具体技术细节
[0003] 有鉴于此，本发明提供了一种光伏电池制备方法，用以解决制造光伏电池的成本和反应能耗均较高的问题。
[0004] 第一方面，本申请提供一种光伏电池制备方法，包括以下步骤：
[0005] 提供第一面形成硼掺杂层的硅片；
[0006] 在硅片的第一面依次生长氧化铝层和减反射层，得到第一面最外层为减反射层的硅片；
[0007] 对第一面最外层为减反射层的硅片的第二面进行抛光处理，得到抛光处理后的硅片；
[0008] 在抛光处理后的硅片的第二面依次生长隧穿氧化层、多晶硅层和减反射层，得到第二面最外层为减反射层的光伏电池。
[0009] 可选地，在硅片的第一面依次生长氧化铝层和减反射层，包括以下步骤：
[0010] 在硅片的第一面生长氧化铝层；
[0011] 在氧化铝层远离第一面一侧生长减反射层。
[0012] 可选地，在硅片的第一面生长氧化铝层包括采用离子体化学气相沉积法生长氧化铝层，其中，放电功率范围为12000W‑23000W，温度范围为450℃‑560℃，一氧化二氮流量范围为7000sccm‑12000sccm，氨气流量范围为4000sccm‑10000sccm，压力范围为190mbar‑220mbar。
[0013] 可选地，在氧化铝层远离第一面一侧生长减反射层包括采用离子体化学气相沉积法生长减反射层，其中，温度范围为450℃‑530℃、压力范围为240mbar‑270mbar。
[0014] 可选地，在抛光处理后的硅片的第二面依次生长隧穿氧化层、多晶硅层和减反射层，包括以下步骤：
[0015] 在抛光处理后的第二面生长隧穿氧化层；
[0016] 在隧穿氧化层远离第一面一侧生长非晶硅层；
[0017] 将非晶硅层转变为多晶硅层；
[0018] 在多晶硅层远离第一面一侧生长减反射层。
[0019] 可选地，在抛光处理后的第二面生长隧穿氧化层包括采用氧化法生长隧穿氧化层，其中，氧气的流量范围为30000sccm‑38000sccm，温度范围为580℃‑620℃。
[0020] 可选地，将非晶硅层转变为多晶硅层包括采用扩散炉将非晶硅层转变为多晶硅层，其中，三氯氧磷的流量范围为600sccm‑1500sccm，氧气的流量范围为800sccm‑3000sccm、温度范围为850℃‑920℃。
[0021] 可选地，第一面形成硼掺杂层的硅片的制备方法，包括以下步骤：
[0022] 对硅片制绒处理；
[0023] 对制绒后的硅片前硼扩处理；
[0024] 激光扫描前硼扩处理后的硅片的第一面；
[0025] 对激光扫描后的硅片进行氧化处理，得到第一面形成硼掺杂层的硅片。
[0026] 可选地，得到第二面最外层为减反射层的光伏电池后光伏电池的制备方法包括去绕镀、丝网印刷、烧结。
[0027] 第二方面，本申请提供一种光伏电池，包括上述任一项的光伏电池制备方法制备的光伏电池。
[0028] 与现有技术相比，本发明提供的光伏电池及其制备方法，至少实现了如下的有益效果：
[0029] 本发明提供的光伏电池及其制备方法，该光伏电池制备方法包括以下步骤：提供第一面形成硼掺杂层的硅片；在硅片的第一面依次生长氧化铝层和减反射层，得到第一面最外层为减反射层的硅片；对第一面最外层为减反射层的硅片的第二面进行抛光处理，得到抛光处理后的硅片；在抛光处理后的硅片的第二面依次生长隧穿氧化层、多晶硅层和减反射层，得到第二面最外层为减反射层的光伏电池；该光伏电池制备方法相较于现有技术中的光伏电池制备方法减少了去绕镀工序，避免了此工序带来的复杂性、操作难度以及工艺管控难度，降低了制造光伏电池的成本，降低了反应能耗。
[0030] 当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
[0031] 通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
法律保护范围
涉及权利要求数量10：其中独权2项，从权-2项
1.一种光伏电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供第一面形成硼掺杂层的硅片；
在所述硅片的第一面依次生长氧化铝层和减反射层，得到第一面最外层为减反射层的所述硅片；
对第一面最外层为减反射层的所述硅片的第二面进行抛光处理，得到抛光处理后的所述硅片；
在抛光处理后的所述硅片的第二面依次生长隧穿氧化层、多晶硅层和减反射层，得到第二面最外层为减反射层的光伏电池。
2.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述在所述硅片的第一面依次生长氧化铝层和减反射层，包括以下步骤：
在所述硅片的第一面生长氧化铝层；
在所述氧化铝层远离所述第一面一侧生长减反射层。
3.根据权利要求2所述的光伏电池制备方法，其特征在于，在所述硅片的第一面生长氧化铝层包括采用离子体化学气相沉积法生长氧化铝层，其中，放电功率范围为12000W‑
23000W，温度范围为450℃‑560℃，一氧化二氮流量范围为7000sccm‑12000sccm，氨气流量范围为4000sccm‑10000sccm，压力范围为190mbar‑220mbar。
4.根据权利要求2所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述在所述氧化铝层远离所述第一面一侧生长减反射层包括采用离子体化学气相沉积法生长减反射层，其中，温度范围为450℃‑530℃、压力范围为240mbar‑270mbar。
5.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述在抛光处理后的所述硅片的第二面依次生长隧穿氧化层、多晶硅层和减反射层，包括以下步骤：
在抛光处理后的所述第二面生长隧穿氧化层；
在所述隧穿氧化层远离所述第一面一侧生长非晶硅层；
将所述非晶硅层转变为多晶硅层；
在所述多晶硅层远离所述第一面一侧生长减反射层。
6.根据权利要求5所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述在抛光处理后的所述第二面生长隧穿氧化层包括采用氧化法生长隧穿氧化层，其中，氧气的流量范围为
30000sccm‑38000sccm，温度范围为580℃‑620℃。
7.根据权利要求5所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述将所述非晶硅层转变为多晶硅层包括采用扩散炉将非晶硅层转变为多晶硅层，其中，三氯氧磷的流量范围为
600sccm‑1500sccm，氧气的流量范围为800sccm‑3000sccm、温度范围为850℃‑920℃。
8.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述第一面形成硼掺杂层的硅片的制备方法，包括以下步骤：
对硅片制绒处理；
对制绒后的所述硅片前硼扩处理；
激光扫描前硼扩处理后的所述硅片的第一面；
对激光扫描后的所述硅片进行氧化处理，得到第一面形成硼掺杂层的硅片。
9.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，得到第二面最外层为减反射层的光伏电池后所述光伏电池的制备方法包括去绕镀、丝网印刷、烧结。
10.一种光伏电池，其特征在于，包括权利要求1‑9任一项所述的光伏电池制备方法制备的光伏电池。
