开实施例的测试方法的流程图。在步骤S110中，可将存储器装置的核心电压设置为第一电压值，并且可将存储单元的至少一个外围电压设置为第二电压值。在步骤S120中，可通过基于具有第一电压值的核心电压和具有第二电压值的至少一个外围电压来访问存储器装置而测试存储器装置。详细来说，在步骤S120中，可首先将至少一个测试图案写入存储器装置的存储阵列中的多个存储单元，且然后可通过读取存储器装置的存储阵列中的所有存储单元来获得读出信息。此外，可通过将至少一个测试图案与读出信息进行比较来产生第一测试结果。
[0015] 在本实施例中，所述至少一个测试图案可由设计者预设和确定。所述至少一个测试图案的大小和值可由设计者设置，而没有特别的限制。举例来说，在一个实施例中，所述至少一个测试图案的数量可为1。一个具有8位的测试图案可被预设，并且可被重复写入存储阵列中的每8个存储单元中。测试图案的值可为16进制的0x55、0xAA或任何其他值。在一些实施例中，所述至少一个测试图案的数量可大于1，并且测试图案中的每一者可由计数器产生。举例来说，如果计数器是递增计数器，那么测试图案可为十六进制的0x00、0x01、0x02、0x03…等。如果计数器是递减计数器，那么测试图案可为十六进制的0xFF、0xFE、
0xFD、0xFC…等。
[0016] 在步骤S130中，将核心电压设置为第三电压值，并且将至少一个外围电压设置为第四电压值。在本实施例中，第三电压值不同于步骤S110中的第一电压值，并且第三电压值可小于第一电压值。第四电压值不同于步骤S110中的第二电压值，并且第四电压值可小于第二电压值。在步骤S140中，可通过基于具有第三电压值的核心电压和具有第四电压值的至少一个外围电压来读取存储器装置而再次测试存储器装置。此外，可通过将在步骤S110中写入存储阵列的至少一个测试图案与通过步骤S140获得的读出数据进行比较来产生第二测试结果。
[0017] 请注意，步骤S130和步骤S140可形成循环，并且可重复执行。在每个循环中，核心电压可降低第一阶跃电压，并且至少一个外围电压可降低第二阶跃电压。第一阶跃电压与第二阶跃电压可不同，并且可设置在5毫伏到10毫伏之间。
[0018] 在步骤S150中，将核心电压设置为第五电压值，并且将至少一个外围电压设置为第六电压值。在本实施例中，第五电压值不同于步骤S110中的第一电压值，并且第五电压值可大于第一电压值。第六电压值不同于步骤S110中的第二电压值，并且第六电压值可大于第二电压值。在步骤S160中，可通过基于具有第五电压值的核心电压和具有第六电压值的至少一个外围电压来读取存储器装置而再次测试存储器装置。此外，可通过将在步骤S110中写入存储阵列的至少一个测试图案与通过步骤S160获得的读出数据进行比较来产生第三测试结果。
[0019] 请注意，步骤S150和步骤S160可形成循环，并且可重复执行。在每个循环中，核心电压可增加第三阶跃电压，并且至少一个外围电压可增加第四阶跃电压。第三阶跃电压与第四阶跃电压可不同，并且可设置在5毫伏到10毫伏之间。
[0020] 通过对第一测试结果、第二测试结果和第三测试结果进行组合，可验证电压变化效应对存储器装置的影响。如此一来，可根据电压变化效应的影响来调整用于制作存储器装置的工艺参数，并且可增强存储器装置的性能。
[0021] 此处应注意，步骤S110到步骤S160中的所有步骤都可在后台模式下实行。对于嵌入在电子装置中的存储器装置，电子装置可通过执行程序来设置后台模式，并且可根据程序的设置在后台模式下实行步骤S110到步骤S160。如此一来，本公开的测试方法不会占用电子装置太多的工作时间，且可快速验证电压变化效应的影响。
[0022] 请参照图2，图2为根据本公开另一实施例的测试方法的流程图。在步骤S210中，将存储器装置设置为正常电压条件，并且将测试图案写入存储阵列的所有存储单元。举例来说，在正常电压条件下，可将存储器装置的存储阵列的核心电压设置为0.6V，可将存储阵列的第一外围电压设置为1.8V，且可将存储阵列的第二外围电压设置为1.1V。基于核心电压、第一外围电压和第二外围电压，可将预设测试图案写入存储阵列的所有存储单元中。
[0023] 在步骤S220中，在正常电压条件下，读取存储阵列的所有存储单元，并且可获得读出信息。此外，通过将读出信息与测试图案进行比较，可获得第一测试结果。
[0024] 在步骤S230中，可将存储器装置改变为低电压条件。在所述低电压条件下，可将存储阵列的核心电压调整为0.57V，将存储阵列的第一外围电压设置为1.7V，并可将第二外围电压调整为1.06V。此外，在步骤S230中，通过基于低电压条件读取存储阵列的所有存储单元，可获得另一读出信息。
[0025] 通过将在步骤S230中获得的读出信息与测试图案进行比较，可获得第二测试结果。
[0026] 此处应注意，核心电压、第一外围电压和第二外围电压不需要一次调整到位。可在多个电压调整步骤期间逐步调整第一外围电压和第二外围电压，并且可在电压调整步骤中的每一者中通过多个阶跃电压分别调整第一外围电压和第二外围电压。此外，对于调整步骤中的每一者来说，可读取存储阵列的所有存储单元，并将其与测试图案进行比较，以获得第二测试结果。
[0027] 在步骤S240中，可将存储器装置改变为高电压条件。在高电压条件下，可将存储阵列的核心电压调整为0.65V，可将存储阵列的第一外围电压设置为1.95V，且可将第二外围电压调整为1.17V。此外，在步骤S240中，通过基于高电压条件读取存储阵列的所有存储单元，可获得另一读出信息。
[0028] 通过将在步骤S240中获得的读出信息与测试图案进行比较，可获得第三测试结果。
[0029] 当然，在步骤S240中，核心电压、第一外围电压和第二外围电压也不需要一次调整到位。可在多个电压调整步骤期间逐步调整第一外围电压和第二外围电压，并且可在电压调整步骤中的每一者中通过多个阶跃电压分别调整第一外围电压和第二外围电压。此外，对于调整步骤中的每一者来说，可读取存储阵列的所有存储单元，并将其与测试图案进行比较，以获得第三测试结果。
[0030] 此处应注意，步骤S210到步骤S240中的所有步骤也可在后台模式下实行。电子装置可通过执行程序来设置后台模式以测试存储器装置，并且可根据程序的设置在后台模式下实行步骤S210到步骤S240。如此一来，本公开的测试方法不会占用电子装置太多的工作时间，且可快速验证电压变化效应的影响。
[0031] 请参照图3，图3示出根据本公开实施例的测试装置。测试装置300耦合到被测存储器装置301。测试装置300包括控制器310、测试图案提供器320和电压发生器330。控制器310可耦合到存储器装置301。控制器310被配置成实行步骤S110到步骤S160或步骤S210到步骤S240来测试存储器装置301。步骤S110到步骤S160和步骤S210到步骤S240的细节已在上述实施例中进行了阐述，且在此不再赘述。
[0032] 控制器310可为具有计算功能的处理器。作为另外一种选择，控制器310可为使用硬件描述语言(hardware description language，HDL)或所属领域相关技术人员众所周知的任何数字电路设计方法设计的硬件电路，并通过现场可编程门阵列(field programmable gate array，FPGA)、复杂可编程逻辑装置(complex programmable logic device，CPLD)或应用专用集成电路(application‑specific integrated circuit，ASIC)来实施。
[0033] 测试图案提供器320耦合到控制器310。测试图案提供器320用于提供至少一个测试图案来测试存储器装置301。在一个实施例中，测试图案提供器320可包括用于存储至少一个预设测试图案的存储器装置，并提供存储的测试图案用于测试存储器装置301。在另一实施例中，测试图案提供器320可为用于通过实行计数操作来产生测试图案的计数器。此外，测试图案提供器320可为用于根据预定的数字序列来提供测试图案的数字电路。
[0034] 电压发生器330耦合到存储器装置301，并被配置成向存储器装置301产生核心电压VC和至少一个外围电压VP。存储器装置301的核心电路接收核心电压VC作为工作电压，并且存储器装置301的至少一个外围电路接收至少一个外围电压VP作为工作电压。在本公开的测试步骤期间，控制器310可向电压发生器330发送命令以调整核心电压VC和至少一个外围电压VP。
[0035] 电压发生器330可为所属领域中的技术人员众所周知的任何类型的电压调节电路，且所述电压调节电路可根据外部命令来调整所产生的电压。
[0036] 总而言之，本公开提供了一种用于在不同电压条件下测试存储器装置的测试方法。通过在不同电压条件期间读取存储在存储单元中的测试图案，并将读出信息与写入的测试图案进行比较，本公开的测试步骤可在后台实行，并且可快速验证电压变化效应的影响。如此一来，可根据电压变化效应的影响来改善存储器装置的工艺参数，且可相应地提高存储器装置的性能。
[0037] 对于所属领域中的技术人员来说将显而易见的是，在不背离本公开的范围或精神的情况下，可对所公开的实施例作出各种修改和变化。鉴于前述内容，本公开旨在涵盖落入所附权利要求及其等效形式的范围内的修改和变化。
