[0003] 本申请总体上涉及电子设计自动化，更具体地，涉及实时图形化热点分析仪。

[0004] 在用于制作集成电路的设计流程中，集成电路的物理设计可以描述具体的几何元素，通常称为“布局”设计。几何元素，通常是多边形，限定为了制造集成电路而将以各种材料创建的形状。典型地，设计者将选择表示例如触点、门等电路设备部件的几何元素组，并将它们放置在设计区域中。这些几何元素组可以是定制设计的，从先前创建的设计库中选择的，或者两者的某些组合。一旦已放置了表示电路设备部件的几何元素组，则将表示连接线路的几何元素根据预定路线放置在这些几何元素之间。这些线路将形成用于将电子设备互连的布线。

[0005] 电路布局描述可以以多种不同的格式提供。图形数据系统II(Graphic Data System II，GDSII)格式是用于传输和归档二维(Two‑Dimensional，2D)图形电路布局数据的流行格式。除了其他特征，其还包含结构的层级，每个结构包含布局元素(例如，多边形、路径或多线、圆圈和文本框)。其他格式包括名为Open Access、Milkyway、EDDM和Open Artwork System Interchange Standard(OASIS)的开源格式。这些不同的行业格式用于限定用于制造集成电路的布局设计中的几何信息。一旦设计完成，设计的布局部分可以被制作工具用于使用光刻工艺来制造电路。

[0006] 有很多不同的用于制造电路的制作过程，但是大多数过程包括在衬底上沉积不同材料的层，将每层的特定部分暴露于辐射中，然后刻蚀掉该层的暴露(或非暴露)部分的一系列步骤。例如，可以通过以下步骤制造简单的半导体设备部件：首先，通过化学气相沉积在硅衬底上生长正型外延层。接下来，在外延层上沉积氮化物层。然后，将氮化物层的特定区域暴露于辐射，并且将暴露区域刻蚀掉，留下外延层上的暴露区域(即不再被氮化物层覆盖的区域)。然后，对暴露区域进行扩散或离子注入过程，使得掺杂剂(例如磷)进入暴露的外延层并形成带电阱。这样在衬底或后续材料层上沉积材料层，然后将特定图形暴露于辐射、刻蚀、以及掺杂剂或其他扩散材料的过程重复多次，从而允许制造电路的不同物理层。

[0007] 每次材料层暴露于辐射时，必须创建掩模以仅将所期望区域暴露于辐射，并保护其他区域免于暴露。掩模是根据电路布局数据创建的。也就是说，在布局设计中描述的几何元素限定了将通过掩模暴露于辐射的电路的相对位置或区域。使用掩模写入工具或光标写入工具基于布局设计来创建掩模，之后可以在光刻过程中使用掩模。

[0008] 随着设计者和制造商继续增加给定区域中的电路部件的数量和/或缩小电路部件的尺寸，衬底上再现的形状(以及因此在掩模中的形状)变得更小并且放置得更靠近在一起。特征尺寸的减小增加了将布局设计所预期的图像忠实地再现到衬底上的难度。光的衍射效应通常会导致在光刻过程中未能将预期图像精确地“印刷”到基底上的缺陷，从而在所制造的器件中产生瑕疵。通常使用一种或多种分辨率增强技术(Resolution Enhancement Technique，RET)来改善在光刻过程中掩模形成在衬底上的图像的分辨率。

[0009] 这些技术中的一种，即“光学邻近修正”或“光刻工艺修正”(Optical Process Correction，OPC)，通过修改用于创建掩模的掩模布局设计数据来调整通过光刻掩模透射的光的幅值。例如，可以根据衬底上的某些点处期望多少额外曝光(或曝光缺乏)来调整掩模布局设计中的边缘，以使几何元素的某些部分更大或更小。当适当地校准这些调整时，可以提高整体图形保真度。

[0010] 在制造期间，半导体制造商可以利用基于掩模布局设计数据创建的光刻掩模来制作集成电路。然而，由半导体制造商使用的制造过程可能具有在集成电路的制作期间变化的参数，例如通过光刻掩模透射的光的曝光剂量和焦平面，其可能改变一些集成电路结构的尺寸和/或形状。在某些情况下，这些尺寸和/或形状的改变会导致集成电路中的缺陷，例如，当结构超出集成电路中的关键尺寸(Critical Dimension，CD)的误差容限时。可能改变的另一个参数对应于在集成电路的不同层上制作的结构的相对对齐，这可能导致结构重叠，从而导致意外短路或导致结构不是非重叠，从而切断预期的电连接。

[0011] 设计者可以利用光刻模拟来分析一组剂量值、聚焦值和对齐值如何能够影响集成电路制造中所涉及的图形，并确定是否必须返工一个或多个制造步骤。然而，这些光刻模拟和对应的分析当在集成电路制造后实时执行时，可能计算成本高、耗时且不实用，因此许多设计人员倾向于做出过于保守的返工决策，这不必要地增加了整个制作流程的成本。

[0019] 可以通过计算设备101(例如可编程计算机)执行软件指令来实施各种示例。相应地，图1示出了计算设备101的说明性示例。如该图中所见，计算设备101包括具有处理单元105和系统存储器107的计算单元103。处理单元105可以是用于执行软件指令的任何类型的可编程电子设备，但是通常将是微处理器。系统存储器107可以包括只读存储器(Read‑Only Memory，ROM)109和随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)111。如本领域普通技术人员将理解的，只读存储器(Read‑Only Memory，ROM)109和随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)111都可以存储由处理单元105执行的软件指令。

[0020] 处理单元105和系统存储器107通过总线113或可替代通信结构直接或间接地连接到一个或多个外围设备115至123。例如，处理单元105或系统存储器107可以直接或间接地连接到一个或多个附加的存储器存储设备，例如硬盘驱动器117(其可以是磁性的和/或可移动的)、可移动光盘驱动器119、和/或闪存卡。处理单元105和系统存储器107也可以直接或间接地连接到一个或多个输入设备121和一个或多个输出设备123。输入设备121可以包括例如键盘、指点设备(例如鼠标、触摸板、指示笔、跟踪球或操纵杆)、扫描仪、相机和麦克风。输出设备123可以包括例如监控显示器、印刷机和扬声器。对于计算设备101的各种示例，外围设备115至123中的一个或多个外围设备可以与计算单元103一起容纳在内部。可替代地，外围设备115至123中的一个或多个外围设备可以处于计算单元103的外壳外部，并通过例如通用串行总线(Universal Serial Bus，USB)连接而连接到总线113。

[0021] 在一些实施方式中，计算单元103可以直接或间接地连接到网络接口115，用于与构成网络的其他设备进行通信。网络接口115可以根据一个或多个通信协议，例如传输控制协议(Transmission Control Protocol，TCP)和因特网协议(Internet Protocol，IP)，将来自计算单元103的数据和控制信号转换为网络消息。此外，网络接口115可以采用用于连接到网络的任何合适的连接代理(或代理的组合)，包括例如无线收发器、调制解调器或以太网连接。这样的网络接口和协议在本领域中是公知的，因此这里将不再进行更详细的讨论。

[0022] 应当理解，计算设备101仅作为示例示出，而不是旨在进行限制。可以使用包括图1中所示的计算设备101的部件的一个或多个计算设备来实施各种实施例，其仅包括图1中所示的部件的子集，或者包括部件的可替代组合，包括图1中未示出的部件。例如，可以使用多处理器计算机、布置到网络中的多个单处理器计算机和/或多处理器计算机、或两者的某种组合来实施各种实施例。

[0023] 在一些实施方式中，处理器单元105可以具有多于一个的处理器核心。相应地，图2示出了可用于各种实施例的多核心处理器单元105的示例。如该图中所见的，处理器单元105包括多个处理器核心201A和201B。每个处理器核心201A和201B分别包括计算引擎203A和计算引擎203B，以及分别包括存储器高速缓存205A和存储器高速缓存205B。如本领域普通技术人员已知的，计算引擎203A和计算引擎203B可以包括用于执行各种计算功能的逻辑设备，该各种计算功能例如是获取软件指令，然后执行在所获取的指令中指定的动作。这些动作可以包括，例如，相加、相减、相乘和比较数字，执行例如AND、OR、NOR和XOR等逻辑运算，以及检索数据。每个计算引擎203A和203B然后可以分别使用其对应的存储器高速缓存205A和存储器高速缓存205B来快速存储和检索用于执行的数据和/或指令。

[0024] 每个处理器核心201A和201B连接到互连207。互连207的特定构造可根据处理器单元105的架构而变化。对于一些处理器核心201A和201B，例如由索尼公司(Sony Corporation)、东芝公司(Toshiba Corporation)和IBM公司(IBM Corporation)创建的单元微处理器，互连207可以被实施为互连总线。然而，对于其他处理器单元201A和201B，例如可从加利福尼亚州的森尼韦尔市的超威半导体(Advanced Micro Devices)获得的OpteronTM和AthlonTM双核心(dual‑core)处理器，互连207可以被实施为系统请求接口设备。在任何情况下，处理器核心201A和201B通过互连207与输入/输出接口209和存储器控制器210通信。输入/输出接口209提供到总线113的通信接口。类似地，存储器控制器210控制到系统存储器107的信息交换。对于一些实施方式，处理器单元105可以包括附加部件，例如可以由处理器核心201A和201B共享的高级高速缓存存储器。还应当理解，对图1和图2中所示的计算机网络的描述仅作为示例提供，并且其并非旨在暗示对关于可替代实施例的使用范围或功能的任何限制。

[0025] 实时图形化热点分析仪

[0026] 图3示出了根据各种实施例的实时基于热点进行晶片分析的示例动态晶片处置系统。图7示出了根据各种实施例的实时基于热点进行晶片分析的示例动态晶片处置。参考图3和图7，图形化热点系统310可以接收掩模设计布局301，掩模设计布局301描述具有图形的光刻掩模，该具有图形的光刻掩模在用于制作集成电路的光刻过程期间允许材料层的部分暴露于光。光刻掩模可以例如使用光刻写工具根据掩模设计布局301生成，其使得能够制作出与集成电路的布局设计对应的目标晶片图像。布局设计可以限定能够被用于制造集成电路的几何信息，该几何信息可以被指定为图形数据系统II(Graphic Data System II，GDSII)格式、开放接入(Open Access)格式、Milkyway格式、EDDM格式、开放艺术品系统交换标准(Open Artwork System Interchange Standard，OASIS)格式等。在一些实施例中，掩模设计布局301可以经受光学邻近修正，该光学邻近修正可以调整掩模设计布局301以改变通过掩模(该掩模由掩模设计布局301生成)透射的光的幅值，并增加印刷在集成电路上的整体图形保真度。

[0027] 图形化热点系统310可以接收过程模型302，该过程模型302可以描述由半导体制造商执行以制作出与电路设计布局对应的集成电路的制造过程。过程模型302能够识别制造过程的关键尺寸以及为了制作集成电路而执行的操作的类型。过程模型302还可以识别制造参数的加工值(foundry value)，例如光刻过程期间的光的聚焦、曝光的曝光剂量或时间段等。

[0028] 图形化热点系统310可以接收规则组(ruledeck)303，该规则组303描述光刻分析检查和设计规则，其指定例如宽度、间距、外围等的尺寸约束。规则组303可以是美国信息交换标准代码(American Standard Code for Information Interchange，ASCII)文件格式。图形化热点系统310可以接收参数分布304，以识别在集成电路的制作期间哪些制造参数可能发生变化，例如光刻过程期间的光的聚焦、曝光的曝光剂量或时间段、关键尺寸掩模误差、随机效应等。参数分布304还可以识别制作期间制造参数的分布的类型，并限定制造参数在该分布中可以如何变化。例如，当制造参数根据高斯分布变化时，参数分布304可以包括每个制造参数的平均值和标准差。

[0029] 图形化热点系统310可以包括过程变异性系统312，在图7的框701中，过程变异性系统312可以生成用于能够基于掩模设计布局301印刷在集成电路上的不同结构的过程变异性带。图形化热点系统310可以例如使用过程模型302对掩模布局设计布局301执行光刻模拟，以确定能够在曝光剂量以及参数分布304中描述的聚焦深度制造参数的各种范围下印刷在集成电路上的结构的轮廓的边缘放置误差(Edge Placement Error，EPE)。在一些实施例中，这些结构的轮廓的EPE也可以基于层之间的结构重叠变化或对齐。过程变异性系统312可以聚合不同边缘放置误差来创建用于每个结构的过程变异性带。在一些实施例中，过程变异性带可以包括正边缘带(例如，具有给定不同曝光剂量、聚焦深度和可能的对齐的最大正轮廓)，以及包括负边缘带(例如，具有给定不同曝光剂量、聚焦深度和可能的对齐的最大负轮廓)。以下将参考图4A和图4B描述过程变异性带的实施例。

[0030] 图4A和图4B示出了根据各种实施例的由图形化热点系统利用的过程变异性带的示例。参考图4A，过程变异性带410可以包括用于在使用掩模设计布局进行制造期间能够印刷在集成电路上的多个结构的轮廓401至403的集合和轮廓404至406的集合。过程变异性带410可以包括与通过光刻过程制造得到的目标结构对应的目标轮廓401和目标轮廓404。如上所述，制造变异性，例如曝光剂量和聚焦深度的变化，可能导致所制造的结构具有偏离目标轮廓401和目标轮廓404的轮廓。

[0031] 图形化热点系统可以模拟正在制造的具有各种制造变异性的组合的结构，并利用模拟的结果生成过程变异性带410的内轮廓402和内轮廓405以及生成外轮廓403和外轮廓406。在一些实施例中，图形化热点系统可以聚合与模拟结构相关联的边缘放置误差，以识别内轮廓402和内轮廓405，并识别外轮廓403和外轮廓406。在这些示例中，内轮廓402和内轮廓405可以具有给定不同曝光剂量和聚焦深度的最大负轮廓，而外轮廓403和外轮廓406可以具有给定不同曝光剂量和聚焦深度的最大正轮廓。

[0032] 图形化热点系统可以利用过程变异性带410来确定结构之间的间隙距离407。间隙距离407可以对应于在给定曝光剂量和聚焦深度的不同制造变化的情况下，结构彼此之间可以具有的最小距离。在一些实施例中，图形化热点系统可以使用外轮廓403和外轮廓406，例如，识别外轮廓403和外轮廓406彼此最接近的位置，来确定间隙距离407。

[0033] 参考图4B，具有轮廓411至轮廓416的过程变异性带420类似于具有轮廓401‑轮廓406的过程变异性带410，除了结构包括重叠(例如集成电路的不同层上的重叠)之外。图形化热点系统可以确定重叠区域417，而不是利用过程变异性带420确定结构之间的间隙距离。重叠区域417可以对应于在给定可能发生的不同制造变化的情况下，结构彼此重叠的最小部分。在一些实施例中，图形化热点系统可以使用内轮廓412和内轮廓415确定重叠区域
417。

[0034] 返回参考图3，图形化热点系统310可以包括热点检测系统314，在图7的框702中，该热点检测系统314可以利用过程变异性带来检测与掩模设计布局301相关联的热点结构。在一些实施例中，热点检测系统314可以测量由过程变异性系统312生成的正边缘带之间的间隙距离，并利用间隙距离来识别与掩模设计布局301相关联的一个或多个热点结构。例如，热点检测系统314可以利用所测量的间隙距离、来自规则组303的间隔和/或宽度、以及可能不同的层间对齐，来确定在制造期间曝光剂量和聚焦深度的组合何时可能导致故障或对制造的集成电路进行返工的决定。在一些实施例中，热点检测系统314可以使用由过程变异性系统312生成的负边缘带来测量重叠区域，并利用重叠区域来识别与掩模设计布局301相关联的一个或多个热点结构。例如，热点检测系统314可以利用重叠区域、来自规则组303的间隔和/或宽度、以及可能不同的层间对齐，来确定在制造期间曝光剂量和聚焦深度的组合何时可能导致故障或对制造的集成电路进行返工的决定。

[0035] 在一些实施例中，热点检测系统314还可以基于每种故障类型将检测到的热点分类为主要热点(hotspot master)。例如，热点检测系统314可以识别出具有共同故障类型和相似的曝光剂量和聚焦深度的检测到的热点的分组，并将检测到的热点分类为对应于主要热点。

[0036] 图形化热点系统310可以包括热点表征系统316，热点表征系统316利用检测到的与掩模设计布局301相关联的热点结构来生成热点表征信息305，热点表征信息305用于对制造的晶片进行实时评估。在一些实施例中，热点表征系统316可以确定当使用曝光剂量和聚焦深度的不同组合制造时检测到的热点的轮廓。当热点检测系统314将检测到的热点分类为主要热点时，热点表征系统316可以例如在各种曝光剂量和聚焦深度下执行光刻模拟，以生成每个主要热点的强度网格，并利用强度网格生成每个主要热点的轮廓。

[0037] 热点表征系统316还可以确定对当使用曝光剂量和聚焦深度的不同组合制造时检测到的热点的评估。例如，热点表征系统316可以确定曝光剂量的值和聚焦深度的值(如果其存在于对应结构的制造期间)将会导致结构通过或不通过规则组303中的设计规则。在一些实施例中，热点表征系统316还可以确定曝光剂量值和聚焦深度的值(如果其存在于相应结构的制造期间)的范围将会指示应执行额外的轮廓分析以确定是否应当对所制造的结构进行返工。

[0038] 在一些实施例中，热点表征系统316可以通过曝光剂量的值和聚焦深度的值的非均匀离散化来设定曝光剂量和聚焦深度的组合。曝光剂量的值和聚焦深度的值的非均匀离散化可以通过确定光刻响应(例如，作为一组泊松曲线(Bossung curve))来执行，所述光刻响应随后可以用于将曝光剂量值的范围和聚焦深度值的范围细分为不同的离散箱。通过将可能的曝光剂量和聚焦深度分类为离散箱，热点表征系统316可以减少为实时晶片评估生成的热点表征信息305的量。下面将参考图5描述光刻响应的实施例。

[0039] 图5示出了根据各种实施例的示例目标晶片图像510和目标晶片图像510中集成电路结构的对应的光刻响应520。参考图5，目标晶片图像510可以对应于要根据至少一个光刻掩模在光刻过程期间制作的结构，例如结构511。光刻过程可以包括将光以光刻掩模限定的图形曝光到设置在衬底上的层材料来形成集成电路的结构。由于在该光刻过程中存在制造变异性，例如，光的聚焦和/或曝光的剂量的变化，因此在衬底上制造的结构可能不同于目标晶片图像510。

[0040] 在该示例中，可以针对制造参数(例如剂量和聚焦)的不同组合来表征结构511，以确定对潜在的制造变异性的光刻响应520。光刻响应520可以表示为图中的一组曲线，例如泊松曲线，其具有对应于聚焦522的变化的x轴和对应于结构511所产生的线宽521的变化的y轴。每条曲线可以对应于表征过程期间提供的不同剂量。在一些实施例中，光刻响应520可以经由使用用于制造目标晶片图像510的光刻掩模的设计数据的模拟来确定。

[0041] 返回图3，热点检测系统314可以利用泊松曲线来设定用于剂量和聚焦值的箱的尺寸。例如，当泊松曲线的x轴中心存在标称散焦时，热点检测系统314可以生成与剂量和聚焦相关联的值范围增加的箱，因为对应的线宽或关键尺寸变化可以在该范围内最小。然而，当例如在泊松曲线的左边缘和右边缘处散焦增加时，热点检测系统314可以生成与剂量和聚焦相关联的值范围较小的箱，因为对应的线宽或关键尺寸变化可以在较短范围内增加。

[0042] 在图7的框703中，热点表征系统316可以生成填充有与检测到的热点相关联的制造参数的值的热点查找表，并且热点表征系统316可以将热点查找表包括在热点表征信息305中。热点查找表可以包括曝光剂量的值和聚焦深度的值以及对应的热点信息，例如，使用这些曝光剂量的值和聚焦的值制造的对应结构的轮廓，以及对使用曝光剂量的值和聚焦的值制造的结构的评估(例如，通过、不通过或执行返工)。热点查找表可以包括重叠信息，例如所制造的集成电路的不同层的对齐中的偏差。下面将参考图6描述具有热点表征信息
305的查找表的实施例。

[0043] 图6示出了根据各种实施例的具有用于实时基于热点的晶片分析中的热点表征信息的示例查找表600。参考图6，查找表600可以包括具有索引601‑1至601‑N和对应的热点信息602‑1至602‑N的条目。索引可以对应于一组制造参数值611，例如曝光剂量和聚焦深度。在一些实施例中，制造参数值611可以对应于与条目相关联的曝光剂量的值和聚焦深度的值的范围。制造参数值611可以是与条目相关联的曝光剂量和聚焦深度的离散化组合。

[0044] 条目的热点信息602‑1至热点信息602‑N可以包括对当使用对应的索引601‑1至索引601‑N中的制造参数值611制造时检测到的热点的表征。在一些实施例中，热点信息602‑1至热点信息602‑N可以包括当使用对应的索引601‑1至索引601‑N中的制造参数值611制造时检测到的热点的热点轮廓612。热点轮廓612可以对应于当使用对应的索引601‑1至索引601‑N中的制造参数值611制造时结构的模拟版本。热点信息602‑1至热点信息602‑N也可以包括当使用对应的索引601‑1至索引601‑N中的制造参数值611制造时检测到的热点的对齐信息613。在一些实施例中，对齐信息可以对应于与检测到的热点中的(一个或多个)结构相关联的轮廓中的模拟层间偏移。热点信息602‑1至热点信息602‑N也可以包括当使用对应的索引601‑1至索引601‑N中的制造参数值611制造时检测到的热点的评估信息614。评估信息
614可以对应于当检测到的热点是使用对应的索引601‑1至索引601‑N中的制造参数值611制造时的通过、不通过或执行进一步分析的指示。

[0045] 在一些实施例中，可以利用索引601‑1至索引601‑N来访问查找表600中的条目。例如，当已制造了集成电路并且在制造期间利用了指示曝光剂量和聚焦深度的某种组合的计量数据时，可以访问查找表600的条目以基于计量数据来识别对应的热点信息602‑1至热点信息602‑N。通过预先检测热点并将其特征输入到查找表600中，实时晶片评估可以利用实际测量的剂量值和聚焦值来快速确定所制造的集成电路是否包括缺陷或故障。

[0046] 返回参考图3，晶片评估系统320可以在制造的晶片的各种站点处，接收规则组303、热点表征信息305以及与曝光剂量、聚焦深度、对齐等计量数据对应的晶片测量数据
306。晶片评估系统320可以例如通过确定是否启动对一个或多个制造步骤的返工，来对制造的晶片执行实时处置评估。

[0047] 晶片评估系统320可以包括热点分析系统322，在图7的框704中，热点分析系统322可以将与制造的集成电路相关联的晶片测量数据306和与检测到的热点相关联的制造参数的值进行比较。在一些实施例中，热点分析系统322可以利用测量数据306来识别在热点表征信息305中接收的热点查找表中的一个或多个条目，然后利用这些查找条目中的热点信息来评估和处置晶片。例如，当热点分析系统322访问热点查找表中指示晶片已通过或不通过的条目时，热点分析系统322可以基于热点查找表中的评估来处置晶片。

[0048] 在一些实施例中，热点分析系统322可以访问热点查找表中的提供与利用晶片测量数据306制造的热点相关联的结构的轮廓的条目。晶片评估系统320可以包括轮廓分析系统324，轮廓分析系统324基于测量数据306中的剂量和聚焦来执行热点结构的精细轮廓生成，基于测量数据306中的对齐数据来偏移所生成的结构的轮廓，并评估对齐的轮廓的故障或返工。当热点对应于多层重叠时，轮廓分析系统324基于测量数据306中的剂量和聚焦来执行不同层上的多个结构的精细轮廓生成，其还可以包括基于测量数据306中的对齐数据而在生成的结构轮廓中的偏移，然后评估对齐的轮廓的故障或返工。

[0049] 晶片评估系统320可以包括晶片处置系统326，在图7的框705中，晶片处置系统326可以识别对与识别出的热点相关联的一个或多个结构对应的制作的集成电路的处置。晶片处置系统326可以生成分析和返工决策(Analysis and Rework Decision，ARD)，该ARD可以基于从查找表检索到的热点信息或基于轮廓分析。在一些实施例中，晶片处置系统326还可以生成与对检测到的热点的处置相对应的晶片或晶粒(die)的可视化。例如，晶片处置系统326可以生成故障图，该故障图可以提供晶片尺度、域(field)尺度或晶粒尺度上的故障位置的可视化。故障图还可以示出有若干故障超过规格或包含重大缺陷的晶粒。可以使用与故障类型的类型对应的信息，例如桥或重叠区域不足的区域，以及与故障相关联的图形的类型，来对故障图进行注释。在一些实施例中，晶片处置系统326还可以生成图表，例如帕累托(Pareto)图表，其示出了取决于故障类型的故障频率、相对于剂量、聚焦和/或重叠变化的故障数量的增加或减少的趋势等。晶片处置系统326可以生成与结构或一组结构相关联的底层布局数据连同由系统在光刻模拟期间生成的轮廓的可视化。

[0050] 晶片处置系统326可以基于对热点的处置来确定返工的预期。在一些实施例中，晶片处置系统326可以识别出晶粒上的若干个故障点，如果对晶片执行返工则这些故障点可以得到改善。晶片处置系统326可以确定返工降低率(Rework Reduction Rate，RRR)，该返工降低率可以对应于基于传统重叠规范的返工的消除。例如，由于许多传统的返工分析过于悲观，导致不需要的返工，因此晶片处置系统326能够识别出晶片评估系统320节省了多少返工。

[0051] 上述系统和装置可以使用专用处理器系统、微控制器、可编程逻辑设备、微处理器或其任意组合来执行本文所述的一些或全部操作。上述的一些操作可以用软件来实施，而其他操作可以用硬件来实施。本文描述的任何操作、过程和/或方法可以由与本文所述并参考所示附图基本类似的装置、设备和/或系统来执行。

[0052] 处理设备可以执行存储在存储器中的指令或“代码”。存储器也可以存储数据。处理设备可以包括但不限于，模拟处理器、数字处理器、微处理器、多核心处理器、处理器阵列、或网络处理器等。处理设备可以是集成控制系统或系统管理器的一部分，或者可以被提供为便携式电子设备，该便携式电子设备配置为本地地或经由无线传输远程地与联网系统接口。

[0053] 处理器存储器可以与处理设备集成在一起，例如，RAM或FLASH存储器设置在集成电路微处理器等的内部。在其他示例中，存储器可以包括独立设备，例如外部磁盘驱动器、存储阵列、或便携式FLASH钥匙等。存储器和处理设备可以可操作地耦合在一起，或者例如通过I/O端口、或网络连接等彼此通信，并且处理设备可以读取存储在存储器上的文件。相关联的存储器可以借由许可设置而被设计为“只读”(ROM)，或者并非如此。存储器的其他示例可以包括但可以不限于，可在固态半导体装置中实施的WORM、EPROM、EEPROM、FLASH等。其他存储器可以包括移动部件，例如已知的旋转磁盘驱动器等。所有这样的存储器可以是“机器可读的”，并且可以由处理设备读取。

[0054] 操作指令或命令可以用存储的计算机软件(也称为“计算机程序”或“代码”)的有形形式来实施或体现。程序或代码可以存储在数字存储器中，并且可以由处理设备读取。“计算机可读存储介质”(或者可替换地，“机器可读存储介质”)可以包括所有上述类型的存储器，以及未来的新技术，只要存储器能够至少暂时地以计算机程序或其他数据的特性来存储数字信息，并且只要所存储的信息可以被适当的处理设备“读取”即可。术语“计算机可读”可以不限于“计算机”的历史使用，以暗示完整的大型机、小型计算机、桌上型计算机或甚至膝上型计算机。相反，“计算机可读”可以包括可以由处理器、处理设备或任何计算系统可读的存储介质。这种介质可以是可由计算机或处理器本地和/或远程访问的任何可用介质，并且可以包括易失性和非易失性介质，以及可移动和不可移动介质，或其任何组合。

[0055] 存储在计算机可读存储介质中的程序可以包括计算机程序产品。例如，存储介质可以用作存储或传输计算机程序的方便手段。为方便起见，可以将操作描述为各种互连或耦合的功能块或图示。然而，可能存在这样的情况，在这些情况中，这些功能块或图示可以等价地聚集到具有不清楚边界的单个逻辑设备、程序或操作中。

[0056] 结论

[0057] 虽然本申请描述了实行本发明的实施例的具体示例，但是本领域技术人员将会理解，在所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围内，存在上述系统和技术的许多变化和置换。例如，虽然上面已经使用了特定的术语来指代电子设计自动化过程，但是应当理解，可以使用电子设计自动化过程的任何期望组合来实施本发明的各种示例。

[0058] 本领域技术人员还将认识到，本文所教导的概念可以以许多其他方式调整以适应于特定应用。特别地，本领域的技术人员将认识到，所示出的示例仅是在阅读本公开之后将变得名了的许多可替代实施方式中的一个实施方式。

[0059] 尽管本说明书可以在几个位置中提及“一”、“一个”、“另一个”或“一些”示例，但这并不一定意味着每个这样的引用都是针对相同的示例，或者该特征仅适用于单个示例。